Universidad Tecnológica Nacional

Facultad Regional Concepción Del Uruguay

Práctica de Laboratorio N°1

Transistores bipolares en conexión Darlington

Docentes:
Velázquez Eduardo
Grassi Francisco

Alumno:
Cuello Facundo
Deyme Carlos
Soldá Renzo
Vergara Valentín
1- Objetivos
Que los alumnos sean capaces de:
- Identificar y reconocer los componentes utilizados en el circuito.
- Construir el circuito a partir del esquema simbólico.
- Medir los diversos parámetros de funcionamiento.
- Analizar las formas de onda.

2- Teoría aplicada sugerida

Apuntes de clases.
Libro. Electrónica de potencia de S. Martínez García y J. Gualda Gil

3- Parámetros a medir
1- Medición de valores medio y eficaz de tensión y corriente del circuito antes y
después de cada transistor bipolar.
2- Medición de forma de onda.

4- Equipos, aparatos y herramientas

 Resistencias varias.
 Multímetro.
 Fluke.
 Protoboard.
 Capacitores varios.
 Transistor BC547.
 Transistor 2N3055.
 LDR.
 Potenciómetro.
 Caja con herramientas de electrónica.
 Cables de conexión.
 Fuente de 12 V dc.
 Lámpara de 12 V

5- Medidas de seguridad
 Se deberá tener la precaución de no superar la potencia máxima de disipación
de los componentes empleados.
 Conectar los instrumentos en el alcance correspondiente a las mediciones a
realizar.
 Se adoptan las medidas de seguridad del laboratorio de Electrónica y
Electrónica.
 Verificar el estado de los elementos a utilizar en la práctica.

6- Condiciones ambientales
No aplicable
7- Procedimiento de la practica
a- Con los datos de: la red y carga obtener mediante un trabajo de cálculo los
resultados teóricos de la práctica. Los datos calcular son:
- Ib (corriente de base por cada transistor)

- Icarga (corriente por la carga)

- Isensor (corriente por el sensor)

- Vce (valor de la tensión colector-emisor en cada transistor)

b- Armar la configuración Darlington de acuerdo al circuito siguiente.

Como no se contaba con una fotorresistencia a la hora de hacer la práctica se reemplazó

la misma por un resistencia de 10k, y en base a las mediciones sobre la carga a utilizar,
ésta arrojó una potencia máxima de 55W, sobre la cual se harán los cálculos teóricos
(con la lámpara a máxima intensidad)

El ensayo se hizo para 3 estados,

- Foco apenas encendido

- Foco a media intensidad
- Foco a máxima intensidad
De aquí en adelante denominamos con 1 y 2 a los transistores BC547 y 2N3055
respectivamente, estos arrojaron una ganancias de, 𝛽1 = 278, 𝛽2 = 52, (valores que
están acordes a los dados en las hojas de cálculos).

Utilizándose una fuente de computadora (𝑉𝑐𝑐) por la potencia que se iba a manejar,
midiéndose de forma directa los voltajes colector-emisor (𝑉𝑐𝑒), y voltajes base-emisor
(𝑉𝑏𝑒) para cada transistor, la caída de potencial en el potenciómetro de 1k ( 𝑉𝑝𝑜𝑡𝑒) y
luego colocando resistencias de 1 Ohm (para tener una relación 1 a 1) se obtuvo la
corriente que circulaba por el foco (𝐼𝑓𝑜𝑐𝑜) y las corrientes de la base (𝐼𝑏).

Apenas encendido Media intensidad Máxima intensidad

𝑉𝑐𝑐 = 11.47 𝑉 𝑉𝑐𝑐 = 11.47 𝑉 𝑉𝑐𝑐 = 11.47 𝑉
𝐼𝑏1 = 0.12 𝑚𝐴 𝐼𝑏1 = 0.26𝑚𝐴 𝐼𝑏1 = 0.5 𝑚𝐴
𝐼𝑏2 = 35 𝑚𝐴 𝐼𝑏2 = 58 𝑚𝐴 𝐼𝑏2 = 76 𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑒1 = 6.34 𝑉 𝑉𝑐𝑒1 = 2.5 𝑉 𝑉𝑐𝑒1 = 1.46 𝑉
𝑉𝑐𝑒2 = 7.25 𝑉 𝑉𝑐𝑒2 = 3.53 𝑉 𝑉𝑐𝑒2 = 2.57 𝑉
𝑉𝑝𝑜𝑡𝑒 = 1.82 𝑉 𝑉𝑝𝑜𝑡𝑒 = 1.98 𝑉 𝑉𝑝𝑜𝑡𝑒 = 2.31𝑉
𝑉𝑏𝑒1 = 0.68 𝑉 𝑉𝑏𝑒1 = 0.73 𝑉 𝑉𝑏𝑒1 = 0.76 𝑉
𝑉𝑏𝑒2 = 0.82 𝑉 𝑉𝑏𝑒2 = 0.96 𝑉 𝑉𝑏𝑒2 = 1.01 𝑉
𝐼𝑓𝑜𝑐𝑜 = 2.4 𝐴 𝐼𝑓𝑜𝑐𝑜 = 3.5 𝐴 𝐼𝑓𝑜𝑐𝑜 = 3.8 𝐴

