UNIDAD 2 – 1

TRANSISTORES BIPOLARES

Un transistor bipolar se forma agregando una segunda región “n” ó “p” a un diodo
de unión “p-n”. Con 2 regiones “n” y una “p” se tiene así un transistor “npn”. Con 2
regiones “p” y una “n” se forma un transistor “pnp”.

Las 3 terminales resultantes son: colector, base y emisor. Las uniones de un transistor
bipolar son : la unión colector–base y la unión base–emisor.

Hay 2 regiones “n+” para el emisor del transistor “npn” y 2 regiones “p+” para el emisor
del transistor “pnp”, ver figura 2.1.
Un Transistor bipolar es un dispositivo controlado por corriente porque una pequeña
corriente de entrada controla una gran corriente de salida.
Existen 3 configuraciones posibles: colector común (CC), emisor común (EC)
y base común (BC).

NOTA: Emisor común es la configuración del transistor npn más utilizada en aplicaciones
de conmutación.

Existen 3 regiones de operación para el transistor: región de corte, región activa y la región
de saturación.
En la región de corte el transistor está abierto o apagado, las 2 uniones están polarizadas
inversamente.

En la región activa el transistor actúa como un amplificador, su corriente de base se

amplifica una ganancia determinada y el voltaje colector-emisor disminuye al aumentar la
corriente de base. La unión colector–base se polariza inversamente y la unión
base–emisor se polariza directamente.

En la región de saturación la corriente de base es suficientemente alta para que el voltaje

colector–emisor sea bajo y el transistor actúe como un interruptor. Las 2 uniones tienen
polarización directa, ver figura # 2.2-a.
NOMENCLATURA DEL TRANSISTOR

Sub-índices dobles indican fuentes de alimentación:

VBB , Vcc , VEE

Sub-índices simples indican tensiones entre puntos, de aquí que:

VCE = VC – VE
VBE = VB – VE
VCB = VC – VB

EJEMPLO:

Para un circuito de emisor común (EC) la terminal de emisor esta referenciada a tierra
(E=0) por tanto tendremos:
VcE = VC
VBE = VB
VCB = VC – VB
RELACIÓN DE CORRIENTES

Figura # 2.2 b
En este arreglo los electrones son los portadores mayoritarios en el emisor (2N3904).

Aplicando la ley de corrientes de Kirchhoff para un transistor obtenemos:

IE = IB + IC
dado que: IB « IC entonces podemos considerar a IE  IC .
Dado que IB controla a la IC ; un pequeño cambio en la IB (unos 200A), cambia la IC en
un valor muchísimo mayor (unos 30,000 A). Esto es un cambio igual a 150 veces el
cambio de la IB (ganancia de corriente).
CONSTANTE DE PROPORCIONALIDAD ALPHA (hfb)
El factor en continua se define como la corriente continua (CC):
cd = IC / IE ; de donde: IC =  IE
Dado que la corriente IC es aproximadamente igual a IE el factor es ligeramente menor
que 1 (valores típicos entre 0.95 a 0.99)
BETA(hfe)
= /1 – 
La relación cd = IC / IB se le conoce como ganancia de corriente. En transistores de
baja potencia el factor de ganancia de corriente típica es de 100 a 300. Para transistores de
alta potencia, las ganancias normales van desde 20 a 100.
La corriente en el colector esta dada por:
IC = IB
Entonces IC depende solo de la IB y el factor y no del valor de Vcc o del valor de RC. Si
se cambiara la fuente de tensión del colector a varios voltajes, la corriente permanecerá
constante.

EJEMPLO:
Una transistor tiene una IC =10 mA, y una IB =40 A . Cual es la ganancia de corriente?.
cd = IC / IB 10x10-3 /40x10-6 =
Si un transistor tiene una ganancia de 175 y su corriente de base es IB = A. Cual es la
corriente de colector ?.
IC = IB 175 (100x10-6 ) =mA
Si el transistor tiene IC = 2 mA, y su factor de ganancia de corriente =135. Cual es la
corriente de base ?.
IB = IC /  2x10-3 /135 =A
CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMUN (EC)

La figura # 2.3 nos muestra un circuito con 2 mallas; la de la izquierda es el circuito

de base y la de la derecha es el circuito de colector. El lado negativo de cada fuente de
tensión está conectado al emisor, formando un punto común (configuración de emisor
común).

En la malla de la izquierda (malla de base), la fuente de tensión (VBB) polariza

directamente al diodo emisor con RB como resistencia limitadora de corriente. La IB
controla la IC, esto significa que una pequeña variación de la corriente de base gobernara
una gran corriente de colector.

En la malla de la derecha (malla de colector), hay una fuente de tensión (Vcc) que polariza
inversamente al diodo colector a través de Rc. La fuente Vcc debe polarizar en inversa al
diodo colector o de lo contrario el transistor no operara adecuadamente.

Figura # 2.3

La corriente de base IB esta dada por:

EJEMPLO:

Figura # 2.3-1

Calcule la tensión en la base y la corriente de base IB. Cuál será la corriente de colector IC
si el transistor tiene una  = 200.

VB = VBB – VBE  2v – 0.7v = 1.3v

IB = 1.3v / 100 K= 13 A

IC = IB  IC = (200) 13 A = 2.6 mA

EJERCICIO:
Calcule los valores si VBB se cambia a 4v.

VB = VBB – VBE  4v – 0.7v = 3.3v

IB = 3.3v / 100 K= 33 A

IC = IB  IC = (200) 33 A = 6.6 mA

Midiendo IC y VCE se obtienen los datos para una curva de IC en función de VCE .
Supongamos que variamos el VBB para obtener una corriente de base IB=10 A.
Entonces variamos Vcc y se miden los valores resultantes en IC y VCE. Obtendremos una
familia de curvas características ; ver figura # 2.4 a-b.

Figura # 2.4 a-b

Cuando VCE es de una a pocas decenas de voltios, la IC se hace casi constante

(aproximadamente 1 mA). Si VCE se hace mucho mayor (VCE máxima), el diodo de
colector entra en la zona de ruptura y se pierde el funcionamiento normal del transistor.
TENSIÓN Y POTENCIA DEL COLECTOR

Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff al circuito del colector, tendremos la siguiente

ecuación:
VCE = Vcc – IC Rc

y la potencia disipada por el transistor es:

PD = IC VCE

Es esta potencia (PD máxima) la que hace aumentar la temperatura de la unión del diodo
de colector (mayor potencia = mayor temperatura). El transistor se quemará si llega a
temperaturas de entre 150 ºC a 200 ºC.

ZONA DE FUNCIONAMIENTO

ZONA ACTIVA.- La IC es constante en esta zona, es la zona central en la que el valor de

VCE puede ser desde 1v a 40v aproximadamente. Esta zona es la más importante, ya que la
amplificación de señales (circuitos lineales) es posible en ella; representa el funcionamiento
normal del transistor; los cambios en la tensión de colector no tienen efecto sobre la IC .

ZONA DE SATURACIÓN.- Es la parte ascendente de la curva, donde VCE está

comprendido entre cero y unos cuantos voltios. En esta zona el diodo del colector tiene
insuficiencia de tensión positiva; a su vez la IB es mayor de lo normal y la ganancia de
corriente es menor de lo normal.
Las 2 uniones del transistor están polarizadas directamente y la tensión de salida es muy
pequeña (aproximadamente 0.3v).
IC = VCC / RL

ZONA DE CORTE.- La parte inferior de la curva se conoce como zona de corte; su IC es

muy pequeña y se le llama corriente de corte de colector. La IB será cero y permanece
cierta IC (del orden de los nA para corte, comparado con la corriente real de colector que es
de mA).

NOTA: Las zonas de saturación y corte son muy utilizadas en los circuitos digitales y
circuitos de conmutación.

ZONA DE RUPTURA.- El transistor nunca debe operar en ella, pues no está construido
con ese propósito, y se destruirá.
EJEMPLO:

Figura # 2.4-1

El transistor del circuito tiene una  = 300. Calcule: IB , IC , VCE , PD .

SOLUCIÓN: VB = VBB – VBE  10v – 0.7v = 9.3v
IB = 9.3v / 1 M= 9.3 A
IC = IB  IC = (300) 9.3 A = 2.79 mA
VCE = Vcc – IC Rc 10v – (2.79 mA) (2 K ) = 4.42v
PD = IC VCE (2.79 mA) (4.42v) = 12.3 mW
EJERCICIO:
Calcule con RB = 680K.

EJEMPLO :

Figura # 2.4-2

Del circuito siguiente, con VCE = 5.5v ; calcular la ganancia de corriente.

