Unidad 2 Fase 2

Presentar solución al problema del circuito con diodos y transistores bipolares

Fabián Díaz Rocha c.c. 1096189009

Carlos Eduardo Melo Urquijo

Grupo: 243006_2

Tutor:

Noel Jair Zambrano

Universidad Nacional Abierta y a Distancia

Escuela de Ciencias Básicas Tecnología e Ingeniería

Programa Académico:

Electrónica Análoga

03 de junio de 2021
 Introducción

El principio de funcionamiento de un dispositivo de efecto de campo consiste en aplicar

un potencial al terminal denominado puerta (G) controla la conductancia o resistencia de una

región semiconductora denominada canal, a través de la cual circulan portadores libres

(electrones o huecos), desde un terminal de nominado Fuente (S) hacia un terminal denominado

Drenador (D). El ancho del canal se modula mediante el potencial aplicado a la puerta,

resultando una variación de la corriente que circula por el mismo. Para que el dispositivo tenga

un buen rendimiento (ganancia elevada), la puerta debe estar muy bien aislada del canal. Según

el tipo de aislamiento, resultan diferentes tipos de tipos de dispositivos: El JFET utiliza una

juntura PN en polarización inversa para aislar la Puerta. El MESFET utiliza una juntura Mertal-

Semiconductor, en tanto que el MISFET, un material aislante, separa la puerta del canal. Cuando

el aislante utilizado es dióxido de silicio, (SiO2) el dispositivo se denomina MOSFET.

Los transistores de efecto de campo son unipolares porque el flujo de corriente está

dominado por los electrones o huecos, puede funcionar a velocidades elevadas.

En el siguiente trabajo se dará solución al ejercicio propuesto en la unidad 2.

 Actividades para desarrollar

El problema:

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y comercializa

instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar trabajando en equipo con cuatro

compañeros, una solución llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar

señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de información las

especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET para simular en Proteus: J201

ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V.

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño se

trabajara IDSS=16mA.

El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a la empresa, en él

mismo, es obligatorio se evidencie una fundamentación teórica, una argumentación y la

validación de la solución. Además, de ser aprobada la propuesta, se deberá realizar una

implementación real y para ello se contará con acceso a los laboratorios.

 Actividades individuales para desarrollar:

1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la unidad 2,

Cada estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de funcionamiento del

circuito anterior.

En este caso utilizaremos el transistor JFET como un amplificador para que de un efecto

de campo con una muy buena ganancia de voltaje al igual que una alta impedancia, la forma en

que se encuentra conectado este JFET reduce el ruido y de por si este transistor da muy poca

distorsión. Entre otras virtudes del JFET es que tiene una excelente velocidad con bajo consumo

de voltaje. El circuito constante de una fuente DC de 20 Voltios el cual está conectado a una

resistencia (RD) de 3.3Kilo-Ohmios y a un alternador que trabaja a 300 milivoltios con una
frecuencia de 1 Kilo-Hertz. El alternador debe estar conectado a un condensador C1 de 10

microfaradios para luego llegar al transistor JFET j201. En el drenaje del JFET va conectado

una resistencia RD de 3.3 kilo-ohmios y un condensador C2 de 10 microfaradios, luego del

condensador C2 va una resistencia R3 entre C2 y C3 de 5 kilo-ohmios.

El circuito propuesto en la unidad, es una representación de un amplificador de señales

débiles, este cuenta con un alternador genera una señal de 300 mV a una frecuencia de 1 KHz

que pasa a través de un condensador llegando a la compuerta del transistor JFET que esta

autopolarizado porque solo tiene una fuente de alimentación de 20 v cuya función es mantener el

circuito en ejecución, tiene un receptor de señal que está conectado al transistor para amplificar

la señal la cual es regulada de acuerdo al voltaje suministrado a la Puerta. La resistencia (RG) no

permite que la señal se valla a tierra si no que llegue al transistor, esta resistencia por lo general

es de gran tamaño. Una vez la señal entra al transistor JFET, este que estar activo por efecto de la

fuente (S) y la Puerta (G). El transistor se comporta como si estuviera conectado a tierra para

mantener la operatividad mediante el valor VSG.

Argumentación.

(Segunda Semana).

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID

VGS = - ID∙ RS

AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS

RG = Entre 1 y 2 MΩ
 Gm = ID / VGS

2. Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes

cálculos.

-Estudiante 1:

a.) Calcular la resistencia de drenaje RD.

VCC−VD
RD=
ID VGS

20 V −10 V 10V
RD= =
3 mA 0.003 A

RD=3333 Ω

-Estudiante 2:

b.) Calcular la resistencia de fuente RS.

VGS ( off )
RS=
IDSS RG

RS= |16−8VmA |= 0.016

8V
A

RS=500Ω

-Estudiante 3:

c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de RG debe

ser alto?

Rta: Polarización utilizada es autopolarizado por resistencia de fuente que para este

caso solo se utiliza una fuente dentro del circuito que es el drenador suprimiendo la fuente de

puerta y este se acopla una resistencia de surtidor. La configuración de autopolarización elimina

la necesidad de utilizar dos fuentes de dc.

 Explicación: El transistor Jfet debe tener en el drenaje o RG una resistencia grande que

no interfiera con la señal o sufra perdida de esta. En el mismo Jfet en la Fuente (RS) se va a

conectar un potenciómetro o resistencia (RS) de 500 ohmios junto con un condensador C3 de 0,1

microfaradios.

El JFET utiliza una juntura PN en polarización inversa o negativamente para aislar la

Puerta. El valor de RG debe ser alto para garantizar que la energía llegue al transistor y evitar

que la señal se valla a tierra y se pierda.

-Estudiante 4:

d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

1
X C 1=
2 πFC

1
X C 1=
2 π 1000 Hz∗10 µF

X C 1=15.91Ω

1
XC 2=
2 πFC

1
XC 2=
2 π 1000 Hz(10 µF)

X C 2 =15.91Ω

1
XC 3=
2 πFC
 1
XC 3=
2 π 1000 Hz(0.1 µF)

X C 3 =1591.54 Ω

-Estudiante 5:

e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

AV =−Gm ∙ RD

ID
Gm=
VGS

VGS=−ID∗RS

VGS=−0.003 A∗500 Ω

VGS=−1.5 V

ID
Gm=
VGS

0.003 A
Gm=
1.5 V

Gm=0.002 S

Av=−Gm∗RD

Av=−0.002 S∗3.300 Ω

Av=−6.6

Solución.

(Tercera semana)
 3. Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en la

que se evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.

- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

- Valor de VGS.

- Valor de VDS.
- Valor de VGD.

- Valor de la corriente ID.

Pantallazos de participación en el foro:
 Conclusión

Esta actividad fue de gran importancia porque aprendimos una de las aplicaciones de los

transistores y la importancia de estos dispositivos en la era de la automatización y avances

tecnológicos. Basado en la información suministrada en esta unidad se obtuvo los resultados

teóricos y luego simular un circuito en proteus donde se amplifico una señal pequeña a un valor

de mayor escala.
 Bibliografía

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos. (pp.127-166). Recuperado de https://elibro-

net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/66453?page=127

Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus aplicaciones. (pp.154-178).

Recuperado de https://elibro-net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/72403?

page=171

Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para Ingenieros. (pp. 37-

51). Recuperado de

https://elibro-net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/50175?page=48

Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET. [Video] Recuperado

de https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk