SEMICONDUCTORES

Los átomos que integran Las moléculas pueden

estar unidos de tres formas:

• Enlace iónico (iones unidos por fuerzas de

naturaleza electrostática).
• Enlace covalente (comparten pares de
electrones).
• Enlace metálico (comparten los electrones
libres entre todos los átomos).
ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SEMICONDUCTOR
NIVELES de E N E R G I A

eV

Distintos niveles de
energía
(Nivel prohibido)

Distancia del
Nucleo
 COMPARACION DE BANDAS ENTRE DISTINTOS
MATERIALES

eV eV eV
Banda de
B. de Conducción
Conducción
B. de
Conducción y
de Valencia
B.P. Solapadas
B.P.
B. de Valencia
B. de Valencia
Banda de Valencia

Aislante SEMICONDUCTOR Conductor (Metal)

NIVELES O BANDAS DE ENERGIA
 Conductor: Tienen solapada la B.V. y la B.C. y, por tanto, los electrones pueden
moverse por el cuerpo estando sometidos a la influencia de un campo eléctrico de
intensidad discreta. Su resistividad es del orden de

.
 Semiconductor: La separación entre las bandas es de 1 eV aproximadamente,
consiguiendo los electrones con relativa facilidad pasar a la B.C. Su resistividad oscila
entre 100 y

.
 Aislante: La separación entre las bandas es tal que solamente alterando la estructura
del cuerpo los electrones lograrían pasar a la B.P., siendo su resistividad del orden de
.
 Estructura cristalina del Ge simplificada

Ge +4 +4

Átomos vecinos
del germanio,
puros e
intrínsecos

+4 Ge +4

Enlace
Covalente

Electrones
de valencia Ge +4 Ge
ESTRUCTURA ATOMICA DE UN
ESTRUCTURA CRISTALINA
NUCLEO DE GERMANIO Y DE
DEL SILICIO
UNO DE SILICIO
En una clasificación de semiconductores existen los
llamados semiconductores extrínsecos:
Añadiendo al Ge puro sustancias que poseen cinco (5)
electrones de valencia como Sb (Antimonio), P (Fosforo) o As
(Arsenico).

Añadiendo al Ge sustancias que tengan tres (3) electrones de

valencia, tales como B (Boro), Ga (Galio) o In (Indio).
En el primer caso, a las impurezas se las llama donadoras o
tipo N, por “donar” electrones libres, que serán portadores
disponibles de corriente capaces de vagar por el cristal, dando
origen a los semiconductores tipo N.

En el segundo caso, las impurezas reciben la denominación de

aceptadoras o tipo P, por dar lugar a la aparición de huecos
disponibles que aceptan electrones, dando origen a los
semiconductores tipo P.
 Comparación entre Semiconductores:
cristal de Germanio o de Silicio

Germanio Silicio

Tensión
Umbral

Deriva
térmica por cada por cada

Corriente
Inversa
Aplicaciones Detección de bajas señales Resto de los casos

Resistividad
Comparación de la Temperatura y la
Luminosidad con la Resistividad entre
un Metal y un Semiconductor

Semiconductor Semiconductor

Metal

Metal

Temperatura Luminosidad

= resistividad semiconductor (100 y 10 6 .cm)

Formación de un hueco por «salto» de un electrón del enlace covalente

Ge +4 Ge +4

Electrón
libre

Hueco

+4 Ge +4 Ge
 SEMICONDUCTORES DOPADOS

Hueco

G P G G B G
E E E E

Electrón
libre
(donador)

G G G G G G
E E E E E E

Tipo N Tipo P

Electrones: Portadores Huecos: Portadores

mayoritarios Huecos: mayoritarios Electrones:
Portadores minoritarios Portadores minoritarios
 Conductividad de un semiconductor puro
Cada vez que se crea un par hueco-electrón resultan dos partículas
cargadas. Una es negativa, el electrón de movilidad Mu(n) y la otra es
positiva con una movilidad Mu(p).

n= Numero de Particulas
e = carga electrica
V = potencial aplicado

DENSIDAD DE CORRIENTE DE
PARTICULAS NEGATIVAS
 Unión P-N
Si en un único material semiconductor, ya sea de germanio o de silicio, se
introducen impurezas tipo P en un extremo e impurezas tipo N en el otro
se obtiene una unión P-N
Electrón mayoritario

Ion (+) del As que pierde un electrón (5º electrón)

Iones negativos
Núcleo atómico mas
capas exteriores

Iones positivos

Zona Huecos Zona

P N
Al realizarse la unión, se produce una difusión de electrones hacia la zona
P y de huecos hacia la zona N para recombinarse entre ellos, hasta el
momento en que en la zona P haya una concentración de cargas negativas
y en la zona N de cargas positivas, que interrumpe la difusión por
establecerse un campo eléctrico o barrera de potencial que impide el paso
de cargas eléctricas a no ser que se les comunique una energía suficiente.

Zona de
deplexión

P N

Zona recombinada en
la que aparece la
barrera de potencial
 Unión P-N

Cuando el pasaje se estabiliza el traspaso de cargas se

forma una especie de campo eléctrico en la unión que

puede representarse como una batería imaginaria.

Esta zona se llama Zona de Transición y tiene un cierto

nivel de energía potencial, que es la barrera de energía

que se debe superar, la tensión de Encendido.

 Batería
imaginaria
P N

Zona de Deplexión o carga de espacio o

zona de Transición. El espesor es de :
(Densidad de carga)

x (Distancia a la unión)
Diagrama de Energía Potencial: E es la
Lado P energía que deben tener los huecos y los
electrones para poder seguir atravesando
la unión
V=0 V0
Barrera de energía
E=0 para huecos

Lado N
E0
Barrera de energía
para elect.

(Los gráficos no están en

escala)
 Polarización de la unión P-N

P N P N
Corriente convencional ID o
IF

+ - - +

Polarización Directa, funciona Polarización Inversa, funciona

como un cortocircuito como un circuito abierto
Diodo Semiconductor

A K
P N (a)

A K (b)

A K (c)
 Característica tensión-corriente

ID (Directa) en mA o A =
IF

I0 (Corriente inversa de
saturación)

VI (Inversa)= VR

IR VT
VD (Directa)=VF

II (Inversa) en µA =
IR
Tensión numéricamente igual a la
temperatura (representa la energía térmica
en tensión, es el producto en tensión

-23
1.23 x 10 Joule/°K

Tensión numéricamente igual al

salto de energía prohibido.
 DISTRIBUCION DE CARGAS CON
POLARIZACION INVERSA

Átomo
Átomo P N fijo de
fijo de Arsénico
Aluminio (Corriente
inversa de
saturación)

Hueco
producido
Electrón por ruptura
producido enlace
por ruptura covalente .
enlace
covalente .

La polarización inversa implica un aumento de la barrera de energía en la

unión , sin polarización entonces los portadores mayoritarios se ven
imposibilitados de remontar dicha barrera.
Característica Tensión-Corriente en
Polarizacion Inversa

(1)
I0

(2)

(3)
Polarización Directa

P N Ge Si

Tensión
de Umbral
Ecuación Directa del Diodo

Corriente del diodo

Diferencia de potencial en el
diodo

Temperatura

Corriente Inversa de Saturación

 Resistencia Resistencia Dinámica
estática del diodo o incremental

RESISTENCIA
ESTATICA

RESISTENCIA DINAMICA
 Capacidad de Transición

P N

LA CAPACIDAD Incremental es
una variable que depende de la
Tensión aplicada.
1.Diodo Zener
Es un rectificador semiconductor con una característica inversa de
ruptura muy útil.
Conducción directa El zéner se comporta como un diodo común.

