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1. Introducción
2. Procedimiento
Para los cálculos teóricos se uso el modelo de Pspice del dispositivo usado, se
tomaron los valores del W, L y Kn, teniendo esos valores se empezó a desarrollar
el análisis, como se sabe que al dispositivo esta en región activa se usa la siguiente
ecuación:
1 W
IDS = KN 0 (VGS − VT )2 (1)
2 L
W = 1µm
L = 1µm
A
KN 0 = 510,6m
V2
VT = 2,14V
Para hallar el valor de VG se aplica un divisor de tensión entre las dos resistencias
de gate:
R2
VG = VDD = 5,74V (2)
R1 + R2
VDD = 18V
R1 = 4,7M Ω
R1 = 2,2M Ω
Hallando este valor se puede incluir dentro de la ecuación de corriente y usando
esta ecuación:
VS
IDS = (3)
RE
RE = 500Ω
Al sustituir cada valor encontrado en la primera ecuación, queda la siguiente
ecuación cuadrática:
(VS )2 − 7,208VS + 12,96 = 0
Al Resolver la ecuación cuadratica quedan dos valores:
VS1 = 3,77V
VS2 = 3,43V
El valor correcto es VS2 ya que para que el transistor se encuentre en región
activa tiene que cumplir las siguientes condiciones:
VGS ≥ VT
VDS ≥ VGS − VT
Al comprobar las dos condiciones la corriente es:
IDS = 6,86mA
Amplificador Multietapa En Cascada. 3
3. Analisis de Resultados
Al acabar todo el analisis teorico y practico se puede hacer una comparación
entre los resultados obtenidos.
Zin=1.6MEGΩ
Zout=1.5KΩ
4. Conlclusiones
1. La ganancia al ser demasiado alta genera una señal cuadrada de salida ya que
el amplificador se satura.
2. Al quitar los condensadores de source la ecuación de amplificación dependera
de los valores de RE haciendo una dismunusión en la ganancı́a.
3. Algunas variables del circuito como la corriente y el voltaje cambian de la
medida real a la simulación, pero se acercan a los calculos.
Referencias
1. BOYLESTAD, Robert y NASHELSKY, Louis. Electrónica: Teorı́a de circuitos y
dispositivos electrónicos. 8va ed. Pearson.
2. SEDRA, Abel y Smith, Kenneth. Circuitos microelectrónicos. 4ta ed. OXFORD
UniversityPress.