Transistor Es

ELECTRÓNICA
Dr. Ing. Claudio Valencia Cordero
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica

Facultad de Ingenierı́a
Universidad de Santiago de Chile
2 - 2021
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS: Transistores - BJT - FET - MOSFET
Dr. Ing. Claudio Valencia Cordero (USACH) ELECTRÓNICA 2 - 2021 1 / 51

BJT & MOSFET
Datos:
X Aunque el MOSFET se conocı́a previamente, no fue hasta las décadas de 1970 y
1980 cuando se convirtió en un serio competidor del BJT.
X Para 2014, el MOSFET fue el dispositivo electrónico más utilizado, y la tecnologı́a
CMOS, la tecnologı́a de elección en el diseño de circuitos integrados.
X Sin embargo, el BJT sigue siendo un dispositivo significativo que sobresale en
ciertas aplicaciones.
Circuitos de muy alta frecuencia y alta velocidad.
X Los BJT se pueden combinar con MOSFET para crear circuitos que aprovechan la
alta impedancia de entrada y la operación de baja potencia de los MOSFET y la
operación de muy alta frecuencia y la capacidad de conducción de alta corriente de
los BJT. (BiCMOS).

BJT - Funcionamiento básico
Un transistor bipolar npn (Transistor Bipolar de Unión - BJT ) está formado por una fina
capa de material tipo p entre dos capas del material tipo n. Estas capas se denominan
emisor, base y colector.

Corrientes en un transistor
Normalmente trabaja como amplificador, la unión base-emisor está directamente
polarizada y la unión base-colector está inversamente polarizada. Llamamos a esto
región activa de funcionamiento.
La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor. La corriente

de base es muy pequeña comparativamente, a menudo menor al 1 por 100 de la
corriente del colector.
NPN Correctamente Polarizado

Relación de corrientes
Formalmente:
X Utilizando KCL en el transistor, se obtiene la siguiente relación: IE = IC + IB
X La corriente de Colector, puede definirse como:
IC = IS e VBE /VTH (1)
X Notar también que IB << IC . Por lo que se podrı́a considerar que IC ∼ IE .

X Ebers y Mall demostraron una relación proporcional entre IC y IB , dada por:
IC
IB = (2)
βdc
Donde βdc Ganancia de corriente Emisor-Común.

Ganancia de corriente
X Entonces reemplazando (1) en (2), tenemos:

IS
IB = e VBE /VTH
βdc
X Como IE = IC + IB se puede decir entonces que:

βdc + 1
IE = IS e VBE /VTH
βdc

βdc
X De la ecuación (1), se tiene entonces que IC = IE . Aquı́
βdc + 1
βdc
αdc =
βdc + 1
Donde αdc Ganancia de corriente Base-Común.
Como la corriente de colector es casi igual a la de emisor, α es 0,95 en alta
potencia y 0,99 en transistores de baja potencia.

Modelo Equivalente
a) Fuente de corriente no lineal controlada por voltaje. b) Fuente de corriente no lineal

controlado por corriente. c) Fuente de corriente controlada por voltaje. d) Fuente de
corriente contralada por corriente.
Ejemplo
Un transistor npn que tiene IS = 10−15 A, VTH = 25mV y β = 100 se conecta de la

siguiente manera: el emisor está conectado a tierra, la base se alimenta con una
fuente de corriente constante que suministra una corriente continua de 10µA, y el
colector está conectado a un VCC = 5V a través de una resistencia RC de 3kΩ .
Suponiendo que el transistor está funcionando en el modo activo,
1 Encuentre VBE y VCE .
2 Use estos valores para verificar el funcionamiento en modo activo.
3 Reemplace la fuente de corriente con una resistencia conectada desde
la base al suministro de 5V . ¿Qué valor de resistencia se necesita para
dar como resultado las mismas condiciones de operación?

Curva caracterı́stica de entrada y salida en
emisor común
1 Curva Caracterı́stica de Entrada se obtiene aplicando ley de ohm a la resistencia

de la base, la cual se debe encontrar polarizada.
Polarizacion VBE = 0,7 [V ] (3)

VBB − VBE
IB = (4)
RB
X A medida que VCE se reduce hasta cero, la corriente IC se hace más pequeña y
acabarı́a por invertir su dirección si VCE se redujera por debajo de cero.

emisor común
2 Curva Caracterı́stica de Salida se obtiene aplicando LVK.
VCC = IC RC + VCE
X De aquı́ se obtienen dos relaciones. IC & VCE como:

1 VCC
IC = − VCE +
RC RC
y la relación VCE & IB como:
VCE = VCC − IC RC , ya que IC = βdc IB , entonces
VCE = VCC − βdc IB RC .
X Aunque VCC aumente la IC se mantiene y esta cambia solo con IB . Asumiendo un
comportamiento estable βcd .
X Por lo tanto, midiendo IC y VCE , se obtienen los datos para una curva de IC , en
función de VCE .
X Ejemplo. En una configuración Emisor-Común se tiene que la VBB = 10V ,
RB = 930K , RC = 10K , βCD = 100, VCC =variable. Determinar la relación entre
VCC y VCE , y la relación IC y IB . Cambiar RB = 465K y determinar la relación IC y
IB .

emisor común
2 Curva Caracterı́stica de Salida.
X La corriente de colector es constante para una VCE superior a aproximadamente,

0,2 V .

Zonas de operación
El transistor puede trabajar en tres zonas o regiones de funcionamiento, las cuales se
aprecian en la figura .
Mediante la lı́nea de carga y la curva caracterı́stica de salida se puede determinar de

manera gráfica las regiones de saturación, activa y corte.

Zona activa
Esta es la zona más importante, ya que representa el funcionamiento normal del

transistor, usualmente utilizado como un amplificador de corriente. En ella el diodo de
emisor es polarizado en directa y el diodo de colector tiene polarización inversa. Además,
el colector se encuentra recogiendo casi todos los electrones que el emisor ha enviado a
la base.
Por ello, los cambios en la tensión de colector no tienen efecto sobre la corriente de
colector. Gráficamente, la zona activa es la parte horizontal de la curva. En otras
palabras, la corriente de colector es constante en esta zona.

Zona de saturación
En este modo de operación, ambas uniones emisor-base y colector-base están

polarizadas directamente. La corriente fluye libremente desde el colector hacia el emisor
cuando el voltaje VBE es alto. Por esto, tendrá un comportamiento similar al de un
interruptor estando cerrado (ON) .
En la gráfica anterior, corresponde a la región inclinada de la curva. En esta zona, el

diodo de colector tiene insuficiente tensión positiva para recoger todos los electrones
libres inyectados en la base.

Zona de saturación
X Notar que la corriente de base, IB es mayor de lo normal, y la ganancia de

corriente β , es menor de lo normal βsat < βcd . Por lo tanto:
βsat
IC (sat) =
IB
X Para el diseño de un circuito de conmutación, se escogerá: βsat /2

X Por lo tanto, se puede despejar la IB y se obtiene un RB para que el transistor
trabaje en la zona de Saturación.
X Observación: Desde un punto de vista practico, se utiliza la regla 10 : 1 (RB
respecto RC ). Ej: Si RB = 10K , entonces RC = 1K , valido solo si VBB = VCC

Zona de corte
Para que el transistor entre en corte IC tiene que ser cero IC = 0, lo cual ocurre si
IB = 0, y esto será cuando VBB = 0.
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentación del circuito. El transistor nunca debe funcionar en ella, ya que en tal caso
seria altamente probable su destrucción o bien su degradación. A diferencia del diodo
Zener, que esta adaptado para la zona de ruptura, un transistor no esta diseñado para
funcionar en dicha zona.

Análisis AC circuito de entrada en emisor
común
Aplicando KVL en el circuito de polarización npn, se obtiene:
VBB + vin (t) = RB ∗ IB (t) + VBE (t) (5)

Análisis AC circuito de entrada en emisor
común
Esta ecuación nos permite determinar la lı́nea de carga para las curvas caracterı́sticas
de entrada del transistor.
La ecuación (5) representa la restricción impuesta a los valores de iB y VBE por el

circuito externo. Adicionalmente, IB y vBE deben corresponderse con las curvas
caracterı́sticas del dispositivo. Los valores que satisfacen ambas restricciones son los
de la intersección de la lı́nea de carga y las curvas caracterı́sticas del dispositivo.

Análisis AC circuito de salida en emisor
común
Aplicando KVL a la salida del transistor y buscando el punto de trabajo Q, se obtiene:
VCC = RC IC + VCE (6)
transistor existe una variación en el

comportamiento de la ganancia de
corriente βcd .
X Por Ejemplo, si vin = 0 con
VBB = 15V , RB = 576K , RC = 3K
VCC = 15V , βcd = 100. Determinar
el punto de trabajo VCE , IC
X ¿Qué pasará si βcd aumenta?, por ej.
βcd = 150
X Observación βcd : Por el cambio de X ¿Qué pasará si βcd disminuye?, por
temperatura y flujo de corriente en el ej. βcd = 50

