UNIVERSIDAD NACIONAL DE ASUNCIÓN

FACUTAD POLITÉCNICA
Construyendo el futuro

INTRODUCCIÓN A LA
ELECTRÓNICA
UNIDAD II
DIODOS SEMICONDUCTORES.
.
TÍTULO 1
CONTENIDO

1. Diagrama de concentración de portadores en una unión P-N sin

polarización y con polarización.
2. Análisis cuantitativo de la corriente en una unión P- N.
3. La unión P- N como diodo. Dependencia de temperatura.
4. Curvas del diodo semiconductor. Resistencia dinámica.
5. Otros tipos de Diodos .
6. Diodo Zener. Características de temperatura en un diodo Zener.
7. Diodo Tunel.
8. Diodos Led.
9. Aplicación de los diodos.
10. Rectificador de media onda.
11. Rectificador de onda completa.
12. Rectificador con filtros. Factor de rizado
13. Circuito Detector de valor pico.
14. Circuitos Enclavadores y Limitadores.
Introduccion

Los diodos semiconductores son

dispositivos electrónicos muy utilizados en
diferentes aplicaciones en la electrónica
de consumo y en la electrónica industrial.
Son los primeros dispositivos que se
estudian para luego ir avanzando con
otros dispositivos semiconductores
basados en materiales semiconductores
como el Silicio o el Germanio.
TITULO

LA UNION P-N
La unión PN en equilibrio
P N A temperatura ambiente, los huecos
de la zona p pasan por difusión
hacia la zona n y los e- de la zona n
pasan a la zona p.
En la zona de la unión, huecos y e-
Ipdif Ipdes se recombinan, quedando una
Indes Indif estrecha zona de transición con una
V0
distribución de carga debida a la
r presencia de los iones de las
E
impurezas y a la ausencia de
huecos y e-.
Se crea, entonces un campo
Xp Xn eléctrico que produce corrientes de
desplazamiento, que equilibran a
las de difusión.
CONCENTRACION DE PORTADORES EN EQUILIBRIO

pp0 » NA nn0 » ND
E
Xp Xn

np0 pn0

Distribución de las concentraciones

de portadores de carga
qND

Campo eléctrico en el diodo

Xp + Xn
0 V
- V0
Xp Xn
-qNA Diferencia de
Distribución de carga potencial
 La unión PN en equilibrio

pp 0 nn0
V0  Vxn  Vxp  VT ln  VT ln VT = 0.026 V a 300 K
pn0 np0

Sustituyendo los valores de las concentraciones de impurezas:

NAND
V0  Vxn  Vxp  VT ln 2
ni

V0 se llama Potencial de contacto y representa la diferencia de potencial

entre los extremos de la zona de transición con la unión en circuito abierto y
en equilibrio.
V0 = 0.7 V para diodos de Si y V0 = 0.3 V para diodos de Ge, a 20 ºC
 La unión P-N polarizado.
Polarización directa

r
E V0
V0 - VD

I VD

VD crea un campo eléctrico opuesto al de la unión, disminuye el Etotal en la unión

y la barrera de potencial: V´=V0-VD, y aumenta la corriente de mayoritarios por
difusión.
 Polarizacion inversa

r
E
V0 + VI

V0

VI I0 <<<<

VI crea un campo eléctrico en el mismo sentido que el de la unión,

aumenta el Etotal, aumenta la diferencia de potencial: V´=V0+VI, y
disminuye la corriente de mayoritarios. Favorece el desplazamiento de
huecos hacia la zona p y de e- hacia la zona n, ensanchándose la zona de
transición. Pero estos h+ y e- provienen de zonas donde son minoritarios.
El resultado es que fluye una pequeña corriente I0, debida únicamente a
los pares e-h+ que se generan por agitación térmica llamada CORRIENTE
INVERSA DE SATURACIÓN.
TITULO

LA UNION P-N COMO

DIODO
 EL DIODO
El diodo ideal es un componente discreto que permite
la circulación de corriente entre sus terminales en un
determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.

Resistencia nula

Resistencia nula
 DIODO DE UNION P-N
Los diodos se fabrican a partir de la unión de dos
materiales semiconductores de características
opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A
esta estructura se le añaden dos terminales
metálicos para la conexión con el resto del circuito.
 Estructura constructiva

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
semiconductor
N
Contacto metal-
Marca semiconductor
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
 Polarización directa

R
I

0.0000 mA 0 mV

0
V
 Curva característica
A (ánodo)
i i [mA]
1
+ P (exponencial)
V N
K (cátodo)
-
0
VD V [V]

i [A]
-40 V [Volt.]
0

-2
 Curva característica :Corriente Inversa

 VV 
I  I0  e T
 1
0,15  
I (mA)

kT
0,05
VT 
qe
I0 < A
Io
0,2 0,4 0,6 0,8
-0,05
V (V)

VT(300 K) = 25.85 mV I0: Corriente inversa de saturación

k (Constante de Boltzmann) = 1.38·10-23 JK-1
 Influencia de la temperatura
Eg

I0  CT3 e kT

Eg: Anchura de la banda prohibida en J y 300 K.

k: Constante de Boltzmann.
C: Coeficiente característico de cada semiconductor.
0.2
kT
VT 
qe
0.1
I (mA)

300 K
310 K
320 K
-0.1
-70 -20 30 80 V (mV)
 Concepto de diodo ideal
En polarización directa, la caída
de tensión es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa i
conducida
i
Ánodo
+
V curva característica

Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente

conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensión inversa aplicada
 Encapsulados de diodos
Axiales

DO 201

1N4148
(Si)

DO 204

1N4007
(Si)
Encapsulados de diodos
D 61
TO 220 AC

DOP 31
DO 5

TO 247

B 44
 Curvas características y circuitos equivalentes

i
Curva
Curva característica
característica real
ideal
Curva característica
asintótica

pendiente = 1/rd
V
0 V

ideal
Circuito equivalente asintótico
rd
real (asintótico) V
 Parámetros de los diodos

Parámetros en inversa:
•VR= Tensión Inversa (Tensión continua capaz que es de soportar el diodo)
•VRM = Tensión de pico
•VBR = Tensión de ruptura
•IR = Corriente inversa (corriente de fuga)
Parámetros en directa:
• VD = Tensión en directa
• I = Corriente directa
• IAV= Corriente media directa
• IFM= Corriente máxima en directa
• IFRM = Corriente de pico repetitiva
• IFSM= Corriente directa de sobrecarga
 Características fundamentales
• Tensión de ruptura
• Caída de tensión en conducción
• Corriente máxima

Tensión de ruptura

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
45 V 200 V 800 V
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
Datasheet (hoja característica) del diodo en corte

Tensión inversa VRRM Repetitive Peak Voltage

La tensión máxima es crítica

Pequeñas sobretensiones pueden romper el dispositivo
 Datos carateristicos del diodo en conducción
Corriente directa IF Forward Current

Corriente directa de pico repetitivo IFRM Repetitive Peak Forward Current

La corriente máxima se indica suponiendo que el dispositivo está

atornillado a un radiador
 TIPOS DE DIODOS
SEMICONDUCTORES .
.
 Diodo Schottky

• Basado en una unión metal–semiconductor.

• No existen portadores minoritarios en la
+-
parte metálica, por lo que el tiempo de +-
recuperación inverso es mucho menor. +-
• Se polariza de modo directo conectando el - +-
+-
+
semiconductor tipo n al cátodo, y el metal al +-
+-
ánodo +- metal (W, Mo,...)
• Existe zona de carga espacial sólo en el +-
+-
lado semiconductor. n
• El flujo de corriente no se debe a la difusión
de portadores como en la unión p-n.
• En ambos lados el portador mayoritario es
el electrón.
• Rectifica corrientes alternas del orden de
los GHz.
 Diodos emisores de luz (LED)

En cualquier unión p-n polarizada de modo

directo existe en la zona de unión una
recombinación de huecos y electrones. BANDA DE CONDUCCIÓN

En los diodos de silicio y germanio la

FOTÓN
energía emitida en la recombinación es BANDA DE VALENCIA

mayoritariamente en forma de calor.

