>PROGRAMA DE INGENIERIA EN ELECTRÓNICA UNIVERSIDAD ANTONIO NARIÑO< 1

fáciles de encender con un pulso corto. Para apagarlos

TIPOS DE TIRISTORES
Harvey
hagonzalez06@uan.edu.co.-
Evelio González.- Camilocacosta59@uan.edu.co
Andrés Acosta Romero
Ingeniería en Electrónica - Universidad Antonio Nariño.
Villavicencio, Meta.


se requiere de circuitos especiales de control o
estructuras internas especiales para auxiliar el apagado.
Con la aparición de dispositivos nuevos con capacidad
Resumen— Los 13 tipos de tiristores que están clasificados tanto de encendido como de apagado, el dispositivo
despendiendo su construcción física y del comportamiento de
encendido y apagado, cada uno de estos esta nombrados por con solo la capacidad de apagado se le conoce como
acrónimos que cumplen unas características específicas en un “tiristor convencional” o tiristor. Otros miembros de la
orden de trabajo de potencia; básicamente todos encienden con familia del tiristor o rectificador controlado por silicio
un pulso de corriente de disparo de la compuerta al cátodo o al (SCR) han adquirido otros nombres basados en
ánodo dependiendo el tipo de tiristor que se esté utilizando.
acrónimos estos se han clasificado en 13 categorías
Los GTO y los IGBT se utilizan cada vez más en aplicaciones
de potencia. dependiendo de la construcción física y del
comportamiento de encendido y apagado.
Abstract- The 13 types of thyristors that are classified
depending on their physical construction and on and off
behavior, each of these are named by acronyms that meet
specific characteristics in a power work order; basically all
of them ignite with a pulse of current of shot of the gate to
the cathode or to the anode depending on the type of
thyristor that is being used.
GTOs and IGBTs are increasingly used in power II. TIPOS DE TIRISTORES
applications.

I. INTRODUCCION 1. Tiristores controlados por fase (o SCRs)

Los tiristores son una familia de dispositivos
semiconductores de potencia y se fabrican casi
exclusivamente por difusión. Tienen un uso extenso en
circuitos de potencia, estos presentan ciertas
condiciones al funcionar como interruptores es decir
funcionar en un estado de no conducción y de
conducción.
Los tiristores se diseñan sin la capacidad de apagado
controlado la compuerta, en cuyo caso el dispositivo
puede recuperarse de su estado de conducción a un
estado de no conducción solo cuando se hace que la
corriente baje a cero por otros medios. Los tiristores de
apagado por compuerta (GTO) se diseñan para que
tengan la función de encendido y apagado controlado.
Los tiristores, que están siendo reemplazados por los
transistores de potencia en aplicación de baja y media
potencia, se utilizan sobre todo en aplicaciones de alta
potencia.
Los fabricantes utilizan varias estructuras de
compuertas para controlar la di/dt, el tiempo de
encendido y el tiempo de apagado. Los tiristores son

