Universidad Politcnica de

Chiapas
Ing. Biomdica
Fundamentos
de Electrnica
Ing. Othoniel Hernndez Ovando

CONFIGURACIN
EMISOR COMN

Suchiapa, 22 de Febrero de 2012

Configuracin Emisor
Comn
La terminologa de EC se deriva del hecho de
que el emisor es comn tanto a la entrada
como a la salida de la configuracin.
El emisor se conecta a las masas tanto de la
seal de entrada como a la de salida.

Configuracin Emisor
Comn
El emisor es comn a la entrada (baseemisor) y a la salida (colector-emisor).

Configuracin Emisor
Comn
Para describir el comportamiento de la
configuracin EC, se requiere de dos
conjuntos de caractersticas:

Parmetros
de Entrada

Parmetros
de Salida

Parmetros de Entrada
Se
relaciona
la
corriente de entrada
(IB) con el voltaje de
entrada
(VBE)
para
varios
niveles
de
voltaje de salida (VCE).
Una vez que el transistor
esta encendido se
supondr que el VBE es:
VBE = 0.7V

Parmetros de Salida
Se relaciona la
corriente de salida
(IC) con el voltaje
de salida (VCE) para
varios niveles de
corriente
de
entrada (IB).

Regin Activa
La unin colector-emisor se polariza
inversamente, mientras que la unin baseemisor se polariza directamente.

Esta es la regin ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como

amplificador.

Regin Activa
La corriente de emisor, que es la corriente
de salida, est formada por la suma de la
corriente de base y la de colector:
IE = I C + I B
En la configuracin EC, tambin se
mantiene la relacin siguiente que se us
en la configuracin BC:
IC = IE

Regin de Corte
Tanto la unin base-emisor como la unin
colector-emisor de un transistor tienen
polarizacin inversa.

Regin de Corte
En la regin de corte la IC no es igual a cero cuando IB es
cero.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor
distorsin), el corte para la configuracin EC se definir
mediante:
IC = ICEO
Para IB = 0A
La regin por debajo de IB = 0A debe evitarse si se
requiere una seal de salida sin distorsin.

Regin de Corte

Regin de Saturacin
Tanto la unin base-colector como la unin
base-emisor de un transistor tienen
polarizacin directa.

Regin de Saturacin
Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que
las uniones estn en polarizacin directa, las corrientes se
anulan.

Un transistor est saturado cuando:

(IC = IE = IMxima)

Regin de Saturacin

Ganancias de Corriente
Base
Comn

Emisor
Comn

Ganancia
(alfa)

Ganancia
(Beta)

Ganancia de Corriente
(beta)
La ganancia de corriente se encuentra
dividiendo la corriente de salida (I C) entre la
de entrada (IB)

La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que la

corriente de salida (IC) es mayor que la corriente del entrada (IB).
Suele tener un rango entre 40 y 400, con la mayora dentro del rango
medio.

Ganancia de Corriente
(beta)
es un parmetro importante porque ofrece una relacin
directa entre los niveles de corriente de los circuitos de
entrada y los de salida en EC.

Y dado que
IE = IC + IB
IE = IB + IB
Se tiene que

Relaciones entre y
Es posible establecer una relacin entre y
utilizando las relaciones dadas anteriormente.

La ganancia es proporcionada por el fabricante y tambin es

conocida como hFE.

Ganancia de Voltaje
Los amplificadores con emisor a tierra pueden
proporcionar ganancias de voltaje y de potencia mucho
mayores que los de base comn.

Caractersticas Generales
Baja impedancia de entrada (ZIN), entre 700 y
1000. Un poco ms que la Base Comn.
Alta impedancia de salida (ZOUT), entre (50k).
Ms baja que la de Base Comn.
Alta ganancia de corriente entre 20 y 300
Alta ganancia de voltaje.

Impedancia (Z): Es la oposicin al flujo de corriente elctrica. Concepto similar a la resistencia.

Aplicaciones

Configuracin EC

Es la configuracin ms usada, puesto que

amplifica tanto corriente como voltaje.

El ms usado para circuitos de baja frecuencia,

debido a la alta impedancia de entrada.

Usado en amplificadores de audio y de altas

frecuencias de radio.