PRACTICA N° 10

DISEÑO DE PRE-AMPLIFICADORES DE AUDIO DE SEÑAL

DÉBIL CON BASE EN TRANSISTORES BJT

PROTOCOLO

ELECTRÓNICA ANÁLOGA I

EDICIÓN 2017
PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANÁLOGA I

Laboratorio de Electrónica Análoga I Página 1 de 28

 TABLA DE CONTENIDO
1. INTRODUCCIÓN ................................................................................................... 3
2. OBJETIVOS .......................................................................................................... 3
2.1 OBJETIVO GENERAL. ................................................................................... 3
2.2 OBJETIVO ESPECIFICOS. ............................................................................ 3
3. SEGURIDAD PARA LA PRÁCTICA....................................................................... 4
4. ASIGNACIÓN DE TIEMPOS ................................................................................. 4
5. MARCO TEÓRICO ................................................................................................ 4
5.1 CONCEPTOS FUNDAMENTALES PARA ELABORAR EL MARCO TEORICO
…………………………………………………………………………………………5
6. PROCEDIMIENTO PARA LA PRÁCTICA ............................................................ 27
7. BIBLIOGRAFÍA .................................................................................................... 28
8. ANEXOS.............................................................................................................. 28
A1. PDF ................................................................................................................. 28

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1. INTRODUCCIÓN

El diseño de pre-amplificadores de voltaje consiste en crear adecuadamente una

máquina de electrónica que reciba una señal de entrada generalmente del orden de
milivoltios o microvoltios en su voltaje pico (todas las señales se pueden descomponer
como una sumatoria de voltajes sinusoidales, cada uno con su voltaje pico-Series de
Fourier). El amplificador toma esta señal de entrada y mediante un proceso bellamente
complejo, la convierte en una señal con voltaje pico mucho más grande, sin perder la
forma ni la frecuencia.

En consecuencia, para efectos del diseño tomaremos como señal de entrada la onda:

𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝑝 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)
Y como señal de salida:

𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝐴𝑣𝑉𝑝 𝑆𝑒𝑛(𝜔𝑡)

Donde 𝐴𝑣 es el factor de amplificación de voltaje

Donde 𝜔 = 2𝜋𝑓
𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜𝑠
Donde 𝑓 es la frecuencia en
𝑠𝑒𝑔𝑢𝑛𝑑𝑜
Ver figura (1)

𝑉𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑣
𝑉𝑖𝑛 𝑅𝑙

Figura 1. Amplificador de Voltaje

2. OBJETIVOS

2.1 OBJETIVO GENERAL.

Lograr que el estudiante sea capaz de diseñar un amplificador de señal débil.

2.2 OBJETIVO ESPECIFICOS.

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  Enseñarle al estudiante a polarizar un transistor que va a ser usado como
amplificador de voltaje.
 Enseñarle al estudiante a agregar adecuadamente los condensadores
necesarios para proteger la fuente de señal y adaptar el voltaje de salida a una
segunda etapa.
 Darle al estudiante la capacidad de fraccionar la resistencia RE para lograr un
valor específico de amplificación del voltaje.
 Lograr que el estudiante entienda las razones por las cuales una juntura
diódica excitada por una señal alterna débil se convierte en una resistencia
dinámica (𝑟𝑒, ).

3. SEGURIDAD PARA LA PRÁCTICA

Los estudiantes no se exponen a ningún peligro en esta práctica.

4. ASIGNACIÓN DE TIEMPOS

Los estudiantes, divididos en grupos de 3 personas, deben llegar al laboratorio con el

amplificador diseñado y construido previamente en un protoboard (en el laboratorio de
uso libre con que cuenta la Facultad de Electrónica).
Tiempo asignado para el desarrollo de la práctica: 2 sesiones de 1 hora y 30 minutos.

5. MARCO TEÓRICO

El estudiante debe llegar al laboratorio con un pre informe escrito a mano alzada que
contenga las explicaciones teóricas de los criterios de diseño vistos en clase y un
diseño con características escogidas por el profesor del laboratorio. Los criterios
teóricos deben ser:
 Teorema de superposición.
 Polarización de transistores BJT por la estrategia de divisor de voltaje con la
deducción teórica de las ecuaciones a usar.
 Cálculo del valor de los condensadores de acople y de paso con la previa
deducción de todas las expresiones matemáticas a usar. Evaluación clara de
las impedancias equivalentes de entrada y salida de un amplificador hasta
deducir las resistencias equivalentes que acompañan a los condensadores
para así poderlos calcular.
1
No olvidar que 𝑋𝑐 = y que 𝑋𝑐 debe ser la décima parte de la resistencia
2𝜋𝐹𝐶
equivalente que rodea el condensador (Red de atraso o de adelanto).
 Deducción del circuito equivalente de un transistor excitado por una corriente
alterna.

