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EL TRANSISTOR JFET

El transistor bipolar (BJT) basa su funcionamiento en dos tipos de carga: electrones y huecos. En contraposicin tenemos al FET, este tipo de dispositivo es unipolar porque su funcionamiento depende slo de un tipo de carga, ya sea en electrones libres o huecos. En otras palabras, el FET tiene portadores mayoritarios pero no minoritarios. Para la mayora de las aplicaciones lineales, el dispositivo ms usado es el transistor bipolar. Pero hay algunas aplicaciones lineales en las cuales el FET es el ms apropiado, ya que tiene una alta impedancia de entrada y otras propiedades. Por otra parte, el FET se usa en aplicaciones como interruptor. Por qu? Porque no hay portadores minoritarios en un FET. Como resultado, puede cortar ms rpidamente, ya que no existe carga almacenada que deba eliminar de la unin.

IDEAS BASICAS

La Figura la muestra una seccin de semiconductor tipo n. El extremo inferior se llama fuente (source) y el superior drenador (drain). La fuente de alimentacin VDD obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenador. Para producir un JFET, el fabricante difunde dos reas de semiconductor tipo p en el semiconductor tipo n, como se muestra en la Figura lb. Estas dos reas p estn conectadas internamente para tener un solo terminal de conexin externo llamado puerta (gate).

Figura 1. (a) Parte del JFET; (b) JFET de puerta nica

Efecto de Campo La Figura 2 muestra la manera formal de polarizar un JFET.

Figura 2. Polarizacin normal del JFET

La tensin de alimentacin del drenador es positiva y la de la puerta negativa. El trmino efecto de campo se relaciona con las zonas de deplexin que rodean a cada zona p. Las uniones entre cada zona p y las zonas n tienen capas de deplexin debido a que los electrones libres se

difunden desde las zonas n en las zonas p. La recombinacin de los electrones libres y los huecos crea las zonas de deplexin mostradas por las reas sombreadas. Corriente de puerta En la Figura 2, la puerta tipo p y la fuente tipo n forman el diodo puerta-fuente. En un JFET siempre polarizamos en inversa el diodo puerta-fuente. Debido a la polarizacin inversa, la corriente de puerta IG es aproximadamente cero, o lo que es equivalente, un JFET tiene una resistencia de entrada casi infinita. Un JFET tpico tiene una resistencia de entrada de cientos de megaohmios. Esta es la gran ventaja que tiene un JFET sobre un transistor bipolar. Y es la razn de que los JFET sean excelentes en aplicaciones en las que se requiere una gran impedancia de entrada. Una de las aplicaciones ms importantes del JFET es el seguidor de fuente, circuito anlogo al seguidor de emisor, excepto en que su impedancia de entrada es del orden de cientos de megaohmios para frecuencias bajas. La tensin de puerta controla la corriente de drenador En la Figura 2, los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenador deben pasar a travs del estrecho canal situado entre las dos zonas de deplexin. Cuanto ms negativa sea la tensin de puerta, ms se expande la capa de deplexin y ms estrecho ser el canal de conduccin. En otras palabras, la tensin de puerta puede controlar la corriente a travs del canal. Cuanto ms negativa sea la tensin de puerta, menor ser la corriente entre la fuente y el drenador. El JFET acta como un dispositivo controlado por tensin, ya que una tensin de entrada controla una corriente de salida. En un JFET, la tensin puerta-fuente VGS determina cuanta corriente circula entre la fuente y el drenador. Cuando VGS es cero, la corriente mxima de drenador circula a travs del JFET. Por otra parte, si VGS es suficientemente negativa, las capas de deplexin entran en contacto y la corriente se corta. El JFET de la Figura 2 se llama JFET de canal n debido a que el canal entre la fuente y el drenador est hecho de semiconductor tipo n. La Figura 3a muestra el smbolo elctrico de un JFET de canal n. En muchas aplicaciones de baja frecuencia, la fuente y el drenador son intercambiables debido a que se puede usar uno de los terminales como fuente y el otro como drenador. Los terminales de fuente y drenador no son intercambiables para frecuencias altas. Casi siempre, el fabricante minimiza la capacidad interna en el lado del drenador del JFET. En otras palabras, la capacidad entre la puerta y el drenador es menor que la capacidad entre la fuente y el drenador. La Figura 3b muestra un smbolo alternativo para un JFET de canal n. Este smbolo con puerta desplazada es preferido por muchos ingenieros y tcnicos.

