Características de entrada y salida del amplificador en la configuración Base Común.

La terminología de BC se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada

como a la salida de la configuración. La base se conecta a las masas tanto de la señal
de entrada como a la de salida.
En la configuración de base común la señal de salida está en fase con la señal de
entrada; la ganancia de tensión es grande; la ganancia de corriente es inferior a uno;
la resistencia de entrada es muy pequeña; la resistencia de salida es muy grande.
Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de
dos conjuntos de características: Parámetros de Entrada Parámetros de Salida
Parámetros de Entrada Se relaciona la corriente de entrada(IE) con el voltaje de
entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB). Una vez que el transistor
esta “encendido” se supondrá que el VBE es: VBE = 0.7V
La curva trazada entre la corriente del emisor Imi y el voltaje de la base del emisor
VEB a la tensión de base constante del colector VCB Se llama curva característica de
entrada. La curva característica de entrada se muestra en la figura siguiente.

 Para un valor específico de VCB, la curva es una característica del diodo en la

región delantera. La unión del emisor PN está polarizada hacia delante.
 Cuando el valor de la corriente base de voltajeaumenta el valor de la corriente
del emisor aumenta ligeramente. La unión se comporta como un diodo mejor.
La corriente del colector y del colector es independiente de la tensión de base
V del colector.CB.
 La corriente del emisor Imi Aumenta con el pequeño aumento en la tensión V
del emisor.EB. Muestra que la resistencia de entrada es pequeña.
Parámetros de Salida Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida
(VCB) para varios niveles de corriente de entrada(IE).
En la configuración de base común, la curva trazada entre la corriente del colector y la
tensión de base del colector VCB a corriente constante del emisor Imi Se llama
característica de salida. La configuración de CB del transistor PNP se muestra en la
siguiente figura. Se toman en consideración los siguientes puntos de la curva
característica.

 La región activa de la unión colector-base tiene polarización inversa, la

corriente del colector Ido Es casi igual a la corriente del emisor Imi. El transistor
siempre se opera en esta región.
 La curva de las regiones activas es casi plana. Las grandes cargas en VCB
producir solo un pequeño cambio en Ido El circuito tiene una resistencia de
salida muy alta ro.
 Cuando vCB es positivo, la unión colector-base esEl sesgo hacia adelante y la
corriente del colector disminuyen repentinamente. Este es el estado de
saturación en el que la corriente del colector no depende de la corriente del
emisor.
 Cuando la corriente del emisor es cero, la corriente del colector no es cero. La
corriente que fluye a través del circuito es la corriente de fuga inversa, es decir,
ICBO. La corriente depende de la temperatura y su valor varía de 0.1 a 1.0 μA
para el transistor de silicio y de 2 a 5 μA para el transistor de germanio.
Bilbiografia
Boylestad, R., Nashelsky, L. y Navarro Salas, R. (2009). Electrónica . Distrito Federal: Pearson
Educación.

Floyd, T. (2008). Dispositivos electrónicos (8a. Ed.) . Naucalpan de Juárez: Pearson Educación.

Cathey, J. (2009). Dispositivos electrónicos y circuitos . Washington DC: McGraw-Hill

Interamericana.