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5.1 CONCEPTOS FUNDAMENTALES PARA ELABORAR EL MARCO TEORICO

AMPLIFICADORES DE VOLTAJE DE SEÑAL DÉBIL

La capacidad que tiene el transistor de amplificar corriente se puede aplicar,

agregando ingeniosamente algunas resistencias y condensadores, para que
amplifique cualquier tipo de señal de voltaje variable. Recuérdese que se explicó
anteriormente, que cualquier tipo de señal variable en el tiempo, se puede convertir en
una sumatoria de senos y cosenos de frecuencias múltiplos de la frecuencia
fundamental.
El primer trabajo que se debe adelantar para hacer amplificación de voltaje es el de
preparar el transistor para que pueda ser excitado por señales de voltaje variable. Esta
preparación en el mundo electrónico se conoce como “polarizar el transistor”. La
estrategia campeona para polarizar un transistor se le conoce como “polarización por
divisor de voltaje”. Esta estrategia no nació porque un extraterrestre nos indicó cómo
hacerla, simplemente fue un proceso creativo, secuencial, hasta llegar a la solución
óptima.
Todo esfuerzo para polarizar un transistor debe cumplir inexorablemente con tres
principios:
1. Se debe polarizar la juntura Base-Emisor en directo.
2. Se debe polarizar la juntura Base-Colector en inverso.
3. El punto de polarización(ICQ,VCEQ) debe ser independiente de los cambios de
Beta(Recuérdese que Beta cambia con la temperatua y con la fabricación)

Si observamos la Figura 2, esta cumple con las especificaciones 1 y 2. Sin embargo,

en el circuito de base se puede observar que obedece a la siguiente ecuación:

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 0.7𝑣
𝑉𝐵𝐵 − 0.7𝑣
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝐼𝐶
Como 𝐼𝐵 = 𝛽

𝐼𝐶 𝑉𝐵𝐵 − 0.7𝑣
⇒ =
𝛽 𝑅𝐵

𝑉𝐵𝐵 − 0.7𝑣
𝐼𝐶 =
𝑅𝐵
𝛽

Como se puede apreciar, 𝐼𝐶 depende de 𝛽. Recordar que 𝛽 depende de los cambios

de temperatura y del ambiente cambiante de fabricación día a día. Los cambios de 𝛽
para una misma referencia de transistor pueden ser de 3 a 1, lo cual cambiaría el valor
de 𝐼𝐶 y el valor de 𝑉𝐶𝐸 . Por lo tanto, esta no es una buena polarización para hacer

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amplificadores. Esta polarización de base es buena para hacer circuitos de
conmutación y se puede apreciar en una versión mejorada en la Figura 3.

Figura 2. Polarización Básica Base-Emisor en directo, Polarización Básica Base-

Colector en inverso.

Figura 3. Polarización de BASE para circuitos de conmutación.

En el circuito de la Figura 3, la única condición para asegurar que base-colector esté

en inverso, es que 𝑉𝐶𝐶 ≫ 𝑉𝐵𝐵 .

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Sobre este circuito seguramente en los cursos de Sistemas Electrónicos Digitales se
trabajará en el diseño de una compuerta NOT. Aquí se trae sólo a colación para que
sirva como punto de partida en la búsqueda del perfeccionamiento de la polarización
de un transistor para amplificación. Si se repasa la ecuación deducida para 𝐼𝐶
obtenida en el circuito de polarización de base,
𝑉𝐵𝐵 − 0.7𝑣
𝐼𝐶 =
𝑅𝐵
𝛽
Se puede apreciar que la solución para un valor de 𝐼𝐶 estable con respecto a los
cambios del valor de 𝛽, se logra si se transforma el anterior circuito en un circuito que
𝑅
genere una ecuación en donde el término 𝐵 esté sumado con un término que
𝛽
represente una resistencia, pero con la condición de que esta resistencia sea mucho
𝑅
mayor que 𝐵 . Esta sencilla reflexión conduce de manera natural al circuito de la
𝛽
Figura 4.

Figura 4. Polarización de BASE sin depender de 𝛽.

Donde en el circuito de base-emisor,

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 0.7𝑣 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝐼𝐶
Como 𝐼𝐵 = 𝛽

𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶
𝑅𝐵
⇒ 𝑉𝐵𝐵 ≅ 𝐼𝐶 + 0.7𝑣 + 𝐼𝐶 𝑅𝐸
𝛽

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 𝑅𝐵
⇒ 𝐼𝐶 ( + 𝑅𝐸 ) ≅ 𝑉𝐵𝐵 − 0.7𝑣
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 0.7𝑣
⇒ 𝐼𝐶 ≅
𝑅𝐵
+ 𝑅𝐸
𝛽
𝑅𝐵
De esta última ecuación, si 𝑅𝐸 ≫
𝛽

𝑉𝐵𝐵 − 0.7𝑣
⇒ 𝐼𝐶 ≅
𝑅𝐸
Como se puede apreciar 𝐼𝐶 es inmune a los cambios de 𝛽, es decir, no depende de 𝛽.
Lo que quedaría por perfeccionar sería reducir el número de fuentes de voltaje, de 2 a
1. Eliminando a 𝑉𝐵𝐵 y dejando solo a 𝑉𝐶𝐶 . Esto se logra reemplazando simplemente a
𝑉𝐵𝐵 por un divisor resistivo elemental (Ver Figura 5).

Figura 5. Polarización con usa sola fuente sin depender de 𝛽= Polarización

con “DIVISOR DE VOLTAJE”= Polarización UNIVERSAL.

