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DESCRIPCIÓN DE LAS TAREAS DE EVALUACIÓN
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Custodio jaimes delgado, Jersson Libardo naranjo morales grupo:7

NOMBRE DEL CURSO: ELECTRONICA INDUSTRIAL


Modalidad Presencial x A Distancia Virtual
Teórico - Créditos
Tipo de Curso: 2 HTD 64 HTI 32 Semestre: 2022-2
Practico Académicos
CORTE: PRIMER CORTE

COMPETENCIAS ESPECÍFICAS RESULTADOS DE APRENDIZAJE


1.1. Identificar las características de
Utiliza los elementos semiconductores de
funcionamiento de diodos y transistores de
potencia en procesos de rectificación, conversión
potencia a través del análisis de las curvas
y amplificación de potencia, para desarrollar
corriente - tensión.
circuitos asociados a las aplicaciones de los
1.2. Utilizar los diodos y transistores de potencia
tiristores (Conversores AC-DC; AC-AC; DC-AC y
como elementos de control en circuitos
DC-DC y amplificación de señal).
electrónicos de potencia.

COMPETENCIAS GENÉRICAS RESULTADOS DE APRENDIZAJE


AUTONOMÍA EN EL APRENDIZAJE RA1. Realizar autoevaluación sobre el proceso de
Evalúa su proceso de aprendizaje con el fin de aprendizaje siguiendo los criterios establecidos
establecer estrategias de mejora, de tal manera en la Institución para tal fin.
que se garantice el cumplimiento de sus RA2. Establecer estrategias de aprendizaje
propósitos de formación y las responsabilidades autónomo durante el desarrollo de las
asumidas. competencias de formación atendiendo a los
retos establecidos en la autoevaluación.

COMUNICACIÓN EN LENGUA MATERNA Y RA3. Aplicar las técnicas de comunicación verbal


EXTRANJERA y no verbal de acuerdo con sus características y
Emplea la lengua materna y una lengua los contextos comunicativos.
extranjera para comunicarse de forma oral y RA4. Elaborar argumentos en torno a una tesis
escrita, con entendimiento en contextos sociales planteada considerando los referentes teóricos.
y culturales variados, empleando diferentes RA5. Utilizar un lenguaje coherente de acuerdo
códigos y herramientas, dentro de un proceso con el contexto comunicativo oral o escrito.
metacognitivo. RA6. Producir textos mediante el uso de un
lenguaje preciso y coherente en los procesos
comunicativos relacionados con el área
disciplinar atendiendo a las normas de escritura
vigente.

ECO-COMUNIDADES DE APRENDIZAJE RA7. Colaborar con sus pares en las actividades


Potencia las capacidades y la productividad del académicas relacionadas con la resolución de
equipo de trabajo, a partir del conocimiento de problemas, análisis de casos o desarrollo de
sus dinámicas internas, sus habilidades y proyectos.
recursos para la comunicación y consecución de RA8. Complementar las acciones de sus
objetivos comunes. compañeros en los procesos colaborativos
considerando los propósitos de formación
RA9. Proponer soluciones de manera
colaborativa a problemas identificados teniendo
en cuenta los contextos dados.

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PENSAMIENTO CIENTÍFICO RA10. Caracterizar el contexto de la situación


Resuelve problemas del contexto mediante una problema utilizando los postulados del método
determinada metodología de investigación para científico.
generar conocimiento y actuar con mayor impacto RA11. Realizar recolección de datos a partir de
en la realidad, considerando los pre saberes, el técnicas que faciliten la caracterización de una
trabajo colaborativo y el compromiso ético. realidad determinada.
RA12. Generar conclusiones que impacten la
realidad a partir de la comprobación o refutación
de la hipótesis.
RA13. Presentar aportes teóricos válidos y
confiables propios del campo disciplinar.

TAREAS DE EVALUACIÓN
Primer corte
Actividad 1
1. Desarrollar la guía de aprendizaje del taller de ejercicios propuestos.
2. Analiza los ejercicios propuestos.
3. Desarrolle una solución para cada ejercicio.
4. Realizar las gráficas de las curvas características de los resultados obtenidos para cada diodo.
5. Analizar los resultados obtenidos.
Actividad 2
6. Desarrollar la guía de aprendizaje de la Practica 1. Curva característica del diodo.
7. Realizar las gráficas de las curvas características de los resultados obtenidos para cada diodo.
8. Analizar los resultados obtenidos de la practica 1.
9. Responder el cuestionario propuesto.
10. Redactar 3 conclusiones referentes al comportamiento del diodo.

