Transistor FET

Es un dispositivo unipolar de tres terminales

que está construido con una zona semiconductora
tipo P o N que une los dos terminales (Surtidor y
Drenador), a esta región se le llama canal y entre
ésta existe otra con signo opuesto que se conecta a
la puerta, entre ambas (canal y puerta) se forma una
unión PN o NP, según sea su topología. Cuando se
aplica una tensión entre Drenador y Surtidor, habrá
circulación de corriente por el canal.
fuente (Source), drenaje (Drain) y puerta (Gate).

• Drenaje y Fuente: Son los terminales que están

unidos a la pastilla de semiconductor (N o P). Los
portadores mayoritarios salen por el drenaje y entran
por la fuente. Se denominan por las letras D y S
respectivamente. La conducción entre estos dos
terminales se comporta como la de una resistencia
cuyo valor esta controlado por la tensión de puerta.

•Puerta: Se corresponde con las zonas difundidas.

Se comporta como la de un diodo polarizado en
inverso, por lo tanto presenta una alta resistencia de
entrada y casi no circula corriente por ella. Si están
las dos unidas interiormente y se tiene accesible un
solo terminal, se tiene un FET de una puerta, y si
están separadas, un transistor FET de dos puertas.
La puerta se representa por la letra G del inglés
gate.
 Al variar la tensión entre drenador y surtidor
varia la intensidad de drenador permaneciendo
constante la tensión entre puerta y surtidor.
En la zona óhmica o lineal se observa como
al aumentar la tensión drenador surtidor
aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturación el aumento de la
tensión entre drenador y surtidor produce una
saturación de la corriente de drenador que
hace que esta sea constante. Cuando este
transistor trabaja como amplificador lo hace en
esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una
intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la máxima tensión
que soportará el transistor entre drenador y
surtidor.

Vp = tensión de estrangulamiento o contracción, separa la zona ohmica de la zona de estrangulamiento.

VGS = Tensión entre la puerta y la fuente, que regula la anchura del canal polarizando ambas uniones en inversa
IDSS= Corriente de saturación del drenador. Es la corriente que circula a través del canal cuando se ha producido el estrangulamiento
sufriendo variaciones muy pequeñas, a pesar que el canal este estrangulando y aumentemos Vds.
ID=Corriente del drenador que circula a través del canal gracias a la polarización de este mediante Vds. Cuando el canal no esta
polarizado Vds=0, y no hay corriente del drenador Id=0
VDS= Tensión entre el drenador y la fuente, que polariza el canal y que permite que el dispositivo sea atravesado por una corriente al
mismo tiempo que polariza ambas uniones en inverso
 DRENADOR SATURACION

Zona de corte: se En el punto A, la Vgs

caracteriza porque la Id=0 y coincide con valor de
la Vgs= Vp contracción del canal Vp

Zona ohmica: el FET se

comporta como una
resistencia controlada por la En el punto B, donde la Id
Vgs. En el esquema de la coincide con la corriente de
figura 1 vemos una grafica saturación del drenador ,
en la se cumple que: que es Idss (fig 3)
1) Vds < Vgs - Vp
2) Vds > Vgs – Vd
3) Vds = Vgs – Vp

Zona de saturación: la Id es
prácticamente constante en
toda la zona,
independientemente del
valor que tome la tension
drenador-surtidor, en esta
zona se cumple que Vds >
Vgs-Vp
(fig 2)
El punto de funcionamiento se
puede calcular de dos
formas: matemáticamente o
gráficamente,

- matemáticamente: es
mediante las mallas del
circuito.
1) La malla de entrada.
2) La malla de salida
3) Con la ecuación física del
dispositivo
- Gráficamente:
1) Con las dos características
del dispositivo: la de entrada
y la de salida
2) Con la ecuación de la malla
de entrada, trazo en la
características de
transferencia la curva de
polarización
3) Con la ecuación de la malla
de salida se traza en la
características de salida la
recta de carga
- Polarización fija

