Instituto Politécnico

Nacional
Escuela Superior de Cómputo

Tema: “Transistor de Efecto de Campo (FET)”

Profesor: José Alfredo Martínez Guerrero

Emmanuel Soperanes Fernández

4CV2
 Transistor de Efecto de Campo
Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la
base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los
Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se
controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran
una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada
Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de
efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los
bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la
encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate),
Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de
canal P o de canal N.

FET de canal N FET de canal P

Principios de operación del FET
Zona Óhmica o lineal: En esta zona el transistor se comporta como una
resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y
distintos valores de VGS.
Zona de saturación: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta
como una fuente de corriente gobernada por VGS
Zon de corte: La intensidad de drenaje es nula (ID = 0)

La operación de un FET de canal P es complementaria a la de un FET de canal

N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario

Parámetros y características de transferencia

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds
como de la puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente,
suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)
En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas
(en el gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva)
podemos escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds
y Vgs en esta forma

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la

inversa de la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es
cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la
rd es infinita (muy grande). El parámetro gm se le denomina conductancia
mutua o transconductancia, y es igual a la separación vertical entre las
características que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.
 Polarización del FET
Los circuitos básicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear
para los MOSFET. EL JFET tiene el inconveniente de que la tensión VGS debe
ser negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de
polarización característicos para este tipo de dispositivos.

Polarización simple: se utiliza una fuente de tensión externa para generar una
VGS<0, y autopolarización.

La caída de tensión en la resistencia RS debida a ID permite generar una

VGS<0.
Bibiliografía

 El transistor de Efecto de Campo. (s. f.).

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor-de-Efecto-de-Campo.html

 TRANSISTOR FET. (s. f.).

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.html