Análisis AC circuito de salida en emisor
común
Aplicando KVL a la salida del transistor en la misma configuración con una fuente
alterna Vin .
RC = 220, βcd = 100. Encontrar el

punto de carga Q
X A medida que vin varı́a, iB también lo

hará, lo que provoca que el punto de
trabajo instantáneo oscile por sobre y
debajo la lı́nea de carga en las curvas
caracterı́sticas de salida.
Tı́picamente, se podrá observar que
la componente de alterna vCE
tendrá una mayor amplitud que
vin (t), mostrando ası́ que ha
X Asumiendo VBB = 3,7V , ocurrido una amplificación de la
VCC = 10V , Vp = 1V , RB = 10K , señal de entrada.

Polarización Automática
A fin de reducir el efecto de la variación de βcd se puede utilizar la polarización mediante

divisor de tensión. Para su análisis se pueden emplear los siguientes pasos.
1 Calcular el voltaje de Thevenin:

R2
VBB = VCC
R1 + R2
2 Calcular el Voltaje en
VE = VBB − VBE
VE
3 Entonces, IE =
RE
4 También se cumple que IC ≈ IE .
5 VC = VCC − IC RC
6 VCE = VC − VE
Notar que el desplazamiento del punto de trabajo depende de escoger RE . Si RE

grande, entonces Q se desplaza a la zona de corte. Si RE pequeña, entonces Q se
desplaza a la zona de saturación.

Transistor PNP
Para un funcionamiento correcto como amplificador, las polaridades de las tensiones de
continua que se apliquen al dispositivo pnp deben ser opuestas a las del npn. Además,
las corrientes fluyen en sentidos opuestos.
Aparte de las diferencias en la polaridad de las tensiones y del sentido de la corriente, los
dos tipos de dispositivos son muy similares. Emplean una pequeña corriente de base y un
voltaje negativo en la base para controlar altas corrientes en la unión emisor-colector.
Esto se traduce en un emisor con mayor potencial (más positivo) respecto a la base y el
colector.
Transistores de Efecto de Campo - FET
Principal Diferencia con el BJT:

BJT es un transistor controlado por Corriente, y el FET es un
transistor controlado por voltaje.
FET tiene una alta impedancia comparado al BJT (de 1 a cientos de
MegaOhmios).
Las ganancias de voltaje de C.A. tı́picas para amplificadores BJT son
mucho mayores que los FET (BJT es mas sensible a los cambios de
la señal).
Los FET son mas estables a los cambios de temperatura y mas
pequeños.

Junction Field Effect Transistor
Corresponde a un FET de unión de canal n, es decir , no posee uniones PN. En su lugar
tiene una pieza estrecha de material semiconductor de alta resistividad formando un
canal de silicio de tipo N o tipo P para que fluya la corriente a través de dos conexiones
eléctricas óhmicas en cualquiera de los extremos comúnmente llamado drenaje y fuente
respectivamente.
Un JFET tipico tiene una resistencia de entrada de cientos de megaohmios. Esta es la

gran ventaja que tiene un JFET sobre un transistor bipolar.

JFET
Al aplicar una polarización inversa entre la puerta y el canal (PN), una capa del canal
adyacente a la puerta se convierte en no conductora. A esta capa se la llama zona de
carga espacial o de deplexión. Cuanto mayor es la polarización inversa, más gruesa se
hace la zona de deplexión. Al final, la zona no conductora ocupa toda la anchura del
canal, y ocurre un fenómeno llamado estrangulamiento (pinch-off).
Por tanto, la resistencia entre drenador y fuente depende de la polarización puerta-canal.

Pinch-off
La tensión de estrangulamiento Vto de un determinado dispositivo es el valor de la
polarización puerta-canal que se necesita para que la zona de deplexión ocupe toda la
anchura del canal. Normalmente suele ser de unos pocos voltios, y es negativa en los
dispositivos de canal n.
El sı́mbolo Vto denotará la tensión de estrangulamiento de un JFET como la tensión

umbral de un MOSFET. Durante el trabajo normal de un dispositivo de canal n, el
drenador es positivo con respecto a la fuente. La corriente entra en el drenador a través
del canal, procedente de la fuente. Como la resistencia del canal depende de la tensión
puerta-fuente, la corriente de drenador se controlará con esa tensión.

Curva caracterı́stica
Notar que, tras alcanzarse la tensión de estrangulamiento, la corriente de drenador se
hace casi constante para posteriores incrementos de vDS .
Para valores pequeños de vDS , el FET se comporta como una resistencia situada entre
drenador y fuente. Además, el valor de la resistencia está controlado por vGS . Si vGS es
menor que la tensión de estrangulamiento, la resistencia se convierte en un circuito
abierto y decimos que el dispositivo está en corte.

