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JUNTURA PN

Introduccion:
La juntura PN, se define como la frontera entre una zona o
region semiconductora tipo p y una zona o region tipo N
formadas en el mismo cristal.

Un analisis completo del disposiitvo de juntura PN esta dividido


en cuatro partes. La primera trata sobre el analisis
electrostatico, esto es, el estudio de la densidad de carga fija, el
campo electrico y el potencial electrostatico, que son fenomenos
que existen dentro de un dispositivo o en condiciones de
equilibrio (sin excitacion externa), y estado estable (excitacion
con una Fuente de d.c.). Las siguientes 3 partes estan
dedicados al modelamiento del dispositivo de juntura PN en
estado estable (d.c.), pequena senal y respuesta en frecuencia
(a.c.) y respuesta transitoria (pulsos). Estudiaremos en este
tema la electrostatica asociada a la juntura PN.

Juntura y perfiles de dopaje idealizados


Una juntura PN no es posible formarla simplemente uniendo,
aunque sea bajo presion, dos cristales de distinto material,
puesto que en tal caso la irregularidad de las superficies, la
capa de oxido y otras imperfecciones impiden un contacto
indispensable.

Las junturas PN se forman en un cristal unico en el que se hace


variar el contenido de impurezas (dopaje o contaminacion) a lo
largo de una direccion determinada, dando lugar en un lado, a
una seccion tipo P y en el otro lado, una seccion tipo N.
ND y NA

ND

x
Juntura Metalurgica (ND-NA=0)

(a) P N

ND - NA
(b) x

Fig. Definiciones de las junturas: a) Localizacion de la juntura b) perfil de dopaje


En la region cercana a la superficie, donde NA>ND, es tipo P.
Y en lo profundo del semiconductor, donde ND>NA, es tipo N.
Solo la variacion de dopaje en la vecindad o alrededor de la
juntura metalurgica es de vital importancia.
Asi que usaremos perfiles de dopaje idealizados para llevar a
cabo el analisis y a partir de ello obtendremos resultados muy
cercanos a los resultados experimentales.

Las mas communes idealizaciones de perfil de dopaje son dos:


la juntura abrupta y la juntura gradual.
Estos perfiles se muestra en la figura, la juntura abrupta se
caracteriza por una rapida transicion de la region P a la region
N, ambas con un dopaje uniforme. Por otro lado, la juntura
gradual se caracteriza por una transicion mas suave.
ND - NA ND - NA
Perfil idealizado Perfil real

X X

(a) (b)

Fig. Perfiles de dopaje para : (a) Una juntura abrupta y (b) Una juntura gradual
La ecuacion de Poisson
Esta ecuacion relaciona el gradient del campo electrico con la
carga espacial. Es punto de partida para obtener soluciones
cuantitativas para las variables electrostaticas.
E = ρ / Ks εo
2
Donde: = dE/dx = - d V/dx=
Donde: Ks es la constant dielectrica del semiconductor
(Ks= εs/εo), εs es la permitividad del semiconductor, εo es la
Permitividad del espacio libre y ρ es la densidad de carga
(carga/cm ). Asumiendo que los dopantes estan totalmente
3

ionizados, la densidad de carga total en un semiconductor


estara dada por: ρ= q(p - n + ND – NA)
Analisis cualitativo del diagram de bandas en una
juntura PN

Analisis de una juntura abrupta PN unidimensional bajo


condiciones de equilibrio donde su perfil de dopaje se muestra
en la figura (a), por lo que determinaremos la forma general
de las variables electrostaticas, tales como: potencial campo
electrico, y densidad de carga fija dentro de esta juntura.
Asumamos que las regions lejanas a la juntura metalurgica son
identicas en caracteristicas a un semiconductor aislado y
uniformemente dopado. Por lo tanto el diagrama de bandas de
energia para las regions N y P, lejanas entre si, es decir, antes
de formar la juntura seran simplemente como se muestra en la
figura (b), tiene la finalidad de hacer un analisis mas sencillo.
ND - NA
ND
(a)
-NA

LADO P LADO N
Ec Ec
EF
(b) EFi EFi
EF
Ev Ev

(c)

Fig. Construccion detallada del diagram de bandas en estado de equilibrio de una juntura PN
(a) Perfil de dopaje para una juntura PN abrupta
(b) Diagrama de bandas para dos semiconductors aislados
(c ) Alineamiento del nivel de fermi
Ec
(d) EF
EFi
Ev

Fig. (d) Diagrama de bandas completo


Bajo condiciones de equilibrio sabemos que el nivel de fermi
dentro de un material o grupo de materiales en contacto es
constant e independiente de la posicion, entonces, para poder
llegar a la juntura PN, tomaremos en cuenta esta afirmacion.
Con esta afirmacion llegamos a la figura (c ) donde el diagram
de la figura (b) se ha alineado segun el nivel de fermi.
La porcion restante del diagram de la fig. (c ) es completado
en la figura (d) que es el diagram de bandas de la juntura PN.