Figura 3. (a) Smbolo elctrico; (b) Smbolo con puerta desplazada

La posicin del terminal de la puerta se desplaza al final del dispositivo, una ventaja definitiva en circuitos complicados con muchas etapas.

Existe tambin un JFET de canal p. El smbolo elctrico de un JFET de canal p es similar al del JFET de canal n, excepto en que la flecha de la puerta apunta desde el canal hacia la puerta. La accin de un JFET de canal p es complementaria, lo que significa que todas las tensiones y corrientes estn invertidas. Ejemplo: De la hoja de caractersticas de un MPF102 . Si se supone una corriente de puerta de 2 nA cuando la tensin de puerta inversa es de 15 voltios, Cul es la resistencia de entrada en continua del dispositivo? Usamos la ley de ohm: Rin = 15 V / 2 nA = 7500 M

CARACTERISTICAS DE SALIDA

En la Figura 4a se muestra un JFET con tensiones de polarizacin normales. En este circuito, la tensin de puerta-fuente VGS es igual a la tensin de alimentacin de la puerta VGG, y la tensin de drenador-fuente VDS es igual a la tensin de alimentacin de drenador VDD

Figura 4. (a) Polarizacin normal; (b) Tensin cero en puerta; (c) Corriente de drenador en corto con puerta

Corriente de drenador mxima

Si cortocircuitamos la puerta con la fuente, como se muestra en la Figura 4b, conseguiremos la corriente de drenador mxima, ya que VGS = 0. La Figura 4c muestra la grafica de corriente de drenador ID frente a tensin drenador-fuente VDS para esta situacin de cortocircuito en la puerta. La corriente de drenador se incrementa rpidamente al principio y luego se estabiliza y se hace casi horizontal cuando VDS es mayor que VP. Cundo empieza a ser constante la corriente de drenador? Cuando VDS aumenta, las capas de deplexin se expanden. Cuando VDS = VP, las capas de deplexin estn casi tocndose. El estrecho canal de conduccin, por lo tanto, se cierra e impide posteriores aumentos de corriente. Es por esto que la corriente tenga un lmite superior en IDSS. La zona activa del JFET se localiza entre una tensin mnima VP y una tensin mxima VDS(mx). La tensin mnima VP se denomina tensin de estrangulamiento, y la tensin mxima VDS(mx) se llama tensin de ruptura. Entre el estrangulamiento y la ruptura, el JFET acta aproximadamente como una fuente de corriente con un valor de IDSS con VGS = 0. IDSS representa la corriente desde el drenador hacia la fuente con la puerta en cortocircuito. Esta es la corriente de drenador mxima que un JFET puede conducir. Todas las hojas de caractersticas de los JFET dan el valor de IDSS. Este es uno de los parmetros del JFET ms importantes y es el primero que se debe mirar ya que proporciona la limitacin de corriente en el JFET.

La zona hmica En la Figura 5, la tensin de estrangulamiento separa las dos zonas principales de funcionamiento del JFET. La parte casi horizontal es la zona activa. La parte casi vertical de la curva de salida se llama zona hmica. Cuando un JFET funciona en la zona hmica acta como una resistencia pequea con un valor aproximado de:
RDS VP / IDSS
(1)

RDS es la resistencia hmica del JFET. En la Figura 5, VP = 4 V e IDSS = 10 mA. De esta forma, la resistencia hmica vale: RDS 4 V / 10 mA = 400 Si el JFET funciona en cualquier lugar de la zona hmica, tiene una resistencia hmica de 400 .

Figura 5. Caractersticas de salida

Corte y estrangulamiento de la puerta En la Figura 5 se muestra un conjunto de curvas de salida para un JFET con una IDSS de 10 mA. La curva superior es siempre para VGS = 0., la condicin de corte de la puerta. En este ejemplo, la tensin de estrangulamiento es de 4 V y la tensin de ruptura es de 30 V. La siguiente curva hacia abajo es para VGS = -1 V, la siguiente para VGS = -2 V, y as sucesivamente. Como se puede ver, cuanto ms negativa sea la tensin puerta-fuente, menor ser la corriente de drenador. La curva inferior es especialmente importante. Obsrvese que una VGS de -4 V reduce la corriente de drenador a casi cero. Esta tensin se denomina tensin puerta-fuente de corte. En las hojas de caractersticas se representa con VGS(off). A esta tensin de corte las capas de deplexin se ponen en contacto. En efecto, el canal de conduccin desaparece. Por eso la corriente de drenador es aproximadamente cero. En la Figura 5 obsrvese que:
VGS(off) = -4 V y VP = 4 V