- Polarización autopolarización

- Polarización mediante división de

voltaje
 Es el arreglo mas simple para el
JFET de canal N. La cual es una de las
pocas configuraciones a FET que pueden
resolverse directamente tanto con un
método matemático como uno gráfico. En
ambos métodos el resultado debe ser
igual.
 En este circuito solo se usa
una fuente que es la del drenador
suprimiendo la fuente de puerta. Y
se acopla una resistencia de
surtidor. La corriente a través de
Rs es la corriente de la fuente Is,
pero Is = ID y la VRS= IDRS. Se
tiene que -Vgs-VRs=0
sustituyendo Vrs nos queda que
Vgs= -IDRs en este caso
podemos ver q Vgs es un función
de la corriente de salida ID, y no
fija en magnitud.
Es la forma mas
segura de saber que
el punto de
funcionamiento Q va
ha estar en el punto
que se estabilice. La
forma de calcular es
exactamente igual
que en los
transistores de BJT
en el cual se le aplica
Thevening.
Fuente común o Drenador común (fig Puerta común (fig c)
surtidor común (fig a b) Donde el drenador donde la puerta es
Donde el surtidor es es común tanto la común tanto en la
común tanto en la entrada como de la entrada como en la
entrada como en la salida salida
salida)
 Los mosfet se desglosan en
tipos incremental y decremental. Los
términos de agotamiento e incremental
definen su modo básico de operación,
mientras que mosfet significa el transistor
de efecto de campo metal oxido
semiconductor. En estos componentes,
cada transistor es formado por dos islas
de silicio, una dopada para ser positiva, y
la otra para ser negativa, y en el medio,
actuando como una puerta, un electrodo
de metal.
Las impurezas N+, P+ da el resultado de un
surtidor y un drenador, entre los dos electrodos,
añadiendo una pequeña capa de oxido de silicio
que es aislante, que es de donde sabe la
conexión de la puerta.
En la Fig. 1, al polarizar la puerta positivamente
se concentran los electrones arriba y ewsta parte
se hace mas conductora y hay una intensidad
que es la que forma el canal.

En la fig. 2, al polarizar la puerta negativamente se

concentran los huecos y se establece un corriente
formándose un canal para formar un anal mínimo
hay que polarizar la puerta inversamente. Si en el
tipo P fueran cargas negativas se llenarían de
hueco, y no se formaría el canal. Para formar el
canal, se tiene que polarizar en inverso y en el tipo
N atraerá a los huecos, pero si se quiere formar un
canal mínimo debe polarizar en inverso como lo
indica la fig1 y Fig. 2
Hay dos tipos de MOSFET:
- Aquellos en los que existe canal en ausencia de
polarización se les denomina MOSFET de deflexión
- Aquellos en los que no existe el canal si no se polarizan se
les llama MOSFET de acumulación
 Según la figura, se establece una corriente a
través del canal entre el surtidor y el drenador;
esta corriente es la que produce el
estrangulamiento del canal, produciéndose otra
corriente inversa de saturación.
Vp = es la tensión de estrangulamiento.
El principio de funcionamiento de un transistor
MOSFET es muy simple: de acuerdo a la
tensión existente entre los terminales de
compuerta y fuente la barra de silicio se torna
un conductor de muy baja resistencia intrínseca
o un aislador casi perfecto. Además se debe
mencionar que la compuerta no consume
energía ya que se trata de una lámina metálica
aislada.
El dispositivo MOSFET es perfectamente capaz
de amplificar señal eléctrica y de hecho existen
amplificadores de potencia basados en ellos.
 La característica de salida se divide en tres zonas:

-Zona óhmica
-Zona de saturación
-Zona de corte

La ecuación que separa la zona óhmica de la de

saturación para el transistor mosfet de acumulación es
VDS=VGS-VT (VT es la tensión en la que empieza a
formarse el canal) y en el transistor MOSFET de
depleción Vds = VGS – VP

La ecuación que rige la zona de saturación para el

transistor MOSFET de acumulación es:
ID = K (VGS-VT), K es una constante positiva para el
canal N y negativa para el canal P. Y en el transistor
MOSFET de depleción seria ID = IDSS, que multiplica
a 1 menos VGS partido de VP elevado al cuadrado.
Existen tres polarizaciones:

- Polarización fija

- Autopolarizado con resistencia de fuente

- Autopolarizado

el autopolarizado es el montaje que se usa por su

fiabilidad con respecto al punto de reposo donde va a trabajar
el TRT.
 Al igual que los transistores, se le aplica
thevening para simplicar el circuito y q sea
mas sencillo de calcular. Fig 1
El punto de funcionamiento estático de dos
forma en el circuito autopolarizado:
- Gráficamente:
a) Se realiza la malla de entrada.
b) Se representa la ecuación sobre la curva
característica de transferencia.
Obteniendo IDO y VGSO (fig2)
Se hace la ecuación de la malla de salida y la
llevamos a la curva característica de
salida. Obteniendo IDO y VDSO que nos
dicen donde se encuentra e punto de
funcionamiento estático.(fig 3) FIG 3
- Matemáticamente:
Se hace la malla correspondiente a la ecuación
de entrada:
-VT – IGS . RT – VGS + IS . RS =0

2) se hace la malla correspondiente a la

ecuación de salida:
-VDD + ID . RD + VDS
+ IS . RS=0

3) Por ultimo, la ecuacion fisica:

La ecuación física es:

ID=K (VGS-VT) ; VGS > VT

Si decimos que IGS = 0 se cumple que
VGS=VDS. En este circuito se cumplen
tres características:

1) VDS = VGS

2) VDD =ID . RD + VDS

3) ID = K ( VGS – VT ) ; VGS > VT

Se polariza la bases a través de un divisor de tensión (Fig. 1) y se cumplen tres ecuaciones:
Se le aplica Thevening y se cumplen las siguientes ecuaciones.