ELECTRÓNICA I

Martha Ospina

Ingeniería Electrónica
Universidad Distrital Francisco José de Caldas
2021
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Semiconductores Extrínsecos

Hueco
+

Átomo aceptor

Sin necesidad de aplicar energía alguna, ya existe un

movimiento de huecos en el nivel de valencia.
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Semiconductores Extrínsecos

Hueco
+ Sin necesidad de aplicar energía alguna, ya existe un
movimiento de huecos en el nivel de valencia.

Átomo aceptor
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Semiconductores Extrínsecos

Electrón sobrante

As

Átomo donor

Se necesita aplicar una energía para que exista un

movimiento de cargas.
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Unión PN Línea de Unión
P N
++ +
+
++
+ + +
+ + P + N
+ +
+
+ +
+ + +

Zona de Zona de
empobrecimiento empobrecimiento

Se forman iones positivos y negativos,

Formando la zona de deplexión.
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Unión PN Potencial de barrera
Cualquier electrón que quiera pasar del
material tipo N al P tendrá que superar el
potencial de barrera: Voltaje umbral [V].
- + Este voltaje depende:
+ N
P + • De la cantidad de dopado del material N y P
+ +
+ • De la temperatura que esté expuesto
+ + • Del tipo de material.
+ + +

A temperatura ambiente
Zona de Zona de (25°C):
VU = 0,6V para el Silicio
empobrecimiento empobrecimiento
VU = 0,2V para el Germanio
Se forman iones positivos y negativos,
Formando la zona de deplexión.
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Unión PN Símbolo del Diodo
+ -
P N + -

Ánodo Cátodo

Ánodo Cátodo
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Polarización del Diodo
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Polarización Directa del Diodo
- Vu +
P N

i
i
+V-
+V-
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Polarización Inversa del Diodo
- Vu +
P N

i i

-V+ -V+
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Curva Característica del Diodo
i[mA]

V[V]
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Curva Característica del Diodo
i[mA]

V[V]
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Ecuación del Diodo

Corriente en directo
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Capacitancia de Transición y Difusión

1
𝑋𝑋𝑐𝑐 =
2𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋

El diodo presenta dos efectos de capacitancia:

• Región de Polarización Inversa: Capacitancia de la región de
agotamiento o transición CT
• Región de Polarización Directa: Capacitancia de difusión CD
o de almacenamiento
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Capacitancia de Transición y Difusión

1
𝑋𝑋𝑐𝑐 =
2𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋

El diodo presenta dos efectos de capacitancia:

• Región de Polarización Inversa: Capacitancia de la región de
agotamiento o transición CT
• Región de Polarización Directa: Capacitancia de difusión CD
o de almacenamiento
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
𝝐𝝐
Capacitancia de Transición y Difusión

𝜖𝜖𝐴𝐴
𝐶𝐶 =
𝑑𝑑 𝑑𝑑

𝜖𝜖: permitividad del dieléctrico entre las placas de área A separadas

una distancia d.
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Reactancia Capacitiva
1
𝑋𝑋𝑐𝑐 =
2𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋
Circuito Equivalente del diodo para altas y bajas frecuencias

N
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Reactancia Capacitiva
1
𝑋𝑋𝑐𝑐 =
2𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋
Circuito Equivalente del diodo para altas y bajas frecuencias
Bajas frecuencias Altas frecuencias
𝑋𝑋𝑐𝑐 ↓
+
P
R’’D
R’D
N
-
R’D =RD + RN + RP 𝑅𝑅𝑅𝑅𝐷𝐷 ≪
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Reactancia Capacitiva
1
𝑋𝑋𝑐𝑐 =
2𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋
Circuito Equivalente del diodo para altas y bajas frecuencias
bajas frecuencias Altas frecuencias
-
P

N
+

Rinverso: pequeña
Rinverso: Grande
TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA: trr
ID
ENCENDIDO
CONDICIÓN IDEAL

Al polarizar el diodo en directo el diodo conduce y en la

condición ideal al polarizar en inverso debería impedir el paso
de la corriente, es decir I=0A.

CONDICIÓN REAL
APAGADO
Al polarizar el diodo en directo el diodo
t conduce y al polarizar en inverso aparece una
corriente negativa durante un pequeño periodo
de tiempo que luego comienza a disminuir
ts tt hasta llegar a impedir el paso de la corriente,
trr es decir I=0A.
ts: tiempo de almacenamiento trr= ts + tt
tt: tiempo de transición
trr: tiempo de recuperación inversa
 𝐼𝐼0 𝑚𝑚𝐴𝐴
𝐼𝐼0  Corriente máxima
392℉ 100 ℃ 25 ℃ −75 ℃
𝑉𝑉0  Voltaje umbral 12 200 ℃

Diodo semiconductor de Silicio 10

6
( Temperatura Ambiente )
4

𝑣𝑣 2
60 50 40 30 20 10

0.7 1 1.5 2 𝑉𝑉0 𝑣𝑣

1
2
3

𝜇𝜇𝜇𝜇