Materiales

Eléctricos

Diodo
 Materiales Eléctricos
Definición:
• Es un dispositivo semiconductor
• Formado por una juntura PN
• Es un dispositivo de dos terminales
• Permite la circulación de corriente ( I ) en un
solo sentido

Símbolo y Convenciones V - I:

+ VF - - VR +

IF IR

Subíndice F significa FORWARD o Directo Subíndice R significa REVERSE o Inversa

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Relación V – I (Modelo Diodo Ideal)

I = Is [ exp (VD/VT) – 1]
+ VD -
Is Fabricación
I

VT = k T / q
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I = IS [ exp (VD/UT) – 1]
• Dos diodos se diferencian entre ellos por el valor de IS
• IS refleja el proceso de fabricación (depende del material,
concentraciones, dimensiones) Dn n po D p pno
IS  qA(  )
Ln Lp
• IS depende de la temperatura. Dn Dp
IS  qAn (
2
 )
(a través de ni principalmente) i
Ln N A L p N D

Dn
• IS para una Juntura Larga N+ P IS  qAni2
Ln N A

Dp
• IS para una Juntura Larga P+ N IS  qAn 2
i
Lp N D
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Dp
• IS para una Juntura Corta P+ N IS  qAn 2
i
Wn N D

Dn
• IS para una Juntura Corta N+ P IS  qAni2
Wp N A

• La Vϒ (Tensión
umbral) se define como
la tensión que produce I M

el 1% del valor de
corriente máxima que
puede conducir el
Diodo 1% I M
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Limitaciones del modelo del Diodo Ideal

La primera limitación que

aparece en un diodo ideal es la
Resistencia serie ( Rs ) que R
representa las zonas óhmicas IF s
del semiconductor mas las
caídas en los contactos
+ VF
óhmicos y resto del metalizado -
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Limitaciones del modelo del Diodo Ideal

La segunda limitación que aparece es la
Máxima Tensión Inversa (VBR) que se la
representa por un diodo en serie con una
fuente de tensión de valor VBR y con una
Rs
resistencia serie RZ
Cuando se polariza en inverso , el diodo del
RZ
camino directo esta en inverso y como es VBR
ideal no conduce nunca, pero el diodo que
se agrego en paralelo conduce cuando se
supera VBR + Vϒ y RZ da la pendiente del
crecimiento de la corriente en el tercer
cuadrante
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Limitaciones del modelo del Diodo Ideal
Otra limitación son los efectos capacitivos, Capacidad de Juntura ( Cj )
y la Capacidad de difusión o almacenamiento ( CD ) que quedan en
paralelo con el diodo ideal

RR

CD

CJ

Rs

VBR RZ
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Limitaciones del modelo del Diodo Ideal

Otra limitación es la Recombinación en Zona de Depleción. Como se observa en
el grafico, las corrientes en la zona de depleción tienen una pequeña pendiente que
representa las perdidas de portadores por el fenómeno de recombinación. Cuando se
desarrollo el modelo de difusión del diodo se considero que no había recombinación
en dicha zona
Esta perdidas significan un I
aumento de la corriente del I
diodo para la misma IEp (x) IEn(x)
tensión aplicada. Se modela
agregando el factor η en el I
exponente de la tensión IDn(x) IDp(x)

como se muestra a -xp 0 xn

-WP WN
continuación
VD
I = Is [ exp (VD/ VT) – 1]   2 se toma generalmente para Si

Este fenómeno se pone de manifiesto a bajas corrientes del diodo. También se modela
con la resistencia RR
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Otra limitación que aparece en un diodo real es la Inyección de Alto Nivel. Cuando la
concentración inyectada de minoritarios en el lado N, pn (xn) es del orden de los
mayoritarios, ND=nn0 se produce la ruptura de la neutralidad eléctrica, aparece un Campo
Eléctrico, que favorece la difusión, pero se opone a la inyección de portadores por que
disminuye la tensión aplicada a l juntura. Concentración
de portadores

P (NA) E N (ND)

nn0
pp0 E pn(xn)
np(-xp)
np(x) + pn(x)
_
__ ++
___ +++ pn0
np0

WP -xp xn WN
np(-xp)  pp0 pn (xn)  nn0
VD
Se modela agregando el factor η en el exponente de la tensión como se muestra a
continuación
La corriente disminuye I = Is [ exp (VD/ UT) – 1]
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Se puede calcular el valor de la tensión aplicada al diodo a partir de la cual aparece este
fenómeno de Inyección de Alto Nivel. Se debe cumplir la condicion
n p ( x p )  p po  N A
VD 2 2 VD
( ) ni ni ( )
donde n p ( x p )  n po e VT
n po  NA  e VT

