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Docentes:
Velázquez Eduardo
Grassi Francisco
Alumno:
Cuello Facundo
Deyme Carlos
Soldá Renzo
Vergara Valentín
1- Objetivos
Que los alumnos sean capaces de:
- Identificar y reconocer los componentes utilizados en el circuito.
- Construir el circuito a partir del esquema simbólico.
- Medir los diversos parámetros de funcionamiento.
- Analizar las formas de onda.
3- Parámetros a medir
1- Medición de valores medio y eficaz de tensión y corriente del circuito antes y
después de cada transistor bipolar.
2- Medición de forma de onda.
5- Medidas de seguridad
• Se deberá tener la precaución de no superar la potencia máxima de disipación
de los componentes empleados.
• Conectar los instrumentos en el alcance correspondiente a las mediciones a
realizar.
• Se adoptan las medidas de seguridad del laboratorio de Electrónica y
Electrónica.
• Verificar el estado de los elementos a utilizar en la práctica.
6- Condiciones ambientales
No aplicable
7- Procedimiento de la practica
a- Con los datos de: la red y carga obtener mediante un trabajo de cálculo los
resultados teóricos de la práctica. Los datos calcular son:
- Ib (corriente de base por cada transistor)
Utilizándose una fuente de computadora (𝑉𝑐𝑐) que puede cubrir la potencia que iba a
demandar la carga. Se prosiguió en la práctica midiéndose de forma directa, de cada
transistor, el voltaje colector-emisor (𝑉𝑐𝑒), de base-emisor (𝑉𝑏𝑒), y la caída de potencial
en el potenciómetro de 1k (𝑉𝑝𝑜𝑡𝑒).
Luego, colocando resistencias de 1 Ohm (para tener una relación 1 a 1) las corrientes
de la base (𝐼𝑏). Para la corriente del foco, se notó que esta resistencia consumía una
parte apreciable de la potencia que el circuito entregaba al foco, por lo que se adoptó
una resistencia más chica y mediante la ley de Ohm se llegó al cálculo de 𝐼𝑓𝑜𝑐𝑜. Esta
resistencia mas chica fue considerada en algunas mediciones, por lo que también
introducirá un error.
Como se observa, los datos de la practica cambian un poco respecto a los medidos. En
esta práctica no solo consideramos algún error en los instrumentos, puesto que ese día
no disponíamos de un multímetro con buena resolución para realizar las mediciones,
sino también que la modelación en Proteus al ser con transistores genéricos muchos
parámetros que componen el transistor no se pueden cambiar. Es por eso que, en la
primera modelación, foco apenas prendido, el transistor BC547 no entra en saturación,
lo cual realiza un corrimiento notable entre los resultados de la practica y los de la
simulación en el software.
Por lo tanto, si se quiere corroborar los datos obtenidos para el primer estado (apenas
encendido), como ya se modelo fijando la corriente que circula por el foco, se podría
partir de la caída corriente de la base del primer transistor:
𝐼𝑏1 = 0.12 𝑚𝐴
BC547:
2N3055:
En base a los resultados obtenidos se puede asegurar que la medición para la el foco
apenas prendido tiene un error. El cual creemos que se debe a la resistencia que
introducimos para medir la corriente que circula por la lampara, la cual para una
mediación estaba colocada y para otra no.
Obtenemos a continuación la simulación con Proteus para el caso antes nombrado:
Imagen punto de funcionamiento en Proteus
También si se plantea para el caso de máxima intensidad se tiene sobre el foco una
corriente resultante de la potencia máxima y una tensión muy próxima a 1.1𝑉, pero
inalcanzable, de C-E de saturación del transistor 2.
55 𝑊
𝐼𝑓𝑜𝑐𝑜 = = 5.3 𝐴
11.48 𝑉-1.1V
Ahora bien, como se observa es una corriente elevada, esto se debe a que la tensión
que trabaja sobre el foco no son los 12 V con los que se debe utilizar esta lampara, sino
que es menor. Por esto en la práctica este punto de funcionamiento es inalcanzable.
Conclusión: