La juntura p-n - Diodos semiconductores

Dispositivos Electrónicos - Ing. Electrónica

 La juntura p-n abrupta en
equilibrio
Vo

l = Wagot ancho de la
zona de carga espacial, V0 = 0 potencial de contacto
deplexión o  2V  pno = p po e −Vo / VT
agotamiento = − Ec.dePoisson
x 2
s
kT
V  VT =
= − dx q
x s
 ni2
−E = − x+C = N Ae −Vo / VT
s ND
 ND N A 
x
V = −  Edx
Vo
− Vo = VT ln  2

 2  ni 
V= x + Cx + D
2 s n po = nno e −Vo / VT
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 La juntura p-n abrupta en
equilibrio
- Dibujar esquema de diodo, monocristal, huecos
mayoritarios en p por Maxwell (vencen barrera de pno = p po e −Vo / VT
potencial Vo, luego en directa difusión),
análogamente con los electrones mayoritarios en
kT
n en el equilibrio.
VT =
- La estadística de Maxwell-Boltzman resuelve el q
problema de partículas (atmósfera) que caen por
ni2
= N Ae −Vo / VT
gravedad y se equilibran por la difusión, que
impiden ascenso y descenso. Análogamente las
partículas excitadas, de las impurezas, (baja ND
concentración como en la atmósfera) en ambos
lados de la juntura quieren pasar por difusión
 ND N A 
(diferencia de concentración) y se equilibran con
el campo eléctrico.
Vo = VT ln  2

- Las lagunas en p deben ganar energía qVo para  ni 
pasar al lado n, lo tienen de la temperatura. De
−Vo / VT
igual manera los electrones en n para pasar al p n po = nno e

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 La juntura p-n abrupta en
equilibrio
Vo

l = Wagot ancho de la
zona de carga espacial, V0 = 0 potencial de contacto
deplexión o
agotamiento

V0
xp xn
Wagot
- VR +
Vo

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 IDer J1- J2-
IDif
ID
Bandas de energía en la IS
juntura p-n J4+ J3+

J1- J2-

ID J4+ J3+
IS

a) Equilibrio
J1- J2-
b) Polarización directa ID
c) Polarización inversa IS J4+ J3+

Dos zonas neutras y una de carga

espacial
V0 = 0 potencial de contacto
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Diagramas de concentración de
portadores en la juntura p-n
abrupta
Vo
a) Equilibrio  Equilibrio 
 
b) Polarización directa  pno = p po e 
−V / V
o T

 
c) Polarización inversa  n po = nno e −V / V o T 
 Vo - V

 Directa 
 − (Vo −V ) / VT

 pn (0) = p po e 
 −Vo / VT V / VT

 pn (0) = p po e e 
 
 = p no eV / VT

 n (0' ) = n e −(Vo −V ) / VT 
 p no

 n (0' ) = n eV / VT  Vo + V
 p po 
Exceso de portadores
pn, (0) = pn (0) − pno = pno eV / VT − pno
= pno (eV / VT − 1)
𝑝𝑛 𝑥 = 𝑝´𝑛 0 𝑒 −𝑥/𝐿𝑝 + 𝑝𝑛𝑜
nn, (0' ) = n po (eV / VT − 1)
𝑝𝑛 𝑥 = (𝑝𝑛 0 − 𝑝𝑛𝑜)𝑒 −𝑥/𝐿𝑝 + 𝑝𝑛𝑜
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 Corriente en la juntura p-n
Polarización directa
I = A(J n + J p ) = A( J 2 − J1 ) + ( J 3 − J 4 );
I  A( J 2 + J 3 ); Maxwell Difusión mayor.
pn (0)
I p = AJ 3 = AJ p (0) = − qAD p ;
x
 Dp Dn  V / VT
pn (0) p ' ( 0)
=− n ; p 'n (0) = pno eV / VT − 1 ; ( ) I = qAn  2
+ e (−1 ; )
x Lp N Li 
 D p N A Ln 
I p (0) = qAD p
pno V / VT
e (
−1 ; )  Dp
2 Dn  2
Lp I S = Aqni + ; L p = D p p
L N 
 p D Ln N A 
I n (0' ) = AJ 2 = qADn
n po
Ln
(e V / VT
−1 ;)
  V /V
I = I p (0) + I n (0' ); 
I = qA L p

pno
p
+ Ln
n po
n
(
 e T −1 ;

)
 n po  V / VT  
( )
( )
 pno e
I = qA D p + Dn −1 ;

 L p L n 

Corriente en la juntura p-n
I =I e
S
V / VT
−1
Polarización directa: Difusión IS Corriente inversa de saturación
mayoritarios
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 Corriente en la juntura p-n I = AJ (0) + J (0' );
S p n

Polarización inversa
p (0)
J (0) = −qD ; n

x
p p

p (0) p ' (0) p

= n
= ;n no

x L L p p

p
IS J (0) = −qD ;
p p
no

L p

n
J (0' ) = −qD ;
n n
po

L
I S = AJ1 + J 4 ; Deriva minoritarios
n

 p n 
I = −qA D
S
+ D ; p
no
n
po

 L L  p n

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 Distribución de las corrientes en la juntura p-n con
Polarización directa

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 El diodo real
 nVV 

I = I S e − 1
T

 
 
n entre 1 y 2

Efecto de caídas de tensión Efecto de recombinación en la zona

en zonas neutras. de carga espacial

Vz

Corriente inversa por fugas en la

superficie de la juntura. Tensión inversa de ruptura
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 Capacidades de la juntura n
ND

Ancho de la juntura
(a)
  q neta − qN xA − qN x x


S
E , dS =

EA= 1

A

s
E = 1
 s
A -NA

qneta = qj = |qn| = |qp|

N A x p = N D xn
xp = lp
− qN A x p xn N A
Eo = = xn = l n
s xp ND
xp   1
Vo − V = −  E , dl Vo − V = − EoWagot
− xn 2
2(Vo − V )
Wagot = xn + x p = −
Eo
NA 2 (V − V )
xp + xp = s o
ND qN A x p

2 s (Vo − V )  N D  Wagot = x p + xn
xp =  
qN A  ND + NA 
2 s (Vo − V )  1 1 
2 s (Vo − V )  N A  =  +  l = Wagot ancho de la
xn =   q  ND N A 
 ND + N A 
qN D zona de carga espacial

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 Capacidad de la juntura CJ
Polarización inversa También llamada de transición,
deplexión o agotamiento, Cj o
Carga CT.
almac
enada Pendiente
en la
capa
de
agota
Punto de polarización
mient
o
xp xn
Wagot
- VR +

q J =  (Volumen) Tensión inversa

q J =| q N |=| q P |= (qN D )( x n A)
Cj =
dq J
|
dVR VR = VQ
= dq J dWagot
dWagot dVR
 A
; Cj = s ;
Wagot
xn N NAND
= A qJ = q AWagot
xp ND NA + ND C jo = C j |V ;
C jo =0
Cj =
R
;
 2  1 1  VR  q  N A N D  1 
Wagot =  s  + (Vo + V R ) 1+ C jo = A  s   
 q  N A N D  Vo  2  N A + N D  Vo 

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 Capacidad de la juntura CJ
Polarización inversa
C jo
Cj = m
 VR 
1 +  D2

 Vo 

Capacidad, CT pF
m : coeficiente de distribución de 1/3 a ½ D1
Forma en cambia la juntura: abrupta, gradual

Tensión inversa, VR

Símbolo del diodo varactor

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Capacidad de difusión Cd
Polarización directa Región p
Región de
pn(0) Región n

( )
carga
− x / Lp
p'n ( x) = pno eV /VT − 1 e xn  0 espacial
Concentración

en exceso
Q p = Aq  pn ' ( x)dx
p’n(0)
p’n(x)

x =0

= Aq[ p n (0) − p no ]L p = qAL p p no (eV / VT ) − 1)

Valor de equilibrio

pn (0) = pno eV / VT
térmico

p n
J p = −qD p
x
| x =o
Distribución de portadores minoritarios en una juntura pn polarizada en
directo. Se supone que la región p está más fuertemente dopada que la
región n; NA  ND.
Dp Ip Qp =  p I p Qn =  n I n
Jp = q p no (e V / VT
− 1) =
Lp A
Q =  p I p +  nIn Q = T I
L 2

I p = AJ p
Q = I = Ip

dQ  T 
Cd =  Cd =   I
p p p p
D p

L p = D p p
dV  VT 
C j  2C jo
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 Capacidad del diodo Modelos del diodo
Rr
  T  Continua
directa = C j + Cd = 2C jo +   I
  VT 
Ctotal  C jo rd Diodo Ideal
inversa = C j = m
VDO
  1 + VR  Cj
  
 V o
Señal, inversa

n = 1/2 para aleación y 1/3 para juntura

difundida
Rr
Resistencia dinámica de la juntura
V Cj
I  ISe VT Señal, directa
Cd

dI 1  V VT  I 1
=  ISe  = = rd
dV VT   VT rd
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 Modelo Pspice del diodo

