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DESCRIPCIÓN DE LAS TAREAS DE EVALUACIÓN
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TAREAS DE EVALUACIÓN
Primer corte
Actividad 1
1. Desarrollar la guía de aprendizaje del taller de ejercicios propuestos.
2. Analiza los ejercicios propuestos.
3. Desarrolle una solución para cada ejercicio.
4. Realizar las gráficas de las curvas características de los resultados obtenidos para cada diodo.
5. Analizar los resultados obtenidos.
Actividad 2
6. Desarrollar la guía de aprendizaje de la Practica 1. Curva característica del diodo.
7. Realizar las gráficas de las curvas características de los resultados obtenidos para cada diodo.
8. Analizar los resultados obtenidos de la practica 1.
9. Responder el cuestionario propuesto.
10. Redactar 3 conclusiones referentes al comportamiento del diodo.
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Estimado estudiante, la primera actividad va enfocada al desarrollo del taller investigativo, relacionado
con los tiristores.
En este sentido, es de vital importancia que tengas en cuenta el siguiente procedimiento, investiga:
1. Tipos de transistores.
2. Principio de funcionamiento de los dispositivos electrónicos transistores.
3. Cuál es la curva característica del transistor ideal.
4. Aplicaciones en la industria.
Estimado estudiante, la segunda actividad va enfocada al desarrollo del taller practico No. 1 (ejercicios
de aplicación), relacionado con el comportamiento del diodo en polarización directa e inversa.
1. Actividades previas: Debes realizar la inspección cuidadosa y lectura del material de apoyo
compartido en ATENA y prestar atención en las sesiones teóricas.
2. Solución del taller: Una vez realizadas las lecturas previas y habiendo tenido acceso al taller, ya
estás en condiciones de poder realizar los ejercicios del taller propuesto para esta unidad. Para
esto ten en cuenta el siguiente procedimiento para cada ejercicio:
2.1. Lee cuidadosamente el contexto de cada ejercicio.
2.2. Realiza el análisis de los circuitos planteados para montaje y simulación.
2.3. Describe el procedimiento requerido para la solución del ejercicio teniendo como referente
las actividades previas.
2.4. Realiza el montaje de los circuitos propuestos, la simulación de cada uno de ellos y sus
curvas características.
2.5. Evidencia con resultados cada paso del procedimiento empleado para la solución del
ejercicio.
MATERIALES Y EQUIPO:
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PREPARACIÓN:
Dispositivo electrónico el cual deja circular corriente por sí mismo en un único sentido,
polarización directa.
4. Explique qué entiende por voltaje de barrera y voltaje de ruptura en los diodos.
El voltaje de barrera es también llamado voltaje de umbral el cual es necesario superar para que el
diodo conduzca en caso del silicio es 0.7 volts y germanio 0.3 volts.
PRIMERA PARTE:
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Figura 1
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corriente en el circuito
Potenciómetro KΩ (mA) Voltaje en las terminales del diodo (V)
10 0.927 0.578
9 1.027 0.583
8 1.157 0.589
7 1.311 0.594
6 1.51 0.6
5 1.808 0.608
4 2.3 0.618
3 3 0.631
2 4.5 0.649
1 8.4 0.678
0.5 15.5 0.706
0.1 53.1 0.763
Tabla 1.
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SEGUNDA PARTE:
a) Abre el interruptor S1, invierte la conexión del diodo, ajusta el potenciómetro a 1kΩ y el voltaje
dela fuente a 0.5 V.
b) Cierra el interruptor, mide la corriente en el circuito, mide el voltaje entre terminales del diodo y
registra los resultados en la tabla 2.
c) Varia el voltaje de la fuente de acuerdo a lo marcado en la tabla 2, mide la corriente en el
circuito y el voltaje entre terminales del diodo para cada nivel de voltaje de la fuente y registra
los resultados en la tabla 2.
d)
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Tabla 2
TERCERA PARTE:
a) Con los datos obtenidos en la primera y segunda parte construye una gráfica de Voltaje vs
Corriente.
60
50 corriente en el circuito…
corriente (mA)
40
30
20
10
0
0 0,5 1 1,5 2
voltaje
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CUARTA PARTE:
Realiza el procedimiento correspondiente a la parte 1. Ahora con un diodo de germanio y registra los
datos en la tabla 3.
QUINTA PARTE:
Realiza el procedimiento correspondiente a la parte 2. Ahora con un diodo de germanio, registra los
datos en la tabla 4.
SEXTA PARTE:
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a) Con los datos obtenidos en la tercera y cuarta parte construye una gráfica de Voltaje vs
Corriente.
(diodo de germanio)
10
corriente (mA)
5
0
-6 -4 -2 0 2 corriente en el circuito (mA)
-5
-10
voltaje(v)
SEPTIMA PARTE:
Con los datos obtenidos y sabiendo que el modelo de la corriente de diodo real en la zona de
polarización directa es:
Donde:
ID= Corriente del Diodo.
I0= Corriente de saturación Inversa.
VD=Voltaje del diodo. (Voltaje promedio en la zona de polarización directa)
VT=Voltaje Térmico =KT/q donde K= Constante de Boltzman, T= Temperatura de la prueba y q=
Carga del electrón.
Utiliza la cftool de Matlab o el software de graficación de tu preferencia para obtener las constantes
modelo y rellena la siguiente tabla:
Silicio
Id (A) Vd (V)
3.30E-04 0.5
7.277 1
8.31E+26 4
9.94E+52 7
1.08E+79 10
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Exponencial 12
Exponencial 15
Exponencial 17
Exponencial 20
-1.50E-08 -0.5
-1.50E-08 -1
-1.50E-08 -4
-1.50E-08 -7
-1.50E-08 -10
-1.50E-08 -20
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Germanio
Id(A) Vd (V)
1.54E-02 0.5
339.6156 1
3.88E+28 4
4.43E+54 7
5.06E+80 10
Exponencial 12
Exponencial 15
Exponencial 17
Exponencial 20
-7.00E-07 -0.5
-7.00E-07 -1
-7.00E-07 -4
-7.00E-07 -7
-7.00E-07 -10
-7.00E-07 -20
CONCLUSIONES
se entiende que el diodo es usado en la industria para grandes aplicaciones, ya que está presente
en muchos componentes a nivel industrial y comercial, cumpliendo su función principal como
interruptor para circuitos de rectificación y demás.
Conociendo las zonas de umbral de un diodo podemos polarizarlo con el voltaje necesario para
que conduzca lo cual nos permite tener control de paso de corriente por este circuito y utilizarlo
como interruptor a plena disposición, gracias a su arreglo pn.
En el caso de los diodos rectificadores, su uso se limita a volver una onda sinusoidal con parte
negativa y positiva a medios ciclos positivos, lo cual nos permite tener una onda de voltaje positiva
y a la cual se le podrá aplicar procesos para limpiarla y que salga más continua.
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COMPROBACIÓN DE CONCEPTOS
1. De acuerdo a las medidas tomadas anteriormente ¿Cómo crees que es el comportamiento de los
diodos de silicio y germanio?
2. ¿Qué diferencia encontraste en cuanto a conducción con polarización directa entre el diodo de
silicio y el de germanio?
3. ¿Qué diferencia encontraste en cuanto a conducción con polarización inversa entre el diodo de
silicio y el de germanio?
Según los datos del laboratorio el de silicio tiene un umbral de ruptura mucho más
grande que el de germanio ya que no permitió el paso de corriente con un voltaje de 20 V
mientras el de germanio si presento corrientes de circulación.
4. ¿Se puede considerar el diodo como un dispositivo de circuito lineal? Explica tu respuesta.
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