Enlace covalente

Cuando los átomos de Si se combinan para formar un material solido, se

disponen en un patrón fijo denominado cristal. Los átomos dentro de la
estructura cristalina se mantienen unidos mediante enlaces covalentes, que
se crean por interacción de los electrones de valencia de los átomos.
 Semiconductores intrínsecos

Un semiconductor intrínseco es un material semiconductor de un cristal

sin ningún otro tipo de átomo dentro del cristal. En un semiconductor
intrínseco, las densidades de electrones y los huecos son iguales, puesto que
los electrones y los huecos generados térmicamente son las únicas fuentes de
tales partículas . Por tanto utilizamos la notación ni como la concentración
de portadores intrínsecos para la concentración de estos electrones libres,
así como la correspondiente a los huecos.
B= constante del material semiconductor especifico.
Eg=nivel de energía entre bandas(eV).
T= temperatura en °K.
K= constante de Boltzmann (86*10^-6 eV/°K).
Un electrón-volt es la carga de un electrón acelerado bajo
una diferencial de potencial de 1 volt y 1 eV= 1.6*10^-19
joule
 Semiconductores extrínsecos
ELEMENTOS
TRIVALENTES: ELEMENTOS ELEMENTOS
Boro(B) TETRAVALENTES: PENTAVALENTES:
Carbón (C) Nitrógeno (N)
Aluminio(Al)
Silicio (Si) Fosforo (P)
Galio (Ga)
Germanio (Ge) Arsénico (As)
Indio (In) Estaño (Sn) Antimonio (Sb)
Talio (Tl) Plomo (Pb) Bismuto (Bi)

Debido a que las concentraciones de electrones y hueco en un

semiconductor intrínseco son relativamente pequeñas, solo son posibles
corrientes muy pequeñas. Sin embargo esta situación puede cambiar de
manera considerable al añadir cantidades controladas de ciertas
impurezas
 Fosforo y arsénico
(donadores de impurezas)

Cuando se agregan una impureza donadora a un semiconductor se crean

electrones libres sin generar huecos. Este proceso recibe el nombre de
dopado y nos permite controlar la concentración de electrones libres en un
semiconductor. Un semiconductor con impurezas donadoras de denomina
SEMICONDUCTOR TIPO N