P N
En los de GaAsP y GaP es, de modo
significativo, en forma de luz visible:
electroluminiscencia.
Color de la luz emitida por LED

GaAs dopado con Zn

GaP dopado con Zn IR

I
GaAs0.6P0.4

GaAs0.35P0.65

GaAs0.15P0.85

GaP dopado con N

1 2 3 V (V)

SiC, ZnSe
Partes de un DIODO LED
 Diodo túnel

Dopado muy fuerte, zona de transición muy estrecha (10 nm)

I Ipico

resistencia negativa

Iv

Vvalle V
Vpico

CURVA CARACTERISTICA
 Diodo Zener
I

El diodo Zener funciona en Tensión Zener

polarización inversa utilizando

el fenómeno de conducción por
ruptura o avalancha. Vz
Para una tensión inversa dada,
llamada tensión Zener, ésta se V
mantiene constante aunque la
corriente varíe.
En polarización directa
funciona como un diodo
normal.
 Región Zener
Se debe a una fuerte generación de portadores en la zona de transición debido a
estas dos causas:

• Multiplicación por avalancha

• Ruptura Zener

En la práctica, ambos fenómenos se confunden. Se habla de “zona zener” y de

“tensión zener” y de “zona de avalancha” y de “tensión de avalancha”.
 Multiplicación por avalancha
Se produce con tensiones inversas mayores de 5 V. El campo eléctrico acelera los
portadores minoritarios que atraviesan la zona de transición con la energía cinética
suficiente para romper enlaces covalentes generando más portadores. Si el campo es
suficientemente intenso, los nuevos portadores vuelven a chocar y generar más
portadores. Se produce una reacción en cadena que genera muchísimos portadores. El
dopado controla el fenómeno de avalancha: cuanto más débil es, a mayor tensión se
produce.

zona de transición

Portador
minoritario

P ligeramente dopado avalancha de electrones N altamente dopado

 Ruptura Zener
Para tensiones por debajo de 5 V. El campo eléctrico es suficientemente intenso como
para romper directamente enlaces. Ambos dopados deben ser muy intensos (»1024
átomos/m3 ).

zona de transición

P altamente dopado N altamente dopado

 Modelización del diodo Zener
R R
Vs< Vz 
No conduce
V0 Vz Vs V0 Vs< Vz

I
R 
Vs= Vz
 Conduce
Vz
V0 Vz Vs= Vz
V


 Diodo Zener: aplicaciones
Regulador de R=1k Las tensiones Vz» [3 - 20V]
tensión Vs
Vs = VZ= 5V
V0 = 6V I Vz=5V
V0  Vz 6  5
I   1 mA
R 1k

Atenuador de P = VzI = 5V·1mA = 5 mW

rizado

Vs = Vz
V V
Vrizada

t Vz Vs t
V0
APLICACIONES DE LOS DIODOS
SEMICONDUCTORES .
.
TITULO

CIRCUITOS
RECTIFICADORES
 OBJETIVOS

l Comprender el esquema de un circuito rectificador de media onda .

l Interpretar el esquema de un circuito rectificador de onda completa y
explicar su funcionamiento.
l Comprender el esquema de un puente rectificador y explicar su
funcionamiento.
l Analizar para que sirve un condensador de entrada como filtro dentro de la
fuente de corriente.
L Encontrar las tres características principales de un diodo rectificador en
una hoja de especificaciones de un catálogo.
 Rectificadores de media onda y
onda completa
Rectificación de media onda

Sea un circuito con un diodo ideal y

una resistencia, excitado con una +V
m
señal sinusoidal (de magnitud Vm IR R
varias veces superior a VD):
+

+V
IR R
m IR= R
-Vm -Vm 0
 Rectificación de media onda

Si el voltaje de entrada es sinusoidal, el voltaje de salida (tensión

sobre la resistencia) tendrá la forma de una “media onda”:

Ve

+
+V
V
m Ve IR R V +V s
m
-Vm s

El circuito presentado se conoce como

“rectificador de media onda”.
 Rectificación de onda completa

Aunque la onda resultante de un rectificador de media onda es

continua (no cambia de signo), dista mucho de ser un valor
constante, como interesa tener en un circuito eléctrico de CC. Una
forma de mejorar la “calidad” de la onda continua resultante es a
través del “rectificador de onda completa”:

+
V Vm-2VD
Ve
+V R V s

m s
Ve
-Vm
 Rectificación de onda completa

Una alternativa al circuito anterior sería:

Ve V
+V Vm-VD
s
m R
-
Vm
 Rectificación de onda completa

Una fuente de tensión doble (con salidas negativa y positiva

respecto del punto medio del transformador) podría ser:

+
R
 Rectificación de onda completa

Al utilizar diodos “reales”, la caída de voltaje debida a los mismos

hace que la salida del circuito rectificador sea (para un puente
rectificador con 4 diodos):
SEÑAL PREVIA AL RECTIFICADO V
Ve +V
s m-
+V 2VD
m

2VD
VD
-VD t
-2VD
t SEÑAL RECTIFICADA

-Vm
TITULO

FUENTE DE
ALIMENTACION
FUENTE DE ALIMENTACION:DIAGRAMA DE
BLOQUES
Transformador
P1 = P2
(potencia del devanado1 = potencia del
2)

o lo que es lo mismo:

Ve · I1 = Vs · I2  Ve / Vs = I2 / I1

También se cumple:

N1 / N2 = Ve / Vs = m (relación de
transformación)
Donde:
N1 = número de espiras del devanado 1
N2 = número de espiras del devanado 2
 Rectificador

De media onda De onda completa

Filtro y estabilizador

Filtro Estabilizador
 FORMAS DE ONDAS DE SALIDA
• Filtro con rectificador de media onda

vS

t
T 5T
4 vE 4

v E  vC v E  vC
• Filtro con rectificador de onda completa

vS

t
T
3T
4
4 v EA v EB

v EB  vC v EA  vC
 El “suavizamiento” de la señal que sale del circuito
rectificador se conoce como “filtrado”. Esto puede lograrse
colocando un capacitor a la salida del rectificador.

SALIDA TRAFO
+V CIRCUITO SALIDA RECTIF.
RECTIFICADOR
m SIN FILTRO +V SIN FILTRO

m
-Vm

SALIDA TRAFO
+V CIRCUITO SALIDA RECTIF.
m
RECTIFICADOR
CON FILTRO
C +V
CON FILTRO

m
-Vm
Cuando se conecta una carga al circuito, la condición cambia. Para
comprender lo que sucede con el circuito puede colocarse una
resistencia, RC , como carga del sistema:

CIRCUITO
RECTIFICADOR
C R SALIDA RECTIF. RIZADO O “RIPPLE”
C VRc CON FILTRO

t
La tensión sobre la carga no es constante sino que varía con el tiempo,
lo que se conoce como “rizado” o “ripple”.
El rizado puede pensarse como formado por la suma de un voltaje de
CC y una pequeña señal de CA. Así, se define lo que se conoce
como “factor de ripple”, FR, como:

VCA
FR   100%
VCC

Vsalid
VCC a

V pr
Vpr VCA 
2 t
 Regulador CON DIODO ZENER

Regulador
Entrada D Salida

+ +
RL
vE vS  vR
C
– –

• Regulador con rectificador de media onda

vS

Vmin VZ
t
• Regulador con rectificador de onda completa
vS
Vmin
VZ
t
Fuente de alimentación real
TITULO

OTROS CIRCUITOS CON

DIODOS
 CIRCUITO DETECTOR DE PICO

El circuito rectificador de media onda con un filtro condensador se puede emplear

para detectar los valores de pico de las ondas de entrada. Sirve para extraer la señal de
información que se modula en amplitud (por ejemplo en transmisión radiofónica),
denominándose a este proceso demodulación.El capacitor se carga al valor pico de Vi.
Vc = Vm cuando termina de cargarse.
CIRCUITO ENCLAVADOR
CIERRE
Los diodos semiconductores forman parte de la
mayoría de los equipos de la era moderna. De
acuerdo a su aplicación existen varios tipos. Es
muy difícil pensar que algún sistema electrónico
de energía eléctrica no lo tenga como componente
en sus circuitos de rectificación, fuente de
alimentación y dispositivos de microelectrónica .
 Bibliografia

Boylestad, R. O. B. E. R. T., & Nashelsky, L. (2009). Teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos. Estados Unidos: Pearson.

Albert, M., & David, B. (2007). Principios de electrónica. Editorial

McGraw-Hill. España.