Tensión de ruptura inversa menor a la de ruptura de

la unión
Circuito abierto (diodo común).

Tensión inversa próxima al valor

de ruptura crece rápidamente la
corriente.Para valores
superiores a la
tensión de ruptura la

se mantiene aproximadamente constante. Para una amplia gama de es la zona de

control, el diodo
se comporta como
. Zéner de una referencia de
a) Diodos de baja tensión: tensión constante.
- Menos de 5 volt.
- Ruptura por efecto de campo.
- Resistencia inversa muy elevada.

a) Diodos de tensión superior:

- Más de 7 volt.
- Ruptura por avalancha.

a) Diodos entre 5 y 7 Volts:

- Combinación de ambos efectos según el punto de funcionamiento y la
temperatura de utilización.
 Ruptura por efecto avalancha
Las cargas eléctricas que atraviesan
la unión reciben energía proporcional a la
tensión aplicada en sus terminales.
Cuando la energía excede cierto valor se
produce una ionización por choque que
puede ser acumulativa (la corriente
inversa es limitada por la resistencia del
circuito exterior).
Ruptura por efecto de campo
El aumento de tensión provoca un
crecimiento del campo en la unión, por lo
tanto se produce el fenómeno de arranque
de los electrones de las uniones .
K K K

Diodo Zéner.
Símbolos
A A A esquemáticos y
aspecto físico.
 Características eléctricas del ZENER

Directa

Real

Ideal
Los diodos zener se clasifican en tres categorías:

Los diodos de baja tensión

Por debajo de 5 Volt cuya ruptura se debe al
efecto de campo. Poseen una resistencia inversa
más elevada que los otros tipos.

Los diodos de tensiones superiores a 7 Volt

Tienen una ruptura por avalancha. La corriente
inversa varía poco al principio y luego aumenta
rápidamente.

Los diodos entre 5 y 7 Volts

Presentan una combinación de los dos efectos,
según el punto de funcionamiento y la
temperatura de utilización
 DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSION

IT RL
Vz
Vi Rc V
Iz IR 0

IT= IZ + IR

Reemplazando
IT= IZ + IR
Diodo semiconductor – Recta de carga –
Diodo en CONTINUA

Hipérbola de
disipación

Característica
eléctrica

( Recta de carga
RECTIFICACION – FUENTES DE ALIMENTACION

Una fuente de alimentación está formada por varios

bloques que básicamente son:

Rectificador. Estabilizador.

Filtro. Sistema de
regulación.
 RECTIFICADORES

• De media onda.

• De doble onda o de onda completa.

• De doble onda en puente de Graetz o

simplemente rectificador puente.
 RECTIFICACION DE MEDIA ONDA

Vca

Función característica del

diodo
V(CA)

Ecuación de la recta de carga

 Los valores negativos de
proyectados, no cortan
a , entre .

Entrada
variación
senoidal de
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA Y
TRANSFORMADOR CON PUNTO MEDIO

Figura 2.2. Rectificador de

onda COMPLETA
  TPI – Tensión de Pico Inversa:Para
ROC Punto medio

Debido a que hay que tener en cuenta la tensión total del

secundario del transformador (sin el punto medio) porque el
diodo que conduce es un cortocircuito.

• En general la tensión en el secundario se da en Volt eficaz,

ejemplo:
 Factor de rizado, ondulación o Riple:
En muchas aplicaciones la presencias periódicas en la tensión o
intensidad (que teóricamente debería ser continua) resultan
en ondulaciones o rizados causados por la presencia de
armónicos en la tensión o intensidad a rectificar. Estas
ondulaciones pueden reducirse en el circuito rectificador con
un filtro adecuado a la salida del mismo.
La cantidad de ondulación remanente (rizado) comparada con
la corriente continua da una medida de la pureza de la salda
del rectificador, que se llama rizado o Riple:

• Es decir en la carga de un circuito rectificador existen dos componentes:

 • En consecuencia el valor eficaz de la corriente total Ie será :

Entonces el Factor de Rizado será:

F: Se define como el factor de rizado en forma periodica y es el

cociente entre el Valor eficaz y el valor medio de la corriente

• Para media onda: • Para onda completa:

 RECTIFICADOR EN PUENTE

VAC +

Vcc

Figura 2.3. Rectificador en puente de Graetz

OSCILOGRAMAS EN EL PUENTE DE GRAETZ
 Rectificación – Aplicaciones – Cálculos
Como ya hemos estudiado anteriormente, el diodo rectificador
se comporta como un interruptor cerrado (cortocircuito) en
polarización directa, y como interruptor abierto (circuito
abierto) en polarización inversa.Recordemos que:

Y que Si
Hiciésemos el calculo
A la inversa, midiendo
primero la tensión
pico:

Es decir, que la es el 70,7 % de la tensión de pico

 Resistencia de salida, llamada también
Rectificador Filtro carga.

T = 220 V/12 V, 0,5 A

Rectificador de M.O. con filtro por

condensador

Riple o rizado

=V

.Efecto del filtro sobre la tensión enR l

 Factor de rizado
• Hemos avanzado considerablemente en el objetivo de eliminar variaciones en la
tensión aplicada a la carga, pero esta sigue presentando algunas. La mayor o
menor calidad de un circuito de filtro dependerá de la menor o mayor ondulación
de la tensión entregada a su salida. Esta característica se suele expresar mediante
el llamado factor de rizado o simplemente rizado, que expresa relación entre el
valor eficaz de las ondulaciones ( ,tensión de rizado) y el valor de continua la de la
tensión entregada.

• La tensión en extremos de la carga es de la forma de la Gráfica c ; ahora bien, ésta se puede

considerar como la suma de una tensión continua y una alterna r;
la relación entre estas dos tensiones indica el factor de rizado, generalmente expresado en porcentaje,
de esta forma:

• Es evidente que la calidad del filtro será tanto mayor cuanto menor sea

vc
(a)

(b)
vr

vc+vr (c)

Composición de la tensión de salida .

 TENSION DE RIZADO

Vr =
I
fC
Vr = Tensión de
Rizado pico a pico Supongamos que un puente rectificador
tiene una corriente continua en la carga de
I = Corriente 10 mA, una capacidad del filtro de 470 µF, y
Continua en la carga una frecuencia de la tensión linea de 50 Hz
f = Frecuencia de la
Tensión de Rizado

En general adoptaremos el criterio de no

considerar de importancia tensiones de
rizado que sean inferiores al 10 % de la
tensión de continua a la salida de
rectificador.
 TENSION DE SALIDA Vcc y TENSION DE
RIZADO
Supongamos que se tiene un puente rectificador con filtro con una tensión de
red de 220 V rms, una relación de espiras de 9,45, una capacidad del filtro de
470 µF y una resistencia de carga de 1 KΩ. ¿Cuál es la tensión continua en la
carga?
Comenzamos calculando la tensión rms en el secundario

Valor Eficaz Valor Pico

Con un diodo ideal e ignorando el rizado, la tensión continua en la

carga es igual a la tensión de pico del secundario: Vcc=33 Volts

Si consideramos la caída en los dos diodos:

Calculemos la corriente sobre la carga:

Podemos ahora conocer la Tensión pico a pico

de Rizado

La tensión Vcc considerando el rizado será:

 Valor medio de la corriente
El valor medio de la corriente, se define como “la intensidad de una corriente
continua capaz de transportar durante un ciclo completo o un intervalo de
360°, exactamente la misma carga que transporta la corriente variable o
alterna”.
Si el área bajo el gráfico de la corriente anódica fuera extendida uniformemente entre
0° y 360°, la altura del rectángulo resultante sería el valor medio de una onda
sinusoidal.