SOLUCIÓN: IB = 10v – 0.7v / 330 K= 28.2 A
para IC tenemos VCE = 5.5v  VRc = 10v – 5.5v = 4.5v
IC = 4.5v / 470  = 9.57 mA
IC = IB   = IC / IB
 = 9.57 mA / 28.2 A = 339.5
EJERCICIO:
Calcule con RB = 560K.
GANANCIA DE CORRIENTE (PEOR Y MEJOR CASO)

Si la hoja de características de un transistor especifica un factor de amplificación de

corriente (o hfe) de 100min. a 300max. (con ICprom.= 10mA) a una temperatura
ambiente de 25 ºC.
El peor de los casos para el diseño seria en hfe = 100min. ; y el mejor de los casos seria
para hfe = 300max.

CORRIENTE Y TEMPERATURA

En temperatura ambiente de 25 ºC pudiéramos tener una hfe = 50 para una IC = 0.1 mA. Si
se incrementa la IC = 10 mA, la hfe aumenta a 100.
Si la temperatura desciende a valores mucho menores, la ganancia también disminuirá para
las mismas corrientes (entre 20 y 50).

RECTA DE CARGA (METODO GRAFICO)

LA RECTA DE CARGA Y EL PUNTO Q

Solución grafica: Podemos encontrar el punto Q en la recta de carga gráficamente
haciendo una grafica de IC contra VCE ; ver figura # 2.5.
Paso 1.- Hacemos que VCE tienda a cero:
Paso 2.- hacemos que IC tienda a cero:
Paso 3.- Polarización de base (establecer un valor constante para IB ).

IC = VCC– VCE / RC  IC = VCC / RC  IC = 15v / 3 K 

IC = 5 mA
IC = VCC – VCE / RC  IC RC = VCC – VCE  VCE = VCC – IC RC
 VCE = 15v
IB = VBB – VBE / RB 15v – 0.7v / 500 K
IB = 28.6 A
Si  = 50
IC = IB  IC = (50) 28.6 A = 1.43 mA
VCE = Vcc – IC Rc 15v – (1.43 mA) (3 K ) = 10.71v
Si  = 100
IC = IB  IC = (100) 28.6 A = 2.86 mA
VCE = Vcc – IC Rc 15v – (2.86 mA) (3 K ) = 6.42v
Si  =150
IC = IB  IC = (150) 28.6 A = 4.29 mA
VCE = Vcc – IC Rc 15v – (4.29 mA) (3 K ) = 2.13v
 Figura # 2.5.

(a) Circuito, (b) Recta de carga, (c) Cambios de la ganancia de corriente

cambian el punto Q
EL PUNTO DE SATURACIÓN

Cuando la RB es demasiado pequeña, provoca un exceso de corriente de colector (IC), y el

VCE tiende a cero. En este caso, el transistor entra en saturación ( la IC ha crecido hasta
su valor máximo).

El punto de saturación es donde la recta de carga corta a la zona de saturación de las curvas
de salida. Como la tensión colector-emisor (VCE) en saturación es muy pequeña, el punto
de saturación es casi idéntico al extremo superior de la recta de carga (es solo una
aproximación).
El punto de saturación indica la máxima IC que es posible alcanzar en el circuito. Para
nuestro ejemplo anterior, es aproximadamente igual a 5 mA; con un VCE que ha decrecido
aproximadamente a cero.

EL PUNTO DE CORTE

Es el punto en el que la recta de carga cruza la zona de corte de las curvas de salida.
Como la IC en corte es muy pequeña, el punto de corte es aproximadamente igual al
extremo inferior de la recta de carga.

El punto de corte indica la máxima tensión colector-emisor (VCE) que es posible alcanzar
en el circuito. De nuestro ejemplo anterior, la tensión VCE max es aproximadamente igual a
15v; (Vcc).
EJEMPLO: 1

Figura # 2.5-1

SOLUCIÓN: Haciendo VCE =0 y sustituyendo:

IC = VCC– VCE / RC  IC = VCC– 0 / RC  9v / 3 K  = 3 mA
Ahora hacemos IC =0
IC = VCC – VCE / RC  VCE = VCC – (0) RC  VCE = 9v

EJEMPLO: 2

Figura # 2.5-2

SOLUCIÓN: Haciendo VCE =0 y sustituyendo:

IC = VCC– VCE / RC  IC = VCC– 0 / RC  15v / 1 K  = 15 mA
Ahora hacemos IC =0
IC = VCC – VCE / RC  VCE = VCC – (0) RC  VCE = 15v
EJEMPLO: 3

Figura # 2.5-3

SOLUCIÓN: Haciendo VCE =0 y sustituyendo:

IC = VCC– VCE / RC  IC = VCC– 0 / RC  15v / 4 K  = 3.75 mA
Ahora hacemos IC =0
IC = VCC – VCE / RC  VCE = VCC – (0) RC  VCE = 15v
Hay 2 tipos básicos de circuitos de transistores: Amplificadores y conmutadores.

En los amplificadores el punto Q debe permanecer en la zona activa bajo todas las
condiciones de funcionamiento; de lo contrario, la señal de salida se verá distorsionada.
En los circuitos conmutadores de transistores, el punto Q normalmente salta entre
saturación y corte.

DETERMINACIÓN DE LA ZONA DE OPERACIÓN (METODO ANALITICO)

METODOS PARA DETERMINAR SI ESTA EN FUNCIÓN DE:

AMPLIFICACIÓN O CONMUTACIÓN.

Figura # 2.6

METODO DE CORRIENTE DE COLECTOR

1º- Calculamos la corriente de saturación

IC = 20v / 10 K = 2 mA
2º- Determinamos la IB (ideal)  IB = 10v / 100 K = 100 A
IC = IB  IC = (50) 100 A = 5 mA
Esto nos arroja un error pues el ultimo calculo indica que la IC > Isat ; esto puede indicar
que el transistor funciona en la zona de saturación (no cumple con los parámetros de la
zona activa).
IC = IB   = I C / IB
 = 2 mA / 100 A = 20 ………… 20 < 50
METODO DE LA TENSIÓN DE COLECTOR

1º- Calculamos IB :  IB = 10v / 100 K = 100 A

2º- Calculamos IC = IB  IC = (50) 100 A = 5 mA
3º- Determinamos VCE :
VCE = Vcc – IC Rc 20v – (5 mA) (10 K ) = – 30v
También obtenemos un error pues el VCE no puede ser negativo; por lo tanto, concluimos
que el transistor debe estar funcionando en zona de saturación.

SATURACIÓN FUERTE

Es deseable que el transistor que funciona en la zona de saturación tenga una ganancia de
corriente de saturación  = 10 o menor (saturación fuerte).
El valor de la RB debe ser calculado para que produzca una  = 10 tal que:
1º- IC = VCC / RC  IC = 20v / 10 K = 2 mA
2º- De nuevo de IC calculamos para IB :
IC = IB  IB = IC /   IB = 2 mA / 10 = 200 A
3º-Para determinar el valor de la resistencia, hacemos:
IB = VBB / RB  RB = VBB / IB = 10v /200 A = 50 K 

TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

La polarización de base es útil en los circuitos digitales pues estos se diseñan para
funcionar en saturación y en corte. Por ello tienen una tensión de salida baja o alta
(no se emplea el punto Q) al cambiar la ganancia de corriente .

S1

Figura # 2.7
Aplicación de un circuito con polarización de base (figura 2.7) para conmutar entre
saturación y corte.
IC = VCC / RC  IC = 10v / 1 K = 10 mA
IB = VBB / RB  IB = 10v / 10 K = 1 mA
IC = IB   = IC / IB
 = 10 mA / 1 mA = 10

VCE = Vcc – IC Rc 10v – (10 mA) (1 K ) = 0v

Como  = 10 ; consecuentemente la tensión de salida (Vout) es aproximadamente igual a

cero. Cuando el interruptor S1 se abre, la corriente de base (IB) = 0 , por consecuencia la
IC = 0 también. Al no haber corriente en la RC, toda la tensión de fuente aparece en las
terminales colector-emisor = 10v. Si se observa bien, el circuito solo puede tener 2
tensiones de salida 0 o 10v (bajo o alto).
A los circuitos digitales también se les llama circuitos de conmutación pues su punto Q
conmuta entre los 2 puntos extremos de la recta de carga.
EJEMPLO:

Figura # 2.7-1

Aplicación de un circuito con polarización de base (figura 2.7-1) para conmutar entre
saturación y corte.

SOLUCIÓN:
IC = VCC / RC  IC = 5v / 1 K = 5 mA
IB = VBB / RB  IB = 10v / 10 K = 1 mA
IC = IB   = IC / IB
 = 5 mA / 1 mA = 5

VCE = Vcc – IC Rc 5v – (5 mA) (1 K ) = 0v

 POLARIZACIÓN - 1
POLARIZACIÓN DE EMISOR

Cuando se trata de amplificadores se necesitan circuitos cuyo punto Q sean inmunes a los
cambios en la ganancia de corriente  .

Si cambiamos la resistencia de base (RB) al circuito del emisor, generamos un circuito de

polarización de emisor. Ese solo cambio provoca una enorme diferencia.