Con el divisor resistivo conformado por 𝑅1 y 𝑅2 , fácilmente se reemplaza la fuente 𝑉𝐵𝐵

por 𝑉𝑅2 , donde,
𝑉𝐶𝐶 𝑅2
𝑉𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2
En la Figura 5(b) se puede observar el circuito óptimo elaborado con reflexiones muy
sencillas sin necesidad de la ayuda de un extraterrestre.
Este circuito, para analizarlo fácilmente y obtener las ecuaciones que lo modelan para
efectos del diseño de punto 𝑄 (𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 ) se debe obtener el equivalente THEVENIN
entre los puntos “x” y “y” de la Figura 6 (a).
En el circuito de la malla 𝐼 de la Figura 6 (b):

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 𝑉𝑇𝐻 = 𝐼𝐵 𝑅𝑇𝐻 + 0.7𝑣 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
Como:
𝐼𝐶
𝐼𝐵 = 𝛽

𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶
𝑅𝑇𝐻 𝑅𝑇𝐻
⇒ 𝑉𝑇𝐻 − 0.7𝑣 ≅ 𝐼𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐸 ≅ 𝐼𝐶 ( + 𝑅𝐸 )
𝛽 𝛽
𝑉𝑇𝐻 − 0.7𝑣
⇒ 𝐼𝐶 ≅
𝑅𝑇𝐻
+ 𝑅𝐸
𝛽
𝑅𝑇𝐻
Si hacemos deliberadamente 𝑅𝐸 ≫
𝛽

𝑉𝑇𝐻 − 0.7𝑣
⇒ 𝐼𝐶 ≅
𝑅𝐸
Por consiguiente 𝐼𝐶 no depende de los cambios de 𝛽.

Figura 6. Equivalente THEVENIN del circuito de polarización por divisor de voltaje.

Con base en la anterior polarización, de la cual ya se realizó un laboratorio, es fácil

diseñar un amplificador de señal débil para bajas frecuencias en clase A (un solo
transistor se encarga de la amplificación de los 360° de la onda).
Para empezar se debe acoplar la señal a amplificar al circuito de polarización del
transistor. Esto se lleva a cabo mediante un dispositivo que para corriente alterna sea
un corto y para corriente continua sea circuito abierto (de esta manera se protege la
fuente de señal de la fuente 𝑉𝐶𝐶 ). El dispositivo que cumple con estas características
es un condensador. Para este caso será el condensador identificado como 𝐶1 . La

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polaridad de este condensador debe ser “+” para el lado donde haya un voltaje mayor.
En este caso el voltaje mayor se encuentra sobre el lado donde se unen 𝑅1 con 𝑅2
(recordar los conceptos de polarización por divisor de voltaje). El voltaje de la fuente
de señal es del orden de milivoltios que es mucho menor que el voltaje 𝑉𝑅2 .
La señal de salida amplificada se acopla a una siguiente etapa representada por
𝑅𝐼𝑁.𝑆𝐸.

Figura 7. Inyectando una señal a amplificar

Si se utiliza el teorema de superposición (estudiado en la asignatura “Circuitos

eléctricos I”) se puede extraer el modelo de corriente alterna que se observa en la
Figura 8.

Figura 8. Modelo de ca del amplificador-usando el teorema de superposición

En el modelo ilustrado se observa que la juntura base-emisor del transistor estará

excitada por una fuente de corriente alterna, esta situación obliga a encontrar un
modelo matemático de un diodo estimulado por corriente alterna.

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En la Figura 9 se recuerda el comportamiento de la corriente en un diodo vs. el voltaje
medido en el diodo. La polarización llevada a cabo previamente colocó el diodo en un
punto de trabajo de corriente continua (punto 𝑄) y la señal de corriente alterna lo
desplazará aumentando la corriente 𝑖𝑒 y después disminuyéndola (Ver Figura 9).

Figura 9. Juntura BE excitada con señal ca.

Desarrollar un modelo matemático que represente un elemento circuital de esta

situación no es fácil. Sin embargo, se puede aproximar a una resistencia variable
∆𝑉
calculada como ∆𝑖𝐵𝐸 ; y dado que se está trabajando con señal débil, se puede
𝑒
1
aproximar a 𝜕𝑖𝑒 . Este valor se conoce mundialmente como 𝑟𝑒′ .
𝜕𝑉𝐵𝐸

Partiendo de la expresión deducida por el premio nobel de física en 1956, William

Shockley,
𝑞𝑉𝐵𝐸 𝑞𝑉𝐵𝐸
𝑖𝑒 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑚𝐾𝑇 − 1) = 𝐼𝑆 𝑒 𝑚𝐾𝑇 − 𝐼𝑆

∆𝑉𝐵𝐸 1
= = 𝑟𝑒′
∆𝑖𝑒 𝜕𝑖𝑒
𝜕𝑉𝐵𝐸
De la Figura 9 se observa que 𝐼𝑆 es constante y muy pequeña

𝑞𝑉𝐵𝐸
𝑖𝑒 ≅ 𝐼𝑆 𝑒 𝑚𝐾𝑇
Ahora,

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 𝑞𝑉𝐵𝐸
𝜕𝑖𝑒 𝑞 𝑞𝑉𝐵𝐸 𝑞𝐼𝑆 𝑒 𝑚𝐾𝑇
= 𝐼𝑆 𝑒 𝑚𝐾𝑇 − 0 =
𝜕𝑉𝐵𝐸 𝑚𝐾𝑇 𝑚𝐾𝑇

𝜕𝑉𝐵𝐸 𝑚𝐾𝑇
⇒ = 𝑞𝑉𝐵𝐸
𝜕𝑖𝑒
𝑞𝐼𝑆 𝑒 𝑚𝐾𝑇

𝑚𝐾𝑇
Como en diodos con base en Silicio: 𝑞
≅ 25𝑚𝑉 a una temperatura aproximada de
25°C (por cambios de temperatura de 10°C, estos 25mV sólo cambian 1 milivoltio)

𝜕𝑉𝐵𝐸 25𝑚𝑉
⇒ ≅ 𝑞𝑉𝐵𝐸
𝜕𝑖𝑒
𝐼𝑆 𝑒 𝑚𝐾𝑇
𝑞𝑉𝐵𝐸
Como 𝐼𝑆 𝑒 𝑚𝐾𝑇 ≅ 𝑖𝑒
𝜕𝑉𝐵𝐸 25𝑚𝑉 25𝑚𝑉
⇒ ≅ ≅ = 𝑟𝑒′
𝜕𝑖𝑒 𝑖𝑒𝑄 𝐼𝐶𝑄
A este valor, los Ingenieros Electrónicos lo designan como 𝑟𝑒 ′ y lo llaman Resistencia
Dinámica del diodo BASE-EMISOR en un transistor de Doble Juntura.
Por consiguiente, el circuito equivalente de c.a. del amplificador se convierte en (Ver
Figura 10):

Figura 10. Equivalente ca del amplificador.

El modelo de transistor que se exhibe en la Figura 10 es conocido en el mundo como

el modelo de Ebers Moll, el cual, para los objetivos de este laboratorio, es
suficientemente claro. El modelo 𝜋 y el modelo de parámetros híbridos se usarán
cuando sean pertinentes. Por el momento se deben tener en cuenta las siguientes
equivalencias para leer las hojas de características de los manuales de los transistores
a usar:
𝛽 = ℎ𝑓𝑒

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 ℎ𝑖𝑒 = (𝛽 + 1)𝑟𝑒′ ≅ 𝛽𝑟𝑒′
Ahora, para obtener la ganancia de voltaje 𝐴𝑉 del circuito de la Figura 10 basta con
encontrar la relación que existe entre el voltaje de salida y entrada. De la Figura 10 se
puede deducir:

𝑉𝑆𝐴𝐿 −𝑖𝑐 (𝑅𝐶 ||𝑅𝐼𝑁.𝑆𝐸 )

𝐴𝑉 = =
𝑉𝑖𝑛 𝑖𝑒 (𝑟𝑒′ + 𝑅𝐸 )
Como 𝑖𝑒 ≅ 𝑖𝑐
(𝑅𝐶 ||𝑅𝐼𝑁.𝑆𝐸 )
⇒ 𝐴𝑉 = −
(𝑟𝑒′ + 𝑅𝐸 )
Para que |𝐴𝑉 | > 1
⇒ 𝑅𝐶 ||𝑅𝐼𝑁.𝑆𝐸 > 𝑟𝑒′ + 𝑅𝐸
⇒ 𝑅𝐶 > 𝑅𝐸 (𝑑𝑒 3 𝑎 5 𝑣𝑒𝑐𝑒𝑠 𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥𝑖𝑚𝑎𝑑𝑎𝑚𝑒𝑛𝑡𝑒)

El criterio previo permite fácilmente deducir los valores 𝑅𝐶 y 𝑅𝐸 de la polarización por

divisor de voltaje. Recordémosla rápidamente,
Si se observa la Figura 6(b), en ella el circuito (II):
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
Como 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶
1 𝑉𝐶𝐶
⇒ 𝐼𝐶 = (− ) 𝑉𝐶𝐸 +
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

Si se grafica esta ecuación en un plano cartesiano donde el eje “x” sea 𝑉𝐶𝐸 y el eje “y”
sea 𝐼𝐶 (Ver Figura 11), la ecuación representará una recta de la forma y=mx+b (recta
𝑉
que no pasa por el origen y corta al eje “y” en b, para este caso b es 𝐶𝐶 y se le
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
conoce mundialmente como 𝐼𝐶 de saturación de corriente continua ( 𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡.𝑐.𝑐. )) .

Figura 11. Recta de carga de corriente continua.

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Esta recta facilita el diseño de la polarización por divisor de voltaje. Generalmente el
punto 𝑄 se diseña centrado. Esto significa que:
𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡.𝑐.𝑐. = 2𝐼𝐶𝑄
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸𝑄 =
2

La idea de centrar el punto 𝑄 es válida para amplificadores de señal débil, sin embargo
para amplificadores de señal intensa, como se verá más adelante, este criterio no es
válido. Para amplificador de señal intensa la recta que se debe tener en cuenta es la
recta de carga de corriente alterna (Ver Figura 12). En ella se ve el peligro de
deformar la señal contra el punto 𝑉𝐶𝐸𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 𝑐𝑎 . Este tema se analizará en detalle en
Electrónica Análoga II.

Figura 12. Comparación de las rectas de carga de corriente continua contra la recta
de carga de corriente alterna.

Hechas estas aclaraciones, volvamos sobre el amplificador que se encuentra en

diseño:
Dado que 𝑟𝑒′ es una resistencia no lineal que deforma la señal a amplificar, su efecto
debe ser minimizado. Esto se logra con un golpe de ingenio sencillo. Simplemente se
fracciona 𝑅𝐸 en dos resistencias 𝑅𝐸1 , 𝑅𝐸2 (Ver Figura 13) de tal manera que:
𝑅𝐸 = 𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2
Y además que 𝑅𝐸1 ≫ 𝑟𝑒′ (más o menos 10 veces)
Por lo tanto,
(𝑅𝐶 ||𝑅𝐼𝑁.𝑆𝐸 )
⇒ 𝐴𝑉 = −
(𝑟𝑒′ + 𝑅𝐸1 )

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 Figura 13. Amplificador de señal débil con minimización del efecto de 𝑟𝑒′ .

Otra estrategia circuital que se usa para analizar y diseñar los amplificadores a baja
frecuencia, es el que ve el amplificador con base en transistor BJT como un
cuadripolo. Este modelo no parte de los fenómenos físicos internos del transistor, si no
que vé a Este como una “caja negra” y le hace mediciones desde afuera. Éste
modelo se explicará a continuación.

