NOMBRE DE ASIGNATURA: ELECTRÓNICA 1
SEMANA 4: TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET
Nombre del estudiante: Rodrigo Arancibia
Fecha de entrega
Carrera: Técnico de nivel superior en automatización y control
DESARROLLO
Para un proyecto universitario se necesita fabricar transistores FET de diferentes tipos, por lo cual el profesor a
cargo del proyecto te ha pedido que identifiques los elementos característicos, así como los detalles
constructivos y otros elementos asociados; si consigues hacerlo, en un futuro cercano podrás formar parte del
equipo de diseño de circuitos de la universidad, quienes utilizan este tipo de transistor. El jefe de proyecto te
pide explicar un número determinado de puntos que permitirán al equipo ejercitar sus conocimientos al
respecto, previo al diseño final del que se harán cargo.
A continuación, responde:
1. En primer lugar, se presenta un incidente al momento de fabricar el transistor en una oblea de
silicio, por tanto, se decide tomar de la sección transversal del transistor una muestra, para lo
cual se te pide puedas identificar el tipo de transistor construido y sus diferentes partes, como
se muestra en la figura 1.
Contacto metálico Salida
drenaje (d)
Contacto metálico
Entrada de fuente (s)
Compuerta metálica puerta
(g)
Tipo de transistor: Mosfet
del tipo empobrecimiento
2. A fin de probar la calidad de los transistores fabricados, se te pide puedas calcular los valores de
ID, VGS, VDS, VS, VG y VD de un circuito de polarización fija para transistor FET. ¿Cuál dirías que
es la principal diferencia operativa en este tipo de polarización, respecto a la polarización por
división de tensión?
Para generar la condición, de ser polarizados en forma fija, los transistores FET requieren de un
cumplimiento de condiciones, como la necesidad de establecer los valores de la corriente de
drenaje (ID), la tensión drenaje (VDS), la tensión puerta VGS), hay baja utilidad para este circuito,
porque necesita un uso de una fuente de alimentación, por división de tiempo. Esta se puede
adquirir a través de una fuente de tensión o de un divisor de tensión resistivo, donde la recta de
polarización establecerá la polaridad de la puerta, este circuito genera niveles de corriente
análogas con una resistencia superior (RS), produciendo una baja en la dispersión.
3. Por último, se te pide que opines sobre cuál es la principal diferencia entre un transistor
MOSFET de empobrecimiento respecto a uno de enriquecimiento, considerando lo relativo al
tipo de canal que utiliza (tipo N o P) y su nivel de impurificación.
Al responder esta pregunta y para concluir este trabajo podemos entender de que el “MOSFET”
de enriquecimiento de canal N, es distinto constructivamente empobrecimiento la cual no tiene
capa de material N, sino que requiere de una tensión positiva que se desarrolla entre la puerta y
la fuente para establecer un canal.
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
Las referencias deben ser presentadas de acuerdo con las Normas APA, incluyendo información que
permita ubicar de forma inmediata la fuente utilizada.
Recuerda que siempre debes incluir el texto de lectura relacionado con la semana a evaluar.
Ejemplo texto de lectura de IACC:
IACC. (2023). Transistores de efecto de campo. Semana 4