NA NA

LA TENSION DE POLARIZACION A LA NA
QUE COMIENZA LA INYECCION DE VD  2VT ln
ALTO NIVEL ni
Ejemplo: Juntura N+P con ND = 1017 NA = 1015 T = 300 °K
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I = Is [ exp (VD/ UT) – 1]
Si se grafica I versus V en escala
semilogaritmica la función
exponencial se convierte en una
recta cuya pendiente estará
determinada por el valor que
asuma el factor η en el exponente
de la tensión como se muestra en
la grafica.
Para muy bajas corrientes domina
el efecto de recombinación en la
zona de depleción y η asume el
valor de 2, luego sigue una zona
que funciona dentro del modelo
ideal de difusión y η vale 1, luego
aparece el fenómeno de Inyección
de alto nivel y η vale 2
nuevamente. Finalmente para muy altas corrientes pesa el
efecto de la caída óhmica en la resistencia RS y la recta de la
escala semilog. ya no es tal por que la función ahora es lineal
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Máxima Temperatura de
Juntura (TjM)
Otra limitación que aparece en un diodo real es la Máxima Temperatura de Juntura
(TjM) que puede alcanzar para que siga funcionando como diodo. Si esta trabajando a
altas corrientes aumenta la generación de calor por el efecto Joule del choque de los
electrones con la estructura cristalina del semiconductor. Será mayor en la zona de juntura.
Recordando de semiconductores, la temperatura extrínseca, para la cual el semiconductor
extrínseco dejaba de comportarse como tal, por que la generación intrínseca ni alcanzaba
el valor de la contamina NA o ND
Concentración
Portadores
ni
NA o ND
ni 2  A  T 3e  EG / kT

Para T = TExtrinseca  ni  ND o NA

50°K
T nn0  pn0 o pp0  np0
500°K
Temp. de Ionización
Temp. Extrínseca
de Impurezas
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La corriente directa en el diodo IF tendrá un valor máximo determinado por la Máxima
Temperatura de Juntura (TjM) y por la potencia que pueda disipar para que no sea
destructiva. Esto depende del encapsulado

Máxima Corriente Directa ( IFM )

_
+ VF

P N

IF
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Modelo Del Diodo

I = Is [ exp (VD/ UT) – 1]
RR

CD
CJ

Rs

VBR RZ
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Parámetros Del Modelo
Los principales parámetros que aparecen en el modelo del diodo y que usan todos los
simuladores como SPICE o MICRO-CAP son:

IS RS VBR Cj0 TT  Vj0

Ecuaciones Del Modelo

I = Is [ exp (VD/ UT) – 1]

CJ𝟎
CJ=
(𝟏−𝑽𝑫/𝑽𝑱𝟎)

+ VD - + I . Rs - VF = VD + I . Rs
+ VF -
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Parámetros Del Modelo

CJ𝟎
CJ=
(𝟏−𝑽𝑫/𝑽𝑱𝟎)

VJ0/2 VJ0
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Clasificación De Los Diodos
Normales
Rapidos
RECTIFICADORES Ultrarapidos
Schottky
REGULADORES
(ZENER)
- FUNCION EN LOS CAPACITORES
CIRCUITOS (VARICAP)
EMISORES DE LUZ
(LEDS)
DETECTORES DE LUZ
(FOTODETECTORES)

- MATERIAL
- POTENCIA
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Máximos Absolutos
Características Eléctricas
Curvas y Gráficos
Analizar diferentes
Hojas de Datos
O Data Sheet
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Tiempos de Conmutación
Tiempo de Recuperación trr
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Máxima Frecuencia de Rectificación
Rectificación Ideal

A1 A1

Fmax infinito
Fmax = 1/T
T cero
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Máxima Frecuencia de Rectificación
Rectificación Real
T

Fmax infinito
Fmax = 1/T
T cero
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Máxima Frecuencia de Rectificación
Rectificación Real
T