El punto Q para este nuevo circuito es inamovible; aunque el factor de ganancia de

corriente  cambie de 50 a 150, el punto Q casi no se desplazara sobre la recta de carga,
pues su valor exacto ya no es importante. Al cambiar la resistencia de base al circuito de
emisor, se obliga a que la tensión de la base (VB) sea igual a la tensión de su fuente.

Anteriormente casi toda esta tensión aparecía en la resistencia de base (RB) estableciendo
una corriente fija en la base; ahora toda esta tensión de fuente (-0.7v) aparece en la
resistencia de emisor (RE) , estableciendo una corriente fija en el emisor.

Procedimiento: 1) Obtener la tensión de emisor VE
2) Calcular la corriente de emisor IE
3) Hallar la IC y el Vc
4) Calcular el VCE

La ganancia de corriente tiene un efecto muy pequeño sobre la IC.

IE = IB + IC  IE = IC (IC / 

IC = (  / +1 IE donde:
(  / +1 es conocido como factor de corrección.

La cantidad que multiplica a IE, es el indicador de cuanto difiere IC de IE .

Si  = 100 100 / 100+1 = 0.99
EJEMPLO:
Como encontrar el punto Q ?

Figura # 2.8

SOLUCIÓN:
1º.- VE = VBB – VBE  5v – 0.7v = 4.3v
2º.- Esta tensión está presente entre los extremos de la resistencia de emisor (RE) ,
entonces para encontrar la IE
IE = VE / RE  4.3v / 2.2 K = 1.95 mA
esto supone que en el caso ideal que:
IC IE = 1.95 mA
3º.- Calculando el voltaje a través de Rc:
V Rc = IC RC  1.95 mA(1 K ) = 1.95v
ahora si, podemos calcular el Vc:
VC = Vcc – V Rc  15v – 1.95v = 13.05v

4º.- Si se desea determinar el VCE, hay que restar el VE al VC:

VCE = Vc – VE  13.05v – 4.3v = 8.75v

así el circuito con polarización de emisor tendrá un punto Q con coordenadas:

IC = 1.95 mA
VCE = 8.75v
EJEMPLO:

Figura # 2.8-1

SOLUCIÓN:
1º.- VE = VBB – VBE  5v – 0.7v = 4.3v
2º.- Esta tensión está presente entre los extremos de la resistencia de emisor (RE) ,
entonces para encontrar la IE
IE = VE / RE  4.3v / 1 K = 4.3 mA
esto supone que en el caso ideal que:
IC IE = 4.3 mA
3º.- Calculando el voltaje a través de Rc:
V Rc = IC RC  4.3 mA(2 K ) = 8.6v
ahora si, podemos calcular el Vc:
VC = Vcc – V Rc  15v – 8.6v = 6.4v

4º.- Si se desea determinar el VCE, hay que restar el VE al VC:

VCE = Vc – VE  6.4v – 4.3v = 2.1v
Así para este caso el circuito con polarización de emisor tendrá un punto Q
con coordenadas:
IC = 4.3 mA
VCE = 2.1v
 POLARIZACIÓN – 2
POLARIZACIÓN POR DIVISIÓN DE TENSIÓN
De la figura # 2.9 observe que el circuito de base es alimentado por R1 y R2 , este arreglo es
conocido como polarización por división de tensión.

a) Polarización por división de tensión. b) Divisor de tensión.

Figura # 2.9

METODO DE ANALISIS SIMPLIFICADO

En los análisis preliminares de todo circuito de polarización por división de tensión
correctamente diseñado; la IB es mucho menor que la corriente en el divisor de tensión.
Si consideramos idealmente que la IB tiene un efecto despreciable en el divisor de
tensión; por lo tanto podemos eliminar el transistor y el circuito resultante será como la
figura # 2.9-1 .

a) Resistencia thevenin b) Circuito equivalente.

 Figura # 2.9-1

En este circuito, el Vout del divisor esta dada por:

RTH = R1 // R2

Se puede considerar que la polarización por división de tensión seria como una polarización
de emisor; de ahí que la polarización por divisor de tensión mantenga un valor fijo de IE ,
dando lugar a la independencia del punto Q frente a la ganancia de corriente 

PASOS PARA EL CÁLCULO

1.- Calcular la tensión de base (VB) que se obtiene del divisor de tensión.
2.- Restar 0.7v para obtener la tensión del emisor .
3.- Dividir esta tensión entre la resistencia del emisor para obtener la corriente
de emisor.
4.- Suponga la corriente de colector (IC) aproximadamente igual a la corriente de
emisor (IE) .
5.- Calcule la tensión de colector respecto a tierra , restando la tensión que cae en la
resistencia de colector (RC) , de su tensión de alimentación.
6.- Calcule la tensión colector – emisor (VCE) , restando la tensión de emisor de la de
colector.

Después de calcular VBB , el resto del análisis es idéntico al utilizado por la polarización de
emisor, tal como:
1º.- VB = (VCC ) R2 / (R1 + R2 )
2º.- VE = VB – VBE
3º.- IE = VE / RE
4º.- IC IE
5º.- V Rc = IC RC  VC = Vcc – V Rc
6º.- VCE = Vc – VE

(Ecuaciones basadas en las leyes de Ohm y leyes de Kirchhoff)

EJEMPLO:

Figura # 2.10

Calcular el VCE : para R1=10K, R2=2.2K, Rc=3.6K, RE=1K, Vcc=10v

SOLUCIÓN:
1º.- VB = (VCC ) R2 / R1 + R2 (10v ) 2.2K /10K+2.2K = 1.8v
VE = VB – VBE  1.8v – 0.7v = 1.1v
2º.- IE = VE / RE  1.1v / 1 K = 1.1 mA
esto supone en el caso ideal que:
3º.- IC IE = 1.1 mA
4º.- Calculando el voltaje a través de Rc:
V Rc = IC RC  1.1 mA (3.6 K ) = 3.96v
ahora si, podemos calcular el Vc:
5º.- VC = Vcc – V Rc  10v – 3.96v = 6.04v

6º.- Si se desea determinar el VCE, hay que restar el VE al VC:

VCE = Vc – VE  6.04v – 1.1v = 4.94v

Nota: El cálculo en este análisis preliminar no depende de cambios del transistor, la

temperatura o corriente de colector IC y el punto Q no cambia.
DIVISOR DE TENSIÓN CONSTANTE
Si el transistor de la figura # 2.10-a tiene una =100 , su IC es 100 veces mayor que IB y
por consecuencia la IE será 100 veces mayor que la IB.

Figura # 2.10-a

Cuando miramos desde la base; la RE parece ser 100 veces mayor tal que:
Rin =  RE
por lo tanto: Divisor de tension constante
R1 // R2 < 0.01 Rin
R1 // R2 < 0.01  RE

Siempre que sea posible, un diseñador seleccionara los valores para el circuito que
satisfagan la regla 100:1 , pues obtendrá un punto Q muy estable.
Si se quiere un resultado mas exacto para la IE , existe otra relación:

RTH = R1 // R2 = 10 K // 2.2 K = 1.8 K

EJEMPLO:
Determine si es constante el divisor de tensión de la figura # 2.10-a ; calcule el valor
“mas exacto” de IE para: R1=10K, R2=2.2K, Rc=3.6K, RE=1K , Vcc=10v,
= 200.

SOLUCIÓN:
Comprobamos si la regla 100:1 se lleva a cabo. La resistencia Thevenin equivalente del
divisor de tensión es:
RTH = R1 // R2
10K  // 2.2K  = 10K(2.2K) / 10K+2.2K = 1.8K 
La resistencia de entrada de la base es:
Rin =  RE  (200) 1K = 200K 
Ahora calculamos la centésima parte 0.01  RE o sea (100:1) :
0.01 (200K  = 2K
Comparamos de la relación: R1 // R2 < 0.01  RE
1.8K  < 2K 
Método “mas exacto” :
VBB = (VCC ) R2 / R1 + R2 (10v ) (2.2K) / 10K+2.2K = 1.8032v
IE = VBB – VBE / RE + ( R1 // R2) / 
1.8032 – 0.7 / 1K + ( 1.8K) / 200 = 1.0934 mA
RECTA DE CARGA Y PUNTO Q EN EL DIVISOR DE TENSIÓN
Del análisis anterior obtuvimos:
IE = VE / RE  1.1v / 1 K = 1.1 mA
IC IE = 1.1 mA
V Rc = IC RC  1.1 mA (3.611 K ) = 3.972v
ahora si, podemos calcular la Vc:
VC = Vcc – V Rc  10v – 3.972v = 6.028v
El cambio de tensión será:
VCE = Vc – VE  6.028v – 1.1033v = 4.925v

Como la polarización a través de un divisor de tensión se deriva de la polarización de

emisor, el punto Q es prácticamente inmune a los cambios en la ganancia de corriente, y la
forma de moverlo sobre la recta de carga consiste en variar la resistencia de emisor.
 EJEMPLO: 1

Figura # 2.10 b-c

Determine si es constante el divisor de tensión de la figura # 2.10-b , si se ajusta la

RE var.=2.2K . Calcule el valor “mas exacto” de IE para: R1=10K, R2=2.2K, Rc=3.6K,
RE var.=2.2K, Vcc=10v, =200.