Ahora podemos deducir la forma de las variables


electrostaticas (potencial, campo electrico, densidad de carga
fija). La relacion V versus x tiene la misma forma de Ec, solo
que V vs. x se dibuja invirtiendo Ec (o Efi o Ev).
Esta relacion esta dibujada en la figura (b) con V establecido
arbitrariamente en cero, lejos de la juntura del lado P. Luego la
dependencia de E vs. x se muestra en la figura (c ) y esto se
Obtiene la pendiente de Ec versus la posicion. Finalmente la
forma general de ρ versus x se muestra en la figura (d)
deducida de la relacion E vs. x.

Las caracteristicas mas importantes de la fig. son la caida de


Voltaje Vbi a traves de la juntura bajo condiciones de equilibrio,
conocido como potencial interconstruido o potencial de contacto.
LADO P LADO N

qVbi
(a) Ec
Diagrama de bandas EF
EFi
qVbi
Ev
V

(b) Vbi
Potencial electrostatico
x
-Xpo E Xno
(c )
Campo Electrico x

(d) ρ
Densidad de carga fija en
+
Funcion de la posicion x
-

Fig. Grafico de las variables electrostaticas en condiciones de equilibrio


Vamos a analizar como se origina la carga. Asumimos que la
neutralidad de la carga prevalence en los semiconductores
aislados, uniformemente dopados. En la fig. (a) se muestra
que en el material P, las cargas positivas de los huecos, se
equilibran con las cargas negativas de los aceptores ionizados
inmoviles. Por otro lado, en el material N, las cargas negativas
de los electrones se equilibran con las cargas positivas de los
donadores ionizados inmoviles.

Ahora suponemos que una estructura PN esta perfectamente


unida tal como se muestra en la fig. (b). Ya que hay mas
huecos en el lado P que en el lado N, los huecos comenzaran a
difundirse desde el lado P hacia el lado N un instante despues
que se unen las estructuras P y N.
De la misma manera, los electrones se difunden desde el lado
N hacia el lado P de la juntura. Estos electrones y huecos que
se mueven hacia sus lados opuestos de la juntura, seran
aniquilados por recombinacion en el lado opuesto de la juntura.
Entonces la difusion de electrones hacia el lado P y huecos
hacia el lado N, dejara atras atomos desbalanceados o
descubiertos, o simplemente iones inmoviles que se
mantendran fijos en el espacio, tal como se muestra en la fig.
(c ). Esta es la Fuente de carga fija que se encuentra en los
alrededores de la juntura metalurgica. La region cerca de la
juntura donde estan dispuestos estos atomos descubiertos o
iones inmoviles es conocida como region espacio-carga o
region de deplexion, es decir, es una region donde se asume
idealmente que esta vacia de portadores moviles.
P N
- + - + - + - + - + - +
- + - + - + - + - + - +
- + - + - + - + - + - +

-
- + - + + - + - + - +
- + - + - + - + - + - +
- + - + - + - + - + - +
+
E
- + - + - + - + - +
- + - + - + - + - +
+ Ion donador inmovil - + - + - + - + - +
(ion positivo) -xpo X=0 xno
- Ion aceptador inmovil
(ion negativo) ρ
+
+ Hueco -
- Electron
Fig. Formacion de densidades de carga ρ: (a) Las dos regions no estan en contacto
(b) Las dos regiones estan en contacto y se esta dando el proceso de difusion
(c ) Se produjo la recombinacion en la region cercana a la juntura
(d) Formacion de la densidad de carga fija en la region cercana a la juntura
Esta region de deplexion consta de dos partes:
Dentro del lado P: una region de carga negative, compuesta
por los atomos aceptores desbalanceados o descubiertos, los
cuales no estan neutralizados porque los huecos se difundieron
hacia el lado N de la juntura.
Dentro del lado N: Una region de carga positiva, compuesta
por los atomos donadores desbalanceados o descubiertos, los
cuales no estan neutralizados porque los electrones se
difundieron hacia el lado P de la juntura.
Cualquiera de los electrons o huecos en la region de deplexion
son apartados por este campo. Entonces bajo condiciones de
equilibrio, se presenta una corriente de arrastre debido al
campo electrico que contrarresta a la corriente de difusion que
surge debido a la diferencia de las concentraciones de
electrones y huecos alrededor de la juntura.
Potencial de contacto o Interconstruido (Vbi):
La caida de tension a traves de la region de deplexion bajo
condiciones de equilibrio se le conoce como potencial de
contacto (Vbi).
Vamos a establecer una relacion cuantitativa para Vbi y para
este objetivo vamos a considerer una juntura PN en estado de
equilibrio, donde x=0 es la posicion de la juntura. Los bordes
de la juntura son tomados en –Xpo y Xno en el lado P y el lado
N, respectivamente.

