UNIDAD 2 – FASE 2

SOLUCIÓN AL PROBLEMA DEL CIRCUITO CON TRANSISTORES UNIPOLARES

ESTUDIANTE: JACKSON APRAEZ SOTO

CÓDIGO: 1117498564

GRUPO: 243004_38

GRUPO: 37

TUTOR:
FREDDY MAYO RENTERÍA

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS, TECNOLOGÍA E INGENIERÍA ECBTI
INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES
ELECTRÓNICA ANÁLOGA
OCTUBRE - 2020
 INTRODUCCIÓN

En la fase 2, se presenta la solución al problema del amplificador de baja señal con JFET,
bajo una metodología de ABP (Aprendizaje basado en problemas) en tres actividades:
Primera actividad teórica, segunda actividad argumentativa y la tercera actividad de
solución.

Muchas de las aplicaciones electrónicas emplean los FET, especialmente la Electrónica

Digital, pues su buena respuesta en frecuencia permite alcanzar mayores velocidades de
procesamiento en un ámbito en que ello es la clave de las prestaciones de los dispositivos.

La electrónica Analógica es la parte de la electrónica que estudia los circuitos, el manejo de

los componentes, los conductores, los semiconductores y los aparatos de medida en
general. los principios de funcionamiento de dispositivos semiconductores como JFET,
MOSFET y Tiristores para el desarrollo de sistemas electrónicos análogos El FET puede
ser modelado como una red lineal basado en parámetros.

El transistor JFET (Junction Field Effect Transistor, que se traduce como transistor de
efecto de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar.
Fundamentación Teórica.

Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador

Fuente Autor.

El problema:
Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y comercializa
instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar trabajando en equipo con
cuatro compañeros, una solución llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual
permite restaurar señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
información las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

Señalde entrada:300 mV a 1 Khz .

Referencia del JFET para simular en Proteus :J 201

ID=3 mA ,VD =10V , VGS ( off )=−8V , VCC=20 V .

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño se
trabajara IDSS=16mA
Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad 2, Cada
estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de funcionamiento del
circuito anterior

La teoría de funcionamiento del circuito anterior es básicamente o el circuito principal es el

transistor 2N3819 EQUIVALENTE - NTS 312

El transistor JFET (Junction Field Effect Transistor, que se traduce como transistor de
efecto de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar, su representación
matemáticamente es con la siguiente formula gm=(ΔID)/(ΔVGS), su unidad es el mho o el
siemens que es Ω-1 en la siguiente grafica podemos observar su tras-conductancia.

La resistencia RS y la resistencia RG en conjunto hacen creer al transistor JFET está

conectado a tierra. La caída de voltaje en ese es el que el JFET considerará como caída de
voltaje GS. Es decir, la compuerta lo toma como un voltaje negativo, qué es lo que se
requiere para hacer funcionar el transistor. La resistencia RD, resistencia de drenaje, se
limita la corriente para que la señal no se exceda, que no haya ruido que implique la pérdida
de información luego.
 Argumentación.

1. Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes

cálculos.

Dadas las formulas:

R D=¿¿ AV =−Gm∗RD

VGS(off )
R S= RG =Entre 1 y 2 mΩ Am =I D∗VSG
I DSS

Estudiante 5 - Calcular la ganancia de voltaje AV.

Teniendo en cuenta lo anterior identificaremos a donde pertenecen estos valores:

Sabiendo que:

S = source (Voltaje) G = gate (Compuerta) D = drain (Drenaje)

VGS = - ID∙ R VGS = 0,003 am x 500 ∙

VGS = 1,5 v

ID: Intensidad de drain

VGS: Voltaje que hay entre G y S
VCC :Fuente
VD: Voltaje de drain
Nos piden hallar AV pero no sabemos cuánto vale Gm:
ID
Gm=
VGS
0.003
Gm=
−8

Gm=−3.75∗1 0−4
Gm = 0,003 amp / 1,5v
Gm = 2*10−3 
 AV =−Gm ∙ RD
AV = 2*10−3  * 3.33 k = 6,6 v

Av=−(−3.75∗1 0−4)∗3333.33
Av=1.24999875

SOLUCION
Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en la que se
evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.
Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.
Valor de VGS.
Valor de VDS.
Valor de VGD.
Valor de la corriente ID.
 CONCLUSIONES

El análisis a pequeña señal usando el componente JFET, resulta ser complicado debido a su
complejidad al momento de adquirirlo, al usar simuladores no alcanza a suplir el
razonamiento practico de aprendizaje debido a su complejidad de la interpretación del
software, claramente esto depende de la configuración analizada. Basado en el nuevo
amplificador de baja señal y su nuevas literales se opta por generar un glosario el cual nos
ayudara a despejar todas las variantes anteriormente resueltas.
 REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos. (pp.127-166). Recuperado de 

https://elibro-net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/66453?page=127

Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus aplicaciones. (pp.154-178).

Recuperado de 
https://elibro-net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/72403?page=171

Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para Ingenieros. (pp.

37-51). Recuperado de 
https://elibro-net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/50175?page=48

Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET. [Video] Recuperado

de https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk