3.

- La juntura PN:
Juntura o unión de dos tipos de semiconductores:

Lado P Lado N

Dos tipos:
- Homojuntura
- Heterojuntura
 3.1- Cómo se hacen las junturas ?:

Existen dos formas:

1.- Difusión.

2.- Implantación iónica.

 3.2.- DIFUSIÓN:
- Proceso que se usa para introducir cantidades
de impurezas dentro del sustrato.

- Movimiento a altas temperaturas de átomos de

impurezas, desde la superficie de la muestra hasta
dentro de este material.
- Profundidad de la difusión: 0.1-10um.

- Impurezas o dopantes usados:

Boro y Fósforo (tipo P)
Arsénico y Antimonio (tipo N)
 Ilustración:
Paso 1: Aplicación de átomos de
Boro en la superficie de la muestra.

Átomos
de boro
N

Paso 2: La muestra se somete a alta

Temperatura 800°-1400° C

Entonces, que es la
P N
juntura?
3.3.- Perfíl de dopaje:

P N

Juntura metalúrgica
Dopaje ND=NA

NA

ND
x
 ND-NA

ND
Perfíl real

Perfíl idealizado
x

-NA A!
P T
R U
AB
R A
P N T U
UN
J

Juntura metalúrgica
ND=NA
 Dopaje
Otro perfíl de dopaje:
NA

ND
x
ND-NA

Juntura metalúrgica
ND=NA

P N
 3.4- Diagrama de bandas:
Lado P Lado N
EC EC
EF
EFi EFi
EF
EV EV

Perfil de dopaje (juntura abrupta):

ND-NA
ND

x
-NA
 Diagrama de bandas en equilibrio

Lado P Lado N
EC

EFi
EC
EF EF EF EF
EV
EFi

EV

Vamos ahora a analizar las variables electrostaticas

Perfil de dopaje (juntura abrupta):
ND-NA
ND

x
-NA

Densidad de carga ρ
ρ ?
qND

x
-qNA
 Electrón
“casi libre”
-
++
+
temperatura
+ P +
+ ambiente

Impureza Ión positivo

donadora (inmóvil)
Electrón Hueco
de otro “casi libre”
átomo

+
+ B +
+
temperatura
ambiente -
Impureza Ión negativo
aceptora (inmóvil)
Asumiendo ionización total de los átomos dopantes
a temperatura ambiente:

Juntura metalúrgica

Lado P Lado N
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +

Recombinación
 E
Lado P Lado N
+ +
+ + +
+ +
+ + +
+ +
+ + +
Region de
deplexion
Region de deplexion:
-xp0 xn0 región vacía de
portadores móviles
ρ
qND

x
-qNA
 Lado P Lado N
EC
EFi Vbi
EF
EV
Vbi
Variables
electrostaticas ρ Q dep(N)   qND x n A
qND
Densidad de x
carga Vbi: Potencial
-qNA
Q dep(P)  qNA x p A interconstruido
E Vbi 
k BT  N A N D 
Ln
Campo x q  n2 
 i 
electrico

V
Potencial
electrostatico Vbi
x
-xp0 xn0
3.5- Variables Electrostáticas en
condiciones de equilibrio (VA=0) :
E
Lado P Lado N
+ +
+ + +
+ +
+ + +
Region de
deplexión
1.- La región de deplexión está vacía de portadores
móviles (e-, e+).
2.- Fuera de la región de deplexión existen dos regiones
“casi” neutrales.
Aproximación de Deplexión
De esta aproximación y la relación de neutralidad de la carga
ρ  q(p - n  N D  N A )
obtendremos:
Region de
Lado P deplexion Lado N

ρ0 ρ  q(ND - NA ) ρ0

-xp0 ρ xn0
qND

x
-qNA

  qN A ,  x p0  x  0

Entonces: ρ   qND, 0  x  x n0
 0, x   x y x  x
 p0 n0
 Ahora, de la ecuación de Poisson en una dimensión:
dE ρ εS: permitividad del

dx ε S semiconductor usado

Usando esta relación en la densidad ρ para hallar el campo

eléctrico:
  qNA /ε S ,  x p0  x  0
dE 
  qND /ε S , 0  x  x n0
dx 
 0, x   x p0 y x  x n0

