Fase 2 Presenta la solución al problema del circuito con transistores unipolares

Curso

Electrónica análoga

Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD

Ingeniería Electrónica

2023

Tabla de Contenido

Objetivos...................................................................................................................................... 3

actividad ………………………........................................................................................................... 4

Circuito para trabajar ................................................................................................................. 4

Cálculos Matemáticos del Circuito...............................................................................................6

Conclusiones ............................................................................................................................. 10

Bibliografía ................................................................................................................................ 11
 Objetivos

El objetivo de esta actividad es usar los principios de funcionamiento de dispositivos

semiconductores como JFET, MOSFET y Tiristores para el desarrollo de sistemas electrónicos
análogos a partir de la solución a problemas teórico prácticos.
 Actividad
Las actividades de la estrategia de aprendizaje basado en problemas (ABP) se distribuyen dentro
del curso electrónica análoga en un micro problema por unidad de conocimiento y cada uno está
planificado para desarrollarse a lo largo de 3 semanas utilizando la siguiente estructura
pedagógico didáctica:

- Fundamentación teórica.

- Argumentación.
- Solución.

El problema: Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y comercializa
instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar trabajando en equipo con cuatro
compañeros, una solución llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar

señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de información las especificaciones dadas
para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz. Referencia del JFET para simular en Proteus: J201 ID= 3mA,
VD= 10V,
VGS (off)= -8V,
VCC= 20V.
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA…
para este diseño se trabajará IDSS=16mA.

Ilustración 1 Circuito en proteus

Fundamentación Teórica. (Primera Semana)

1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad 2, cada estudiante
debe describir con sus propias palabras la teoría de funcionamiento del circuito anterior.

Participación en el foro

Ilustración 2 participación en el foro

Ilustración 3 participación en el foro

Argumentación. (Segunda Semana).

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

2. Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes cálculos.

A. Calcular la resistencia del drenaje RD.
B. Calcular la resistencia del drenaje RS.
C. Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.
D. Calcular la ganancia de voltaje AV.

Cálculos Matemáticos del Circuito

A.) Calcular la resistencia del drenaje RD.

Tenemos los siguientes Datos:

ID= 300uA, VD= 10V, VCC= 20V.

Entonces

(𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷 ) (20𝑉 − 10𝑉)

𝑅𝐷 = = = 33,333𝑥103 = 33 𝑘𝛺
𝐼𝐷 300𝑥10−6

B.) Calcular la resistencia del drenaje RS. RS = VGS (off) / IDSS

Tenemos los siguientes Datos:

VGS (off)= -8V, IDSS=16mA

𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) 8𝑉
𝑅𝑠 = = = 500𝛺
𝐼𝐷𝑆𝑆 16𝑥10−3

C.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

Hallamos para 𝐶1 − 𝐶2 − 𝐶3

C1:
1
𝑋𝑐1 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶1

1
𝑋𝑐1 = = 𝟏𝟓, 𝟗𝟏𝛀
2𝜋 ∗ 1000𝐻𝑧 ∗ 10𝑢𝐹
C2:
1
𝑋𝑐2 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶2

1
𝑋𝑐2 = = 𝟏𝟓, 𝟗𝟏𝛀
2𝜋 ∗ 1000𝐻𝑧 ∗ 10𝑢𝐹

C3:
1
𝑋𝑐3 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶3

1
𝑋𝑐3 = = 𝟏𝟓𝟗𝟏, 𝟓𝟓 𝛀
2𝜋 ∗ 1000𝐻𝑧 ∗ 0,1𝑢𝐹

D.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

AV = -Gm∙ RD

AV =-26*33=-858

Solución. (Tercera semana)

E. Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en la que se
evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.

- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

- Valor Canal A - Entrada= 300mv

-Valor Canal B - Salida = 1.13v

- Valor de VGS.0.19v

- Valor de VDS. 2.41v

- Valor de VGD.2.59v

- Valor de la corriente ID.375uf

Simulación del circuito con semiconductor JFET (J201)

Ilustración 4 simulación en proteus

Ilustración 5 simulación en proteus

CONCLUSIONES

Con el uso de este tipo de transistores podemos ver como la señal de salida del circuito aumenta su
frecuencia, de acuerdo la variación del voltaje de entrada y la frecuencia, podemos y los componentes
que se utilicen en el circuito.
 Bibliografía

Boylestad, R. Nashelsky, L. (2013). Electrónica: Teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos. (pp. 378-544). https://www-ebooks7-24-
com.bibliotecavirtual.unad.edu.co/?il=7293&pg=402

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos. (pp. 127-166). https://elibro-

net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/66453?page=127

Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para

Ingenieros. (pp. 37-51). https://elibro-
net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/50175?page=48

Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET.

[Video]. https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk