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Martha Ospina
Ingeniería Electrónica
Universidad Distrital Francisco José de Caldas
2021
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Semiconductores Extrínsecos
Hueco
+
Átomo aceptor
Hueco
+ Sin necesidad de aplicar energía alguna, ya existe un
movimiento de huecos en el nivel de valencia.
Átomo aceptor
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Semiconductores Extrínsecos
Electrón sobrante
As
Átomo donor
Zona de Zona de
empobrecimiento empobrecimiento
A temperatura ambiente
Zona de Zona de (25°C):
VU = 0,6V para el Silicio
empobrecimiento empobrecimiento
VU = 0,2V para el Germanio
Se forman iones positivos y negativos,
Formando la zona de deplexión.
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Unión PN Símbolo del Diodo
+ -
P N + -
Ánodo Cátodo
Ánodo Cátodo
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Polarización del Diodo
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Polarización Directa del Diodo
- Vu +
P N
i
i
+V-
+V-
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Polarización Inversa del Diodo
- Vu +
P N
i i
-V+ -V+
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Curva Característica del Diodo
i[mA]
V[V]
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Curva Característica del Diodo
i[mA]
V[V]
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Ecuación del Diodo
Corriente en directo
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Capacitancia de Transición y Difusión
𝑑
: permitividad del dieléctrico entre las placas de área A separadas
una distancia d.
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Reactancia Capacitiva
1
𝑋 𝑐=
2 𝜋 𝑓𝐶
Circuito Equivalente del diodo para altas y bajas frecuencias
N
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Reactancia Capacitiva
1
𝑋 𝑐=
2 𝜋 𝑓𝐶
Circuito Equivalente del diodo para altas y bajas frecuencias
Bajas frecuencias Altas frecuencias
𝑋𝑐↓
+
P
R’’D
R’D
N
-
𝑅 ′ ′𝐷 ≪
R’D =RD + RN + RP
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
Reactancia Capacitiva
1
𝑋 𝑐=
2 𝜋 𝑓𝐶
Circuito Equivalente del diodo para altas y bajas frecuencias
bajas frecuencias Altas frecuencias
-
P
N
+
Rinverso: pequeña
Rinverso: Grande
TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA: trr
ID
ENCENDIDO
CONDICIÓN IDEAL
CONDICIÓN REAL
APAGADO
Al polarizar el diodo en directo el diodo
t conduce y al polarizar en inverso aparece una
corriente negativa durante un pequeño periodo
de tiempo que luego comienza a disminuir
ts tt hasta llegar a impedir el paso de la corriente,
trr es decir I=0A.
ts: tiempo de almacenamiento trr= ts + tt
tt: tiempo de transición
trr: tiempo de recuperación inversa
𝐼 0 (𝑚 𝐴)
Corriente máxima
Voltaje umbral 12
6
( Temperatura Ambiente )
4
( 𝑣 ) 2
60 50 40 30 20 10
1
0.7 1 1.5 𝑉
2
0 ( 𝑣)
2
3
(𝜇 𝐴)