Instituto Politécnico Nacional

Unidad Profesional Interdisciplinaria en

Ingeniería y Tecnologías Avanzadas

Ingeniería en Mecatrónica

Asignatura: Tópicos Avanzados de Electrónica

Práctica 4: Fuentes de corriente con MOSFETs

Equipo:
- Jiménez Martínez Adrián Fernando
- Martínez Luna José Eduardo
- Sánchez Cárdenas Alan Darío

Profesor: Peza Tapia Juan Manuel

Grupo: 3MV20
Introducción
Estas fuentes de corriente se emplean empíricamente para establecer puntos de operación en
el interior de un circuito integrado. El circuito con el cual se experimentó en la práctica es el
que se muestra continuación:

Ilustración 1. Fuente Widlar con transistores BJT.

El principio de este circuito consiste en aplicar la misma tensión en la compuerta de los

transistores de tal forma que la corriente que fluye de “drain” a “source” en cada transistor
es la misma, creando así lo que se conoce como espejos de corriente.
Al interconectar el “gate” y “drain” del transistor 1, podemos considerar lo siguiente:
𝑉𝐺𝑆1 = 𝑉𝐷𝑆1 = 𝑉𝐺𝑆2 = 𝑉𝐷𝑆2
Y, para nuestro caso, se nos pide diseñar una fuente donde el transistor se alimente con 10V
y tenga una corriente de referencia de 500µA. Es decir, tenemos que determinar la resistencia
“R” para que dé la corriente solicitada.
La corriente de referencia del MOSFET está dada por:
𝐼𝐷(𝑂𝑁) = 𝑘 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡ℎ )2

De la hoja de especificaciones del transistor 1RFZ44N, sabemos que: 𝐼𝐷 = 25𝐴, 𝑉𝑇𝐻 = 4𝑉

25
𝑘= = 0.649𝐴/𝑉 2
(10 − 4)2
Sabiendo el valor de la constante, calculamos el voltaje entre “gate” y “source”.
𝐼𝑅𝐸𝐹 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡ℎ )2 => 𝑉𝐺𝑆 = 4.027𝑉
10 − 4
𝑅=
500 × 10−6

𝑹 = 𝟏𝟐𝒌𝛀
Objetivo
Medir los parámetros de una fuente de corriente hecha con MOSFET cambiando la
resistencia de carga.

Material
- 1 multímetro
- 1 fuente de alimentación
- 1 tarjeta de desarrollo
- 1 protoboard
- 2 MOSFET 1RFZ44N
- 1 resistencia de 56Ω
- 1 resistencia de 100Ω
- 1 resistencia de 330Ω
- 1 resistencia de 1kΩ
- 1 resistencia de 10kΩ
- 1 resistencia de 560Ω
- 1 resistencia de 10Ω
- 1 resistencia de 12kΩ

Desarrollo
Inicialmente, se armó el circuito, tal como se muestra.

Diagrama esquemático Implementación física

Ilustración 2. Circuito a desarrollar.

Resultados
Una vez armado el circuito procedimos a colocar la resistencia de menor valor, en este caso
fue la de 10 Ω. Al momento de energizar el circuito notamos que rápidamente la resistencia
comenzó a sacar humo, consecuencia de haberse quemado, y posteriormente decidimos
cambiarla pensando que esto arreglaría el problema, sin embargo, al colocar una nueva
resistencia el resultado fue el mismo. Debido a esto decidimos omitir las mediciones con este
valor, y con ello salvaguardar el funcionamiento de los demás componentes. A continuación,
anexamos una foto tomada a las resistencias quemadas.

Ilustración 3. Resistencia de 10 Ohms quemada por exceso de calor debido a la potencia.

Posterior a este problema, pudimos realizar las mediciones sin problemas. A continuación,
anexamos la tabla con la recopilación de datos por cada circuito. Cabe destacar que los
valores de corriente mostrados en la tabla fueron calculados mediante ley de Ohm con los
datos de voltaje y resistencia ya obtenidos.

Tabla 1. Tabla de resultados.

R VDS1(V) VGS1(V) VDS2(V) VREF(V) IREF(mA) IOUT(mA) VOUT(V)

56 Ω 3.77 3.77 1.051 6.13 109.40 157.80 8.84
100 Ω 3.78 3.78 0.920 6.14 61.40 90.00 9.00
330 Ω 3.78 3.78 0.750 6.19 18.70 27.90 9.22
560 Ω 3.77 3.77 0.713 6.20 11.07 16.60 9.26
1k Ω 3.77 3.78 0.686 6.20 6.20 9.29 9.29
10k Ω 3.77 3.77 0.649 6.21 0.621 0.93 9.33

Para mostrar la toma de mediciones, anexamos algunas fotografías durante la práctica.

 Ilustración 4. Mediciones.

Conclusiones
De la teoría sabemos que al ser espejo de corriente, la corriente de salida debe ser muy similar
a la de referencia, sin embargo, en la práctica notamos que todas las corrientes de salida son
aproximadamente 34% más grandes que las de referencia, lo que puede deberse a la precisión
de los componentes utilizados. También se concluye que el porcentaje anterior tiene un
mayor impacto para corrientes altas que para corrientes bajas, debido a que en la tabla se
observa que la diferencia entre las corrientes disminuye al incrementando la resistencia de
carga, lo que tiene sentido con la teoría, que nos dice que estas fuentes normalmente se usan
para corrientes bajas, lo cual requiere resistencias grandes.
Además, analizando los resultados recopilados podemos notar que existe una conservación
en el voltaje de ambas ramas del circuito, ya que la suma del voltaje consumido por las
resistencias y los voltajes drain-source en sus respectivas ramas nos arrojan un valor igual al
de la fuente de alimentación del circuito, en este caso 10 v.
Hoja firmada

Referencias
- R. L. Boylestad and L. Nashelsky, Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos, 10th ed. México: Prentice Hall-Pearson, 2009