Este tipo de tiristores suele funcionar en la frecuencia de
línea y se apaga por conmutación natural.
El tiempo de apagado tq es del orden de 50 a 100 μs. Es
muy adecuado para aplicaciones de baja velocidad de
conmutación e inclusive se le conoce como tiristor
convertidor. Como un tiristor es básicamente un dispositivo
controlado hecho de silicio, también se le conoce
como rectificador controlado de silicio (SCR).
El voltaje VT en estado de encendido varía típicamente
desde aproximadamente 1.15 V hasta 2.5 V para
dispositivos de 4000 V, y para un tiristor de 1200 V, 5500
A es típicamente de 1.25 V. Los transistores modernos
utilizan una compuerta amplificadora, donde un tiristor
auxiliar TA se controla con una señal de compuerta y luego
la salida amplificada de TA se aplica como señal de
compuerta al tiristor principal TM, como se muestra en la
FIG.1. La compuerta amplificadora permite altas
características dinámicas con una dv/dt típica de 1000 V/μs
y una di/dt de 500 A/μs, además de que simplifica el diseño
del circuito al reducir o minimizar el inductor que limita la
di/dt y los circuitos de protección contra dv/dt.
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FIG.1 Tiristor de compuerta amplificadora.
2. Tiristores bidireccionales controlados por fase
(BCTs)
El BCT es un nuevo concepto de control de fase
de alta potencia; su símbolo se muestra en la FIG
2a. Es un dispositivo único, que combina las
ventajas de tener dos tiristores en un paquete, lo
que permite diseñar un equipo más compacto al
simplificar el sistema de enfriamiento y aumentar
la confiabilidad del sistema. Los BCT permiten a
los diseñadores satisfacer demandas más exigentes
en cuanto a tamaño, integración, confiabilidad y
costo del producto terminado.
La capacidad de voltaje máxima puede llegar hasta
6 kV a 1.8 kA, y la capacidad de corriente máxima
puede ser hasta 3 kA a 1.8 kV.
El comportamiento eléctrico de un BCT orresponde
al de dos tiristores en antiparalelo, integrados en
una oblea de silicio como se muestra en la FIG 2b.
Cada mitad del tiristor funciona como el tiristor de
oblea completa correspondiente con respecto a sus
propiedades estáticas y dinámicas.
(a) Símbolo del BCT (b) Dos tiristores
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(c) Vista esquemática de la oblea
FIG 2. Tiristor bidireccional controlado por fase.
Las regiones 1 y 2 que se muestran en la FIG 2c
son las más sensibles con respecto a sobrecorriente
que tiene voltaje “inverso” reaplicado y la apacidad
tq de un BCT.
Encendido y apagado.
Un BCT tiene dos compuertas: una para activar la
corriente en sentido directo y una para la corriente
en sentido inverso. Este tiristor se enciende con la
aplicación de una corriente pulsante a una de sus
compuertas. Se apaga si la corriente del ánodo cae
por debajo de la corriente de retención debido al
comportamiento natural del voltaje o de la
corriente.
3. Tiristores asimétricos de conmutación rápida
(o ASCRs)
Se utilizan en aplicaciones de alta velocidad de
conmutación con conmutación forzada.
Tienen un tiempo de apagado rápido, por lo general
en el rango de 5 a 50 μs, dependiendo del rango de
voltaje.
La caída en sentido directo en estado de encendido
varía aproximadamente como una función inversa
del tiempo de apagado tq. Este tipo de tiristor
también se conoce como tiristor inversor.
Estos tiristores tienen una alta dv/dt de típicamente
1000 V/μs y una di/dt de 100 A/μs. El apagado
rápido y la di/dt alta son muy importantes para
reducir el tamaño y peso de los componentes de
conmutación o del circuito reactivo. El voltaje en
estado de encendido de un tiristor de 1800 V, 2200
A suele ser de 1.7 V. Los tiristores inversores con
una capacidad de bloqueo inverso muy limitada,
por lo común de 10 V, y un muy rápido tiempo de
apagado de entre 3 y 5 μs, se conocen comúnmente
como tiristores asimétricos (ASCRs). En la FIG 3.
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se muestran tiristores de conmutación rápida de
varios tamaños.
5.
FIG 3 Tiristores de conmutación rápida.
4. Rectificadores controlados de silicio activados por
luz (LASCRs)
Este dispositivo se enciende por irradiación
directa de luz sobre la oblea de silicio. Los pares
electrón-hueco que se crean por la irradiación
producen corriente de disparo por la influencia del
campo eléctrico. La estructura de la compuerta se
diseña para que tenga una suficiente sensibilidad y
pueda activarse con fuentes luminosas prácticas.
6.
FIG 4 Rectificador controlado de silicio activado
por luz (LASCR).
Los LASCR se utilizan en aplicaciones de alto
voltaje y alta corriente por ejemplo un LED,
transmisión y potencia reactiva estática o
