Materiales

Eléctricos

Juntura PN
Corta
Juntura
Asimétrica
Capacidad de
Difusión
 Materiales Eléctricos
JUNTURA CORTA
Un Juntura PN, con polarización directa, como la mostrada en la figura, es una
juntura Larga por que los perfiles de concentración de los minoritarios
inyectados alcanzan el valor de equilibrio en las zonas neutras mucho antes del
contacto metálico. Por ejemplo los huecos inyectados en la zona N son
pn(xn) = pn0 exp (VD/VT) y alcanzan el valor de equilibrio pn0 mucho antes
del contacto metálico. Lo mismo pasa para los electrones inyectados en la zona P
np(-xp) = np0 exp (VD/VT) alcanzan el valor de equilibrio np0 mucho antes del
contacto metálico
Concentración
de portadores

P (NA) + N (ND)
+
+
np(-xp) pn(xn)
+
np(x) + pn(x)
+

np0
+ pn0

+
-xp xn
Wp Ln Lp Wn

VD
 Materiales Eléctricos
JUNTURA CORTA
Que pasaría? si a esta juntura le acortamos los largos de Wn y Wp por debajo de
Lp y Ln respectivamente como se muestra en la figura por las líneas de trazo. Las
funciones exponenciales pn(x) y np(x) se las podrá aproximar a una recta y
los perfiles de concentración alcanzaran el valor de equilibrio en el nuevo
contacto metálico. Estos resultados se muestran en la diaposiva próxima
Concentración de
portadores

P (NA) + N (ND)
+
+
+
np(-xp) pn(xn)
+
np(x) + pn(x)
+
+
pn0
np0

-xp xn
Wp Ln Lp Wn

VD
 Materiales Eléctricos
JUNTURA CORTA
En este dibujo se cambia la escala horizontal por esa razón Wn y Wp parecen de
las mismas medidas que antes, pero son menores que Lp y Ln respectivamente

WP << Ln WN << LP

P (NA) - + N (ND)
- + pn(xn)
np(-xp) - + pn(x)
np(x)
- +
I - +

np0 - + pn0

- WP -xp xn WN

La función exponencial pn(x) de huecos inyectados en al zona N es

pn (x) = [ pn(xn)-pno ]*exp[-(x-xn)/ Lp] + pno Se la puede aproximar a una recta
Lo mismo podemos decir para los electrones inyectados en al zona P
 Materiales Eléctricos
JUNTURA CORTA
Si calculamos las corrientes a partir de estos perfiles de concentración
En la expresión de la corriente de una juntura Corta Lp es reemplazado por Wn
y Ln por Wp

 qD p
dp
 qD p
 pn ( xn )  pno  qD p pno

 VVD 
J Dp e T  1
dx Wn Wn  

J Dn  qDn
dn
 qDn
n p ( x p )  n po   qD n  VVD 
e T  1
n po

dx Wp Wp  
VD VD
qD p pno qDn n po ( ) Dn Dp ( )
J (  )( e UT
 1)  qn ( 
2
i )( e UT
 1)
Wn Wp Wn N D W p N A

VD
( )
J  JS ( e UT
 1)
 Materiales Eléctricos
RECORDANDO para una JUNTURA P-N larga con polarización directa
J

JT
JEp(x) JEn(x)

JT
JDn(x) JDp(x)

-WP Ln -xp 0 xn Lp WN

VD

VD
qDn n po qD p pno ( )
J (  )( e UT
 1)
Ln Lp
VD
( )
J  JS ( e UT
 1)
La diferencia con una Juntura PN corta esta en la corriente IS
 Materiales Eléctricos
JUNTURA ASIMETRICA

• Cuando una de las zonas ( N o P) tiene muchas mas impurezas que la otra

• N+ P ND >> NA
• P+ N NA >> ND
• En estas condiciones el parametro IS esta determinado por la zona menos
contaminada

Is = q A ni2 Dn N+ P Is = q A ni2 Dp P+ N
Ln N A Lp N D

JUNTURA LARGA

VD VD
qADn n po ( ) qAD p pno ( )
I (e UT
 1) I (e UT
 1)
Ln Lp
 Materiales Eléctricos
JUNTURA ASIMETRICA

• Cuando una de las zonas ( N o P) tiene muchas mas impurezas que la otra

• N+ P ND >> NA
• P+ N NA >> ND
• En estas condiciones el parametro IS esta determinado por la zona menos
contaminada

IS = q A ni2 Dn N+ P IS = q A ni2 Dp P+ N
WP NA WN ND

JUNTURA CORTA

VD VD
qADn n po ( ) qAD p pno ( )
I (e UT
 1) I (e UT
 1)
Wp Wn
 Materiales Eléctricos
CAPACIDAD DE DIFUSION

P (NA) N (ND)
- +
Juntura Corta
pn(xn)
- +
np(-xp) - +
- +
I - + QpN
np0
QnP - + pn0

- WP -xp xn WN

VD

Como consecuencia de la polarización directa observamos que se almacena carga en

las zonas neutras. Estas son QpN (huecos en zona N) y QnP (electrones en la zona P) y
son dependientes de la tensión aplicada a la juntura vía de pn(xn) y np(-xp) Cuando
aumenta la polarización directa VD, ambas concentraciones inyectadas aumentan en una
relación exponencial, según la ley de la juntura.
Esa variación de la carga con la tensión dQ/dV es una capacidad, que llamamos
Capacidad de Difusión, por que es originada por la carga almacenada como
consecuencia de la Difusión de portadores.
Es diferente a la capacidad de Juntura, la que esta relacionada con la carga fija de la
zona de depleción
 Materiales Eléctricos
CAPACIDAD DE DIFUSION
Juntura Corta P (NA) N (ND)
- +
pn(xn)
- +
np(-xp) - +
- +
I - + QpN
np0
QnP - + pn0