SOLUCIÓN:

VE = VBB – VBE  1.8v – 0.7v = 1.1v

IE = VE / RE  1.1v / 2.2 K = 0.5 mA
IC IE = 0.5 mA
V Rc = IC RC  0.5 mA (3.6 K ) = 1.8v
ahora si, podemos calcular la Vc:
VC = Vcc – V Rc  10v – 1.8v = 8.2v
El cambio de tensión será:
VCE = Vc – VE  8.2v – 1.1v = 7.1v
Por lo tanto las nuevas coordenadas para Q serán:
IC = 0.5 mA
VCE = 7.1v
(punto QL de la figura # 2.10-c)
 EJEMPLO: 2

Figura # 2.10 b-c

Determine si es constante el divisor de tensión de la figura # 2.10-b ; si se ajusta la RE

var.=510 Calcule el valor “mas exacto” de IE para R1=10K, R2=2.2K, Rc=3.6K, RE
var.= 510, vcc=10v, =200,

SOLUCIÓN:

VE = VBB – VBE  1.8v – 0.7v = 1.1v

IE = VE / RE  1.1v / 510 = 2.15 mA
IC IE = 2.1 mA
V Rc = IC RC  2.1 mA (3.6 K ) = 7.56v
ahora si, podemos calcular la Vc:
VC = Vcc – V Rc  10v – 7.762 = 2.238v
El cambio de tensión será:
VCE = Vc – VE  2.238v – 1.1v = 1.138v
Por lo tanto las nuevas coordenadas para Q serán:
IC = 2.1 mA
VCE = 1.138v
(punto QH de la figura # 2.10-c)
 DISEÑO
POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE TENSIÓN

PASOS:
1.- Establecemos que la tensión de emisor sea la décima parte de la tensión de
alimentación:
VE = 0.1 VCC (VE =10% VCC)
2.- Establecemos la aproximación para la corriente de emisor:
IC IE
3.- Calculamos el valor de RE con el dato anterior de la corriente de colector
especificada:
RE = VE / IE
4.- Dado que deseamos un punto Q en el punto medio de la recta de carga , una tensión
de 0.5 Vcc aparece en las terminales de colector – emisor. Los restantes caen en la
resistencia de colector por lo tanto:
RC = 4 RE

5.- Diseñamos un divisor de tensión fijo aplicando la regla 100:1

RTH ≤ 0.01  RE
normalmente R2 es mas pequeña que R1 ; entonces la ecuación del divisor de
tensión se simplifica:
R2 ≤ 0.01  RE
en cualquier caso se aplica el valor mínimo de  para la corriente de colector
especificada:

6.- Calculamos R1aplicando la relación proporcional:

V2 = VBB
= VE + VBE V1 = VCC – V2
DIVISOR DE TENSIÓN PARA Q CONSTANTE
EJERCICIOS DE EJEMPLO:

Calcular las resistencias apropiadas para que el circuito cumpla con la aplicación para :
a) VCC =10v , IC =10 mA ,  = 300 , VCE = punto medio de la recta.
b) VCC =10v , IC =1 mA ,  = 150 , VCE = punto medio de la recta.

SOLUCIÓN: Ejemplo “a”

a) VE = 0.1 VCC  0.1 (10v) = 1v

De los datos del problema, ahora suponemos que:
IC IE = 10 mA
Entonces calculamos para:
RE = VE / IE  1v / 10 mA =100 
Dado que deseamos un valor para VCE en el punto medio de la recta de carga:
VCE = 0.5 Vcc  0.5 (10v) = 5v
Ahora calculamos para RC :
RC = 4 RE  4 (100 ) = 400 
Ahora diseñamos un divisor de tensión:
RTH ≤ 0.01  RE ; como R2 es menor que R1 hacemos R2 ≤ 0.01  RE
R2 = 0.01 (300) (100 ) = 300 
Finalmente calculamos R1 aplicando la relacion proporcional:
R1= (R2) V1 / V2
Donde: V2 = VBB = VBE + VE = 1.7v
y donde: V1 = VCC –V2 = 10v –1.7v = 8.3v
R1= (300 ) 8.3v / 1.7v = 1464.7 
ojo
Análisis adicional:
VC = VCE + VE 5v + 1v = 6v
V Rc = VCC –VC 10v – 6v = 4v
RC = V Rc / IC  4v / 10 mA = 400 
VE = VBB – VBE  VBB = VBE + VE = 1v + 0.7v = 1.7v
IB = IC /   10 mA / 300 = 33.33  A

SOLUCIÓN: Ejemplo”b”

b) VE = 0.1 VCC  0.1 (10v) = 1v

De los datos del problema, ahora suponemos que:
IC IE = 1 mA
Entonces calculamos para:
RE = VE / IE  1v / 1 mA =1000 
Dado que deseamos un valor para VCE en el punto medio de la recta de carga:
VCE = 0.5 Vcc  0.5 (10v) = 5v
Ahora calculamos para RC :
RC = 4 RE  4 (1 K ) = 4 K 
Ahora diseñamos un divisor de tensión:
RTH ≤ 0.01  RE ; como R2 es menor que R1 hacemos R2 ≤ 0.01  RE
R2 = 0.01 (150) (1 K ) = 1.5 K 
Finalmente calculamos R1 aplicando la relacion proporcional:
R1= (R2) V1 / V2
Donde: V2 = VBB = VBE + VE = 1.7v
y donde: V1 = VCC –V2 = 10v –1.7v = 8.3v
R1= (1.5 K ) 8.3v / 1.7v = 7323.53 
POLARIZACIÓN CON AUTOPOLARIZACIÓN
La figura # 2.11- a muestra la polarización con auto polarización también llamada
polarización con realimentación de colector. Esta emplea lo que se conoce como
realimentación negativa en la base y así estabilizar el punto Q para en este caso,
neutralizar los cambios de corriente en el colector.

a) Polarización con realimentación de colector; b) el punto Q es menos sensible a los

cambios de ganancia de corriente.
Figura # 2.11

Si aumenta la IC, esto hace decrecer el Vc y a su vez desciende la tensión en la RB , por

tanto disminuirá la IB ; lo cual se opondrá al cambio inicial de IC (figura # 2.11) .
Como en el caso de la polarización con realimentación de emisor, la auto polarización
utiliza realimentación negativa en un intento por reducir los cambios iníciales de IC.

V Rc = IC RC
VC = Vcc – IC RC

El punto Q estará normalmente cerca de la mitad de la línea de carga, para lo que se

requiere una resistencia de base RB:
RB =  RC
En la figura # 2.11-b aparece su recta de carga, y los puntos de trabajo para 2 ganancias de
corriente diferentes; una variación de 3:1 en la ganancia de corriente , produce menos
variación en la IC que en la que produce la polarización con retroalimentación de emisor
(figura # 2.11-1).
Este arreglo del circuito se utiliza más en la práctica dado su sencillez, aunque es todavía
sensible a los cambios de  La auto polarización es más efectiva que la de emisor, para
estabilizar el punto Q.

a ) Ejemplo de polarización con realimentación de emisor;

b ) El punto Q es sensible a los cambios de ganancia de corriente.
Figura # 2.11-1

POLARIZACIÓN CON REALIMENTACIÓN DE COLECTOR Y EMISOR

A pesar de que la realimentación negativa es buena; se queda a mitad del camino al no

proporcionar la suficiente realimentación para lograr su objetivo. El paso siguiente es usar
una combinación de una RE y una RC (figura # 2.11-2):

Figura # 2.11-2
 V E = IE RE
VB = VE – VBE
VC = Vcc – IC RC
MODELOS EQUIVALENTES PARA SEÑAL

AMPLIFICADORES : Condensador de acoplo

Los condensadores de acoplo son importantes porque nos permiten acoplar una señal
alterna o sinusoidal a un amplificador sin distorsionar su punto Q.
La figura # 2.12-a muestra una fuente de tensión alterna conectada a un condensador y una
resistencia R. La impedancia del condensador es inversamente proporcional a la frecuencia,
por esto el condensador bloquea la tensión continua y transmite la tensión alterna.