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Actividad 1. Investigación transistores.

Estimado estudiante, la primera actividad va enfocada al desarrollo del taller investigativo, relacionado
con los tiristores.

En este sentido, es de vital importancia que tengas en cuenta el siguiente procedimiento, investiga:

1. Tipos de transistores.
2. Principio de funcionamiento de los dispositivos electrónicos transistores.
3. Cuál es la curva característica del transistor ideal.
4. Aplicaciones en la industria.

Evidencia de aprendizaje: Desarrolla la investigación en tu cuaderno de notas de clase a mano.


Modo de entrega: Actividad para socializar en clase. Cargar la evidencia en ATENA en el vínculo de
actividad 1. Tipo de archivo fotografías en formato PDF.

Actividad 2. Practica 1. Curva característica del diodo

Estimado estudiante, la segunda actividad va enfocada al desarrollo del taller practico No. 1 (ejercicios
de aplicación), relacionado con el comportamiento del diodo en polarización directa e inversa.

En este sentido, es de vital importancia que tengas en cuenta el siguiente procedimiento:

1. Actividades previas: Debes realizar la inspección cuidadosa y lectura del material de apoyo
compartido en ATENA y prestar atención en las sesiones teóricas.
2. Solución del taller: Una vez realizadas las lecturas previas y habiendo tenido acceso al taller, ya
estás en condiciones de poder realizar los ejercicios del taller propuesto para esta unidad. Para
esto ten en cuenta el siguiente procedimiento para cada ejercicio:
2.1. Lee cuidadosamente el contexto de cada ejercicio.
2.2. Realiza el análisis de los circuitos planteados para montaje y simulación.
2.3. Describe el procedimiento requerido para la solución del ejercicio teniendo como referente
las actividades previas.
2.4. Realiza el montaje de los circuitos propuestos, la simulación de cada uno de ellos y sus
curvas características.
2.5. Evidencia con resultados cada paso del procedimiento empleado para la solución del
ejercicio.

Evidencia de aprendizaje: Documento con la solución de los ejercicios de aplicación planteados en


el taller práctico en donde el estudiante debe mostrar la evidencia de los pasos del procedimiento
planteado para la solución de cada ejercicio teniendo como referente la simulación y montaje en el
laboratorio.
Modo de entrega: Actividad para cargar en ATENA en el vínculo de actividad 2. Tipo de archivo
documento en formato PDF.

NOMBRE DE LA PRÁCTICA: CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO

NÚMERO DE LA PRÁCTICA: 01 GRUPO: 7 BANCO DE TRABAJO:

MATERIALES Y EQUIPO:

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• Multímetro Digital (puntas de prueba).


• Protoboard y alambres (cal # 24 o 26).
• Resistencia de 100Ω (1/2 W).
• Potenciómetro de 10kΩ.
• Puntas para prueba de la fuente DC.
• Herramienta básica: pelacables, alicates, cortafrío, etc.
• Diodo de Silicio.
• Diodo de Germanio.
• 1 interruptor.

PREPARACIÓN:

1. Explique brevemente el funcionamiento del diodo real.

 Dispositivo electrónico el cual deja circular corriente por sí mismo en un único sentido,
polarización directa.

2. Explique el concepto de polarización directa en el diodo.

 Dispositivo con dos terminales en la cual comúnmente se encuentra un material tipo p


donde está el ánodo terminal positivo y n donde está el cátodo terminal negativo, este
arreglo permite que la corriente circule en un solo sentido cunando está en polarización
inversa.
La zona p tiene exceso de huecos y la zona n tiene exceso de electrones, Si se aplica una
tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que "empujará" los
huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de agotamiento y si se
aumenta el voltaje desaparecerá la zona de estrechamiento y el diodo conducirá.

3. Explique el concepto de polarización inversa en los diodos.

 Si se aplica una polarización inversa el negativo en la unión p y positivo en la unión n se


aumenta rara la zona de agotamiento y se hará más estrecha por lo cual no se rellenan
los huecos y esto impide la conducción del diodo, excepto en zona de ruptura.

