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1. Introducción
Los inversores son convertidores de energía que convierten la corriente continua CC en corriente alterna CA,
con la posibilidad de alimentar una carga en alterna. Para realizar tal proceso en forma interna, requieren de
elementos llamados semiconductores, siendo los más básicos son llamados transistores tipo BJT y Mosfet, los
cuales deben funcionar en estado de conmutación, es decir como interruptores que abren y cierran contactos.
Para tal caso, en esta experiencia se trabajará con un montaje real del transistor, haciéndolo trabajar en los dos
estados antes mencionados, para obtener como resultado una señal cuadrada representativa, que es muy
similar a la obtenida por los inversores básicos.
2. Objetivos
La presente actividad está relacionada con describir el funcionamiento de los transistores como elementos
de conmutación.
3. Duración
Tiempo asignado para el desarrollo de este Taller es de 90 minutos y siete días para la entrega del informe.
4. Prerrequisitos
Estudio de clase teórica 5.
5. Bibliografía previa
Autor: Boylestad, Robert.
Título: “Teoria Electrónica de Circuitos”, sexta edición, ISBN 968-880-805-9.
Editorial: Prentice Hall Hispanoamericana S.A.
México 1997.
Teoría: Capítulo 3, Transistores bipolares del diodo de unión (BJT).
Capítulo 4, Polarización en DC del transistor bipolar del diodo de unión (BJT)
Capítulo 5, Transistores de efecto de campo (FET).
Capítulo 3, Polarización del FET.
6. Marco teórico
El transistor es un dispositivo electrónico de estado sólido. La idea nació al intentar controlar la conducción de
un diodo de unión P-N (semiconductor). Se encontró que cuando sobre un semiconductor se ponían dos puntas
metálicas y a una se le aplicaba una cierta tensión, la corriente en la otra venia influenciada por la de la primera;
a la primera punta se la denomina emisor; al semiconductor , base y a la otra punta, colector. Posteriormente se
encontró que igual fenómeno ocurría si se unían dos semiconductores polarizados en sentido inverso a otro de
distinto tipo; así se construyen los transistores de unión, que son los más empleados. Según la estructura de
sus uniones, los transistores pueden ser P-N-P o N-P-N; se pueden emplear tanto en la tecnología analógica
como en la digital; estas tecnologías deben a los transistores el impresiónate auge alcanzado en el último
decenio y que ha invalidado el control industrial y el cálculo numérico.
Para poder entender un poco mejor el efecto del transistor, necesitamos entender como un transistor puede
trabajar como un aislador y/o conductor. Es la habilidad del transistor de cambiar entre estos dos estados que lo
deja cambiar o amplificar.
C C
b b
REGION FUNCION
Región de saturación: El transistor se comporta como un interruptor entre
emisor y colector.
PARÁMETRO FUNCION
V ce(sat) Tensión máxima entre colector y emisor trabajando en
saturación
V ceo Tensión máxima entre colector y emisor.
V cbo Tensión máxima entre colector y base.
V ebo Tensión máxima entre emisor y base.
I cmáx Corriente máxima de colector.
I cm máx Corriente máxima de colector (valor pico)
I bmáx Corriente máxima de base (valor pico)
P tot Potencia disipable total.
Se puede describir de una forma sencilla, como la posibilidad de un dispositivo de saltar o cambiar entre dos
posiciones o dos estados distintos (que podemos llamar Alto/Bajo, On/Off, Marcha/Paro, 1/0, etc.) de una forma
más o menos rápida. En el caso de los transistores, ambos estados se identifican con las situaciones de
Saturación y Corte.
Para un transistor bipolar, la operación de conmutación es la siguiente: cuando la base está a unos 0,7 voltios
por encima del emisor (y se suministra corriente suficiente a la base) el transistor conduce y entra en saturación.
En esta situación, el transistor se comporta idealmente como un interruptor cerrado entre el colector y el emisor,
como ilustra en figura. Cuando la base está a menos de 0,7 V por encima del emisor, el transistor no conduce y
se comporta como un interruptor abierto entre el colector y el emisor.
a) Transistor en Saturación. b) Transistor en Corte.
Conmutación ideal de un transistor BJT.
Los transistores MOSFET (transistores de efecto campo) difieren enormemente en su construcción y en su
funcionamiento interno de los transistores bipolares, pero su acción de conmutación es básicamente la misma.
Idealmente, funcionan como interruptores abiertos o cerrados, dependiendo de su entrada.
Cuando la tensión de puerta de un MOSFET de canal-n (NMOS) es más positiva que la de fuente, el MOSFET
conduce (saturación) e, idealmente, se comporta como un conmutador cerrado entre el drenador y la fuente.
Cuando la tensión puerta-fuente es cero, el MOSFET no conduce (corte) y se comporta idealmente como un
interruptor abierto entre el drenador y la fuente (ver figura 2).
Los MOSFET de canal-p (PMOS) funcionan con polaridades de tensión opuestas, tal como muestra en la figura
PROCEDIMIENTO
1) Arme el circuito de la figura utilizando resistencias de 470Ω, 10KΩ, un transistor 2N2222, un diodo led, un
pulsador y una fuente de alimentación de 10V.
Desarrollo de preguntas y/o actividades para el alumno como forma de complemento a los aprendizajes
desarrollados.
1. ¿Mencione características del transistor en estado de corte y saturación?
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Rut Nota
(Nota = N1-Descuento) .
Alumno
Asignatura Inversores y Acumuladores Sigla EIS2201 Sección
N°Actividad 5 Nombre EL TRANSISTOR EN ESTADO DE CONMUTACIÓN
Documentación de las experiencias de laboratorio realizadas por el alumno en las sesiones presenciales prácticas,
Descripción para las cuales deberá utilizar los módulos de desarrollo presentes en su sede.
Nota: El descuento en las actitudes se realizará siempre y cuando el alumno no haya mostrado una actitud acorde de la actividad en al
menos una de las actividades de la guía.