INSTITUTO TECNOLGICO DE SONORA

DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA

SISTEMAS ELECTRNICOS DE POTENCIA

PRCTICA 2

Curvas v-i del diodo y el transistor Mosfet

OBJETIVO

El objetivo de esta prctica es revisar el funcionamiento de los dispositivos

semiconductores como es el diodo y el transistor MOSFET, graficando sus curvas v-i y

simulando en anlisis transitorio con el paquete de simulacin de Orcad Pspice.

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ANTECEDENTES TERICOS.

Las herramientas de simulacin permiten obtener resultados previos a la implementacin de

laboratorio. Estos resultados pueden mostrar el comportamiento en estado estable, en estado
transitorio, la respuesta en frecuencia, el espectro de frecuencia de seales etc. Para algunas de
ellas se requiere equipo especial de laboratorio.

Existen diferentes software para simulacin de circuitos electrnicos entre ellos el Electronics
Wokbench, Pspice y el multisim son los que ms se utilizan. En esta prctica se utiliza la
versin estudiantil del Orcad Pspice para implementar los circuitos con diodos y obtener la
curva v-i y la respuesta transitoria.

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO:

1 Computadora.
1 Software de Orcad Pspice versin estudiantil.
1 Memoria USB

DESARROLLO EXPERIMENTAL.

1. Generar un nuevo proyecto.

1.1 Ingresar a todos los programas y elegir Orcad Family Released 9.2 Lite Edition.
1.2 Ingresar a Capture CIS Lite Edition
1.3 Seleccionar File=> New => Project
1.4 Poner nombre a su archivo: Name: curvadiodo
1.5 Seleccionar Analog or Mixed A/D
1.6 En location Crear una carpeta dentro de ORCADLITE a la cual le pueden llamar:
PRACTICAS
1.7 Dar click en ok.
1.8 Elegir create a blank proyect.

2. Dibujar el circuito a simular. Curva v-i del diodo de uso general.

2.1 Dibujar el circuito con diodos para anlisis en DC Sweep.
2.2 Dibujar el circuito de la figura 1.
2.3 Para poner un elemento de circuito realice: place => part En part elija el dispositivo
que desee utilizar.
2.4 La tierra del circuito se puede realizar nombrando a la parte inferior del circuito con el
nmero 0.
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 0.8Vdc V1 D1
I
D1N4002

Figura 1. Circuito para obtener la curva voltaje-corriente del diodo D1N4002.

1. Elija el tipo de anlisis (Analisys Type) como DCSWEEP y Establezca los

valores de la figura 1.

Figura 2. Parmetros de simulacin para el circuito de la figura 1.

2.5 Ponga un marcador de corriente en el nodo del diodo.

2.6 Realice la simulacin y visualice la curva voltaje-corriente del diodo.
2.7 Segn la curva v-i del diodo qu potencia se estara disipando en el diodo cuando la
corriente alcanza 1 Amper?
3. Curva v-i del Mosfet de Canal N.
3.1 Dibuje el circuito de la figura 3 para obtener la grfica v-i del MOSFET.

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 M1 V1
10Vdc
I
V2 IRF150
6Vdc

Figura 3. Circuito para obtener la curva v-i del Mosfet.

3.2 Elija el tipo de anlisis (Analisys Type) como DCSWEEP y Establezca los valores de
la figura 4.

Figura 4. Parmetros de simulacin para el circuito de la Figura 3 (fuente V1).

3.3 Y para la variacin de la fuente en la compuerta los datos de la figura 3.

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 Figura 5. Parmetros de simulacin para el circuito de la Figura 3 (fuente V2).
.
3.4 Establezca un marcador de corriente en el drenaje del transistor MOSFET.
3.5 Visualice las curvas V-I del transistor Mosfet.
3.6 Determinar la potencia disipada del transistor cuando conduzca 40 A de drenaje a
fuente.

4. Circuito con diodo.

4.2 Implementar el circuito de la figura 6.
4.3 Establecer 1mS como tiempo de simulacin y 0.01US como Maximum Step Size.
4.4 Visualizar el voltaje de la fuente V1 y con el cursor verificar cada uno de los parmetros
de la fuente.
4.5 Poner un marcador de corriente en el diodo y determinar el tiempo de recuperacin
inversa.
4.6 Cambiar el diodo por un D1N4148, realizar la simulacin y determinar el tiempo de
recuperacin inversa.
4.7 Comparar ambos tiempos y comentar al respecto.

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 R1

500

V1 = 0 V1
V2 = 100 D7
I
TD = 0
TR = 0.25u D1N4002
TF = 0.25u
PW = 0.25ms
PER = 0.5ms 0

Figura 6. Circuito con diodo para medir el tiempo de recuperacin inversa.

5. Dibujar el siguiente circuito de conmutacin con Mosfet.

R2

V2
R1 M1 V
75Vdc
I
10
IRF150
V1 = 0 V1
V2 = 15
TD = 0
TR = 0.23U
TF = 0.25U
PW = 5U 0
PER = 10U

Figura 7. Circuito con Mosfet en modo conmutacin para medir el tiempo de encendido y
apagado.
5.2 Realizar la simulacin por 50useg.
5.3 Poner un marcador de voltaje en el drenaje del transistor y un marcador de corriente
como se muestra en la figura 7.

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 Figura 8. Parmetros de simulacin del circuito de la figura 7.

5.4 Hacer un acercamiento durante la conmutacin y medir el tiempo de encendido y el

tiempo de apagado del Mosfet.
5.5 Medir el voltaje en la resistencia R2.

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