No es una coincidencia que las magnitudes de estas tensiones sean siempre iguales, ya que son los valores para los que las capas de deplexin entran en contacto. Vale la pena recordarlo, pues

muchas hojas de caractersticas indican un solo valor y no los dos. Se acta as porque se supone que sabemos que las dos tensiones son iguales en magnitud. Dar el valor de una equivale a dar el valor de la otra. La frmula que recuerda que la tensin puerta-fuente de corte es igual a1 valor negativo de la tensin de estrangulamiento es sta:

VGS(off) = -VP

(2)

Ejemplo: Un MPF4875 tiene VP = 6 V e IDSS = 100 mA Cul es la resistencia hmica? Y la tensin de corte puerta-fuente? La grafica del JFET ser:

La resistencia hmica es: RDS = 6V / 100 mA = 60 Como la tensin de estrangulamiento es de 6 voltios, la tensin de corte puerta-fuente vale:

VGS(off) = -6 V

CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA

La caracterstica de transferencia de un JFET es una grfica que representa ID frente a VGS. Leyendo los valores de ID y VGS de cada curva de drenador de la Figura 5 podemos dibujar la curva de la Figura 6a. Se advierte que la curva no es lineal porque la corriente aumenta rpidamente cuando VGS se aproxima a cero. Cualquier JFET tiene una caracterstica de transferencia como la de la Figura 6b. Los puntos finales de la curva son VGS(off) e IDSS. L a ecuacin para esta grfica es: ID = IDSS(1 (VGS / VGS(off)))2

(3)

Debido a la parte que est elevada al cuadrado en esta ecuacin, los JFET son tambin conocidos como dispositivos de ley cuadrtica. El cuadrado de esta cantidad provoca una curva no lineal como las de la Figura 6b. La Figura 6c muestra una caracterstica de transferencia normalizada. Normalizada significa que estamos representando razones como ID / IDSS y VGS / VGS(off). En la Figura 6c, el punto medio de corte:

VGS / VGS(off) = 1 / 2

produce una corriente normalizada de ID / IDSS = 1 / 4

Figura 6. Caracterstica de transferencia

En otras palabras, cuando la tensin en la puerta es la mitad de la tensin de corte, la corriente de drenador es un cuarto del mximo. Ejemplo: Un 2N5668 tiene VGS(off) = -4 V e IDSS = 5 mA Cules son las tensiones de puerta y corriente de drenador en el punto medio de corte? En el punto medio de corte: VGS = -4 V / 2 = -2 V Y la corriente de drenador es de: ID = 5 mA / 4. Estos datos se pueden comprobar en la grafica:

Ejemplo: un 2N5459 tiene un VGS(off) = -8 V e c = 16 mA Cul es la corriente de drenador en el punto medio de corte? La corriente de drenador es un cuarto del mximo: ID = 16 mA / 4 = 4 mA La tensin puerta fuente que produce esta corriente es: -4 V, la mitad de la tensin de corte.

Grficamente se verifica:

POLARIZACION EN LA ZONA OHMICA

El JFET puede estar polarizado en la zona hmica o en la zona activa. Cuando lo polarizamos en la zona hmica, el JFET es equivalente a una resistencia. Cuando lo polarizamos en la zona activa, el JFET es equivalente a una fuente de corriente. En esta seccin expondremos la polarizacin de puerta, el mtodo usado para polarizar un JFET en la zona hmica.

Polarizacin de puerta

La Figura 7a muestra una polarizacin de puerta. Una tensin negativa de puerta de -VGG se aplica a la puerta a travs de la resistencia de polarizacin RG Esto provoca una corriente de drenador que es menor que IDSS Cuando la corriente drenador circula por RD, produce una tensin de drenador de VD = VDD - IDRD (4)

Figura 7. (a) Polarizacin de puerta; (b) Punto Q inestable en la zona activa; (c) Polarizacin en la zona hmica; (d) el JFET es equivalente a una resistencia

La polarizacin de puerta es la peor forma de polarizar un JFET en la zona activa debido a que el punto Q es demasiado inestable. Por ejemplo, un 2N5459 tiene la siguiente separacin entre el mnimo y el mximo: IDSS vara desde 4 a 16 mA, y VGS(off) vara desde -2 a -8 V. La Figura 7b muestra las caractersticas de transferencia mnima y mxima. Si usamos una polarizacin de puerta de -1 V con este JFET, conseguimos los puntos Q mximos y mnimos mostrados. Q1 tiene una corriente de drenador de 12,3 mA y Q2 de slo 1 mA.