4. Explique qué entiende por voltaje de barrera y voltaje de ruptura en los diodos.

El voltaje de barrera es también llamado voltaje de umbral el cual es necesario superar para que el
diodo conduzca en caso del silicio es 0.7 volts y germanio 0.3 volts.

El voltaje de ruptura es cuando se polariza el diodo inversamente y no conduce con el voltaje al


cual se encuentra expuesto, pero al aumentar este voltaje demasiado se llega a superar la barrera
que impide el paso de corriente y el diodo queda como un interruptor cerrado, este voltaje debe
ser muy grande para llegar a la zona de ruptura.

PRIMERA PARTE:

a) Identifica los terminales del diodo (Ánodo y Cátodo).


b) Monta el circuito de la figura 1, utilizando un diodo de silicio.

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Figura 1

c) Ajusta el voltaje de la fuente a 10 V y el potenciómetro a 10 k.


d) Cierra el interruptor S1, variar el valor del potenciómetro de acuerdo a lo indicado en la tabla 1.
e) Mide la corriente en el circuito y el voltaje entre terminales del diodo. Toma registro de las
mediciones en la tabla 1.

Figure 1.montaje del circuito con el diodo de silicio.

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corriente en el circuito
Potenciómetro KΩ (mA) Voltaje en las terminales del diodo (V)
10 0.927 0.578
9 1.027 0.583
8 1.157 0.589
7 1.311 0.594
6 1.51 0.6
5 1.808 0.608
4 2.3 0.618
3 3 0.631
2 4.5 0.649
1 8.4 0.678
0.5 15.5 0.706
0.1 53.1 0.763
Tabla 1.

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SEGUNDA PARTE:

Una vez realizada la parte 1 y sin retirar el montaje realiza lo siguiente:

a) Abre el interruptor S1, invierte la conexión del diodo, ajusta el potenciómetro a 1kΩ y el voltaje
dela fuente a 0.5 V.
b) Cierra el interruptor, mide la corriente en el circuito, mide el voltaje entre terminales del diodo y
registra los resultados en la tabla 2.
c) Varia el voltaje de la fuente de acuerdo a lo marcado en la tabla 2, mide la corriente en el
circuito y el voltaje entre terminales del diodo para cada nivel de voltaje de la fuente y registra
los resultados en la tabla 2.
d)

Figure 2. onda del osciloscopio del montaje

corriente en el circuito Voltaje en las terminales del diodo


voltaje de la fuente (mA) (V)
0.5 0 0.482
1 0 1.058
4 0 4.04
7 0 7.04
10 0 10
12 0 12.09
15 0 15.08
17 0 17.02
20 0 20

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Tabla 2

TERCERA PARTE:

a) Con los datos obtenidos en la primera y segunda parte construye una gráfica de Voltaje vs
Corriente.

60
50 corriente en el circuito…
corriente (mA)

40
30
20
10
0
0 0,5 1 1,5 2
voltaje

Figura 2. Curva característica del diodo de silicio obtenida


experimentalmente.

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b) Registra los valores de la escala de la gráfica realizada en el numeral anterior.

Voltaje: 0-20 [V] Corriente: 0-53.1 [mA]

CUARTA PARTE:

Realiza el procedimiento correspondiente a la parte 1. Ahora con un diodo de germanio y registra los
datos en la tabla 3.

corriente en el circuito Voltaje en las terminales del diodo


Potenciómetro (Kῼ) (mA) (V)
10 0.843 0.713
9 0.922 0.717
8 1.019 0.719
7 1.147 0.723
6 1.306 0.725
5 1.521 0.73
4 1.816 0.735
3 2.4 0.742
2 3.1 0.749
1 4.7 0.761
0.5 6.2 0.77
0.1 8.5 0.779
Tabla 3

QUINTA PARTE:

Realiza el procedimiento correspondiente a la parte 2. Ahora con un diodo de germanio, registra los
datos en la tabla 4.

voltaje de la fuente corriente en el circuito Voltaje en las terminales del diodo


(V) (mA) (V)
0.5 0 0.496
1 0 1.04
4 0.001 4.08
7 0.655 5.61
10 2.3 5.63
12 3.2 5.63
15 4.8 5.64
17 5.7 5.64
20 7.2 5.66
Tabla 4

SEXTA PARTE:
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a) Con los datos obtenidos en la tercera y cuarta parte construye una gráfica de Voltaje vs
Corriente.