Modelo de Spice
iD = I S (e vD / nVT − 1)
RS del diodo. El
T  v 
símbolo del
condensador
CD = I S e vD / nVT + C jo 1 − D 
 + indica que es no
VT  Vo 
vD lineal.
Valor
iD CD Parámetro del Símbol Nombre Unidad
- predeterminad
modelo o SPICE es
o
Corriente inv. de IS IS A 10-14
saturación
Coeficiente de n N - 1
emisión
Resistencia óhmica RS RS  0
Modelo para
el diodo Voltaje integral Vo VJ V 1
Zener. Este (barrera de
D1 modelo se potencial)
puede usar Capacidad de Cjo CJ0 F 0
transición sin
 VZo D2
un SPICE al polarización
definir el Coeficiente de m M - 0,5
Zener como distribución
rZ un Tiempo de tránsito T TT s 0
subcircuito.
Voltaje de ruptura VZK BV V 
Corriente inversa a IZK IBV A 10-10
VZK

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El diodo en conmutación
Dinámica de los excesos de portadores
minoritarios qp dq p
i= +
p dt

qp carga instantánea de
minoritarios inyectados
(
pn, (0) = pno eV / VT − 1 )
− x / Lp p tiempo de recombinación de los
pn, ( x) = pn, (0)e huecos minoritarios en n

i1

 L2p
q p = qA p ( x)dx = qAp (0) L p  p =
, , R
i C
n n
0 Dp
i2
v
Zona p altamente impurificada (p+)
respecto a la zona n. Si v(t) i = i1 + i2
aparece otra componente de la
corriente además de la estática. v dv Cv d (Cv ) q dq
i= +C = + = +
R dt CR dt  dt
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El diodo en conmutación
Transitorios de conexión y desconexión de un diodo ideal

Transitorio para un diodo ideal

Directa

vD i = If = V/R vD = 0, rD = 0

Inversa

i = Ir = 0 Rr = , vD = -V

Forma ideal de i

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El diodo en conmutación
Transitorios de conexión y desconexión: cambio en la
distribución de exceso de portadores minoritarios
Vo - V

Directa

Vo + V
Inversa

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El diodo en conmutación
Transitorios de conexión y desconexión
de un diodo real

i = If  V/R
V >> vD rD << R
qp dq p
En la conexión, en 0 If = +
p dt

Cuya solución es, q p = Qp 1 − e( −t /  p

)
Qp =  p I f Q = Aqp (e
p no
V / VT
− 1)L p

 If  vD
Valor final de la tensión, V f = VT ln 1 + 

 Is 

vD

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El diodo en conmutación
Transitorios de conexión y desconexión de
un diodo real
qp dq p
En la desconexión 0’, Qp debe − Ir = +
desalojarse con Ir = -V/R p dt iD

Cuya solución es,

si Ir  |If|

q p =  p (I f + I r )e
−t /  p
− Ir 
si Ir = |If| q p = I f  p 2e ( −t / p
−1 )
En t1 es qp = 0 (
0 = Q p 2e
− ts /  p
−1 )
t s =  p ln 2
 If 
Ir  |If| t s =  p ln 1 +  vD
 Ir 
ts : tiempo de almacenamiento (de portadores minoritarios)
t1 a t3 = tt : tiempo de transición
0’ a t3 = tiempo de recuperación inversa trr

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 Tiempos de conmutación en un
rectificador de media onda

T/2

trr

T/2 >> trr

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 BIBLIOGRAFÍA
❖ “Electrónica del Estado Sólido”, Ángel D. Tremosa, Ediciones
Marymar.

❖ “Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos”,

R. Boylestad, L. Nashelsky, Prentice Hall, 2009, 10ª. Edición.
❖ Capítulos 1, 2, 3, 6, 16, 17.

❖ “Dispositivos Electrónicos”, Floyd Thomas L., 8a Edición, Prentice

Hall, 2008.

❖ “Dispositivos y Circuitos Electrónicos”, Jacob Millman, C. Halkias.

❖ “Fundamentos de Microelectrónica, Nanoelectrónica y Fotónica”,

J. M. Albella, J. M. Martínez-Duart, F. Agulló-Rueda, Addison-Wesley,
2005.

❖ “Circuitos Microelectrónicos”, Sedra, Adel y Smith, Keneth, 4ta. y

5ta. Edición.

UTN-FRBB Dispositivos Electrónicos - Ing. Electrónica 23

 Objetivos

- Diagramas concentración de portadores equilibrio, directa e inversa

- Barrera de potencial
- Capacidad de difusión - directa
- Capacidad de juntura o transición – inversa
- Juntura pn en conmutación, curvas de ID,VD, en el tiempo
- trr causa y definición, como disminuir
- varactor, curva, valores típicos
- Ancho juntura
- Corrientes en la juntura: deriva, difusión, mayoritarios, minoritarios

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