E= -dV/dx
+xno V(xno)
- ∫ -xpo Edx = ∫ V(-xpo)dV = V(xno) – V(-xpo)= Vbi
Bajo condiciones de equilibrio en la juntura se tiene que la
densidad total de corriente de electrones es igual a:
Jtn = qun dE + qDn (dn/dx)= 0 (1)

Despejando el campo electrico de (1) y hacienda uso de la


relacion de Einstein para electrones obtendremos:

E= - (Dn/Un) (dn/dx)/n = - (KT/q) (dn/dx)/n


2
Vbi= (KBT/q) ln ( NA ND/ ni)
Analisis Electrostatico de una Juntura PN
Para realizar el analisis se considera para una juntura abrupta
PN, y se hara bajo condiciones de equilibrio y luego
consideraremos las modificaciones necesarias cuando se aplique
una fuente de tension externa a la juntura.

Contacto Contacto
ohmico ohmico
2
A(cm )

P N
x
X=0
+ -
VA

Fig.: Diodo de juntura con contactos ohmicos y con tension de polarizacion VA


Juntura Abrupta con VA = 0
Densidad de carga fija (ρ)

Consideremos la juntura abrupta en equilibrio. Podemos


suponer que el dopaje en el lado P es mas fuerte que el dopaje
del lado N, es decir , NA se dibuja mas grande que ND tal como
se muestra en la figura.

LADO P ND - NA LADO N
ND
x

-NA

(a)
ρ
qND
-xpo
(b) x
xno

-qNA
E

(c ) x
-xpo xno

Vbi
(d) x
-xpo xno

Fig. Analisis electrostático para una juntura abrupta, usando la approximacion por deplexion
(a) Perfil de dopaje de la juntura (b) densidad de carga fija (c ) campo eléctrico y (d) potencial
electrostatico
- qNA, - xpo ≤ x ≤ 0
ρ= qND, 0 ≤ x ≤ xno

0, x ≤ - xpo y x > xno

Campo eléctrico (E ):

- qNA/Ks εo , - xpo ≤ x ≤ 0
dE / dx= qND/Ks εo , 0 ≤ x ≤ xno
0, x ≤ - xpo y x > xno

Donde E=0 en cualquier lugar fuera de la región de deplexion


E(x) = - (q ND / Ks εo) (xno – x) para 0 ≤ x ≤ xno

E(x) = - (q ND / Ks εo) (xpo + x) para -xpo ≤ x ≤ 0

NA xpo = ND xno (&)…. Esta ec. relaciona el equilibrio de


cargas que debe haber en toda la region de deplexion, es
decir, la carga depletada que hay en la region P de la juntura
( que sera iones negativos) debera ser igual en magnitude
pero de signo opuesto a la carga depletada que hay en la
region N de la juntura (iones fijos positivos).
Potencial Electrostatico (V):

E = - dV/dx
- qNA/Ks εo (xpo + x), - xpo ≤ x ≤ 0 …. (1)
dV/dx=
qND/Ks εo (xno + x), 0 ≤ x ≤ xno …. (2)

Con un potencial arbitrario establecido en cero para x=xpo, y


recordando que la caida de voltaje es Vbi en el borde de la
region de deplexion del lado N bajo condiciones de equilibrio
estara sujeta a las condiciones de frontera.

V= 0 en x= -xpo
V= Vbi en x= xno
Integrando las expresiones (1) y (2) obtenemos:
2
V(x) = (qNA / 2Ks εo) (xpo + x) para - xpo ≤ x ≤ 0 (3)
2
V(x) = Vbi – (qND/ 2Ks εo) (xno – x) para 0 ≤ x ≤ xno (4)

La solucion del potencial electrostatico dado por las


expresiones (3) y (4) es representado en las figuras.

