Universidad de Guadalajara

Centro universitario de Ciencias Exactas e Ingenierías

ELECTRONICA INDUSTRIAL
Curva de transferencia del Fet

Autor: Rivera Mendoza Kevin Daniel

Código: 214431616

Tlajomulco de Zúñiga, Jalisco. octubre 2021

 CURVAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

(FET)

FUNDAMENTO TEORICO

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de
colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando
funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada.
Características generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una señal muy débil puede controlar el componente
La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transitores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de
campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más
frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate),
Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes:

CURVA CARACTERÍSTICA Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o
zonas importantes:

• Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS.

• Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una
fuente de corriente controlada por la tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.

• Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor común (SC), Drenador común (DC) y
Puerta común (PC). La más utilizada es la de surtidor común que es la equivalente a la de emisor común en los
transistores bipolares. Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificación de
señales débiles.
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la tensión de
puerta.

HOJAS DE CARACTERISTICAS DE LOS FET En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los
siguientes parámetros (los más importantes):

• VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas soportables por la unión PN.

• IG.- corriente máxima que puede circular por la unión puerta - surtidor cuando se polariza directamente.

• PD.- potencia total disipable por el componente.

• IDSS.- Corriente de saturación cuando VGS=0.

• IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unión puerta - surtidor se encuentra polarizado
en sentido inverso.

DIAGRAMAS CIRCUITALES
MEDICIONES E INFORMACION EXPERIMENTAL OBTENIDA EN EL LABORATORIO • Corriente de
drenador en miliamperios, en función del voltaje drenador

Voltaje compuerta surtidor, cuando FET esta en estado de estrangulamiento I D=

• Grafica de la característica de transferencia o A partir de la tabla t1, graficar la corriente de drenador en

función del voltaje compuerta-surtidor. Considere el voltaje V DS como parámetro o Observe que las curvas
tienden a sobreponerse, cuando el voltaje V DS tiende a ser mayor. Considerando la curva correspondiente al
mayor voltaje de V DS , evalué el voltaje de estrangulamiento y la corriente de saturación cuando V GS=0V

ANEXOS:

file:///C:/Users/kevin/Downloads/vsip.info_curvas-caracteristicas-del-transistor-de-efecto-de-campo-5-pdf-
free.pdf

http://www.elo.jmc.utfsm.cl/sriquelme/apuntes/polarizacion%20fet/polarizacion%20fet.pdf

https://aprenderly.com/doc/36831/fet--transistor-de-efecto-de-campo--curva-caracter%C3%ADstica-