Fmax infinito
Fmax = 1/T
T cero
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¿Que determina la conmutación? La carga almacenada en
las zonas neutras, QnP
D Concentració
n de y QpN se debe remover
I P (NA) portadores
+ N (ND) para pasar de conducción
+
R + directa a inversa y esto no
np(-xp) pn(xn
E + ) se puede hacer en cero
np(x pn(x
C ) + QpN ) tiempo. Como se
QnP
T np0 + pn0 muestra en los gráficos se
A Wp -xp + xn Wn
debe pasar de un perfil de
+ cargas en directo al de
V inverso.
D
Concentración El tiempo que se tarda
de portadores
aumenta con la corriente
P (NA) + N
I + (ND) directa por que aumenta
N + la carga almacenada.
+
V
+
E
np0 + pn0
R
+
-xp
S Wp xn W
n
A
V
D
 Tiempo de Recuperación trr
En el grafico se muestra lo que puede ser la rectificación de un diodo para una onda
sinodal en altas frecuencias, donde los tiempos de conmutación estén dentro del orden del
periodo de la señal. trr es el tiempo de recuperación inversa y es la suma del tiempo
de almacenamiento ta también llamado en ingles ts (storage) mas el tiempo tb o
tf tiempo de caída

ts esta determinado por la carga almacenada en las zonas neutras y tf es el tiempo para
cargar la capacidad de juntura en inversa.
El fenómeno de conmutación se nota mucho mas con ondas cuadradas por los frentes
abruptos como se observa en las diapositivas siguientes.
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Máxima Frecuencia de Rectificación

A1

A2

trr

T/2 T/2

Debe ser A1 >> A2

 5ª Velocidad de conmutación

• Comportamiento ideal de un diodo en conmutación

Universidad de Oviedo
R
i Transición de “a” a “b”, es
a b + decir, de conducción a
V2 V bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t

V t

-V2
 5ª Velocidad de conmutación

• Comportamiento real de un diodo en conmutación

Transición de “a” a “b”, es decir, de conducción a bloqueo
Universidad de Oviedo (apagado)

R
i i
a b
V1/R
+ trr
V2 V t
V1
ts
-
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time ) t
trr = tiempo de recuperación
inversa (reverse recovery time ) -V2
 5ª Velocidad de conmutación

• Comportamiento real de un diodo en conmutación

Transición de “b” a “a”, de bloqueo conducción
Universidad de Oviedo (encendido)

R i
i 0,9·V1/R
a b + 0,1·V1/R
V2 V
V1 td
- tr
DIODOS DE POTENCIA

tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperación directa genera menos

problemas reales que el de recuperación inversa
 5ª Velocidad de conmutación

• La velocidad de conmutación (valorada

con la trr) ayuda a clasificar los diodos
Universidad de Oviedo
VRRM IF trr

• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s

• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns
• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V 1 A – 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA

Las características de todos los semiconductores (por supuesto,

también de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)
www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web www.semikron.com.ar
www.philips.com
www.vishay.com
 Valores de picos Característicos de las ondas de tensión de la red de
distribución
DIODOS DE POTENCIA
 Diodo Rectificador
vs
Diodo Regulador (ZENER)
• La misma fabricación

• Distintas zonas de trabajo • Distintas especificaciones en

• Rectificador |VBR| > VD • Máximos Absolutos
• Regulador |VBR| < VD • Características Eléctricas

𝑁° 𝐶𝑎𝑠𝑜𝑠

𝑉𝐵𝑅

𝑉𝐵𝑅𝑚𝑖𝑛 𝑉𝐵𝑅 𝑉𝐵𝑅𝑀𝐴𝑋

 Materiales Eléctricos
Diodos Serie

R1- R4 representan la resistencia equivalente de los diodo D1 - D4 en inversa

Si las resistencia no son iguales las tensiones en cada diodo no será igual

Ejemplo: Diodos de 1000 V de tensión inversa – Fuente 4000 V

La caída en alguno de los diodos será mayor que 1000 V

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SI
RE << (R1-R4)MIN
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Regulador de Tensión

IL

Vi V0 RL
Regulador

Regulación de carga Regulación de línea

ILM - VLripp Resistencia de salida R0

 Materiales Eléctricos
Regulador con diodo ZENER

Diodos Reguladores
• Coeficiente térmico
• Diferencia en las especificaciones con los
rectificadores
• Hoja de datos de diodo Zener
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Diodo Varicap
Factor de Calidad (Q) de
un capacitor Diodo en directo Diodo en inverso

Q =  C Rp Rd = UT / ID ≈ 30 mΩ RR ≈ 100 MΩ
Circuitos básicos con
DIODO VARICAP