compensación VAR. Un LASCR ofrece
aislamiento eléctrico entre la fuente luminosa de
activación y el dispositivo de conmutación de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial de
algunos cientos de kilovolts. La capacidad de
voltaje de un LASCR podría ser hasta de 4 kV a
1500 A con potencia de activación luminosa de
menos de 100 mW. La di/dt típica es de 250 μs y la
dv/dt podría ser tan alta como 2000 V/μs.
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Tiristores de tríodo bidireccionales (TRIACs)
Un TRIAC puede conducir en ambas
direcciones y por lo común se utiliza en control de
fase de ca.
Se puede considerar como dos SCR conectados en
antiparalelo con una conexión de compuerta común
como se muestra en la FIG 5a. Su símbolo se
muestra en la FIG 5b y las características v-i
en la FIG 5c.
(a) Equivalente de TRIAC (b) Símbolo del TRIAC
(c) Características v-i
FIG 5. Características de un TRIAC.
Tiristores de conducción inversa (RCTs)
En circuitos de convertidor e inversor se conecta
un diodo en antiparalelo a través de un SCR para
permitir un flujo de corriente inverso debido a la
carga inductiva, y para mejorar el requerimiento de
apagado del circuito de conmutación. El diodo fija
el voltaje de bloqueo del SCR a 1 o 2 V en
condiciones de estado estable.
Un RCT es un compromiso entre las características
del dispositivo y el requerimiento del Circuito, Un
RCT también se conoce como un ASCR. El voltaje
de bloqueo en sentido directo varía de 400 a 2000
V y la capacidad de corriente llega a 500 A. El
voltaje
de bloqueo en sentido inverso es típicamente de 30
a 40 V.
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FIG 6. Tiristor de conducción inversa.
7. Tiristores apagados por compuerta (GTOs)
Son semiconductores discretos que actúan como
interruptores completamente controlables, onocidos
simplemente como GTO (Gate Turn-Off hyristor),
los cuales pueden ser encendidos y apagados en
cualquier momento con una señal de compuerta
positiva o negativa respectivamente. Estos
componentes están optimizados para tener muy
bajas pérdidas de conducción y diseñados para
trabajar en las mas demandantes aplicaciones
industriales. Estos componentes son altamente
utilizados en Convertidores de Alto Voltaje y Alta
Potencia para aplicaciones de baja y media
frecuencia.
FIG 6. Símbolo del GTO
Un tiristor GTO tiene la estructura muy similar a
un tiristor SRC convencional, como se muestra en
la FIG7, con sus 4 capas de silicio (PNPN) y tres
terminales: ánodo (A), cátodo (K) y puerta (G).
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FIG 7. Corte transversal
Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede
activarse mediante la aplicación de una señal
positiva de compuerta. Sin embargo, se puede
desactivar mediante una señal negativa de compuerta. Un
GTO es un dispositivo de enganche y se construir con
especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un
SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso
positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo
corto.
Encendido.
Cuando el terminal del Ánodo (+) respecto al Cátodo,
aplicando una corriente de compuerta positiva, la inyección
de corriente de huecos desde la entrada de la puerta polariza
la unión de base P del cátodo. Esto da como resultado la
emisión de electrones y esto induce la inyección de huecos.
Esta inyección continua hace que el GTO entre en estado de
conducción.
FIG 8. Pulso de encendido típico
Estado de encendido.
Una vez que el GTO se enciende, la corriente en sentido
directo de la compuerta debe continuar durante todo el
periodo de conducción para que el dispositivo permanezca
en conducción. De lo contrario, el dispositivo no puede
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permanecer en conducción durante el periodo de encendido.
La corriente de compuerta en estado de encendido debe ser
por lo menos 1% del pulso de encendido para que la
compuerta no se desbloquee.
FIG 9. Operación en encendido.
Apagado.
Se aplica una polarización inversa en la compuerta haciendo
que esta sea negativa con respecto al cátodo. Una parte de
los agujeros se extrae a la base P a través de la compuerta,
que
suprime la inyección de electrones desde el cátodo. A
medida de que se va extrayendo corriente de agujero hay
más supresión de electrones. La caída de voltaje en la unión
de la base P, retrasa la polarización de la unión del cátodo
de la compuerta. Por lo tanto, el GTO se desconecta.
FIG 10. Corriente típica del ánodo en función del pulso de apagado.
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTHs)
Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET
y un tiristor en paralelo, como se muestra en la FIG
11. Si se aplica suficiente voltaje a la compuerta del
MOSFET, por lo general 3 V, se genera
internamente una corriente de disparo para el
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tiristor. Tiene alta velocidad de conmutación, alta
di/dt y alta dv/dt.
FIG 11. Tiristor controlado por FET.
Este dispositivo se puede encender como los
tiristores convencionales, pero no se puede apagar
con el control de compuerta. Hallaría aplicaciones
donde se tiene que usar activación óptica para
proporcionar aislamiento eléctrico entre la señal de
entrada o de control y el dispositivo de
conmutación del convertidor de potencia.
9. Tiristores apagados por MOS (MTOs)
Es una combinación de un GTO y un MOSFET, que
juntos superan las limitaciones de capacidad de apagado
del GTO.
El MTO proporciona la misma funcionalidad que el
GTO pero utiliza un control de compuerta que debe
suministrar sólo el voltaje de nivel de señal necesario
para encender y apagar los transistores MOS. La FIG 12
muestra el símbolo, la estructura y el circuito
equivalente del MTO. Su estructura se parece a la de un
GTO y conserva las ventajas de éste de alto voltaje
(hasta 10 kV) y alta corriente (hasta 4000 A). Los MTO
se pueden usar en aplicaciones de alta potencia que van
de 1 a 20 MVA.
Encendido.
Al igual que un GTO, el MTO se enciende aplicando un
pulso de corriente a la compuerta para encenderla. El
pulso de encendido enciende el transistor NPN Q1, el
cual a su vez enciende el transistor PNP Q2 y mantiene
bloqueado el MTO.
Apagado.
Para apagar el MTO, se aplica un pulso de voltaje a la
compuerta del MOSFET. El encendido de los MOSFET
pone en cortocircuito al emisor y a la base del transistor
NPN Q1, lo que detiene el proceso de retención.
El MTO se apaga mucho más rápido que el GTO y las
pérdidas asociadas con el tiempo de almacenamiento
casi se eliminan Inclusive, el MTO tiene una dv/dt más
alta y requiere componentes amortiguadores mucho más
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pequeños. Como un GTO, el MTO tiene una larga cola
de corriente al final del apagado y el siguiente
encendido debe esperar hasta que se disipe la carga
residual en el ánodo gracias al proceso de
recombinación.
(a) Símbolo del MTO (b) Estructura del MTO
FIG 12. Tiristor apagado por MOS (MTO).
11. Tiristores conmutados por compuerta integrada
10. Tiristores de apagado (control) por emisor (ETOs)
El ETO es un dispositivo híbrido de MOS y
GTO que combina las ventajas del GTO y el
MOSFET.
El ETO tiene dos compuertas: una normal para
encenderlo y una con un MOSFET en serie para
apagarlo. Se han probado ETOs con capacidad de
corriente hasta de 4 kA y capacidad de voltaje hasta
de 6 kV.
Encendido.
Un ETO se enciende aplicando voltajes positivos a
las compuertas 1 y 2. Un voltaje positivo a la
compuerta 2 enciende el MOSFET cátodo QE y
apaga el MOSFET compuerta QG. Una inyección
de corriente en la compuerta del GTO (a través de
la compuerta 1) enciende el ETO debido a la
existencia del GTO.
Apagado.
Cuando se aplica una señal de apagado de voltaje
negativo al MOSFET cátodo QE, se apaga y
transfiere toda la corriente del cátodo.
Es importante señalar que tanto el MOSFET cátodo
QE como el MOSFET compuerta QG no están
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sometidos a esfuerzo de alto voltaje,
independientemente de cuán alto sea el voltaje en el
ETO. Esto se debe a que la estructura interna de la
compuerta-cátodo de los GTO es una unión PN.
(a) Símbolo (b) Circuito equivalente
FIG 13. Tiristor apagado por el emisor (ETO).
(IGCTs)
El IGCT integra un tiristor conmutado por
compuerta (GCT) con un circuito impreso de
múltiples capas de control de compuerta. El CGT
es un GTO de conmutación permanente con un
pulso de corriente de compuerta muy grande y muy
rápido, tan grade como la corriente nominal total,
que transfiere toda la corriente del cátodo a la
compuerta en aproximadamente 1 μs para
garantizar un apagado rápido.
Encendido.
Como un GTO, el IGCT se enciende al aplicar la
corriente de encendido a su compuerta.
Apagado.
El IGCT se apaga con un circuito impreso de
múltiples capas de control de compuerta que puede
suministrar un pulso de apagado de subida rápida,
por ejemplo, una corriente de compuerta de 4
kA/μs con un voltaje de compuerta a cátodo de sólo
20 V. Con esta tasa de corriente de compuerta, el
transistor NPN del lado del cátodo se apaga por
completo en aproximadamente 1 μs y el transistor
PNP del lado del ánodo se queda con una base
abierta y se apaga casi de inmediato.
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FIG 14. Sección transversal de un IGCT con diodo inverso.

12. Tiristores controlados por MOS (MCTs) FIG 15. (b) Circuito Equivalente FIG 15. (c) Símbolo

Un MCT combina las características de un FIG 15. Esquema y circuito equivalente de un MCT de canal p.

tiristor regenerativo de cuatro capas y una

Encendido.
estructura de compuerta MOS, un MCT es una
Cuando un MCT de canal p se encuentra en el
mejora con respecto a un tiristor con un par de
estado de bloqueo en sentido directo, se puede
MOSFET para encendido y apagado. Aunque
encender aplicando un pulso negativo a su
hay varios dispositivos en la familia del MCT
compuerta con respecto al ánodo. Cuando un
con distintas combinaciones de estructuras de
MCT de canal n se encuentra en el estado de
canal y compuerta. En la FIG. 15 se muestra
bloqueo en sentido directo, se puede encender
un esquema de una celda p de MCT.
aplicando un pulso positivo a su compuerta
La estructura NPNP se puede representar con
con respecto al cátodo. Un MCT permanece
un transistor NPN Q1 y un transistor PNP
encendido hasta que se invierte la corriente a
Q2. La estructura de compuerta MOS se puede
través de él o se aplica un pulso de apagado a
representar con un MOSFET M1 de canal p y
su compuerta.
un MOSFET M2 de canal n.
Por la estructura NPNP en vez de la estructura
Apagado.
PNPN de un SCR normal, el ánodo sirve como
Cuando un MCT de canal p está encendido, se
terminal de referencia con respecto a la cual se
puede apagar aplicando un pulso positivo a su
aplican todas las señales.
compuerta con respecto al ánodo. Cuando un
MCT de canal n está encendido, se puede
apagar aplicando un pulso negativo a su
compuerta con respecto al cátodo.

13. Tiristores de inducción estática (SITHs)

El SITH, también conocido como diodo controlado

por campo (FCD), Un SITH es un dispositivo de
portadores minoritarios; por consiguiente, tiene una
baja resistencia o caída de voltaje en estado de
encendido y se fabrica con mayores capacidades de
voltaje y corriente. Tiene altas velocidades de
conmutación y altas capacidades de dv/dt y di/dt.
FIG 15. (a) Esquema
El tiempo de conmutación es de 1 a 6 μs. La
capacidad de voltaje [42-46] puede llegar hasta
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2500 V, y la capacidad de corriente se limita a 500

A.

Encendido.
Normalmente un SITH se enciende con la
aplicación de un voltaje de compuerta positivo con
respecto al cátodo. El SITH se enciende con
rapidez, y proporciona la corriente de compuerta y
excitación de voltaje suficientes.
El voltaje de compuerta positivo reduce la barrera
de potencial en el canal, que gradualmente se
vuelve conductiva. Cuando los electrones llegan a
la unión J1, el ánodo p+ comienza a inyectar
huecos en la base y proporciona la corriente de
base del transistor Q2. FIG 17. Circuito equivalente

Apagado.

Por lo común, un SITH se apaga con la aplicación

a la compuerta de un voltaje negativo con respecto
al cátodo. Si se aplica un voltaje suficientemente
negativo a la compuerta, se forma una capa de
agotamiento en torno a la compuerta p+. La capa
de
agotamiento en J2 se extiende gradualmente hacia
el canal. Se crea una barrera de potencial en el
canal, que hace que el canal se estreche y elimina
el exceso de portadores que hay en él.

FIG 16. Sección transversal de media celda