Saturacin fuerte

Aunque no es apropiada para polarizar en la zona activa, la polarizacin de puerta es idnea para la polarizacin en la zona hmica dado que no nos importa la estabilidad del punto Q. La Figura 7c nos muestra cmo polarizar un JFET en la zona hmica. El lmite superior de la recta de carga para corriente continua tiene una corriente de saturacin de drenador de ID(sat) = VDD / RD Para estar seguros de que el JFET est polarizado en la zona hrnica, todo lo que necesitamos hacer es usar VGS = 0 y: ID(sat) IDSS (5)

El smbolo significa mucho menor que. Esta ecuacin nos dice que la corriente de saturacin en el drenador debe de ser mucho menor que la corriente mxima de drenador. Por ejemplo, si un JFET tiene IDSS = 10 mA, la saturacin fuerte ocurrir si VGS = 0 e ID(sat) = 1 mA. Cuando un JFET est polarizado en la zona hmica, lo podemos sustituir por una resistencia de valor RDS, como nos muestra la Figura 7d. Con este circuito equivalente podemos calcular la tensin de drenador. Cuando RDS es mucho menor que RD, la tensin de drenador se aproxima a cero. Ejemplo: Cul es la tensin de drenador en la figura 8a?

Figura 8. Ejemplo

Como VP = 4 V, VGS(off) = -4 V. antes del punto A, la tensin de entrada es de -10 V y el JFET est en corte. En este caso, la tensin de drenador es:

VD = 10 V
Entre los puntos A y B, la tensin de entrada es 0 V. El lmite superior de la recta de carga para corriente continua tiene una corriente de saturacin de ID(sat) = 10 V / 10 k = 1 mA La figura 8b muestra la recta de carga para corriente continua. Como ID(sat) es mucho menor que IDSS, el JFET est en saturacin fuerte. La resistencia hmica vale: RDS = 4 V / 10 mA = 400 . En el circuito equivalente de la Figura 8c, la tensin de drenador es: VD = (400 ) (10 V) / (10 K + 400 ) = 0.385 V

POLARIZACIN EN LA ZONA ACTIVA


Polarizacin con un divisor de tensin

Los amplificadores JFET necesitan tener un punto Q en la zona activa. Debido al gran margen entre parmetros en el JFET, no podemos usar la polarizacin de puerta. Sin embargo, necesitarnos utilizar mtodos de polarizacin similares a los usados con transistores bipolares. La Figura 9a nos muestra la polarizacin con divisor de tensin. El divisor de tensin provoca una tensin en la puerta que es una fraccin de la tensin de alimentacin. Restando la tensin puertafuente, obtenemos la tensin en la resistencia de fuente: VS = VG VGS (6)
'

Como VGS es negativa, la tensin de fuente ser ligeramente mayor que la tensin de puerta. Cuando dividimos esta tensin de fuente entre la resistencia de fuente, obtenemos la corriente de drenador:
ID = (VG VGS) / RS VG / RS (7)

Cuando la tensin de puerta es grande, podemos despreciar las variaciones de VGS desde un JFET al siguiente. Idealmente, la corriente drenador es igual a la tensin de puerta dividida entre la resistencia de fuente. Como resultado, la corriente de drenador es casi constante para cualquier JFET, como muestra la Figura 9b. La Figura 9c muestra la recta de carga para corriente continua. Para un amplificador, el punto Q tiene que estar en la zona activa. Esto significa que VDS es mucho mayor que IDRDS, (zona hmica) y menor que VDD(corte).

Figura 9. Polarizacin mediante divisor de tensin

Cuando disponemos de una tensin de alimentacin grande, la polarizacin por divisor de tensin puede alcanzar un punto Q estable. Polarizacin con dos fuentes La Figura 10 nos muestra la polarizacin con dos fuentes. La corriente de drenador viene dada por: ID = (VSS VGS) / RS VSS / RS (8)
,

Figura 10. Polarizacin mediante dos fuentes de tensin

De nuevo, la idea es reducir la influencia de las variaciones de VGS haciendo VDS mucho mayor que VGS. Idealmente, la corriente de colector es igual a la tensin de alimentacin de la fuente entre la resistencia de fuente. En este caso, la corriente de drenador es casi constante incluso si sustituimos el JFET o ante cambios de temperatura.

Polarizacin con fuente de corriente Cuando la fuente de tensin del drenador no es lo suficientemente grande, puede que no haya la suficiente tensin en la puerta como para despreciar las variaciones de VGS. En este caso, un diseador puede preferir usar la polarizacin con fuente de corriente de la Figura 11a. En este circuito, el transistor bipolar bombea una corriente fija al JFET. La corriente de drenador viene dada por:
ID = (VEE VBE) / RE (9)

Figura 10. Polarizacin mediante fuente de corriente

La Figura 11b ilustra hasta qu punto es efectiva la polarizacin con fuente de corriente. Aunque VGS es diferente para cada punto Q, no tiene ya influencia en el valor de la corriente drenador. Autopolarizacin La Figura 12a muestra la autopolarizacin. Como la corriente de drenador circula a travs de la resistencia de fuente RS existir una tensin entre la fuente y tierra, dada por:
VS = IDRS Como VGS es cero, (10)

VGS = - IDRS

(11)

Esto nos indica que la tensi6n puerta-fuente es igual a la tensin negativa a travs de la resistencia de la fuente. Bsicamente, el circuito crea su propia polarizacin usando la tensin que aparece en Rs para polarizar en inversa la puerta. La Figura 12b muestra el efecto de diferentes resistencias de fuente. Hay un valor medio Rs para el cual la tensin puerta-fuente es la mitad de la tensin de corte. Una aproximacin para esta resistencia media es: RS RDS (12)

Esta ecuacin indica que la resistencia de fuente debera ser igual a la resistencia hmica del JFET. Cuando se cumple esta condicin, VGS es aproximadamente la mitad de la tensin de corte y la corriente del drenador es aproximadamente un cuarto de IDSS.

Figura 12. Autopolarizacin

El punto Q para la autopolarizacin no es tan estable como en la polarizacin por divisor de tensin, polarizacin de fuente o polarizacin por fuente de corriente. Por todo esto, la autopolarizacin se utiliza slo en amplificadores de pequea seal. Reglas para el anlisis Un anlisis exacto del JFET es tedioso y costoso de tiempo, debido a la propiedad de la ley cuadrtica y a la gran extensin en parmetros. En muchos circuitos polarizados en la zona activa, normalmente VGS vale 1 2 V. Esto es lo suficientemente pequeo como para despreciarlo en todo anlisis preliminar y en deteccin de averas de circuitos polarizados. . A menos que se indique lo contrario, usaremos el anlisis ideal para calcular el punto Q de un amplificador JFET. Esto quiere decir que despreciaremos VGS en cualquiera de los circuitos tratados en esta secci6n. Normalmente, las respuestas ideales que obtendremos tendrn un error menor del 10 por 100. Si usted est diseando circuitos JFET o necesita una mayor precisin, deber usar simuladores de circuitos como el Electronics Workbench (EWB). Ejemplo: Dibujar la recta de carga para corriente continua y el punto Q de la figura 13a. El divisor de tensin 3:1 produce una tensin en la puerta de 10 voltios. Idealmente la tensin en la resistencia de fuente es:
,

VS = 10 V La corriente de drenador vale:


ID = 10 V / 2 k = 5 mA Y la tensin de drenador: VD = 30 V (5 mA) (1 k) = 25 V La tensin drenador fuente vale: VDS = 25 V 10 V = 15 V La corriente continua de saturacin:

ID(sat) = 30 V / 3 k = 10 mA Y la tensin de corte: VDS(corte) = 30 V La figura 13b muestra la recta de carga para corriente continua y el punto Q.

Figura 13. Ejemplo

Ejemplo: Cul es la corriente de drenador en la figura 14a? Y la tensin entre drenador y masa? Idealmente aparecen 15 voltios en la resistencia de fuente produciendo una corriente de drenador de: ID = 15 V / 3 k = 5 mA La tensin de drenador es: VD = 15 V (5 mA) (1 k) = 10 V

Figura 14. Ejemplo

Ejemplo: Cul es la corriente de drenador en la figura 14b? Y la tensin de drenador? El transistor bipolar proporciona una corriente de drenador de: ID = (5 V0.7 V) / 2 k = 2.15 mA La tensin de drenador es: VD = 10 V (2.15 mA) (1 k) = 7.85 V Ejemplo: En la figura 15a Cul es la resistencia media usando la regla expuesta anteriormente? Calcular la tensin de drenador para esta resistencia de fuente. Como se mencion anteriormente la autopolarizacin funciona bien si se usa una resistencia de fuente igual a la resistencia hmica del JFET. RDS = 4 V / 10 mA = 400 La figura 15b nos muestra una resistencia de fuente de 400 . En este caso la corriente de drenador es aproximadamente un cuarto de 10 mA (2.5 mA) y la tensin de drenador es aproximadamente: VD = 30 V (2.5 mA) (2 k) = 25 V