MODELO DE PARAMETROS HIBRIDOS PARA UN AMPLICADOR CON BASE EN

TRANSISTOR BJT SOMETIDO A BAJAS FRECUENCIAS Y SEÑAL DÉBIL

Si se coloca un transistor BJT en configuración de amplificador de Emisor-Común (EC)

y se polariza por la estrategia de divisor de voltaje de tal manera que la corriente ICQ
sea de 1mA, fácilmente se pueden medir los siguientes parámetros:
1. Impedancia de entrada (h11)
2. Ganancia de corriente (h21)
3. Ganancia inversa de voltaje (h12)
4. Admitancia de salida (h22)

Los dos primeros parámetros se deben medir de tal manera que el voltaje de salida v2
sea igual a cero, es decir, con v2 en corto (Ver Figura 14(b)) y los dos últimos
parámetros se deben medir con la entrada v1 abierta, es decir, con corriente i1 igual a
cero (Ver Figura 14(c)).
La anterior metodología implica reducir el amplificador al circuito equivalente de la
Figura 14 (a) que a su vez se puede modelar por las siguientes ecuaciones:
𝑣1 = (ℎ11 ∗ 𝑖1) + (ℎ12 ∗ 𝑣2)
𝑖2 = (ℎ21 ∗ 𝑖1) + (ℎ22 ∗ 𝑣2)

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Si se desean despejar h11 y h21, sólo se puede lograr si se coloca v2 en corto (v2=0).
Por consiguiente:
𝑣1
ℎ11 =
𝑖1

𝑖2
ℎ21 =
𝑖1
Si se desean despejar h12 y h22, sólo se puede lograr si se obliga a que i1 sea igual a
cero (entrada abierta, i1=0). Por consiguiente:
𝑣1
ℎ12 =
𝑣2
𝑖2
ℎ22 =
𝑣2

Figura 14. (a)Modelo circuital de corriente alterna con parámetros híbridos para un
amplificador (b) Medición de los parámetros h11 y h21 (c) Medición de los parámetros
h12 y h22

Esta es una metodología heredada de la teoría de cuadripolos de la materia “Circuitos

Eléctricos y Electrónicos”. La anterior metodología conlleva al modelo presentado en la
Figura 14 (a).

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Como ejemplo para aplicar esta metodología se toma el transistor 2N3904, se hace un
amplificador de emisor común con base en una polarización por divisor de voltaje de
tal manera que ICQ sea 1 mA. Se llevó a cabo el anterior procedimiento y los
resultados obtenidos fueron (Ver Figura 14 (b)):

𝑣1 35𝑚𝑉
ℎ11 = 𝑖1
= 0.01𝑚𝐴 = 3.5𝐾Ω (recordar que v2 es igual a cero)
𝑖2 1.2 𝑚𝐴
ℎ21 = = = 120 (recordar que v2 es igual a cero)
𝑖1 0.01 𝑚𝐴
𝑣1 1.3 𝑚𝑉
ℎ12 = 𝑣2 = 10 𝑉
= 1.3 ∗ 10−4 (recordar que la entrada está abierta, i1=0)
𝑖2 85𝜇𝐴
ℎ22 = 𝑣2 = 10 𝑉
= 8.5 𝜇𝑆 (recordar que la entrada está abierta, i1=0)

La unidad 𝜇𝑆 se refiere a micro-siemens, que es el inverso de Ohmios (Ω). En algunos

países también se denomina “mhos”.
Como ejemplo didáctico para ratificar conceptos y comparar la calidad de los modelos
circuitales de los transistores, se va a comparar el modelo de Ebers Moll con el modelo
híbrido analizando un circuito de amplificador de emisor común.

Ejemplo:
Hallar la ganancia de voltaje del siguiente amplificador usando el modelo de
parámetros híbridos y después usando el modelo Ebers Moll:

Figura 15. Ejemplo de amplificador de emisor-común con ICQ=1 mA.

Obteniendo el modelo de corriente alterna, el circuito quedaría como la Figura 16.

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 Figura 16. Modelo de corriente alterna del circuito de la Figura 15.

Ahora, si se reemplaza el transistor Q1 por el modelo de parámetros híbridos medidos

para el transistor 2N3904, el circuito quedaría:

Figura 17. Circuito equivalente del amplificador de emisor común incluyendo los
parámetros híbridos del transistor 2N3904.

La ganancia de voltaje sería:

𝑣2 −𝑖2 ∗ 𝑟𝐿 −𝑖2 ∗ 𝑟𝐿
𝐴𝑣 = = =
𝑣1 (ℎ11 ∗ 𝑖1) + (ℎ12 ∗ 𝑣2) (ℎ11 ∗ 𝑖1) − (ℎ12 ∗ 𝑖2 ∗ 𝑟𝐿)

Dividiendo por 𝑖2 se obtiene:

−𝑟𝐿
𝐴𝑣 =
(ℎ11)⁄𝐴𝑖 − (ℎ12 ∗ 𝑟𝐿)

𝑖2 (ℎ21∗𝑖1)+(ℎ22∗𝑣2)
Donde 𝐴𝑖 = 𝑖1 = 𝑖1
= ℎ21 + ℎ22 ∗ (𝑣2⁄𝑖1)

En la Figura 17, 𝑣2 = −𝑖2 ∗ 𝑟𝐿, por lo tanto,

𝑖2 ∗ 𝑟𝐿
𝐴𝑖 = ℎ21 − ℎ22 = ℎ21 − (𝐴𝑖 ∗ ℎ22 ∗ 𝑟𝐿)
𝑖1
Despejando 𝐴𝑖,

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 ℎ21
𝐴𝑖 =
1 + (ℎ22 ∗ 𝑟𝐿)
Reemplazando 𝐴𝑖 en la fórmula despejada hasta el momento de 𝐴𝑣 se obtiene:

−𝑟𝐿 −ℎ21 ∗ 𝑟𝐿
𝐴𝑣 = =
(ℎ11)⁄𝐴𝑖 − (ℎ12 ∗ 𝑟𝐿) ℎ11 + ((ℎ11 ∗ ℎ22) − (ℎ12 ∗ ℎ21))𝑟𝐿

ℎ11 ∗ ℎ22 = 8.5 ∗ 10−6 = 0.02975

ℎ12 ∗ ℎ21 = 0.0156

𝑣1 35𝑚𝑉
ℎ11 = 𝑖1
= 0.01𝑚𝐴 = 3.5𝐾Ω (recordar que v2 es igual a cero)
𝑖2 1.2 𝑚𝐴
ℎ21 = = = 120 (recordar que v2 es igual a cero)
𝑖1 0.01 𝑚𝐴
𝑣1 1.3 𝑚𝑉
ℎ12 = 𝑣2 = 10 𝑉
= 1.3 ∗ 10−4 (recordar que la entrada está abierta, i1=0)
𝑖2 85𝜇𝐴
ℎ22 = = = 8.5 𝜇𝑆 (recordar que la entrada está abierta, i1=0)
𝑣2 10 𝑉

Ahora, reemplazando los parámetros híbridos del transistor 2N3904 da como

resultado:
−120(1650) −198000
𝐴𝑣 = = = −56.196
3500 + (0.01415)(1650) 3500 + 23.34

Ahora, se puede aplicar el modelo de Ebers Moll:

Si se desarrolla este análisis con el modelo Ebers Moll, la ganancia de voltaje sería:
−𝑅𝐶||𝑅𝐿 −3.3𝐾Ω||3.3𝐾Ω −1650
𝐴𝑣 = = =
𝑟𝑒′ 𝑟𝑒′ 𝑟𝑒′
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 ′ = = = 28.9Ω
𝐼𝐶𝑄 0.9𝑚𝐴
−1650
⟹ 𝐴𝑣 =
= −57.09
28.9
Como se puede apreciar, el esfuerzo de cálculo con el modelo híbrido es muy grande,
aunque se puede asegurar que permite obtener resultados exactos. Sin embargo, con
el modelo de Ebers Moll se obtiene rápidamente un cálculo de la ganancia de voltaje
muy cercano del valor exacto. Se sugiere que el modelo de parámetros híbridos se
use sólo cuando sea estrictamente necesario.
Es importante resaltar que la mayoría de fabricantes de transistores colocan en la hoja
de características de su producto los parámetros híbridos con las siguientes
convenciones:
ℎ21 = ℎ𝑓𝑒 = 𝛽

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 ℎ12 = ℎ𝑟𝑒
ℎ11 = ℎ𝑖𝑒 = 𝛽𝑟𝑒′
ℎ22 = ℎ𝑜𝑐

ℎ𝑖𝑒 = 𝛽𝑟𝑒′
ℎ𝑓𝑒 = 𝛽
⟹ ℎ𝑖𝑒 = ℎ𝑓𝑒 𝑟𝑒′
ℎ𝑖𝑒
⟹ 𝑟𝑒 ′ ≅
ℎ𝑓𝑒
ℎ22 = ℎ𝑜𝑐 tiene un importante significado, porque su inverso representa la impedancia
que tiene la fuente de corriente en paralelo. Para el 2N3904, el inverso de 8.5𝜇𝑆 es
117647.058Ω, es decir, 117.6KΩ, que es una resistencia muy grande. Por eso, para
efecto de cálculo de la impedancia de salida de amplificadores de emisor común, esta
resistencia se considera infinita y la impedancia de salida se reduce a RC.
Otro comentario importante de h22 es que representa la pendiente de la curva en
zona lineal de la Figura 12. Si la pendiente fuese de valor cero significaría que la
juntura base – colector sería una fuente de corriente perfecta, pero como se concluyó
en el párrafo anterior: es una fuente de corriente imperfecta.
Los parámetros híbridos se tienen que saber interpretar. La mayoría de los fabricantes
de transistores publican generalmente estas características para una corriente de
colector de corriente continua fija. Por ejemplo para el 2N3904, los parámetros
híbridos dados en el manual fueron tomados para un 𝐼𝐶𝑄 de 1 mA. Si el diseñador
cambia el 𝐼𝐶𝑄 debe ajustar los parámetros híbridos para esa nueva 𝐼𝐶𝑄 y para ello
debe consultar unas curvas (que da el fabricante) de cambio de parámetros híbridos
para deducir el valor del parámetro a medida que cambia 𝐼𝐶𝑄 . Estas curvas
generalmente están como material anexo en el manual que publica el fabricante sobre
su transistor.
Un diseñador experto debe permanentemente tener el ingenio en sus creaciones para
no depender de ningún parámetro híbrido. Por ejemplo, cuando se diseña la
polarización de un transistor, ésta no debe depender de ℎ𝑓𝑒 o 𝛽.
ℎ𝑖𝑒
El diseñador no debe depender tampoco de 𝑟𝑒 ′ ≅ . La ganancia de voltaje
ℎ𝑓𝑒
(𝑅𝐶 ||𝑅𝐼𝑁.𝑆𝐸 )
𝐴𝑉 = − debe tener en el denominador 𝑅𝐸1 mucho mayor que 𝑟𝑒′ y esto es
(𝑟𝑒′ +𝑅𝐸1 )
fácil de lograr. De esta manera no se depende de ℎ𝑖𝑒 ni de ℎ𝑓𝑒 .
El inverso del parámetro ℎ𝑜𝑐 , en la mayoría de los diseños, se puede tomar como
infinito. Esto significa que la fuente de corriente de la juntura base-colector
generalmente se asume como fuente de corriente perfecta (ideal).
No olvidar que los parámetros híbridos se logran obtener calculando el THEVENIN
equivalente en la entrada y en NORTON equivalente en la salida (Ver Figura 18).