- WP -xp xn WN

VD

Calculamos la Carga almacenada en las zonas neutras con polarización directa

QpN: Carga de huecos en la zona N es el área del triangulo en verde
 VD

 1 (qAWn  pn ( xn )  pno  
qAW p
e  1
n no V
Q pN T
2 2  
QnP: Carga de electrones en la zona P es el área del triangulo en amarillo

qAW p n po  VTD 
V

2

QnP  1 (qAW p n p ( x p )  n po   e  1
2  
Modelo de Control por carga para una
Materiales Eléctricos
Juntura PN
Suponiendo una Juntura Asimétrica P+N o sea QpN >> QnP

qAWn pno  VVD 

La carga es Q pN  e T  1
2  
dp qAD p  VD

La corriente es I  qAD n

p no
e  1
VT
p
dx WN   Q pN Wn2
Haciendo el cociente de carga en corriente

I 2Dp
Analizando las unidades de W2N/2 Dp [ cm2/(cm2/seg) ] es tiempo (seg)

Wn2
Lo llamamos Tiempo de Transito TT  Para juntura P+ N corta
2Dp
El Tiempo de Transito es el tiempo que tardan los portadores huecos en
atravesar la juntura PN. Podemos expresar la corriente como:
Q pN es una ecuación muy simple que expresa la corriente del diodo
I
TT
Modelo de Control por carga para una
Materiales Eléctricos
Juntura PN
Para la Juntura Asimétrica P+N o sea QpN >> QnP corta
Q pN
La corriente es I es originada por los huecos de QpN
TT
dQ pN dI I
La Capacidad de Difusión será  TT  TT
dV dV VT
I Como se observa la CD es proporcional a la corriente directa I
C D  TT
VT y es originada por QpN
El Tiempo de Transito es el tiempo que tardan los portadores huecos en
atravesar la juntura PN.

Repitiendo los cálculos para una Juntura Corta Asimétrica N+P QnP >> QpN

qAW p n po  VTD 
V
qADn n po  VVD 
La carga es QnP  e  1 La corriente es I  e T  1
2   WP  
Modelo de Control por carga para una
Materiales Eléctricos
Juntura PN 2
QnP W p
Haciendo el cociente de carga en corriente 
I 2 Dn

Se obtiene el Tiempo de Transito, que es el tiempo que tardan W p2

TT 
los portadores electrones en atravesar la juntura PN. 2 Dn
QnP
La corriente se puede expresar como: I
y es originada por los huecos de QnP
TT

dQnP dI I
La Capacidad de Difusión será  TT  TT
dV dV VT
I
Para una Juntura corta C D  TT
VT

Como se observa la CD es originada por QnP y es proporcional a la corriente

directa I
 Materiales Eléctricos
Juntura PN o DIODO
Q
Si la juntura no es asimétrica pero es corta podemos generalizar que I
TT
dQ dI I
La Capacidad de Difusión será  TT  TT
dV dV VT
I
Para una Juntura corta C D  TT
VT

CD es proporcional a la corriente directa I y es la suma de las capacidades de

Difusión originada por los huecos almacenados en la zona N, QpN mas la
capacidad originada por los electrones almacenados en la zona P QnP
 Materiales Eléctricos
CAPACIDAD DE DIFUSION
Concentración
de portadores

Para una Juntura P+ (NA) + N (ND)

Larga Asimétrica +
+
QpN >> QnP pn(xn)
np(-xp) +
+ pn(x)
+
np(x)
QpN
np0 QpN + pn0
QnP +
-xp xn
Wp Wn

VD

La Carga almacenada en las zonas neutras con polarización directa QpN es Carga de
huecos en la zona N y es el área bajo la curva exponencial de pn(x)

   xL xn  
 pn ( xn )  pno e P  dx
WN WN
Q pN  qA p 'n ( x)dx  qA
xn xn
 
 Materiales Eléctricos

Para una juntura larga P+ N QpN >> QnP

La Carga de huecos en la zona N  VD 

Q pN  qALP  pn ( xn )  pno   qALP pno e T  1
V

 
 
qAD p pno  VTD 
V
La corriente por difusión I  e  1
LP  
Q pN L2P
Haciendo el cociente    p Vemos que es el tiempo de vida
I Dp de los huecos

Q pN
La corriente se puede expresar en una forma muy sencilla: I 
p

dQ pN dI I
La capacidad de difusión será CD   p  p
dV dV VT
 Materiales Eléctricos
Todos estos cálculos se realizaron para una juntura P+N. Se pueden repetir
exactamente igual para una juntura N+P donde los resultados estarán
determinados por los electrones inyectados en la zona P. Si la juntura no es
asimétrica tendrán peso los huecos y electrones inyectados y la corriente y
la capacidad de difusión quedaran determinada por ambos portadores.
Si es una juntura Larga el tiempo que se usa para los cálculos es el tiempo
de vida medio tp o tn . Si es una juntura Corta el tiempo que se usa para los
cálculos es el tiempo de Transito TT
Si se calcula la capacidad de Difusión, por ejemplo para un diodo que esta
polarizado con una corriente de 10mA, considerando que es una juntura
larga, y que el tiempo de vida es 10useg
CD = 10Exp(-6)*(1Exp(-3)/26exp(-3) = 3,84uF es una capacidad bastante
grande en relación a la capacidad de Juntura que esta en el orden de los
nanos y picos faradios
La otra cuestión importante es que la Capacidad de Difusión pesa con la
polarización directa, en inversa es despreciable frente a la capacidad de
juntura.
La Capacidad de Difusión con polarización directa queda en paralelo con la
resistencia dinámica del diodo 1 dI I
gd     p  C D rd
Que también depende de I rd dV VT