DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ING. DANNI RODRIGO DE LA CRUZ GUEVARA

TERCER PARCIAL

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO JFET

NRC: 8512

SANGOLQUÍ
16/08/2020
Los JFET son más estables con la temperatura que los transistores bipolares, además de
ser mucho más pequeños. Estos son dispositivos mediante los cuales se puede controlar
cierta cantidad de corriente haciendo variar la tensión. Existen dos clases de JFET, los de
canal n y los de canal p, al igual que los transistores BJT se diferencian entre si por el
sentido de las corrientes y tensiones. Estos transistores constan de 3 pines denominados
Drenaje (Drain), compuerta (Gate) y fuente (Source).

La denominación de efecto de campo en estos transistores se debe a las zonas de

deplexión alrededor de cada una de las regiones p, los electrones fluyen de n a p y se
recombinan con los huecos creando dichas zonas.

Figura 1. Estructura interna de un JFET

Fuente: Transistor fet. Humberto Andrade (4 de sept. 2010).

https://es.slideshare.net/Humbertogato/transistor-fet

El diodo puerta-fuente de un JFET se polariza inversamente, debido a esto la corriente de

puerta 𝐼𝐺 es aproximadamente cero haciendo que el JFET tenga una resistencia casi
infinita de cientos de megahomios.

Figura 2. Polarización de puerta de JFET de canal n y canal p.

Fuente: Polarización del transistor JFET. MrElberni, tutoriales de electrónica.

http://mrelbernitutoriales.com
Funcionamiento: Los electrones que fluyen desde
la fuente al drenador tienen que atravesar el
estrecho canal que existe entre las zonas de
deplexión, cuando la tensión de puerta 𝑉𝐺𝐺 se hace
negativa vamos a observar que las zonas de
deplexion se expanden y el canal se estrecha,
mientras más negativo sea este voltaje, la corriente entre la fuente y el drenador 𝐼𝑆𝐷 será
menor, llegando además a un punto denomidado estrangulamiento.

Los JFEt son dispositivos controlados por tensión porque la tensión de entrada controla
una corriente de salida, a diferencia de los BJT que eran controlados por la corriente de
base haciendo que varie el voltaje de salida.

Curvas del drenador

Si el voltaje 𝑉𝐺𝑆 = 0 es decir se cortocircuita la fuente

de puerta, tendremos una corriente de drenador 𝐼𝐷
máxima. Cuando 𝑉𝐷𝑆 aumenta las zonas de deplexión
se expanden hasta casi estar en contacto impidiendo que
la corriente siga aumentando, la corriente tiene un
límite superior igual a 𝐼𝐷𝑆𝑆 (corriente máxima de
drenador que el JFET puede generar). La tensión mínima de 𝑉𝑝 se denomina tensión de
estrangulamiento y la tensión máxima 𝑉𝐷𝑆(𝑚á𝑥) tensión de disrupción, la zona entre estos
dos voltajes es la zona activa donde trabaja el transistor.

La tensión de estrangulamiento separa dos regiones de funcionamiento principales del

JFET, una ya mencionada la región activa y otra parte casi vertical de la curva de drenador
por debajo del punto de estrangulamiento es la región óhmica.

Cundo 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) < −𝑉𝑝 las zonas de deplexión se tocan es decir el canal de conducción
desaparece y la corriente de drenador es aproximadamente cero, cuando esto pasa en las
curvas se observa que el transistor pasa a la zona de corte.

Curva de transconductancia

Esta curva tiene relación entre 𝐼𝐷 en función de 𝑉𝐺𝑆 . Para dibujar esta curva se basan en
los valores de las curvas del drenador y utiliza la siguiente ecuación.
 2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)

Figura 3. Curva característica del transistor JFET

Fuente: Archivo JFET. Phirosiberia. https://es.wikipedia.org/wiki/Archivo:JFET_n-channel.svg

Para el punto de operación se toma el mismo criterio que los transistores de unión
bipolar, es decir, se construye la recta de carga y se toma el valor medio.

En la figura se observa la gráfica de entrada y salida de un JFET con la polarización de

puerta, en este tipo de polarización el punto de operación varía mucho cuando se cambia
el JFET por esa razón esta polarización no es la mejor.

Bibliografía.

• Malvino, P. (2007). Principios de Electrónica. Mc. Graw Hill.

• http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/conociendo-el-jfet/pruebas-con-el-
jfet/curva-de-transferencia-del-jfet/polarizacion-del-jfet/