El potencial electrostatico V vs. x, es de naturaleza cuadratica,


con una curva concave en el lado P de la juntura y una
curvature convexa en el lado N de la juntura.
Si evaluamos para x=0, tendremos:

(qNA/2Ks εo) xpo2= Vbi - (qND/2Ks εo) xno2 (5)

Ancho de la region de Deplexion (wdo):


Xn0 y xpo son las variables desconocidas en las ecuaciones
ya formuladas (&) y (5) tendremos:
1/2
Xno = [ (2Ks εo/q) ((NA/ND(NA+ND)) Vbi]
1/2
Xpo = ND xno/NA = [(2Ks εo/q) ((ND/NA(NA+ND)) Vbi]
1/2
Wdo = xno + |xpo| = [ (2Ks εo/q) ((NA+ND)/NAND) Vbi]
Efectos de un voltaje aplicado en la juntura PN
Juntura Abrupta con VA ≠ 0
Ahora extenderemos el analisis anterior, llevado a cabo en
condiciones de equilibrio (VA=0), hacia una situacion de no
equilibrio, es decir, cuandoVA≠0, que es un voltaje externo
aplicado a los terminales del diodo de juntura, tal como se
muestra en la figura: caidas internas de voltaje dentro del diodo.
Caida
de
Voltaje VA
(caida de voltaje Contacto Contacto (Caida de voltaje
despreciable) ohmico ohmico despreciable)
2
A(cm )
Region
P de N
deplexion
x
-xp X=0 xn
Caidas de voltaje despreciables

+ -
VA
Este voltaje debera caer en algun lugar dentro del diodo. Si
asumimos contactos ohmicos perfectos, entonces una porcion
despreciable del voltaje aplicado VA aparecera en dichos
contactos del dispositivo. Bajo condiciones de inyeccion de bajo
nivel, la caida de voltaje a traves de las regiones casi neutrales
P y N que se extienden desde los contactos ohmicos hasta los
bordes de la region de deplexion sera tambien despreciable, la
condicion de neutralidad de la carga se cumple, aun en
condiciones de no equilibrio, entonces se tendra un campo
electrico despreciable en esta region “casi neutral”.
Cuando hablamos de regions casi neutrals, estamos haciendo
una diferencia con las regiones neutrales, ya que para la
primera condicion (regions casi neutrales) existe una
polarizacion aplicada al diodo.
Con estas suposiciones, el voltaje aplicado debera caer
enteramente en la region de deplexion. De acuerdo al voltaje
aplicado a la juntura, podemos tener dos resultados:

1.- Si VA > 0V, diremos que el diodo (o la juntura) esta


polarizada directamente.
2.- Si VA < 0V, diremos que el diodo (o la juntura) esta
polarizada inversamente.

Las relaciones electrostaticas para VA ≠ 0 pueden ser obtenidas


a partir de las relaciones halladas en condiciones de equilibrio
(VA = 0). Esto se logra reemplazando, donde hubiere Vbi por
(Vbi – VA), en el rango de – xp ≤ x ≤ 0, tenemos:
Xp== [(2Ks εo/q) ((ND/NA(NA+ND)) (Vbi – VA)] 1/2

Para 0 ≤ x ≤ xn :

E(x) = - (qND/Ks εo) (xn – x)

2
V(x) = (Vbi – VA) – (qNA/2Ks εo) (xp – x)
1/2
Xn= [(2Ks εo/q) ((NA/ND(NA+ND)) (Vbi – VA)]
1/2
Wd = xn + |xp| = [ (2Ks εo/q) ((NA+ND)/NAND) Vbi - VA]
Analizando las ecuaciones se concluye que las longitudes
decrecen bajo polarizacion directa (VA > 0) y aumenta bajo
polarizacion inversa (VA < 0) . Estos cambios en xn y en xp se
trasladan en cambios en el campo electrico , causando que el
campo electrico se reduzca en cualquier lugar dentro de la
region de deplexion mientras que, bajo polarizacion inversa, xn
y xp seran grandes causando que este aumente la region de
deplexion.
Esto es razonable desde el punto de vista fisico ya que la
reduccion del ancho de la region de deplexion para VA > 0
significa que Habra menos atomos descubiertos (iones fijos)
alrededor de la juntura y por consiguiente Habra un campo
electrico pequeno.
Cuando VA < 0 se crea una region de deplexion mas ancha,
con esto, Habra mas atomos descubiertos (iones fijos) y por
lo tanto se establecera un campo electrico mayor

VA=0
P N
Wdo

VA<0
VA> 0

E VA=0
VA>0

x
VA<0

Fig. Efecto de la polarizacion directa e inversa


GRACIAS