Altura
Rendimiento de rectificación en Media Onda

El Rendimiento cuando
 Multiplicador de tensión: Doblador de
tensión

En algunas aplicaciones, el espacio o el presupuesto

disponible no permiten el uso de un transformador y sin
embargo se desean obtener tensiones superiores a las
que entrega un circuito de los comunes.
Con un circuito llamado doblador de tensión como el de
la figura podemos lograr un aumento importante en la
tensión de salida.
RECTIFICADORES DE MEDIA Y ALTA
POTENCIA
Rectificador trifásico de media onda

Secundario en
Primario Estrella

0
OSCILOGRAMAS EN RECTIFICADOR
TRIFASICO

e1 e2 e3
 RENDIMIENTO DE UN RECTIFICADOR

• El rendimiento de un rectificador aumenta con el

número de fases.

100
90
Para más de 6 fases el
rendimiento no mejora.
80
70

60

2 4 6 8
 Rectificador trifásico de onda completa
Este circuito es un puente trifásico de onda
completa con seis rectificadores. Y entrega el
doble de tensión de salida que el circuito
anterior para igual transformador. Tiene muy
poca ondulación.

• Cada diodo conduce eléctricos.

 Rectificador hexafásico

Zc

D1 D6

iD

D1 D6

60º
FUENTES PARTIDAS O DE TENSIONES
POSITIVAS Y NEGATIVAS
 TRANSISTORES BIPOLARES o BJT
Un Transistor es un semiconductor formado por tres
capas, una PNP y dos NPN o bien una NPN y dos PNP.

En la composición de cada uno de los bloques semiconductores

aparece la Base con una impurificación mucho menor que las
asignadas al colector y al emisor, lo cual la hace mas resistiva que los
demás componentes, al limitar el número de portadores libres, con una
diferencia en cuanto al Dopado de 10:1.
En cuanto al espesor de las capas, también es notable la diferencia de
las mismas, siendo la base de 2.5 milésimas de Cm., y los otros
bloques de 186 milésimas de Cm.
ENCAPSULADOS e IDENTIFICACION DE TERMINALES
DIFERENTES CONFIGURACIONES DE UN
TRANSISTOR
TRANSISTORES EN BASE COMUN

El 98 % de la
Corriente de
Emisor Ie se
transforma en
corriente de
colector Ic, el
2% restante se
recombina en la
unión
transformandose
en corriente de
Base Ib.
ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
CURVA CARACTERISTICA DE SALIDA EN BASE
COMUN
TRANSISTORES EN EMISOR COMUN
CURVAS CARACTERISTICAS EN EMISOR
COMUN
+
 CONFIGURACION COLECTOR COMUN

VBB
Comparacion entre las distintas Configuraciones
 POLARIZACION : RECTA DE CARGA

Hiperbola de
Disipación

Vcc = Ic . Rc + Vce Si Vce =0 Vcc=Ic . Rc Si Ic =0, Vcc=Vce

 * Zona de corte
En esta zona siempre tendremos Ib = 0, Ic = 0,
Vce = Vcc. El transistor se comporta prácticamente
como un circuito abierto.

* Zona activa
Aquí es donde el transistor suele trabajar, siendo
la zona en donde el transistor amplifica, cumpliéndose
Ic = B Ib, Vce = 0,6v (0,2v para el caso de
transistores de germanio).

* Zona de saturación
El transistor se comporta aproximadamente como
un cortocircuito. Vce = 0,2Volts – 0,6Volts , Ibsat >
Ib, Icsat = B Ibsat, Ic = Icsat.
TRANSISTOR BIPOLAR ZONAS DE
OPERACIÓN
VARIACION DE LOS PARAMETROS CON LA TEMPERATURA
 GANANCIA DE CORRIENTE Y FACTOR
DE ESTABILIDAD EN EMISOR COMUN

I C =   I B + (  + 1)  I CBO Ecuacion 1

 IC
S=
 I CBO
Dividiendo 1 = dIB/dIC + dICB0/dIC
Ec. 1 por Ic y
Derivando
1/S
con respecto
a Ic
S=
1-dIB/dIC .

En Polarizacion Fija S =  +1
POLARIZACION FIJA EN EMISOR COMUN

V CC - V BE
IB=
RB

I CQ =   I B + (  + 1)  I CBO

V CEQ = V CC - R C  I CQ
Equivalente de
Thevenin del
circuito
autopolarizado

R1  R 2
RTh = R1 // R2 =
R1 + R 2

V CC
V Th =  R2
R1 + R 2

V Th = RTh I B + V BE + ( I CQ + I B ) R E
I CQ =  I B + (  + 1) I CBO
V CEQ = V CC - RC I CQ - R E ( I CQ + I B )
CIRCUITO DE POLARIZACION COLECTOR - BASE

V CC = RC ( I C + I B ) + R B I B + V BE
V CC - V BE - ( R B + R C ) I B
I CQ =
RB
I C =  I B + (  + 1) I CBO

I CQ - (  + 1) I CBO
I =
B


V CEQ = V CC - RC ( I CQ + I B )
CIRCUITO AUTOPOLARIZADO

R1  R 2
RTh = R1 // R2 =
R1 + R 2

V CC
V Th =  R2
R1 + R 2
 Si hacemos que VTH = VB
y que RTH = RB
IB = VB – IC . RE
RB + RE
Si ahora derivamos con respecto a Ic
dIb = - RE
dIc R B + RE Recordemos que
S=
1-dIB/dIC .

Por ello S para

el S=
Autopolarizado
1 + . RE
RB + RE
 S=
1+ 1

1 + RB
RE

En Forma RE
Ideal S =1

1 +
Si RB = 0 S 1 VALOR IDEAL PARA ESTABILIZAR EL
CIRCUITO

Si RE = 0 Rb/Re S Polarizacion Fija

Si RB => S Polarizacion Fija

El Valor de S para un circuito ideal será S = 1.
En General S varía entre 10 y 20, para valores
De S > 30 el circuito se torna demasiado
Inestable.
Para Valores de S = 50, el circuito de
polarizacion es
tan inestable que el punto Q varía con la
Temperatura, desestabilizándose y
distorsionando la
señal de salida con respecto a la señal de
entrada.
ESTABILIDAD EN LA POLARIZACION DE EMISOR
ESTABILIDAD EN LA POLARIZACION DE EMISOR
FACTOR DE ESTABILIDAD SEGÚN VARIACION DE LA Vbe
FACTOR DE ESTABILIDAD SEGÚN VARIACION DE LA Vbe
FACTOR DE ESTABILIDAD SEGÚN VARIACION DEL BETA
 Circuitos de Compensación

V CC - V BE V CC - 0 V CC IB= I - IS
I= = = = CONSTANTE
RE RE RE
 ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR PARA C.A.