Figura # 2.12

Cuando la frecuencia es suficientemente alta, la reactancia capacitiva (Xc) se hace mucho

menor que la resistencia R. En este caso casi toda la tensión alterna (VAC) de la fuente
aparece en la resistencia R. Cuando se usa de esta forma, el condensador se denomina
condensador de acoplo porque acopla la señal alterna a la resistencia R.
El diseñador seleccionara un condensador de acoplo, cuya reactancia sea menor que la
resistencia R; para que este funcione apropiadamente a la frecuencia más baja de la señal de
la fuente alterna.
Si la frecuencia de la fuente alterna varía de 200Hz a 20K Hz; el peor caso ocurrirá a
200Hz. ; entonces el diseñador deberá seleccionar un condensador cuya reactancia a
200Hz sea mucho menor que la resistencia R.
Cuanto es mucho menor?. Como definición, al menos 10 veces menor:

Xc ≤ 0.1 R (buen acoplamiento)

Z = R² + Xc² = R² + (0.1 R)²

= R² + (0.01) R² = (1.01) R²

= 1.005 R
NOTA: Comentario acerca de los condensadores de acoplo.
Como la tensión continua tiene una frecuencia igual a cero (f = 0), la reactancia de un
condensador de acoplo es infinita a frecuencia cero.

Emplearemos estas 2 aproximaciones para el condensador:

1) Para el análisis en continua, el condensador esta abierto.
2) Para el análisis de alterna, el condensador esta en corto circuito (figura # 2.12-c)

EJEMPLO:

Utilizando el diagrama de la figura # 2.12 ; si R = 2 K y el rango de frecuencia va de

z hasta 20 KHz .
Hallar el valor del capacitor C necesario para un buen acoplamiento.

SOLUCIÓN:

Aplicando la regla 10:1 , Xc debe ser 10 veces menor que R para la frecuencia mas baja.
Xc ≤ 0.1 R a 200 Hz
Xc ≤ 0.1(2 K)
Xc = 200  a 200 Hz
Dado que:
Xc = 1 /(2 f C) despejando:
C = 1 / 2(200 Hz) (200 )
= 3.98 F
La idea básica es que los condensadores de acoplo eviten que la fuente del pulso alterno y
la resistencia de carga varíen el punto Q.
En la figura # 2.13-b la tensión del pulso de alterna de entrada es de 100 V. Esta tensión
alterna genera una corriente alterna de base que se suma a la corriente de base de continua
existente (la corriente de base total tendrá una componente de continua y una componente
de alterna).

GANANCIA DE TENSIÓN DE ALTERNA

AV = Vout / Vin
Vout = AV (Vin)

Figura # 2.13

La figura # 2.13-a muestra un circuito con polarización de base; la polarización de continua

de la base es 0.7v ; como 30v es mucho mayor que 0.7 entonces:
IB = VCC / RB  30v / 1 M = 30 A
con una =100 , la IC es:
IC =  IB (100) 30 A = 3 mA
y el Vc será:
 VC = Vcc – IC RC 30v – ( 3 mA ) (5K) = 15v

Si tenemos una tensión medida de alterna en la carga igual a 50 mV, para una tensión
alterna de entrada de 100V; su ganancia será:
AV = Vout / Vin
= 50 mV / 100V = 500

CONDENSADOR DE DESACOPLO
Un condensador de desacoplo se emplea para crear una referencia a tierra para la corriente
alterna

Figura # 2.14
a) Condensador de Desacoplo. b) El punto E es tierra para la señal alterna

La resistencia R representa la resistencia de Thevenin vista por el condensador.

Cuando la frecuencia es lo suficientemente alta, la resistencia capacitiva es mucho menor
que la resistencia.
Un condensador de desacoplo es importante porque permite crear un punto de tierra para la
alterna en un amplificador sin distorsionar su punto Q.
La reactancia del condensador de desacoplo debe ser mucho menor que la resistencia a la
frecuencia más baja de la fuente de alterna.

Xc ≤ 0.1 R (buen desacoplo)

EJEMPLO:

Figura # 2.14-1

En la Figura # 2.14-1 , la frecuencia más baja de entrada del circuito es de 1 KHz ; cual es
el valor del capacitor C necesario para cortocircuitar efectivamente el punto E a tierra ?.

SOLUCIÓN:
RTH = R1 // R2
= 600  // 1K  = 375 

Aplicando la regla 10:1 , la Xc debe ser 10 veces menor que RTH para la frecuencia
más baja.
Xc ≤ 0.1(375)
Xc = 37.5 
Dado que:
Xc = 1 /(2 f C) despejando:
C = 1 / 2(1 KHz) (37.5 )
= 4.24 F
TRANSISTOR PNP

RELACIÓN DE CORRIENTES

Figura # 2.15

Para este arreglo los huecos son los portadores mayoritarios en el emisor.
(El 2N3906 es el complemento del 2N3904)

La figura # 2.16-a ilustra un transistor PNP 2N3906; polarizado a través de un divisor de

tensión y una fuente de tensión negativa de – 10 v. las polaridades de todas las corrientes y
todas las tensiones se encuentran invertidas comparadas con las del transistor NPN .
 Figura # 2.16

Igual que antes se cumple que:

IC =  IE + IcBo
IB = (1 –  IE – IcBo
Otra solución sería utilizar una fuente positiva como lo ilustra la figura # 2.16-b a través
del divisor de tensión. La tensión a través de R2 es aplicada al diodo emisor en serie con la
resistencia del emisor, que produce la corriente de emisor (IE ). La corriente de colector
(IC) circula a través de Rc, produciendo la tensión de colector con respecto a tierra.

CALCULO DE Vc, VB, VE.

1.- Obtener la tensión en R2
2.- Restar 0.7v para obtener la tensión en Re
3.- Calcular la IE
4.- Calcular la tensión de colector a tierra
5.- Calcular la tensión de base a tierra
6.- Calcular la tensión de emisor a tierra.

EJEMPLO 1: Calcule las 3 tensiones en el circuito de la figura # 2.16-a.

Pasos para determinar el punto Q :

 –10v (2.2 K/ 12.2K= –1.8v

VE = VB + 0.7v –1.8v + 0.7v = –1.1v

corriente en el emisor y colector :
IE = VE / RE –1.1v / 1 K= -1.1 mA
IE ≈ IC = -1.1 mA

voltaje colector – emisor VCE :

VC = –VCC - IC RC  – 10v- (-1.1 mA) (3.6 K) = – 6.04v

VCE = VC – VE = – 6.04v – (–1.1v) = – 4.94 v

EJEMPLO 2: Calcule las 3 tensiones en el circuito de la figura # 2.16-b.

Figura # 2.16-b

SOLUCIÓN:
Para determinar la tensión en R2 hacemos el cálculo para obtener la corriente a través del
divisor de tensión y multiplicarlo por R2.

  10v / 10K+ 2.2 K= 0. 82 mA

(analisis de un divisor de tensión para poder calcular I)

V R2 = (0. 82 mA) (2.2 K = 1.8v

voltaje en RE VE = 1.8v – 0.7v = 1.1v
corriente en el emisor IE = 1.1v / 1 K= 1.1 mA
Cuando la corriente de colector circula a través de la resistencia Rc, produce una tensión
con respecto de tierra dada por:
VC = (1.1 mA) (3.6 K) = 3.96v
La tensión de base con respecto de tierra es
 VB = (10 v) – (1.8 v) = 8.2 v
La tensión de emisor con respecto de tierra es:
VE = (10 v) – (1.1 v) = 8.9

UNIDAD 2 – 2

TRANSISTORES UNIPOLARES
Existen 2 tipos de transistores unipolares el JFET y el MOSFET.
FET (Field Effect Transistor).
2N3370 BF246B
2N4416 J202
2N5457 J309
2N5458 MPF102
2N5459 MPF3822
2N5462 MPF4857
2N5484 MPF4858
2N5486
2N5555 Potencia:
2N5640 VN10KM
2N5668
2N5670
2N5951

Es un dispositivo unipolar porque su operación solo depende de un tipo de carga,

(electrones libres o huecos) en otras palabras, un FET tiene portadores mayoritarios, pero
no portadores minoritarios.
Existen aplicaciones lineales en las que el FET se adapta mejor a causa de su alta
impedancia de entrada.
El FET es el dispositivo preferido para la mayoría de las aplicaciones de conmutación, pues
en el FET no existen los portadores minoritarios y por consecuencia puede ponerse en corte
más rapidamente ya que no hay carga almacenada.
En general los FET son más estables ante los cambios de temperatura que los transistores
bipolares, además normalmente los FET son mucho más pequeños que los bipolares; esto
los hace aptos para utilizarse en circuitos integrados, donde el tamaño es altamente crítico.
El termino Efecto de campo está relacionado con la zona de deplexión alrededor de cada
una de las regiones P (áreas sombreadas en la figura # 3.1 ).
 FIGURA # 3.1

En la figura # 3.1-a la compuerta de tipo P y la fuente de tipo N forman el diodo

compuerta – fuente el cual siempre se polariza inversamente. Debido a la polarización
inversa, la corriente de compuerta (IG) es aproximadamente cero; por esto el FET presenta
una resistencia de entrada casi infinita (alta impedancia de entrada).