Región Ohmica (Triodo)
El JFET puede ser empleado como un resistor variable que es controlado por el voltaje
aplicado en la compuerta. (vDS < Vto ).
Si vGS se hace mas pequeño (mas negativo) la pendiente de la curva se hace cada vez
mas horizontal, lo que corresponde a una resistencia cada vez mas grande.
R0
RD = 2
vGS
1−
Vto
Aquı́ R0 = |Vto |/iDSS es la Resistencia con VGS = 0. Notar también que vDS = iD RD .

Ruptura
Normalmente, la polarización inversa de mayor magnitud tiene lugar en el extremo del
canal correspondiente al drenador, por lo que la ruptura ocurre cuando vDG = vDS − vGS
sobrepasa el valor de la tensión de ruptura VB .
La ruptura tiene lugar para valores cada vez más pequeños de vDS a medida que vGS se
aproxima a la tensión de estrangulamiento.Los FET no suelen trabajar en la región de
ruptura.

Simbologı́a JFET

Resumen
X La corriente máxima ocurre cuando VGS = 0 y VDS ≥ |Vto |.

X Para todos los niveles de VGS entre 0 y el nivel de estrangulamiento, la corriente
oscilará entre IDSS y 0A.

Caracterı́sticas de Transferencia
X Recordar que para un BJT IC = f (βcd ).

X Para JFET, no hay una relación lineal entre iD y vGS y esta dada por Ecuación de
Shockley:
2
vGS
iD = iDSS 1 −
Vto

Polarización Ohmı́ca
X Polarización de Puerta:
VDS = VDD − ID RD

X Polarización de Puerta: Un 2N5459 tiene la 4mA ≤ IDSS ≤ 16mA y

−8V ≤ Vto ≤ −2V
VDS = VDD − ID RD

X Polarización de Puerta: Un 2N5459 tiene la 4mA ≤ IDSS ≤ 16mA y
−8V ≤ Vp ≤ −2V
VDS = VDD − ID RD

Ej. Suponga un transistor JFET con la configuración de Polarización de Puerta, que

tiene como iDSS = 10mA, Vto = −4V . La VGG varia entre −10V y 0V , la
VDD = 10V , RD = 10kΩ. ¿Cuál será la tensión vDS ?


X Aquı́ VDD = 10V , iD(sat) = VDD /RD = 1mA. Recordar que R0 = Vto /iDSS = 100Ω.


X Aquı́ VDS = 10V , iD(sat) = VDD /RD = 1mA. Recordar que R0 = Vto /iDSS = 100Ω.
X Por lo tanto: VDS = 10x400/(10K + 400) = 0, 385.

Ecuaciones importantes
Cuando un JFET funciona en la zona óhmica actua como una resistencia pequeña con
un valor aproximado de:
Vto
RDS = (7)
IDSS
Siendo RDS la resistencia óhmica del JFET. La fórmula que recuerda que la tensión
puerta-fuente de corte es igual al valor negativo de latensión de estrangulamiento es:
VGS(off ) = −Vto (8)
Cuando la corriente drenador circula por RD , se produce una tensión de drenador de:
VD = VDD − ID ∗ RD (9)
El limite superior de la recta de carga para corriente continua tiene una corriente de
saturación de drenador de:
VDD
ID(sat) = (10)
RD
Para que el JFET esté polarizado en la zona óhmica, se tiene que usar:
VGS = 0 (11)

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
La estructura fı́sica de un MOSFET de acumulación de canal n (también
conocido por transistor NMOS) se compone por los terminales drenador (D),
puerta (G), fuente (S) y sustrato (B).
Las caracterı́sticas del dispositivo dependen de L, W y de parámetros de

fabricación tales como el nivel de dopaje y la anchura del óxido. Normalmente, los
parámetros de fabricación ya están predeterminados, pero el diseñador de
circuitos puede ajustar L y W para obtener el dispositivo que mejor se adapte
para una determinada aplicación.
MOSFET de deplexión
La principal diferencia de funcionamiento entre el JFET de canal n y el

MOSFET de deplexión de canal n reside en el hecho de que el
MOSFET puede funcionar con valores positivos de vGS
Normalmente, esto no ocurre con el JFET, ya que darı́a como resultado

una polarización positiva de la unión puerta-canal

Curva Caracterı́stica
A medida que aumenta vDS , el canal se estrecha en el extremo del

drenador, e iD se incrementa con más lentitud. Por último, para
vDS > vGS − Vto , iD permanece constante.

Curva Caracterı́stica
Notar que cuando VGS < Vto la Corriente tiende a cero. Si la VGS > Vto
la iD > 0.

En conclusión el MOSFET

Corriente drenador en función de vGS
Las curvas caracterı́sticas de salida de los dispositivos son casi idénticas,

y las ecuaciones proporcionadas anteriormente para el JFET de canal n
también se pueden aplicar al MOSFET de deplexión de canal n.
El parámetro IDSS resulta útil para caracterizar los JFET y los MOSFET
de deplexión, pero no los MOSFET de acumulación.

Suponga el siguiente circuito:
Aquı́: VDD − iD RD − VDS , entonces la iD(sat) = VDD /RD y la tensión de

corte VGS = VDD . Entonces si iD(sat) < iD(on) cuando vGS = vGS(on)
entonces el transistor esta polarizado en zona Ohmica, que es equivalente
a una pequeña resistencia RDS = vDS(on) /iD(on) .

Suponga el siguiente circuito:
Aquı́: VDD − iD RD − VDS , entonces la iD(sat) = VDD /RD y la tensión de

corte VGS = VDD . Entonces si iD(sat) < iD(on) cuando vGS = vGS(on)
entonces el transistor esta polarizado en zona Ohmica, que es equivalente
a una pequeña resistencia RDS = vDS(on) /iD(on) .

Del circuito suponga que tiene un transistor 2N7000, donde

VGS(on) = 4, 5V , iD(on) = 75mAV RDS(on) = 6Ω, ¿Cuál será la
tensión de salida?, teniendo un VDD = 20V , VGS = 4, 5 − 0V ,
RD = 1K Ω.


RD = 1K Ω.
Aquı́, como el voltaje de entrada varia entre 0 y 4, 5V , el dispositivo
funciona como en corte y conducción.


RD = 1K Ω.
Aquı́, como el voltaje de entrada varia entre 0 y 4, 5V , el dispositivo
funciona como en corte y conducción.
La recta de carga tiene: iD(sat) = VDD /RD = 20mA y
VDS = VDD = 20V .
Como 20mA < 75mA entonces el transistor polarizado en zona
ohmica.
El voltaje de salida es: Vout = 20x6/(1K + 6) = 0, 12V .

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La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor. La corriente

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IC = IS e VBE /VTH (1)

X Notar también que IB << IC . Por lo que se podrı́a considerar que IC ∼ IE .

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X Entonces reemplazando (1) en (2), tenemos:

X Como IE = IC + IB se puede decir entonces que:

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a) Fuente de corriente no lineal controlada por voltaje. b) Fuente de corriente no lineal

Un transistor npn que tiene IS = 10−15 A, VTH = 25mV y β = 100 se conecta de la

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1 Curva Caracterı́stica de Entrada se obtiene aplicando ley de ohm a la resistencia

Polarizacion VBE = 0,7 [V ] (3)

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X De aquı́ se obtienen dos relaciones. IC & VCE como:

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2 Curva Caracterı́stica de Salida.

X La corriente de colector es constante para una VCE superior a aproximadamente,

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Mediante la lı́nea de carga y la curva caracterı́stica de salida se puede determinar de

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Esta es la zona más importante, ya que representa el funcionamiento normal del

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En este modo de operación, ambas uniones emisor-base y colector-base están

En la gráfica anterior, corresponde a la región inclinada de la curva. En esta zona, el

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X Notar que la corriente de base, IB es mayor de lo normal, y la ganancia de

X Para el diseño de un circuito de conmutación, se escogerá: βsat /2

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En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

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Aplicando KVL en el circuito de polarización npn, se obtiene:

VBB + vin (t) = RB ∗ IB (t) + VBE (t) (5)

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La ecuación (5) representa la restricción impuesta a los valores de iB y VBE por el

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VCC = RC IC + VCE (6)

transistor existe una variación en el

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RC = 220, βcd = 100. Encontrar el

X A medida que vin varı́a, iB también lo

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A fin de reducir el efecto de la variación de βcd se puede utilizar la polarización mediante

1 Calcular el voltaje de Thevenin:

Notar que el desplazamiento del punto de trabajo depende de escoger RE . Si RE

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Principal Diferencia con el BJT:

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Un JFET tipico tiene una resistencia de entrada de cientos de megaohmios. Esta es la

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Por tanto, la resistencia entre drenador y fuente depende de la polarización puerta-canal.

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El sı́mbolo Vto denotará la tensión de estrangulamiento de un JFET como la tensión

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