Integrando:
E De estas 2
x relaciones en
qNA qND x=0:
E (x)   (x p0  x) E (x)   (x n0  x)
εS εS NA x p0  ND x n0
para  x p0  x  0 para 0  x  x n0
De las relaciones anteriores y de la ecuación E   dV
dx
obtendremos:
 qNA
 (x p0  x),  x p0  x  0
dV  Sε

dx  qNA
(x  x), 0  x  x n0
 ε S n0

Integrando:
V
De estas 2
relaciones en
x x=0:
qNA qNA 2 qND 2
V(x)  (x p0  x)2 qND x p0  Vbi - x n0
2ε S V(x)  Vbi  (x p0  x)2 2K S ε 0 2K S ε 0
2ε S
- x p0  x  0 0  x  x n0
Y el ancho de la región de deplexión:
1/2
 2ε NA 
x n0   S Vbi 
 q ND (NA  ND ) 
1/2
N x  2ε ND 
x p0  D n0   S Vbi 
NA  q NA (NA  ND ) 

Entonces:
1/2
 2ε S  NA  ND  
w d0  x n0  x p0    Vbi 
 q  NAND  
 3.6- Variables Electrostáticas cuando se aplica
una tensión (VA≠0) :
Contacto E Contacto
óhmico P N óhmico
+ + +
+ + + +
+ + +
+ + + +
-xp -xp0 -xp xn xn0 xn
+VA- !
o
iod
VA=0: Situación de equilibrio. D
VA>0: Diodo (o juntura) directamente polarizado.
VA<0: Diodo (o juntura) inversamente polarizado.
 Variables
electrostaticas
Lado P ρ Lado N
qND
Densidad de
carga x
-qNA

E
Campo
x
electrico

V
Vbi+VA
Potencial Vbi
Vbi-VA
electrostatico
-xp -xp0xn -xpxn0 xn
x
 Para -xp≤x≤0: Para 0≤x≤xn:
qNA qND
E (x)   (x p  x) E (x)   (x n  x)
εS εS

qN qNA
V(x)  A (x p  x)2 V(x)  (Vbi  VA )  (x p  x)2
εS 2ε S
1/2 1/2
 2ε ND   2ε NA 
xp   S (Vbi  VA ) xn   S (Vbi  VA )
 q NA (NA  ND )   q ND (NA  ND ) 
1/2
 2ε S  NA  ND  
w d  xn  xp    (Vbi  VA )
 q  NAND  

Material εS
Silicio 1.04x10-12F/cm
Germanio 1.42x10-12F/cm
Arsenuro de Galio 1.16x10-12F/cm
3.2.1.- Diagrama de Bandas para
condiciones de equilibrio (VA=0) :
Lado P Lado N
EC
EFi
Vbi
EF
EV
Vbi

Se cumple: np  n0p0  n 2
i
3.2.2.- Diagrama de Bandas para
condiciones de equilibrio (VA>0) :
Polarización Directa
Lado P Lado N
EC q(Vbi-VA) Se cumplirá:
EFn
EFi qVA
EFp EFn EFp  qVA
EV
np  ni2 e kBT
 ni2 e kBT
q(Vbi-VA)

EFn: Casi nivel de Ferni del lado N.

Ley de la Juntura
EFp: Casi nivel de Ferni del lado P.
EFn  EFp  qVA
 3.2.3.- Diagrama de Bandas para
condiciones de equilibrio (VA<0) :
Polarización Inversa
Lado P Lado N
EC

EFi qVA
EFp q(Vbi+VA) Se cumplirá:
EV

EFn
q(Vbi+VA) EFn EFp  - qVA

np  ni2 e kBT
 ni2 e kBT

EFp  EFn  qVA