Cuando la tensión de compuerta se hace más negativa, la zona de deplexión se expande y el

canal de conducción se hace más estrecho, (entre más negativa sea la compuerta, menor
será la corriente entre S y D).
Se dice que el FET es un dispositivo en modo de empobrecimiento (Depletion mode)
porque su conductividad depende del funcionamiento de las zonas de deplexión.
Un FET es un dispositivo controlado por tensión porque una tensión de entrada controla
una corriente de salida.
Si VGS es cero la corriente máxima de drenador (D) circulara a través del dispositivo.

CORRIENTE MAXIMA DE DRENADOR

a) Polarización Normal. b) Tensión de compuerta=0 c) ID de compuerta circuitada

FIGURA # 3.2

Si cortocircuitamos la compuerta (VGG = 0) obtendremos la corriente máxima de drenador

(VGS = 0).
La tensión mínima VP se denomina tensión de estrangulamiento y la tensión máxima es
VDS (max) y se llama tensión de disrupción.
IDSS es la corriente entre el drenador y la fuente cuando la compuerta esta cortocircuitada;
es la corriente máxima que el FET puede generar.

REGION OHMICA

En la figura # 3.3 la tensión de estrangulamiento VP , separa las 2 regiones principales de

funcionamiento del FET. La región casi horizontal es la región activa. La parte casi
vertical de la curva de drenador por debajo del punto de estrangulamiento es conocida
como la región óhmica .

FIGURA # 3.3

Cuando trabaja en la región óhmica un FET es equivalente a una resistencia cuyo valor es
aproximadamente:
RDS = Resistencia óhmica del FET
VP = Tensión de estrangulamiento
IDSS = Corriente entre drenador – fuente con la compuerta en cortocircuito.

TENSIÓN DE CORTE DE COMPUERTA

De la figura # 3.3 ; la curva inferior es de suma importancia . Observe que una tensión VGG
= – 4v reduce la corriente de drenador a prácticamente cero; esta tensión se denomina
tensión de corte compuerta – fuente VGS (off) .

Para esta tensión de corte, las zonas de deplexión se tocan, desapareciendo el canal de
conducción. De la figura # 3.3 VGS (off) = – 4v y VP = 4v ;
entonces se deduce que : VGS (off) = –VP

CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA
La curva de transconductancia es la gráfica de ID en función de VGS ; partiendo de la
figura # 3.3 podemos dibujar la curva mostrada por la figura # 3.4-a .
Cualquier FET tiene una curva de transconductancia como la mostrada; los puntos
extremos son IDSS y VGS (off) .

dispositivo de ley cuadrática

Cuando la tensión de compuerta es la mitad (½) de la tensión de corte, la corriente
de drenador es igual a un cuarto (¼) de la corriente máxima , ver figura 3.4-c
 Figura # 3.4

EJEMPLO 1: Calcular la resistencia óhmica para el FET que tiene como valores:
De la figura # 3.3; tomamos:
VP = 4v , IDSS = 10mA
SOLUCIÓN:
RDS = VP / IDSS
= 4v / 10mA = 400 

(Si el JFET opera en cualquier punto dentro de la región óhmica tendrá una resistencia
óhmica de 400 )

EJEMPLO 2: Calcular la resistencia óhmica y la tensión de corte G –S para el:

MPF4857, de su hoja de especificaciones se tiene:
VP = 6v , IDSS = 100mA

SOLUCIÓN:
RDS = VP / IDSS
= 6v / 100mA = 60 

Puesto que VP = 6v entonces: VGS (off) = –6v

EJEMPLO 3: Calcular la resistencia óhmica y el valor de VP para el:

2N5484 que tiene:
VGS (off) = –3v , IDSS = 5mA

SOLUCIÓN:

De: VGS (off) = –3v , entonces: VP = 3v

RDS = VP / IDSS
= 3v / 5mA = 600 
EJEMPLO 4: Calcular la tensión de compuerta en el punto medio de corte, la corriente
de drenador y su resistencia óhmica para el 2N5668 que tiene:
VGS (off) = – 4v , IDSS = 5mA

SOLUCIÓN:

De: VGS = – 4v / 2 = – 2v , ID = 5mA / 4 = 1.25mA

RDS = VP / IDSS
= 4v / 5mA = 800 

EJEMPLO 5: Calcular la tensión de compuerta en el punto medio de corte, la corriente

de drenador y su resistencia óhmica para el 2N55459 que tiene:
VGS (off) = – 8v , IDSS = 16mA

SOLUCIÓN:

De: VGS = – 8v / 2 = – 4v , ID = 16mA / 4 = 4mA

RDS = VP / IDSS
= 8v / 16mA = 500 
POLARIZACIÓN

El FET puede polarizarse en la región óhmica o en la región activa.

Cuando esta polarizado en la región óhmica, el FET es equivalente a una resistencia .
Cuando esta polarizado en la región activa el FET se comporta como una fuente de
corriente.

POLARIZACIÓN EN LA REGIÓN ÓHMICA

(POLARIZACIÓN DE COMPUERTA)
La polarización de compuerta es el peor método para polarización en la región activa ya
que el punto Q es muy inestable; más es perfecta para configurar la polarización en la
región óhmica ya que en este caso la estabilidad de Q no es importante, ver figura # 3.5.
(a) Polarización de compuerta. (b) Punto Q inestable en la región activa.
(c) Polarización en la región óhmica. (d) El FET es equivalente a una resistencia.

FIGURA # 3.5

Polarización óhmica VD= VDD – ID RD

ID(sat) = VDD/ RD
ID(sat) « IDSS

Si el FET tiene una IDSS =10mA la “saturación fuerte” se producirá si :

ID(sat) =1mA y VGS = 0v .
 EJEMPLO: Cual es la tensión de drenador en el circuito de la figura # 3.6 :

Figura # 3.6

SOLUCIÓN:
Puesto que: VP = 4v entonces: VGS (off) = – 4v
La tensión de entrada es – 10v y el FET está en corte por tanto la tensión de drenador es
VD = 10v. En los puntos A y B la tensión de entrada es cero.
ID(sat) = VDD/ RD
= 10v / 10 K = 1mA
Puesto que ID(sat) es « que IDSS ………….. 1mA (sat) « 10mA
el FET esta en saturación fuerte.
RDS = VP / IDSS
= 4v / 10mA = 400 
 = 10v(400  / 10.4 K) = 0.385v

Ojo divisor de tensión VD= VDD ( R2 / R1+ R2)

POLARIZACIÓN EN LA REGIÓN ACTIVA

Los circuitos amplificadores con dispositivos FET deben tener su punto Q en la región
activa .

AUTOPOLARIZACIÓN

La figura # 3.7 muestra un circuito de autopolarización.

(a)(b) Auto polarización. (c) Punto Q con auto polarización

Figura # 3.7

Dado que la corriente de drenador fluye a través de RS , existe una tensión entre la fuente y
tierra dada por:
VS = ID RS pero como; VG = 0 entonces:
VGS = – ID RS
(valor medio de RS = tensión compuerta – fuente = ½ tensión de corte)
Una aproximación para la resistencia media
 Resistencia óhmica RDS ≈ RS
NOTA:
Cuando esta aproximación se cumple VGS es aproximadamente la mitad (½)de la
tensión de corte; y la corriente ID es aproximadamente un cuarto (¼) de IDSS.

El punto Q de un circuito autopolarizado no es muy estable; por lo que solo se utiliza en

amplificadores de señal pequeña.

EJEMPLO: De la figura # 3.8 :

a).- Calcular la resistencia de fuente media RS .
b).- Calcular la tensión de drenador VD.

Figura # 3.8

SOLUCIÓN:
a) La autopolarización funciona bien si se utiliza una resistencia igual a la resistencia
óhmica :
RDS = 4v / 10mA = 400 
Por tanto : RS = 400 

b) Para este caso la corriente de drenador es aproximadamente:

ID = (¼) IDSS = 10mA / 4 = 2.5 mA

Entonces la tensión de drenador VD :

 VD = 30v – (2.5 mA) (2 K) = 25v

POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE TENSIÓN

La figura # 3.9 muestra un circuito de polarización por divisor de tensión.

Polarización mediante divisor de tensión.

Figura # 3.9

Restando la tensión compuerta – fuente obtenemos la tensión en la resistencia de fuente:

VS = VG – VGS
(Dado que VGS es negativa, la tensión de fuente será poco mayor que la tensión de
compuerta)
Dividiendo esta tensión de fuente entre la resistencia de fuente tendremos la corriente de
drenador:

≈ VG / R S (Idealmente)

Cuando se dispone de una tensión de alimentación elevada, la polarización por medio de

divisor de tensión puede proporcionar un punto Q estable.
En un amplificador, el punto Q tiene que encontrarse en la región activa. Esto significa que
VDS tiene que ser mayor que ID RDS (región óhmica) y menor que VDD (corte) .
Si se necesita determinar con más precisión el punto Q ; se puede utilizar un método
gráfico. Esto es especialmente aconsejable cuando los valores de VGS mínimo y máximo
difieren en varios volts.