Laboratorio de Electrónica Análoga I Página 20 de 28

 Figura 18. Modelo de un Amplificador con base en un transistor BJT para
facilitar el análisis de los circuitos con REALIMENTACIÓN (parámetros
híbridos).

Hasta el momento los amplificadores que se han diseñado no tienen realimentación, la

idea es conocer primero los conceptos básicos de la amplificación, pero a medida que
se tengan más elementos de juicio, se podrán modificar los anteriores circuitos para
buscar la perfección a través de la realimentación. Este tema es clave, pero requiere
formación avanzada. Primero los conceptos básicos bien entendidos y después se
pueden introducir temas de alta complejidad. Si se está bien preparado en los
conceptos básicos, todo será fácil de entender y no habrá nada complejo.
En los siguientes cursos de electrónica análoga, el modelo de parámetros híbridos se
utiliza para analizar los circuitos con realimentación. Todos los amplificadores
comerciales deben ser amplificadores realimentados. La realimentación es
precisamente una estrategia de alto ingenio para diseñar equipos electrónicos que no
dependan de los parámetros híbridos.
Los diseños no deben depender de estos parámetros porque ellos dependen de las
circunstancias de fabricación de los transistores, dependen también de la temperatura.
Como ejemplo de lo anterior, el 2N3904 puede tener un ℎ𝑓𝑒 o 𝛽 que puede cambiar
desde 100 hasta 300, dependiendo del 𝐼𝐶𝑄 . Por efectos de la temperatura el cambio
también puede ser de 3 a 1. Este mismo análisis se aplica para 𝑟𝑒′ .

DISEÑO DEL VALOR DE LOS CONDENSADORES DE ACOPLE (C1, C2) Y PASO

A TIERRA (C3)

CALCULO DEL VALOR DE C1

Laboratorio de Electrónica Análoga I Página 21 de 28

C1 se deduce sacando el circuito equivalente de ca en el circuito de entrada de la
señal (Ver Figura 19).En este circuito la impedancia de entrada es alta. La resistencia
equivalente de este circuito seria: RS+Zin=Requiv donde:
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝛽(𝑟𝑒 ′ + 𝑅𝐸1)

Figura 19. Entrando la señal por la BASE se encuentra la mayor impedancia de

entrada

Ahora, como obtengo C1?

Pues con un sencillo criterio:
Diseñar C1 de tal manera que su XC1 sea despreciable con respecto a la Requiv.
calculando XC1 a la mínima frecuencia de trabajo del circuito. Un buen nivel de
desprecio en la ciencia electrónica es:

1
𝑋𝐶1 = 0.1𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣. =
2𝜋𝐹𝐶1
Por consiguiente:
1
𝐶1 =
2𝜋𝐹(0.1 ∗ Requiv. )
Ejemplo:
Si la Requiv. del circuito de la Figura 19 fuese 2KOhm y la mínima frecuencia de
trabajo fuese 20Hz, C1 sería igual a:
1 1
𝐶1 = = = 3.97𝜇𝐹
2𝜋𝐹(0.1 ∗ Requiv. ) 2𝜋(20𝐻𝑧)(0.1 ∗ 2KOhm)
Que se normaliza hacia arriba hasta 4.7 𝜇𝐹.

CALCULO DEL VALOR DE C3

Ahora pasemos a calcular C3 (Déjese C2 para el final). Se debe calcular la impedancia
equivalente que acompaña a C3. (Ver Figura 20)

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 Figura 20. Mirando desde 𝑅𝐸1 está la impedancia de salida ( 𝑍𝑠𝑎𝑙) más baja
encontrada.
El valor de esta impedancia se puede obtener sacando un THEVENIN (TH)
equivalente en los dos extremos de RE2 (ver Figura 20). La impedancia obtenida es la
señalada en la parte superior de la Figura 22(a) en rojo. ¿De dónde salió esta
resistencia TH?:
Salió de las siguientes transformaciones del circuito de la Figura 20 para ca (Ver
Figura 21a):

Figura 21a. Circuito equivalente de corriente alterna (ca) del amplificador de emisor
común con minimización del efecto distorsionador de re’.

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Si se extrae el equivalente TH1, se obtiene una resistencia Thevenin igual al paralelo
de RS||R1||R2 (Ver Figura 21b)

Figura 21b. Obtención del circuito THEVENIN equivalente TH1.

La ecuación de la malla 𝐼 sería:

𝑉𝑖𝑛 = 𝑖𝑏( 𝑅𝑆 ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2 ) + 𝑖𝑒(𝑟𝑒 ′ + 𝑅𝐸1)
𝑖𝑐
Como 𝑖𝑏 = 𝛽

Y además 𝑖𝑐 ≅ 𝑖𝑒
Por lo tanto,
( 𝑅𝑆 ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2 )
𝑉𝑖𝑛 = 𝑖𝑐 [ + (𝑟𝑒 ′ + 𝑅𝐸1)]
𝛽

Por consiguiente, la R de THEVENIN (RTH) del circuito TH1 es:

𝑅𝑠 ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2
𝑅𝑇𝐻 = + 𝑟𝑒 ′ + 𝑅𝐸1
𝛽
La resistencia 𝑅𝑇𝐻 está acompañada de RE2. Cuando se pretenda diseñar el
condensador C3, se tendrá que deducir una resistencia equivalente en los dos

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extremos del condensador C3. Este cálculo conduce al circuito equivalente de la
Figura 22(b).

Figura 22. Circuito equivalente para obtener el valor de 𝐶3.

Ahora todo está listo:

Para calcular C3 se procede con el mismo criterio que se usa en el cálculo de C1, es
decir, que XC3 sea despreciable con respecto a la Resistencia equivalente del circuito
de la Figura 22(b).

CALCULO DEL VALOR DEL CONDENSADOR C2

El diseño de C2 implica obtener primero el circuito THEVENIN equivalente TH2 de la

Figura 21a que conduce al circuito de la Figura 23, ya que se debe anular la fuente
VF, por lo tanto se convierte en un corto.
Como no hay energía para impulsar ib, ésta es igual a cero. Lo anterior trae como
consecuencia que la fuente de corriente 𝛽𝑖𝑏 = 0. Sólo quedaría la resistencia interna
de la fuente Ri, que en capítulos pasados se comprobó que era del orden de cientos
de KOhm’s.
Si se obtiene el THEVENIN equivalente TH2, la resistencia equivalente será RC en
paralelo con la resistencia Ri más otras resistencias que no vienen al caso, porque un
paralelo de una resistencia pequeña como RC (del orden de KOhmios) con otra
resistencia de alto valor Ri (cientos de KOhmios) genera un resultado muy cercano a
RC. Total, el circuito equivalente TH2 se puede observar en la Figura 24.

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 Figura 23. Circuito equivalente TH2 para obtener C2.

Figura 24. Circuito equivalente para el cálculo de C2.

Este circuito indica que es muy fácil calcular C2, ya que la resistencia equivalente del
circuito es:
𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣. = 𝑅𝐶 + 𝑅 𝐼𝑁. 𝑆𝐸.

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 1
Con la condición de que 𝑋𝐶2 = 𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣. = 2𝜋𝐹𝐶2 . Por lo tanto:

1
𝐶2 =
2𝜋𝐹(𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣. )

Más adelante se demostrará por qué C2 se diseñó, no con 0.1 Requiv., sino con 1.0
Requiv. La demostración nos llevará al mundo de las funciones de transferencia de
amplificadores usando la transformada de LAPLACE para desarrollar análisis
frecuenciales de los amplificadores; exactamente en C2, la idea será generar un polo
dominante. En este momento, los estudiantes de Electrónica Análoga I, no están
equipados con los suficientes elementos de juicio físico-matemáticos para poder
disfrutar de esta explicación. Por esta razón, la explicación se aplaza hasta electrónica
análoga II.

Características sugeridas para los profesores:

Diseñar un amplificador de señal débil para una ganancia Av= -10 con base en una
fuente de voltaje VCC=12V, un punto Q de 5 ma, 6V por la estrategia de divisor de
voltaje. La Rin de la siguiente etapa es de 1.5 KΩ. El transistor a usar es el 2N3904.

6. PROCEDIMIENTO PARA LA PRÁCTICA

El diseño, cuyas características fueron escogidas por el profesor, debe llegar al

laboratorio construido con anticipación a nivel de “protoboard” (los estudiantes cuentan
con un laboratorio libre para llevar a cabo las construcciones y pruebas antes de llegar
al día de presentación de la práctica de laboratorio).

Los estudiantes, divididos en grupos de 3 personas, deben mostrar al profesor que las
características solicitadas por él se cumplen en la práctica gracias al diseño elaborado
por ellos, en ese momento el profesor debe recibir el pre-informe escrito realizado con
anticipación, lo revisa y hace correcciones que deben ser corregidas y agregadas en el
informe de práctica siete días después, en la siguiente fecha de laboratorio.

Esto significa que los estudiantes elaboran un pre-informe con las características
anteriormente mencionadas antes de ingresar a la práctica y adicionalmente, en la
siguiente sesión deben presentar un informe con las conclusiones de la práctica
pasada más las correcciones teóricas del pre-informe que el profesor detectó.
De acuerdo a lo anterior, sólo en la primera práctica, los estudiantes presentan un pre-
informe. A partir de la segunda práctica los estudiantes presentan el informe de la
práctica pasada y el pre-informe de la práctica actual.

Los informes de prácticas son más sencillos, sólo deben contener:

1. Conclusiones: Conceptos que el estudiante ratificó.

2. Correcciones: Conceptos que el profesor corrigió (Si los hubo)

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7. BIBLIOGRAFÍA

 Malvino, A. (2007). Principios de Electrónica. Septima Edición. McGraw-Hill

 Boylestad, R.; Nashelsky, L. (2003). Electrónica: Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos. Octava Edición. Pearson Educación.

8. ANEXOS

A1. PDF

Los estudiantes deben anexar al pre-informe los pdf’s con las características del
transistores usados. Estos los pueden descargar de internet e imprimirlos. No es
necesario hacerlos a mano alzada.

A1. SIMULACIÓN

Simular en un software que conozcan (preferiblemente Altium) el anterior circuito y

hacerle un barrido de frecuencias desde 20Hz hasta 1MHz con pasos de 1KHz.
Explicar los resultados encontrados en la carga.

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