Universidad Politcnica de Chiapas

Ing. Biomdica Fundamentos de Electrnica Ing. Othoniel Hernndez Ovando

Suchiapa, 23 de Febrero de 2012

Lmites de Operacin
Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurar que los valores nominales mximos no sean excedidos y la seal de salida exhibe una distorsin mnima.

Lmites de Operacin
ICmx

VCEsat

VCEmx = VCEO

Disipacin de Potencia
El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente ecuacin: PCmx = VCEIC Cmo graficar la curva de disipacin de potencia de colector? PCmx = VCEIC = 300mW

En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser igual a 300 mW.

Disipacin de Potencia
Si elegimos para IC el valor mximo de 50 mA y lo sustituimos en la relacin anterior, obtenemos VCEIC = 300 mW VCE(50 mA) = 300 mW VCE = 6 V S elegimos para VCE su valor mximo de 20 V, el nivel de IC es el siguiente: (20 V)IC = 300 mW IC = 15 mA

Disipacin de Potencia
Si ahora escogemos un nivel de IC a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante de VCE obtenemos VCE(25 mA) = 300 mW VCE = 12 V

Una estimacin de la curva dibujarse por empleando los definidos

aproximada real puede lo general tres puntos

Lmites de Operacin
Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como ocurre con frecuencia), simplemente debe estar seguro que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuacin: ICEO IC Icmx VCEsat VCE VCEmx VCEIC PCmx

Para las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima se define por el siguiente producto de cantidades de salida:
PCmax = VCBIC