Ayudándonos de una simulación en Proteus se tiene,

Si se quiere corroborar los datos obtenidos para el primer estado (apenas encendido),
se podría partir de la caída de tensión sobre R1 la cual dio 0.13 V
Entonces por ley de Ohm la corriente, que coincide con la de base para 1 es,

𝐼𝑏1 = 0.13 𝑉 ∗ 1 𝐾 = 0.13 𝑚𝐴

Por encontrarse en la zona activa se tiene,

𝐼𝑐1 = 𝐼𝑏1 ∗ 278 = 0.13 𝑚𝐴 ∗ 278 = 36.14 𝑚𝐴

𝐼𝑒1 = 𝐼𝑏1 + 𝐼𝑐1 = 36.27 𝑚𝐴 = 𝐼𝑏2

Y análogamente para el transistor 2,

𝐼𝑐2 = 𝐼𝑏2 ∗ 52 = 1.88 𝐴

𝐼𝑒2 = 𝐼𝑏2 + 𝐼𝑐2 = 1.91 𝐴

Los puntos de trabajo para cada transistor, según las mediciones realizadas, serian;

BC547:

2N3055:
También si se plantea para el caso de máxima intensidad se tiene,

Sobre el foco circularían;

55 𝑊
𝐼𝑓𝑜𝑐𝑜 = = 4.58 𝐴
12 𝑉
Que a su vez es;

4.58 𝐴 = 𝐼𝑐1 + 𝐼𝑐2

4.58 𝐴 = 𝐼𝑏1 ∗ 𝛽1 + 𝐼𝑏2 ∗ 𝛽2 𝟏

Por ser una conexión Darlington;

𝐼𝑏2 = 𝐼𝑒1 = 𝐼𝑏1 ∗ (𝛽1 + 1) 𝟐

Reemplazando 2 en 1, se puede obtener la corriente en la base del transistor 1

4.58 𝐴 = 𝐼𝑏1 ∗ 𝛽1 + (𝐼𝑏1 ∗ (𝛽1 + 1)) ∗ 𝛽2

4.58 𝐴 = 𝐼𝑏1 ∗ 278 + (𝐼𝑏1 ∗ (278 + 1)) ∗ 52

4.58 𝐴
𝐼𝑏1 = = 0.27 𝑚𝐴
278 + (279∗ 52)

Reemplazando en 2;

𝐼𝑏2 = 𝐼𝑒1 = 0.27 𝑚𝐴∗ (278 + 1) = 75.33 𝑚𝐴

Tomando según las hojas de datos Vbe sat = 0.7 V para el BC547 y Vbe sat = 0.7 V
para el 2N3055, la caída de potencial en el pote es;

𝑉𝑝𝑜𝑡𝑒 = 𝐼𝑏1 ∗ 1𝑘 + 𝑉𝑏𝑒 𝑠𝑎𝑡 1 + 𝑉𝑏𝑒 𝑠𝑎𝑡 2

𝑉𝑝𝑜𝑡𝑒 = 0.27 𝑚𝐴 ∗ 1𝑘 + 0.7 𝑉 + 0.7 𝑉 = 1.67 𝑉

Conclusión:

Si bien se tienen diferencias entre los parámetros hallados teóricamente y los medidos,
sobre todo para el último estado (a máxima intensidad), ya que la hora de realizar esta
medición tuvimos problemas con el multímetro que veníamos usando y empezamos a
utilizar otro el cual tiraba mediciones erráticas en algunas oportunidades y no se
estabilizaba en un valor sino que oscilaba en un rango bastante grande para un
multímetro,

El trabajo realizado nos resultó de gran utilidad ya que aplicamos los conceptos dados
en Electrónica Industrial de conexiones Darlington a un caso práctico.