2.

- Conducción de corriente en los SC:

Dos tipos:

1.- El Arrastre o Deriva:

Debido al campo eléctrico E

2.- La Difusión:
Debido al gradiente de concentración.
 2.1.- Corriente de Arrastre:
Sin campo eléctrico:
colisión

l i b r e m e di o
Cami n o
o l i br e m edi o
Tiemp
- Movimiento es dado por la energía térmica.
* 2
- Es un movimiento aleatorio. m ν
n(p) thn(p) 3k B T

Corriente neta=0 2 2
 Aplicando un campo eléctrico externo:

- Tendencia de moverse hacia un lado.

Corriente neta ≠ 0:
existe corriente de
arrastre!
- Su velocidad (Varrn) es menor a la velocidad térmica.
Movimiento de los portadores ante un campo aplicado:

Electrón:

Hueco:
Corriente de arrastre de portadores
E A: área de sección
transversal

µn(p): movilidad de
electrones (huecos)
qt qt
μn  * μp 
mn mp*
+V-
: tiempo entre
colisiones.
Inarr
Electrones: Jnarr   qnμnE
A
Iparr
Huecos: Jparr   qpμpE
A
 2.2.- La Dispersión (scattering):
Afecta la movilidad. Impide sea constante.
Dos tipos principales de dispersión:
Impurezas ionizadas
- Depende del grado de dopaje del SC.
- Tipo de colisión: portador-ión
2.- Fonónica
- Depende de la temperatura.
- Tipo de colisión: portador-fonón
1 1 1
 
μn(p) μn(p)ii μn(p)f
Valores típicos de la movilidad a T=300 K para muestras
extremadamente puras.
MATERIAL μn(cm2/v-s) μp(cm2/v-s)
SEMICONDUCTOR
Silicio 1350 480
Arsenuro de Galio 8500 400
Germanio 3900 1900
2.3.- Efectos de un fuerte campo eléctrico:
- Velocidad de arrastre comparable a la v. térmica.
qt qt
v arrn   *
E  μnE v arrp  * E  μpE
mn mp

- Decrece el tiempo entre colisiones.

Reduce la movilidad
 2.4.- Resistividad:
Para un semiconductor tipo N:
1 1 1
ρ ρ 
q(μ n n  μ p p) qμ n n n qμ n N D Y la resistencia:
Para un semiconductor tipo P: L 1L
R      
 A   A
1 1
ρ 
qμ p p p qμ p N A
 2.5.- Nivel de Fermi constante:

EF

Material 1 Material 2 Material N

SÓLO EN ESTADO DE EQUILIBRIO

(NO OLVIDAR)!!
 2.6.- Corriente de Difusión:
Difusión:
- Migración de partículas desde regiones de alta
concentración hacia regiones de baja concentración.
Corriente de e-
Flujo de e- y h+
Gradiente de
Corriente de h+ concentración

x
I  dn  Ipdif  dp 
Jndif  ndif  qDn   Jpdif   qDn  
A  dx  A  dx 

Dn(p): Coeficiente de difusión de electrones (huecos)

(cm2/s)
 2.7.- Corriente Total:
Corriente de arrastre + Corriente de difusión
 dp 
JTp  Jparr  Jpdif  qμppE  qDp  
 dx 
 dn 
JTn  Jnarr  Jndif  qμnnE  qDn  
 dx 

Relaciones de Einstein
Relacion entre el coef. de difusion D y la movilidad µ.
D n k BT Dp k BT
 
μn q μp q
 2.8.- Generación y Recombinación (G-R):
- Generación: Proceso donde el par electrón-hueco (e-h)
es creado.
- Recombinación: Proceso donde el electrón y el hueco
se juntan, aniquilando el par e-h.
Semiconductor en equilibrio térmico:
Cada proceso está balanceado por el proceso inverso.
Semiconductor perturbado:
Un exceso o déficit de portadores es creado a partir
del estado de equilibrio.
La G-R intenta restablecer el orden.
 2.8.1.- Tipos de procesos G-R:

G-R Banda-Banda.

Centro G-R.

G de portadores vía ionización por impacto.

R de portadores Auger.
 2.9.-Relaciones de Continuidad:
Suma de procesos individuales:
Arrastre + Difusión + G-R dentro de un semiconductor

n n n n
  
t t arrastre t difusión t Procesos
de G - R
p p p p
  
t t arrastre t difusión t Procesos
de G - R

A partir de estas, se derivan las relaciones de

continuidad para los portadores minoritarios
 2.9.1.-Relaciones de Difusión de los
Portadores Minoritarios:
Electrones minoritarios: Huecos minoritarios:
Δn p  2Δn p Δn p Δpn  2Δpn Δpn
 Dn   G op  Dp 2
  G op
t x 2 τn t x τp

Δnp=np-np0: Desviación de los electrones minoritarios

a partir de su estado de equilibrio.
Δpn=pn-pn0: Desviación de los huecos minoritarios
a partir de su estado de equilibrio.
τ n(p): Tiempo de vida e los electrones (huecos).
Gop: Generación de portadores por medios ópticos.
Gop=0, Cuando la luz es absorbida sólo en la superficie.
Gop≈cte, cuando la luz es absorbida dentro del dispositivo.
 N

x
xn +∞
Por acción de la radiación, en x=xn, se genera Δpn de portadores.
La luz es absorvida sólo en la superficie, entonces Gop=0.
La G-R de portadores no está en función del tiempo.
 2 Δpn Δpn
Dp  0
x 2
τp
Solución general de la ecuación diferencial de segundo grado:
x x x x
Dp τ p Dp τ p Lp Lp
Δpn (x)  Ae  Be  Ae  Be

Condiciones de frontera (C.F.):

 xn xn
Lp Lp
Δpn (x  x n )  Δpn  Ae  Be
Δpn (x   )  0  Be  ,entonces B  0
xn
Lp
Resolviendo se tendrá que A y B serán: A  Δpn e
B0

x n x
Lp
Δpn (x)  Δpne
 nn≈ND N

Condición de baja inyección

pn(x)
Δpn(xn)
Δpn(x)=pn(x)-pn0
pn0

x
xn +∞
3.- Doblamiento de las Bandas de Energía:
- Hasta ahora, los SC dopados que hemos analizado
han sido SC unformemente dopados en estado de equilibrio.
Dopaje Dopaje
ND NA
Tipo N Tipo P
NA ND
x x
0 d 0 d
EC EC
EF
EFi EFi
EV EF
EV
0 d x 0 d x
Si asumimos condiciones de equilibrio y el dopaje
varía con la posición ?
ND
No olvidar que si se dopa
mucho, tendremos SC
degenerados !
x
d 3kBT
Semiconductor
EF degenerado
EC

EC Semiconductor no
EF
EF
degenerado

EFi EV Semiconductor
EF degenerado

3kBT

EC
0 d x
 E
E.Cinética
EC EC

Energía
E.
EV
Potencial
E.Cinética
E
Eref
dV
E. Potencial  -qV  EC - EREF E -
dx

1
V  - (E C  E REF ) 1 dE C 1 dE V 1 dEFi
q E   
q dx q dx q dx
 EC

EFi

EF

EV
x
0 L 2L 3L

1.- Prevalecen las condiciones de equilibrio ?

2.- Es un SC degenerado ?
3.- Graficar V y el campo eléctrico.