EJEMPLO: Dibuje la recta de carga en continua y el punto Q para el

circuito de la figura # 3.9-a, utilizando el método ideal :

Figura # 3.9-a

SOLUCIÓN:
El divisor de tensión 3:1 produce una tensión de compuerta de 10v ; idealmente, la
tensión en la resistencia de fuente es :
Vs = 10v
La corriente de drenador es:
ID = 10v / 2 K = 5 mA
y la tensión de drenador es:
VD = 30v – (5 mA) (1 K) = 25v
La tensión drenador-fuente es:
VDS = 25v – 10v = 15v
La corriente de saturación en continua es:
ID (sat) = 30v / 3 K = 10 mA
y la tensión de corte es:
VDS (corte) = 30v
 TAREA:
Cambiar VDD = 24v ;
Obtenga : ID , VDS

TRANSCONDUCTANCIA

Se simboliza por gm y sus unidades son el mho . La unidad mho se define como la
relación entre la corriente y la tensión. Una unidad equivalente y más moderna es el
siemen (S). gm es la pendiente de la curva de transconductancia.
En la hoja de características del dispositivo también podrá encontrar el símbolo gfs en
lugar de gm.
Para analizar los amplificadores FET, necesitamos trabajar con la transconductancia; la
relación que la define es:
gm = id / VGS
La expresión dice que la transconductancia es igual a la corriente alterna del drenador
dividida entre la tensión alterna compuerta-fuente; (que tan efectiva es la tensión
compuerta-fuente controlando la corriente de drenador; a mayor transconductancia, más
control).
La figura # 3.10 muestra el circuito equivalente de alterna para el FET.
(a) Transconductancia. (b) Circuito Equivalente de alterna.
(c) Variación de gm.
Figura # 3.10

Entre la compuerta y la fuente hay una resistencia RGS muy grande; el drenador se
comporta como una fuente de corriente de valor gm VGS .

EJEMPLO: TRANSCONDUCTANCIA :
a).- Calcular la transconductancia para un FET con parámetros:

id = 0.2 mA p-p cuando VGS = 0.1v p-p

SOLUCIÓN:

gm = id / VGS 0.2 mA / 0.1v = 2 m Siemen

b).- Calcular:

id = 1 mA p-p cuando VGS = 0.1v p-p

SOLUCIÓN:

gm = id / VGS 1 mA / 0.1v = 10 m Siemen

El segundo caso indica que la compuerta es más eficiente controlando la corriente de

drenador.
TRANSCONDUCTANCIA Y TENSIÓN DE CORTE COMPUERTA-FUENTE

La magnitud VGS (off) es difícil de medir con precisión. Sin embargo IDSS y gmO
son fáciles de medir con alta precisión. A menudo VGS (off) se calcula con:

VGS (off) = – 2 IDSS / gmO

gmO = valor de transconductancia cuando VGS = 0

gm = gmO (1 –(VGS / VGS (off)))

Cambiar el valor de gm resulta útil en el control automático de ganancia .

 EJEMPLO: Un 2N5457 tiene :
IDSS = 5 mA y gmO = 5000 S
a).- Calcular el valor de VGS (off)
b).- A cuanto equivale gm cuando VGS = – 1

SOLUCIÓN:

a) VGS (off) = – 2 IDSS / gmO – 2 (5 mA)/ 5000 S = – 2 v

b) gm = gmO (1 –(VGS / VGS (off)))

= (5000 S) (1 –(–1v / –2 v))
= 2500 S
EL MOSFET (Metal - Oxide Semiconductor FET)

2N7000 (canal N)
2N7002
BS107
IRFD120
MPF930
VN10LM
VN2406L

El MOSFET se diferencía del FET en que la compuerta se encuentra aislada del canal; por
esta razón la corriente de compuerta es aún más pequeña que en el FET.
En ocasiones al MOSFET se le denomina IGFET (Insulated – Gate FET).

Existen 2 clases de MOSFET; el tipo que opera en modo de empobrecimiento (D-

MOSFET) y el tipo que opera en modo de enriquecimiento (E-MOSFET).

El de modo de empobrecimiento (Depletion-mode) se aplica en las primeras etapas de los

circuitos de comunicaciones de alta frecuencia (amplificadores de RF), aunque su
utilización ha disminuido notablemente; ver figura # 3.11.

(a) D-MOSFET compuerta negativa (b) D-MOSFET compuerta positiva

MOSFET en modo de empobrecimiento
 (a) Canal N. (b) Canal P.
Símbolos esquemáticos del D-MOSFET.

(a) Curvas de drenador. (b) Curvas de transconductancia

MOSFET en modo de empobrecimiento de canal N.
Figura # 3.11

El de modo de enriquecimiento (Enhancement-mode) se usa tanto en circuitos discretos

como en integrados.
En los circuitos discretos se aplica principalmente a circuitos de conmutación de
potencia, (suministrar y bloquear altas corrientes).
En los circuitos integrados se aplica principalmente en circuitos de conmutación digitales
(computadoras modernas).

NOTA: Sin el E-MOSFET las computadoras personales no existieran.

La figura # 3.12 muestra un dispositivo E-MOSFET tipo canal N; la flecha apunta a la

capa de inversión . El sustrato P se extiende hasta tocar el dióxido de silicio (SiO2).
También existen del tipo canal P donde la flecha apunta hacia fuera.
 MOSFET en modo de enriquecimiento
Figura # 3.12

Un E-MOSFET es un dispositivo que normalmente está en corte cuando la tensión de

compuerta es igual a cero; por tanto la corriente entre la fuente y el drenador es cero.

La única forma de obtener una corriente es con una tensión de compuerta positiva. El
efecto es el mismo que crear una delgada zona de material tipo N junto al dióxido de
silicio; esta delgada capa conductora se denomina capa de inversión de tipo N.

La tensión VGS mínima que crea la capa de inversión se denomina tensión de umbral y se
designa VGS (umbral) . Valores típicos de VGS(umbral) para dispositivos de pequeña
señal varían entre 1 y 3 v.

El E-MOSFET se clasifica como un dispositivo en modo de enriquecimiento; porque una

tensión de compuerta mayor que la tensión de umbral enriquece (aumenta) su
conductividad; con una tensión de compuerta de cero , un E-MOSFET está en corte.
NOTA: mientras que un JFET conducirá.

La polarización de compuerta, polarización mediante divisor de tensión y la

polarización de fuente son métodos de polarización para los E-MOSFET.
La autopolarización , polarización mediante fuente de corriente, o emplear polarización
cero; no se pueden utilizar porque estas formas de polarización dependen del
funcionamiento en modo de empobrecimiento.

CURVAS DE DRENADOR
La figura # 3.13 muestra un conjunto de curvas de drenador de un E-MOSFET de pequeña
señal típico.
 Graficas del E-MOSFET.
(a) Curvas de drenador. (b) Curva de transconductancia.
Figura # 3.13

Un E-MOSFET de pequeña señal tiene una limitación de potencia de 1 W o menor.

Cuando VGS es mayor que VGS(umbral) el dispositivo conduce y la corriente de drenador
está controlada por la tensión de compuerta.

Cuando el E-MOSFET esta polarizado en la región óhmica, es equivalente a una

resistencia. El principal uso del E-MOSFET es en la región óhmica ; aunque puede operar
también en la región activa.
Cuando está polarizado en la región activa es equivalente a una fuente de corriente.
No habrá corriente de drenador hasta que VGS = VGS(umbral). La corriente de drenador
entonces aumenta rápidamente hasta que alcanza la corriente de saturación (ID(sat)) .
Por encima de este punto , el dispositivo estará polarizado en la región óhmica, por tanto ID
no puede aumentar, incluso aunque VGS aumente.
Para garantizar la saturación se utiliza una tensión de compuerta VGS(on) muy por encima
de VGS(umbral).

TENSIÓN MAXIMA COMPUERTA-FUENTE

La capa aislante de dióxido de silicio debe ser tan delgada como sea posible, con el fin de
proporcionar a la compuerta el máximo control sobre la corriente de drenador.
El inconveniente de que la capa aislante sea tan delgada es que puede ser destruida
fácilmente mediante una tensión compuerta-fuente excesiva.
Pongamos por ejemplo el caso del 2N7000 ; su hoja de especificación establece una
tensión VGS(max) = ± 20v. Si la tensión se hace más positiva que +20v o más negativa
que –20v , la capa aislante se destruirá.

