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TECNOLOGIA TTL
Sus elementos de entrada y salida de son transistores bipolares
DISIPACIÓN DE POTENCIA
Una compuerta NAND TTL estándar disipa una potencia promedio de 10 Mv Icc(promedio) = a 8 mA Y
una de PD (promedio) 8mA x 5V =40mW
De este modo una compuerta NAND requiere una potencia promedio de 10 Mw
TECNOLOGIA VMOS
Gran medida el área de contacto entre el canal y la región tipo n, lo que contribuye a una reducción
adicional del nivel de resistencia y al incremento del área para el flujo de corriente entre las
capas de dopado. También están las dos trayectorias de conducción entre el drenaje y la fuente, que
contribuyen aún más a la elevación del valor de la corriente. El resultado es un dispositivo con
corrientes de drenaje capaces de alcanzar niveles de potencia de más de 10 W.