Figura 15. Ejemplo

TRANSCONDUCTANCIA

Para analizar amplificadores con JFET, necesitarnos estudiar un parmetro para seal que se denomina transconductancia; se indica por medio de gm. Simblicamente, la transconductancia est dada por: gm = id / vgs (13) Esta ecuacin indica que la transconductancia es igual a la corriente alterna de drenador dividida entre la tensin en alterna puerta-fuente. La transconductancia nos dice cun efectiva es la tensin de puerta-fuente para controlar la corriente de drenador. A mayor transconductancia, mayor control ejerce la tensin de puerta sobre la corriente de drenador. Por ejemplo, si id = 0,2 mA pp y vgs = 0.l V pp, entonces:
gm = 0.2 mA / 0.1 V = 2(10 ) mhos = 2000 mhos
-3

Por otro lado si id = 1 mA pp y vgs = 0.l V pp


gm = 1 mA / 0.1 V = 10000 mhos

En el segundo caso, la mayor transconductancia significa que la puerta es ms efectiva al controlar la corriente de drenador.

Siemen

La unidad mhos corresponde a la razn entre la corriente y la tensin. El equivalente formal y la unidad actual del mhos es el siemen (S): as, las respuestas anteriores pueden expresarse como 2.000 S y 10.000 S. La mayora de las hojas de caractersticas continan utilizando el mhos en lugar del siemen. Tambin emplean el smbolo gfs para gm. Por ejemplo, la hoja de caractersticas de un 2N5451 especifica una gfs tpica de 2.000 S para una corriente de drenador de 1 mA, lo cual equivale a decir que el 2N5451 tiene una gm tpica de 2.000 mhos a 1 mA.
'

Pendiente de la caracterstica de transferencia

La Figura 16a presenta el significado de gm en trminos de la curva de transferencia. Entre los puntos A y B, un cambio en VGS produce un cambio en ID. La relacin entre la variacin de ID y la variaci6n de VGS es igual al valor de gm entre A y B. Si seleccionamos otro par de puntos en una zona ms alta de la curva, por ejemplo C y D, obtenemos una mayor variacin en ID para una variacin dada de VGS. Por tanto, gm tiene un valor mayor en la parte superior de la curva. Dicho de otra forma, gm es la pendiente de la caracterstica de transferencia. Cuanto mayor sea la pendiente de la curva en el punto Q, mayor ser la transconductancia. La Figura 16b muestra un circuito equivalente simple para pequea seal de un JFET. Entre la puerta y la fuente hay una resistencia muy grande RGS. El drenador de un JFET acta como una fuente de corriente con un valor de gm vgs. Si conocemos gm y vgs podemos calcular la corriente alterna de drenador.

Figura 16. (a) Transconductancia; (b) Circuito equivalente para seal; (c) Variacin de gm

Transconductancia y tensin-puerta fuente de corte VGS(off) es difcil de medir con exactitud, mientras que IDSS y gm0 se miden muy fcilmente y con gran precisin. Por tanto, VGS(off) se obtiene normalmente con la siguiente ecuacin:
VGS(off) = -2 IDSS / gm0
(14)

En esta ecuacin, gm0 es el valor de la transconductancia cuando VGS = 0. Esto es lo que hacen los fabricantes en las hojas de caractersticas. Cuando VGS = 0, gm alcanza su valor mximo. Este se designa por gm0. Cuando VGS es negativa, disminuye el valor de gm. La ecuacin de gm para cualquier valor de VGS es:
gm = gm0 (1 (VGS / VGS(off))

(15)

Observe que gm disminuye linealmente cuando VGS se hace ms negativa, como se muestra en la Figura16c. Esta propiedad es muy til en el control automtico de ganancia. Ejemplo: Un 2N5457 tiene una IDSS = 5 mA y una gm0 = 5000 S. Cul es el valor de VGS(off)? Cunto vale gm cuando VGS = -1 V? Tenemos que:

VGS(off) = -2 (5 mA) / 5000 S = -2 V


Usamos la siguiente ecuacin:
gm = (5000 S) (1 V (1 V / 2 V)) = 2500 S