Existen también otros medios más sutiles (y no tomados en cuenta) que destruyen la capa
aislante.
Una carga estática puede ser aplicada al dispositivo con solo manipularlo indebidamente,
o si se extrae o desmonta (o instala) en un circuito estando la alimentación conectada.
Esta es la razón por la que los E-MOSFET se suministran con un anillo al derredor de las
terminales, en papel aluminio o insertados en espuma conductora.
Los dispositivos MOSFET son delicados y pueden destruirse fácilmente; deben
manipularse con cuidado antes de retirarlo de un circuito, el técnico debe conectarse a tierra
o chasis; no debe nunca conectarlos o desconectarlos estando la alimentación conectada.
LA REGIÓN ÓHMICA

El E-MOSFET se utiliza principalmente como dispositivo de conmutación. La tensión de

entrada típica es bien un nivel bajo o un nivel alto.
Nivel bajo = 0
Nivel alto = VGS(on)

RESISTENCIA DRENADOR-FUENTE EN CONDUCCIÓN

En la región óhmica el MOSFET es equivalente a una resistencia RDS (on) ; las hojas de
características especifican el valor de esta resistencia para una corriente de drenador y una
tensión compuerta-fuente determinadas.

Medida de RDS (on)

Figura # 3.14

En la figura # 3.14 el fabricante mide ID(on) y VDS(on) en el punto Q(prueba) en la

región óhmica de la curva VGS = VGS(on), y partiendo de este punto calcula el valor de
RDS (on) con:
RDS (on) =VDS(on) / ID(on)
EJEMPLO 1: Encontrar el valor de VDS (on) en el punto de prueba , para el
VN2406L .

SOLUCIÓN:

De la tabla 14.1 obtenemos: ID(on) = 100 mA

RDS (on) = 10 

Considerando: VDS (on) = RDS (on) ID(on)

= (10  (100 mA)
VDS(on) = 1v
POLARIZACIÓN DE LA REGIÓN ÓHMICA

ID(sat) menor que ID(on) con VGS = VGS(on) asegura la saturación.

Figura # 3.15

En la figura # 3.15a la corriente de saturación de drenador del circuito es:

ID(sat) ≈ VDD / RD
y la tensión de corte de drenador es VDD.

La figura # 3.15b muestra la recta de carga para continua entre una corriente de saturación
(ID(sat)) y la tensión de corte (VDD) .

Un E-MOSFET esta polarizado en la zona óhmica cuando se satisface la condición :

ID(sat) = ID(on) cuando, VGS = VGS(on) (14.3)

La ecuación 14.3 es importante ya que nos indica si un E-MOSFET está funcionando en la

zona activa o en la zona óhmica.
EJEMPLO 2: Cual es la tensión de salida en la figura # 3.16 para el 2N7000

SOLUCIÓN:

Los valores mas importantes de la tabla 14.1 son :

ID(on) = 75 mA ,
VGS (on) = 4.5v ,
RDS (on) = 6 

Conmutación entre el corte y la saturación.

Figura # 3.16

Como la tensión de entrada oscila entre 0v y 4.5v ; entonces conmuta entre corte y
conducción . Calculando la corriente de saturación de drenador :
 ID(sat) = VDD / RD 20v / 1K  = 20 mA
La figura # 3.16b representa la recta de carga para continua. Como 20mA es menor
que 75 mA (valor de ID(on)) ; entonces esta polarizado en la zona óhmica cuando la
tensión de compuerta es alta.

Al tener el E-MOSFET una resistencia de 6  (figura # 3.16c) la tensión de salida es:

= (20v) 6  / 1K  + 6  = 0.12v .
= 120 mv

Por otro lado cuando VGS es baja el E-MOSFET está abierto (figura # 3.16d) y la
tensión sube hasta la tensión de alimentación.
V (out) = 20v .

EJEMPLO 3: Cual es la corriente en el LED de la figura 3.17.

Encendido y apagado de un diodo LED

Figura # 3.17

SOLUCIÓN:
Cuando VGS es baja el LED esta apagado. Cuando VGS es alta el E-MOSFET entra en
saturación fuerte.
Considerando la caída de tensión por el LED = 2v, su corriente será:

ID = 20v – 2v /1K  + 6 
= 17.89 mA

EJEMPLO 4: Para un dispositivo VN2406L ;

a).- Cual será el comportamiento del circuito en la figura 3.18 , si una corriente de
30 mA o más cierra los contactos del Relevador ? .
b).- Cual sería la corriente máxima en la carga ? .

La señal de la corriente de entrada a nivel bajo controla la alta corriente de salida.

Figura # 3.18

SOLUCIÓN:

a).- De la tabla 14.1 obtenemos los valores de:

ID(on) = 100 mA , RDS (on) = 10 

El E-MOSFET se utiliza para conectar y desconectar el Relevador. Como el inductor del

relevador tiene una resistencia inductiva de 500 la corriente de saturación es:

ID(sat) = VDD / RD + RDS (on) 24v / 500  10  = 47.05 mA

Como este valor es menor que la ID(on) el dispositivo tendrá una resistencia de
solo 10 

b).- La corriente máxima en la carga es:

I(max) carga = 120v / 15  = 8 A .

CONMUTACIÓN DIGITAL

Porqué el E-MOSFET ha revolucionado la industria informática ?. Porque su tensión de

umbral es ideal para emplearlo como dispositivo de conmutación .
Cuando la tensión de compuerta está muy por encima de la tensión de umbral, el
dispositivo conmuta de corte a saturación. Esta acción OFF-ON es la clave en la
construcción de las computadoras.
Una computadora normal emplea millones de dispositivos E-MOSFET como conmutadores
para procesar los datos (Datos que incluyen: números, textos, gráficos, y todo tipo de
información que se codifica como números binarios).

Los circuitos de conmutación pueden ser aplicables a circuitos que activan motores,
lámparas, calefacción y otros dispositivos que emplean corrientes altas.

CONMUTACIÓN CON CARGA ACTIVA

Los circuitos integrados están formados por miles de transistores microscópicos , Bipolares
ó MOS. Los primeros circuitos integrados empleaban resistencias de carga pasivas; ver
figura 3.19.

Carga pasiva
 Figura 3.19

Una resistencia de carga pasiva RD presenta un problema importante; físicamente es

mucho más grande que un MOSFET. En cambio, la resistencia de carga activa reduce el
tamaño de los circuitos integrados, impulsando al desarrollo de la computadora personal
que conocemos actualmente.

En la figura 3.20 se pude observar que el MOSFET inferior se comporta como conmutador,
pero el MOSFET superior se comporta como una resistencia de valor alto.

(a) Carga activa. (b) VGS = VDS Produce la curva para dos terminales

Figura 3.20

RD =VDS(activa) / ID(activa)

VDS(activa) = Tensión en la región activa

ID(activa) = Corriente en la región activa

RD » RDS (on) del MOSFET inferior.

De la figura 3.20; el MOSFET superior se comporta como una RD = 5 K y el inferior

como RDS (on) = 667 

Como se calcula la resistencia RD del MOSFET superior?:

De la gráfica de la figura 3.20-c tomamos:
1°.- RD = 15v / 3 mA = 5 K
el siguiente hacia abajo:
2°.- RD = 10v / 1.6 mA = 6.25 K
el punto inferior:
3°.- RD = 5v / 0.7 mA = 7.2 K
Finalmente calculando para determinar RDS (on) tendremos:

RDS (on) = 2v / 3 mA = 667 

CMOS

En la conmutación con carga activa, el consumo de corriente con una salida a nivel bajo es
aproximadamente igual a ID(sat).
Esto puede ser problemático en los equipos que funcionan con baterías. Una forma de
reducir el consumo de corriente en los circuitos digitales consiste en utilizar dispositivos
CMOS (Complementary MOS) ; donde se combinan transistores MOSFET de canal N
y de canal P.
En la figura 3.21 , Q1 es un MOSFET de canal P y Q2 es un Mosfet de canal N . Estos
dispositivos son complementarios; es decir VGS(umbral), VGS(on), ID(on) son iguales
pero de signo opuesto.

Inversor CMOS. (a) Circuito, (b) Grafica de entrada-salida

Figura 3.21

FUNCIONAMIENTO BASICO

En una aplicación de conmutación, de la figura 3.21 ; la tensión de entrada es :

o nivel bajo = 0 , o nivel alto = + VDD.
Cuando la tensión de entrada es alta, Q1 no conduce y Q2 si conduce ; en este caso Q2 se
comporta como corto circuito y la tensión de salida disminuye hasta el nivel de tierra.
Cuando la tensión de entrada es baja, Q1 conduce y Q2 no conduce ; ahora Q1 se comporta
como corto circuito y la tensión de salida aumenta hasta + VDD.
Como la tensión de salida esta invertida , este circuito se denomina CMOS Inversor.
La ventaja más importante del CMOS es su extremadamente bajo consumo de potencia;
puesto que ambos MOSFET están conectados en serie el consumo de corriente en reposo
está determinado por el dispositivo que no conduce, por tanto, su resistencia es del orden de
Megohms y su consumo de potencia se aproxima a cero (en reposo o inactividad).