Al circuito auto polarizado le

inyectamos una señal de alterna
a través de un capacitor de
entrada.

RL es la
Resistencia
de Carga

El Capacitor de Emisor
desacopla la componente de
Alterna de la Resistencia de
emisor.

El Capacitor Electrolitico de Filtrado de la Fuente Vcc se

comporta como un cortocircuito para la alterna del generador
Vg, que tiene una resistencia Rg.
CIRCUITO AMPLIFICADOR EQUIVALENTE PARA CORRIENTE ALTERNA

Si cortocicuitamos Vi y consideramos los capacitores un cortocirc. para la

frecuencia de trabajo.
CIRCUITO EQUIVALENTE PARA CORRIENTE ALTERNA
MODELO EQUIVALENTE T
MODELO EQUIVALENTE PI
IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi
GANANCIA DE CORRIENTE EN C.A. e IMPEDANCIA DE ENTRADA
ACOPLAMIENTO ENTRE ETAPAS AMPLIFICADORAS:

• ACOPLAMIENTO DIRECTO

• ACOPLAMIENTO R – C

• ACOPLAMIENTO POR TRANSFORMADOR

ACOPLAMIENTO DIRECTO CON Trs. NPN
Ganancia de Tensión en Varios
Amplificadores Acoplados
A
C
O
P
L
A
M
I
E
N
T
O

-
RESPUESTA EN FRECUENCIA
 FRECUENCIA DE CORTE

DENOMINAREMOS FRECUENCIAS DE CORTE O FRECUENCIAS

CUADRANTALES A AQUELLAS EN DONDE LA GANACIA CAE AL
70,7 % DEL VALOR MAXIMO.
RESPUESTA EN FRECUENCIA – ANCHO DE BANDA

BW= Fc2 – Fc1

EL ANCHO DE BANDA DEL AMPLIFICADOR QUEDARA DETERMINADO

POR LA DIFERENCIA ENTRE LAS FRECUENCIAS DE CORTE O
CUADRANTALES SUPERIOR E INFERIOR
 CLASIFICACION DE LOS AMPLIFICADORES

1. CLASE A: El amplificador, amplifica 360 º la señal de

entrada por ende la salida en igual a la entrada.
2. CLASE B: El amplificador, amplifica solo la mitad de la
señal de entrada o sea 180º.
3. Clase A-B: En este tipo de amplificador se reproduca
algo más de la mitad de la señal de entrada, para lo cual
se requiere un corriente de base de partida por encima
de Ib=0.
4. Clase C: En este tipo de amplificadores se reproduce
parte de la señal de entrada a la salida del mismo, por
lo cual solo se usa con circuitos sintonizados como los
de radio o comunicaciones.
5. Clase D: Este tipo de amplificador utiliza tecnicas de
conmutacion, realizando un muestreo de la señal de
entrada, para luego reproducirla a la salida.
SEÑALES DE SALIDA DE LOS DISTINTOS TIPOS DE AMPLIFIC.
AMPLIFICADOR CLASE A
RENDIMIENTO EN CLASE A
RENDIMIENTO Y POTENCIA EN CLASE A
AMPLIFICADOR CLASE B EN SIMETRIA COMPLEMENTARIA
O PUSH - PULL
AMPLIFICADOR CLASE B EN SIMETRIA COMPLEMENTARIA
O PUSH – PULL SIMPLIFICADO
GRAFICOS DE LAS SEÑALES DE ENTRADA Y DE SALIDA
DISTORSION POR CRUCE EN SIMETRIA COMPLEMENTARIA
RENDIMIENTO EN SIMETRIA COMPLEMENTARIA
ACOPLAMIENTO DIRECTO : EL PAR DARLINGTON
GANANCIA DE CORRIENTE EN EL PAR DARLINGTON
 FUENTES DE ALIMENTACION

R
E R
C E
F
TRAFO T G C
I IL
Vca REDUCTOR
F T U A
L R
I R G
C O A
A
A D
D O
O R
R
FUENTES DE ALIMENTACION : PRIMEROS COMPONENTES

DIODO VALVULAR DIODO VALVULAR CAPACITORES

SIMPLE DOBLE
 REGULADOR DE TENSION SERIE

Si RL IL Ve VL Vbe IB Ic Vce VL
FUENTES DE ALIMENTACION ELEMENTOS CONSTITUTIVOS
FUENTE DE ALIMENTACION REGULADA Y REGULABLE

RL
REGULADORES DE TENSION INTEGRADOS

Tipo 1A positivo Tensión/Salida

UA7805 5

UA7806 6

UA7808 8

UA7809 9

UA7812 12

UA7915 15

UA7818 18

UA7824 24

UA7830 30

UA79XX Versión negativo =

FUENTE DE ALIMENTACION REGULADA DE +5 VOLTS
EL TRANSISTOR EN CONMUTACION
El Transistor en conmutacion
EL TRANSISTOR EN CONMUTACION
EJEMPLO DE UN TRANSISTOR EN CONMUTACION CON UNA
LAMPARA COMO CARGA
EL TRANSISTOR EN CONMUTACION
El Transistor en conmutacion

VALORES DE LA
TENSION DE
BASE Y
COLECTOR
PARA CONOCER
DONDE ESTÁ
TRABAJANDO

SEÑALES DE
SALIDA
TRABAJANDO
EN
CONMUTACION
EL TRANSISTOR EN CONMUTACION
EL TRANSISTOR EN CONMUTACION CON
CAPACITOR EN LA BASE
El Transistor en conmutacion
EL TRANSISTOR EN CONMUTACION
El Transistor en Conmutación

DIODO
 EL TRANSISTOR UNIJUNTURA - UJT

Es un dispositivo de disparo, que consiste de una sola unión PN.

Físicamente el UJT consta de una barra de material tipo N con
conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión
hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la
barra de material N.
En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra,
formando así una unión PN.
 Unijuntura (UJT)
• Característica del UJT
Observando el circuito de polarización de la figura se advierte que al ir aumentando la
tensión Vee la unión E-B1 se comporta como un diodo polarizado directamente. Si la
tensión Vee es cero, con un valor determinado de Vbb, circulará una corriente entre
bases que originará un potencial interno en el cátodo del diodo (Vk). Si en este caso
aumentamos la tensión Vee y se superan los 0,7v en la unión E-B1 se produce un
aumento de la corriente de emisor (IE) y una importante disminución de RB1, por lo
tanto un aumento de VBE1. En estas condiciones se dice que el dispositivo se ha
activado, pasando por la zona de resistencia negativa hacia la de conducción,
alcanzando previamente la VEB1 la tensión de pico (Vp).

Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda por debajo de la
intensidad de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la tensión de activación Vp se
alcanza antes o después dependiendo del menor o mayor valor que tengamos de
tensión entre bases VBB.
 Zonas del UJT

n: Relación de
separación intrínseca:
n=Rb1/ Rbb
(Para Ie=0)

Tensión de disparo:
Vp= n.Vbb+Vd

Vp = 0.7 + n x (VB2-B1)

- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)

- VB2-B1 = Voltaje entre las dos bases
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en
0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y
la temperatura.
• En la figura se representa la corriente de emisor, en
función de la tensión de emisor, Ve entre 0V y Vp.
• Cuando llega Ve al valor Vp comienza la conducción y la
corriente aumenta.
CURVA CARACTERISTICA DEL UJT CON LA CORRIENTE EN EL EJE X
 UJT – CIRCUITO DE APLICACIÓN 1 :
Generador de Pulsos

Vc

10 K 1 K

B2

12 V
E +
t
- VR

B1
C= 2µf
Vc
Vb
100 K
Vp

t
UJT – CIRCUITO DE APLICACIÓN 2 :
Temporizador Variable
+

MPF - 102
1 KΩ

2MΩ

2N2646

++ 4,7 μF
33Ω
Oscilogramas de las tensiones sobre el
capacitor de carga y sobre la
resistencia de carga
UJT – CIRCUITO DE APLICACIÓN 3:
Generador de Ondas Cuadradas
 UJT – CIRCUITO DE APLICACIÓN 4:
TEMPORIZADOR DE HASTA 10 Minutos con el
2n 2646
 UJT – CIRCUITO DE APLICACIÓN 5:
TEMPORIZADOR DE HASTA 30 Minutos con el
2n 2646
 EL TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO - FET
INTRODUCCION
Los diferentes tipos de transistores que existen pueden agruparse en dos
grandes grupos o familias: a) Transistores bipolares y b) Transistores
unipolares.
Los transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor), reciben la
denominación bipolar debido a que basan su funcionamiento en dos tipos de
portadores de carga: electrones (-) y huecos (o lagunas) cuya carga es (+),
mientras que los transistores unipolares (Unipolar Junction Transistor)
se denominan así porque para su funcionamiento utilizan un sólo tipo de
portadores de carga: electrones ó huecos (o lagunas).
Un tipo de transistor perteneciente al grupo de los unipolares, es el
denominado "transistor de efecto de campo" (Field Effect Transistor).
Dicho transistor, es particularmente adecuado para ser utilizado en circuitos
integrados debido a su reducido tamaño.

El término "efecto de campo" se debe, a que el control de la corriente a

través de dicho transistor, se ejerce (como veremos al analizar su
funcionamiento) mediante un campo eléctrico exterior, por lo que el control
de los mismos es por tensión y no por corriente como ocurre en
los transistores bipolares.
 CARACTERISTICAS PRINCIPALES DEL TRANSISTOR EFECTO
DE CAMPO – FET
Su funcionamiento depende únicamente del flujo de
portadores mayoritarios.
1. Es relativamente inmune a la radiación.
2. Tiene una Alta resistencia de Entrada. (Varios Megohmios)
3. Presenta mucho menos ruido que un transistor bipolar.
4. No tiene tensión umbral para corriente de drenador cero.
5. Es muy estable térmicamente.

Como desventajas:
• Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacitancia de entrada.
• Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad
estática.
• Su producto Ganancia por Ancho de Banda es relativamente pequeño
en comparación con el que puede obtenerse con un transistor
convencional
 EL TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO

Los F.E.T. pueden ser de dos tipos:

1)J.F.E.T. (Junction Field effect Transistor): Transistor

uniunión de efecto de campo.

2) M.O.S.F.E.T. (Metal Oxide Semiconductor Transistor):

Transistor metal óxido semiconductor de efecto de campo,
tambien llamados IGFET, del inglés Insulated Gate Field
effect Transistor.

MOSFET DE MOSFET DE
DEPLEXION O DE ACUMULACION O
DECRECIMIENTO DE CRECIMIENTO
TRANSISTOR UNIUNION DE EFECTO DE CAMPO (JFET)

1-JFET de canal N

2-JFET de canal P
 TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO: DESCRIPCION DE
TERMINALES
Fuente o surtidor (S): terminal por donde entran los portadores
provenientes de la fuente externa de polarización.

Drenador (D): terminal por donde salen los portadores

procedentes de la fuente y que atraviesan el canal.

Puerta (G): terminal constituido por regiones altamente

impurificadas (zona de dopado) a ambos lados del canal y que
controla la cantidad de portadores que atraviesan dicho canal. Los
JFET de canal N están constituidos por una barra de material
semiconductor tipo N, denominada "canal", con dos regiones de
material semiconductor tipo P; mientras que en los JFET de canal
P , la barra o canal es de material semiconductor tipo P, rodeada
por dos regiones de material N .
En un JFET de canal N, la corriente se debe a electrones, mientras
que en un JFET de canal P, se debe a huecos o lagunas.
 PARÁMETROS COMERCIALES
• IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en
configuración de fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente
(VGS=0). En la práctica marca la máxima intensidad que puede circular por el
transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan
amplias dispersiones en este valor.

• VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual

que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor.

• RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal.

Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión
de estrangulamiento.

• BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente

y drenaje. Tensiones más altas que BVDS provocan un fuerte incremento de
ID.

• BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión

entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores
mayores de BVGS provocan una conducción por avalancha de la unión.
JFET DE CANAL N : SIMBOLOGIA Y POLARIZACIONES
ZONA DE DPLEXION EN UN JFET DE CANAL N
Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la
tensión de bloqueo
Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con pequeñas VGS < 0
• La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS
• La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y
VP. Como ID está limitada por la resistencia del canal, cuanto
mayor sea VGS - VP, mayor será la anchura del canal, y mayor la
corriente obtenida.
Esquema del transistor JFET de canal N
polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V
Esquema del transistor JFET de canal N en la región
de corriente constante
Característica VDS - ID del transistor NJFET
CURVAS CARACTERISTICAS DE DRENADOR DEL JFET
Conclusiones:

· Haciendo VGS cada vez mayor en valores

negativos, se reduce el valor de la ID en el punto
de estrangulamiento o de “pinch off”. Si VGS se
hace suficientemente grande (en valores
negativos) el pinch off tiene lugar casi con ID = 0.

· El JFET estará cortado cuando la polarización

inversa VGS sea suficiente para que ID = 0.
Al igual que en los transistores bipolares se pueden
distinguir tres regiones o zonas de trabajo:

Saturación: está determinada por los valores de VDS

comprendidos entre el origen y el correspondiente al codo
de la característica de salida o de drenador.

Activa o lineal: es la porción horizontal de la característica.

En esta zona se comporta como un dispositivo de corriente
cte.

Corte: determinada por valores de VGS menores o iguales a

V(P)GS. En esta zona, el JFET se comporta como un
dispositivo de tensión cte., similar a un diodo Zener.
CURVA CARACTERISTICA DEL JFET PARA VGS =0
REGIONES DE CORTE Y DE SATURACION EN UN JFET
CIRCUITO DE APLICACIÓN CON JFET DE CANAL N:
AMPLIFICADOR DE AUDIO PARA MICROFONO
Corte
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA
EL TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA
El transistor MOSFET, en cambio, es un dispositivo en el que su estado de
corte o de conducción se controla por tensión en su terminal de control, no
por corriente. El MOSFET tiene un coeficiente de temperatura positivo, lo
que les permite detener fugas o dispersiones térmicas. En estado de
conducción, su resistencia no tiene límite teórico, por lo tanto, su incidencia
es notablemente inferior dentro de un circuito eléctrico cuando se encuentra
en estado de “saturación” gracias a que presenta una resistencia final (RDS-
on) de unos pocos miliOhms. El MOSFET suele tener también incorporado
en su encapsulado un diodo, que es particularmente útil en el tratamiento de
sistemas conmutados de corriente, impidiendo la retroalimentación
destructiva que se origina en este tipo de aplicaciones. A este diodo se lo
conoce como Damper. Todas estas ventajas comparativas y algunas otras
más, hicieron que el MOSFET se convirtiera en el dispositivo preferido al
momento de la elección en los diseños de manejo de conmutación de
potencia. A pesar de todas las cualidades mencionadas, un punto débil de
esta tecnología es la potencia máxima de trabajo. Si bien existen dispositivos
que pueden trabajar con altas tensiones (VDS > 400 Volts) existía una
necesidad de disponer de semiconductores adecuados para aplicaciones
industriales de alta corriente (IDS >100 Amperes). Fue así que, a lo largo
de la década del 80, comenzaron a aparecer en escena los IGBT.
Cómo podríamos definir al IGBT en pocas palabras? El IGBT es un cruce, un
híbrido, entre los transistores MOSFET y los BJT o bipolares que aprovecha
las bondades de ambas tecnologías. El IGBT tiene la salida de conmutación y
de conducción con las características de los transistores bipolares, pero es
controlado por tensión como un MOSFET. En general, esto significa que
tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo de corriente propias de un
transistor bipolar, con la facilidad del control de conducción por tensión que
ofrece un MOSFET. Sin embargo, los IGBT no son dispositivos ideales y
entre algunas de sus desventajas encontramos que tienen una
relativamente baja velocidad de respuesta (20Khz) y no siempre traen
el diodo de protección (Damper) que incluyen los MOSFET. En sus primeras
versiones, los IGBT eran propensos a entrar abruptamente en conducción,
pero en la actualidad, las nuevas tecnologías de fabricación están eliminando
este defecto. Otro de los posibles problemas con algunos tipos de IGBT es el
coeficiente de temperatura negativo que poseen, que podría conducir al
dispositivo a una deriva térmica muy difícil de controlar. Por supuesto, estas
desventajas quedan eclipsadas cuando debemos reconocer la capacidad de
un IGBT de poder trabajar con varios miles de Voltios y corrientes tan
elevadas que permiten hablar de cientos de KiloWatts de
potencia controlada.
SIMBOLOGIA DE UN IGBT
La estructura de un IGBT es similar a la de un MOSFET
Sólo se diferencia en que se añade un sustrato P bajo el sustrato N

Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.
El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los años 80

Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensión y no por corriente

MOSFET Bipolar
G
E

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutación (Bipolar)

No tiene diodo parásito
EL IGBT ENCAPSULADO
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

• Bajo ciclo de trabajo

• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones típicas del IGBT

• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia
CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN IGBT
 Características de salida

ID VGS4

VGS3

VGS2

VGS1
VRM

BVDSS VDS
Encapsulados de IGBT

Módulos de potencia
TO 220

MTP
TO 247
 EL RCS
A

K
EL DIODO DE CUATRO CAPAS

A Anodo
A

p
J1

n
J2
G

Compuerta
p
J3

n
K Catodo
EL RCS COMO LA UNION DE TRS
e Anodo
A

c
p
b
n n
b

Puerta
p p
c
n
e Catodo
EL RCS COMO LA UNION DE TRS

K
TIRISTORES : DISTINTAS POTENCIAS
 CURVA CARACTERISTICA DEL RCS

IH; Corriente de mantenimiento. Es la corriente mínima que requiere el tiristor para

mantenerse en conducción. Por debajo de este valor se corta la conducción
IL; Corriente de enganche. Es la corriente mínima necesaria para que el tiristor
entre en conducción y la mantenga, sin cortarse después que desaparezca el pulso
de gate. (IL>IH)
CURVAS CARACTERISTICAS DEL TIRISTOR
PARA DISTINTAS CORRIENTES DE
COMPUERTA
Curvas características
 Métodos de disparos
Para que se produzca el disparo del SCR, la unión ánodo - cátodo debe estar
polarizada en directo, necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para
que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conducción deberá circular una
corriente mínima de valor IH, marcando el paso del estado de conducción al estado de
bloqueo directo.
Los distintos métodos de disparo son:

- Por una tensión positiva VG.

- Aumento de la tensión de ánodo cátodo a una tensión máxima VBR.
- Por una variación brusca de la tensión ánodo-cátodo.
- Por amento de la temperatura.
 Características de disparo

Para disparar el SCR hay que introducir corriente por la puerta

Para que el disparo sea efectivo, se deben de cumplir dos condiciones:

1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor

IG Zona de disparo seguro

Ningún SCR se dispara

TIRISTORES

VGK

No se garantiza el disparo
 Características de disparo
El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el
punto de corte esté en la zona de disparo seguro

Z1

V1

IG
V 1 / Z1

Zona de disparo seguro

TIRISTORES

VGK
V1
 Características de disparo

2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente ánodo-cátodo

sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento
(Latching Current)

IA Sigue conduciendo

ILATCHING

Se apaga

IG
TIRISTORES

Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo

aunque no tenga corriente en puerta
Área de disparo
 Ángulos de conducción

- La corriente y tensión media de un SCR

dependen del ángulo de conducción.
- A mayor ángulo de conducción, se obtiene
a la salida mayor potencia.
- Un mayor ángulo de bloqueo o disparo se
corresponde con un menor ángulo de
conducción :

ángulo de conducción = 180º - ángulo

de disparo
Ángulo de Conducción
Control de fase por resistencia
variable de media onda
CIRCUITO DE CONTROL DE POTENCIA EN
C.A.
A C
ZL
R1

A
R2
VCA T
G K

C R3

B D
OSCILOGRAMAS OBTENIDOS
VISTA DEL OSCILOSCOPIO DE LA TENSION
VAK
CONTROL DE MOTORES CON TIRISTORES O SCR
TRIAC
 Triac

El TRIAC es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se

usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la
particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por
inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de
mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la
polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o
negativa.
 Curvas características

El TRIAC permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo

de la corriente de mantenimiento Ih. Esto se realiza por medio de la disminución de la
tensión de la fuente. Una vez que el TRIAC entra en conducción, la compuerta no
controla mas la conducción, por esta razón se acostumbra dar un pulso de corriente
corto y de esta manera se impide la disipación de energía sobrante en la compuerta. El
mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensión en el ánodo
T2 es negativa con respecto al ánodo T1 y obtenemos la característica invertida. Por
esto es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se
refiere, pues la característica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III.
 MÉTODOS DE DISPARO
1.El primer modo es aquel en que la tensión del ánodo A2 y la tensión de la compuerta
son positivas con respecto al ánodo A1.

2. El Segundo modo la tensión de la compuerta y A2 son negativos con respecto al

ánodo A1.

3.El tercer modo es aquel en que la tensión del ánodo A2 es positiva con respecto al
ánodo A1 y la tensión de disparo de la compuerta es negativa con respecto al ánodo A1.