(diodo de germanio)
10
corriente (mA)

5
0
-6 -4 -2 0 2 corriente en el circuito (mA)
-5
-10
voltaje(v)

Figura 3. Curva característica del diodo de germanio obtenida experimentalmente.

b) Registra los valores de la escala de la gráfica realizada en el numeral anterior.

Voltaje: -5.66 – 10 [V] Corriente: -7.2 – 8.5 [mA]

SEPTIMA PARTE:

Con los datos obtenidos y sabiendo que el modelo de la corriente de diodo real en la zona de
polarización directa es:

Donde:
ID= Corriente del Diodo.
I0= Corriente de saturación Inversa.
VD=Voltaje del diodo. (Voltaje promedio en la zona de polarización directa)
VT=Voltaje Térmico =KT/q donde K= Constante de Boltzman, T= Temperatura de la prueba y q=
Carga del electrón.

𝑛=constante empírica (1 para germanio y 2 para silicio).

Utiliza la cftool de Matlab o el software de graficación de tu preferencia para obtener las constantes
modelo y rellena la siguiente tabla:

Silicio
Id (A) Vd (V)
3.30E-04 0.5
7.277 1
8.31E+26 4
9.94E+52 7
1.08E+79 10

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Exponencial 12
Exponencial 15
Exponencial 17
Exponencial 20
-1.50E-08 -0.5
-1.50E-08 -1
-1.50E-08 -4
-1.50E-08 -7
-1.50E-08 -10
-1.50E-08 -20

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Germanio
Id(A) Vd (V)
1.54E-02 0.5
339.6156 1
3.88E+28 4
4.43E+54 7
5.06E+80 10
Exponencial 12
Exponencial 15
Exponencial 17
Exponencial 20
-7.00E-07 -0.5
-7.00E-07 -1
-7.00E-07 -4
-7.00E-07 -7
-7.00E-07 -10
-7.00E-07 -20

CONCLUSIONES

se entiende que el diodo es usado en la industria para grandes aplicaciones, ya que está presente
en muchos componentes a nivel industrial y comercial, cumpliendo su función principal como
interruptor para circuitos de rectificación y demás.

Conociendo las zonas de umbral de un diodo podemos polarizarlo con el voltaje necesario para
que conduzca lo cual nos permite tener control de paso de corriente por este circuito y utilizarlo
como interruptor a plena disposición, gracias a su arreglo pn.

En el caso de los diodos rectificadores, su uso se limita a volver una onda sinusoidal con parte
negativa y positiva a medios ciclos positivos, lo cual nos permite tener una onda de voltaje positiva
y a la cual se le podrá aplicar procesos para limpiarla y que salga más continua.

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COMPROBACIÓN DE CONCEPTOS

1. De acuerdo a las medidas tomadas anteriormente ¿Cómo crees que es el comportamiento de los
diodos de silicio y germanio?

 Ambos diodos se comportan como interruptores, pero, aunque el diodo de germanio


tiene menor consumo de voltaje y de silicio permite mayor paso de corriente una vez
pasa el umbral.

2. ¿Qué diferencia encontraste en cuanto a conducción con polarización directa entre el diodo de
silicio y el de germanio?

 El diodo de germanio alcanzo un poco más de 8 mA mientras el de silicio alcanzo 53 mA

3. ¿Qué diferencia encontraste en cuanto a conducción con polarización inversa entre el diodo de
silicio y el de germanio?

 Según los datos del laboratorio el de silicio tiene un umbral de ruptura mucho más
grande que el de germanio ya que no permitió el paso de corriente con un voltaje de 20 V
mientras el de germanio si presento corrientes de circulación.

4. ¿Se puede considerar el diodo como un dispositivo de circuito lineal? Explica tu respuesta.

No porque se presta suma atención al gráfico, se observa que no es un comportamiento lineal


entre aumento de voltaje y corriente sino contrario a esto presenta una curva característica del
mismo.

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BIBLIOGRAFÍA BÁSICA Y COMPLEMENTARIA


 Muhammad h. Rashid, Electrónica de potencia, circuitos dispositivo s y aplicaciones. México,
3 edición. Prentice Hall, 2004.
 Muhammad h. Rashid, Electrónica de potencia, México, 4 edición. Pearson 2015.

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