4. El cuarto es aquel en que la tensión del ánodo A2 es negativa con respecto al ánodo
A1, y la tensión de disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo A1.
 DISPARO POR CORRIENTE
CONTINUA

En este caso la tensión de disparo proviene de una fuente de tensión continua

aplicada al TRIAC a través de una resistencia limitadora de la corriente de puerta. Es
necesario disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de disparo
encargado de la función de control, que puede ser un simple interruptor mecánico o un
transistor trabajando en conmutación.
Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos
electrónicos alimentados por tensiones continuas cuya función sea la de control de una
corriente a partir de una determinada señal de excitación, que generalmente se origina
en un transductor de cualquier tipo.
 DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA

El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un

transformador que suministre la tensión de disparo, o bien directamente a partir de
la propia tensión de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta
adecuada y algún elemento interruptor que entregue la excitación a la puerta en el
momento preciso.
TRIAC Ejemplo Nivel de
comparación

RL (Carga)

C
Comp. con
Histéresis
VG
VRL
R

: ángulo de disparo 
Controlando el ángulo de VComp
disparo se controla la
potencia que se le da a RL

A este tipo de control se

VG
le llama control de fase
 Diac
Diac
• El DIAC (Diode Alternative Current) es un dispositivo by direccional
simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y
ninguno de control. Es un componente electrónico que está preparado para
conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina by
direccional, siempre que se llegue a su tensión de disparo.

Curvas características Símbolo Estructura Interna

Curva Característica
 Características Grales y
Aplicaciones
• Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente
del triac, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo
de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad
variable, calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de
velocidad de motores.
• La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito
representado en la Figura , en que la resistencia variable R carga el condensador C
hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC, produciéndose a través de él la
descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conducción.
Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El
momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como
consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensión
media aplicada a la carga, obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia.
CONTROL DE POTENCIA POR REGULACION DEL ANGULO DE FASE
Z carga

R1 Diac triac

220 Volts C.A.

C1 C2

R1 8 K /1 WATT

R2 8 K /1 WATT

R3 100 / 1/4 WATT

R4 POT LINEAL 250 K

C1 0.0047 micro faradios / 400 volt

C2 0.1 micro faradios / 200 volt

C3 0.047 micro faradios / 400 volt

TRIAC BT137- 600E - PH0310A2

GTO Gate Turn-Off Thirystor

K
G

• En muchas aplicaciones, el hecho de no poder

apagar el SCR es un grave problema
• El GTO solventa ese inconveniente
• Con corriente entrante por puerta, se dispara
• Con corriente saliente por puerta, se apaga

• Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia

• Es muy robusto
GTO

• Soporta altas tensiones

• Puede manejar corrientes elevadas
• La caída de tensión en conducción es relativamente
baja

• El GTO es básicamente igual que un SCR

• Se han modificado algunos parámetros constructivos para
poder apagarlo por puerta
• Se pierden algunas características (solución de compromiso).
Por ejemplo, la corriente de disparo es mayor.
• Caída de tensión en conducción ligeramente superior al
SCR
• Algo más rápido que un SCR
4.500V, 3.600Amp. Diámetro Oblea: 120 mm
 Regulación de Potencia de Corriente Alterna por
conmutación en fase cero
El principal inconveniente del método del control de fase es la generación de
interferencia electromagnética (EMI – Electro-Magnetic Interference). Cada vez
que el tiristor o el triac, es disparado, la corriente en la carga pasa de cero al
valor que ésta fije en un tiempo muy breve. Esta elevada di/dt genera un ruido
de gran contenido armónico que interfiere con la operación de otros circuitos
ubicados en las cercanías o alimentados por la misma red, si no se utiliza un
adecuado filtrado.
El método de control de conmutación en fase cero consiste en producir el
disparo del tiristor en el instante que la tensión senoidal de alimentación pasa
por cero. De esta forma se elimina la generación de EMI y la potencia
transferida a la carga se controla mediante el número de semiciclos enteros
que es aplicada.
Para que este método sea efectivo, se requiere que el disparo se produzca en
el cruce por cero, ya que si para cargas del orden de unos pocos centenares de
watios el dispositivo es encendido con tensiones sobre la misma tan pequeñas
como 10 volts, suficiente EMI puede ser generado cancelando los beneficios
de esta técnica.
CIRCUITO DE APLICACIÓN DE CONTROL DE CONDUCCION
CON RCS
CIRCUITO PRACTICO PARA DISPARO
DISPARADOR DE TRIAC OPTOACOPLADO
INTERRUPTOR DE 220 VOLTS CONTROLADO POR
INTENSIDAD LUMINICA
RELÉ DE ESTADO SOLIDO CON TIRISTOR O RCS
EJEMPLO PRACTICO DE APLICACION.
OSCILADORES O MULTIVIBRADORES
NO SENOIDALES

1.OSCILADORES BIESTABLES
2.OSCILADORES MONOESTABLES
3.OSCILADORES ASTABLES
OSCILADOR NO SENOIDAL : BIESTABLE
OSCILADOR NO SENOIDAL: MONOESTABLE
OSCILADOR NO SENOIDAL : ASTABLE
EL OSCILADOR INTEGRADO NE 555
CIRCUITO DE DOS OSCILADORES ASTABLES A UTILIZAR EN LA
PRACTICA
OSCILADOR ASTABLE CON EL NE555 Y CON TRIAC
OPTOACOPLADO
 Un amplificador
Amplificador operacional (A.O.,
operacional:
habitualmente llamado op-amp) es un
circuito electrónico (normalmente se
presenta como circuito integrado) que
tiene dos entradas y una salida. La
salida es la diferencia de las dos
entradas multiplicada por un factor (G)
(ganancia):
Vout = G·(V+ − V−) Originalmente los
A.O. se empleaban para
operaciones matemáticas (suma, resta,
multiplicación, división, integración,
derivación, etc) en
calculadoras analógicas. De ahí su
nombre
El primer amplificador operacional
monolítico data de la DECADA DEL
60, era el Fairchild μA702 (1964),
diseñado por Bob Widlar. Le siguió
el Fairchild μA709 (1965), también
de Widlar, y que constituyó un
gran éxito comercial. Más tarde
sería sustituido por el popular
Fairchild μA741(1968), de David
Fullagar, y fabricado por
numerosas empresas, basado en
tecnología bipolar.
 El símbolo de un MONOLITICO es
el mostrado en la siguiente figura:
 El A.O. ideal tiene una ganancia
infinita, una impedancia de
entrada infinita, un
ancho de banda también infinito,
una impedancia de salida nula, un
tiempo de respuesta nulo y ningún
ruido. Como la impedancia de
entrada es infinita también se dice
que las corrientes de entrada son
cero.
 PARAMETROS DE UN A.O. IDEAL

1. Resistencia de entrada ∞ .
2. Resistencia de salida 0.
3. Ganancia en tensión en modo diferencial ∞ .
4. Ganancia en tensión en modo común 0 (CMRR= ∞).
5. Corrientes de entrada nulas (Ip=In=0).
6. Ancho de banda ∞.
7. Ausencia de desviación en las características con la
temperatura
 Descripción del amplificador diferencial

• La figura 1 muestra la estructura del amplificador diferencial. La importancia

del par diferencial radica en que su salida es proporcional a la diferencia de las
dos señales de entrada v1 – v2. Hay que aclarar que también es posible
amplificar una sola señal (v1 ó v2) colocando la otra entrada a masa.
 RECTA DE CARGA
Como el amplificador diferencial esta formado por dos transistores que interactúan uno con el
otro, debido a que ambos tienen en común sus emisores. Podremos hacer una simplificación
si suponemos que Q1 es idéntico a Q2, vemos que:

Y que el potencial estático de emisor será :

Esto indica que tanto el transistor Q1

(Q2) no notara la falta de Q2 (Q1) si se
reemplaza la RE por una de valor 2RE
EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
Conceptos básicos de AO (I)
Encapsulado:

Inserción SMD
Los diseños varían entre cada fabricante y cada producto, pero
todos los A.O. tienen básicamente la misma estructura interna,
que consiste en tres etapas:
– Ejemplo del 741
 En el diagrama se destaca en azul el amplificador
diferencial. Éste es el responsable de que las corrientes
de entrada no sean cero, pero si respecto a las de los
colectores (Nótese como a pesar de aproximar las
corrientes de entrada a 0, si éstas realmente fueran 0
el circuito no funcionaría). La impedancia de entrada es
de unos 2MΩ.
Las etapas en rojo son espejos de corriente. El superior
de la izquierda sirve para poder soportar grandes
tensiones en modo común en la entrada. El superior de
la derecha proporciona una corriente a la circuitería de
salida para mantener la tensión. El inferior tiene una
baja corriente de colector debido a las resistencias de
5kΩ. Se usa como conexión de gran impedancia a la
alimentación negativa para poder tener una tensión de
referencia sin que haya efecto de carga en el circuito de
entrada.
Los pines llamados Offset null son usados para eliminar las tensiones
de offset que pueda haber en el circuito.
 La etapa de ganancia en tensión es NPN.
La sección verde es un desplazador de tensión.
Esto proporciona una caída de tensión constante
sin importar la alimentación. En el ejemplo 1V.
Esto sirve para prevenir la distorsión.
El condensador se usa como parte de un filtro
paso bajo para reducir la frecuencia y prevenir que
el A.O oscile.
La salida en celeste es un amplificador PNP
seguidor con emisor push-pull. El rango de la
tensión de salida es de un voltio menos a la
alimentación, la tensión colector-emisor de los
transistores de salida nunca puede ser totalmente
cero. Las resistencias de salida hacen que la
corriente de salida esté limitada a unos 25mA. La
resistencia de salida no es cero, pero con
realimentación negativa se aproxima.
 Los terminales son:
V+: entrada no inversora
V-: entrada inversora
VOUT: salida
VS+: alimentación positiva
VS-: alimentación negativa
Las terminales de alimentación pueden recibir
diferentes nombres, por ejemplo en los A.O.
basados en FET VDD y VSS respectivamente.
Para los basados en BJT son VCC y VEE.
• Comportamiento en continua (DC)
– Lazo abierto
Si no existe realimentación la salida del A.O. será la
resta de sus dos entradas multiplicada por un factor.
Este factor suele ser del orden de 100.000 (que se
considerará infinito en calculos con el componente
ideal). Por lo tanto si la diferencia entre las dos
tensiones es de 1V la salida debería ser 100.000V.
Debido a la limitación que supone no poder entregar
más tensión de la que hay en la alimentación, el A.O.
estará saturado si se da este caso. Si la tensión más
alta es la aplicada a la patilla + la salida será la que
corresponde a la alimentación VS+, mientras que si la
tensión más alta es la del pin - la salida será la
alimentación VS-.
– Lazo cerrado:
Se conoce como lazo a la realimentación
en un circuito. Aquí se supondrá
realimentación negativa. Para conocer el
funcionamiento de esta configuración se
parte de las tensiones en las dos entradas
exactamente iguales, se supone que la
tensión en la patilla + sube y, por tanto, la
tensión en la salida también se eleva.
Como existe la realimentación entre la
salida y la patilla -, la tensión en esta
patilla también se eleva, por tanto la
diferencia entre las dos entradas se
reduce, disminuyéndose también la salida.
Este proceso pronto se estabiliza, y se
tiene que la salida es la necesaria para
mantener las dos entradas, idealmente,
con el mismo valor.
Siempre que hay realimentación negativa se
aplican estas dos aproximaciones para
analizar el circuito:

V+ = V-
I+ = I- = 0
 Comportamiento en alterna
(AC)
En principio la ganancia calculada para
continua puede ser aplicada para alterna, pero
a partir de ciertas frecuencias aparecen
limitaciones.
• Configuraciones
– Comparador

 Esta es una aplicación sin la realimentación. Compara

entre las dos entradas y saca una salida en función de
qué entrada sea mayor. Se puede usar para adaptar
niveles lógicos.
– SEGUIDOR: Es aquel circuito que
proporciona a la salida la misma tensión que
a la entrada

– Se usa como un buffer, para eliminar

efectos de carga o para adaptar impedancias
(conectar un dispositivo con gran impedancia
a otro con baja impedancia y viceversa)
– Como la tensión en las dos patillas de
entradas es igual: Vout = Vin
– Zin = ∞
 – Inversor

Se denomina inversor ya que la señal de salida es igual a la señal

de entrada (en forma) pero con la fase invertida 180 grados.
El análisis de este circuito es el siguiente:
V+ = V- = 0
 – No inversor

Zin = OO

I1 I2

I1 = I2 Vin/ R1 = (Vin – Vout)/ R2

Como observamos, el voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero

como conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy
grande, el voltaje en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo,
conociendo el voltaje en el pin negativo podemos calcular, la relación que
existe entre el voltaje de salida con el voltaje de entrada haciendo uso de
un pequeño divisor de tensión.
 – Sumador inversor

En el caso que las resistencias de entrada de cada canal

fuesen iguales, la ecuación de salida será igual a la
sumatoria de las tensiones de entrada multiplicadas por
el factor de ganancia.
– Integrador ideal
 Circuito integrador (I)
Dado que Vd=0
Vc Vi ( t )
i( t ) 
Vi R i i C R
La tensión Vc es:
- Vo 1
t

Vd Vc ( t )   i( t )  dt  Vc (0)
C0
+
t
1 V (t)
Vc ( t )   i  dt  Vc (0)
C0 R

t
1
Como Vo(t)=-Vc(t) entonces Vo ( t )   
R C 0
Vi ( t )  dt  Vc (0)
 Circuito integrador (II)
Formas de onda
Vc
V [Vol]
Vi R i i C Vi (sen(t))
Vo (cos(t))

- Vo t [seg]

Vd
+ V [Vol] V (t)
i

Vo(t)

t
1 t [seg]
Vo ( t )   
R C 0
Vi ( t )  dt  Vc (0)
– Derivador ideal
 Circuito derivador (I)
Vc Dado que Vd=0 dVi ( t )
VR i( t )  C
C R dt
Vi i i
La tensión VR es: VR ( t )  i( t )  R
- Vo
Vd Como Vo(t) es: Vo ( t )   VR ( t )
+

entonces:
dVi ( t )
Vo ( t )   RC
dt
 Circuito derivador (II)
Vc Formas de onda
VR
C R
Vi i i V [Vol]
Vo (cos(t))
Vi (sen(t))
- Vo t [seg]
Vd
+
V [Vol] Vo(t)

Vi(t)

dVi ( t ) t [seg]
Vo ( t )  RC
dt
• Parámetros:
• Ganancia en lazo abierto. Indica la ganancia
de tensión en ausencia de realimentación. Se
puede expresar en unidades naturales (V/V,
V/mV) o logarítmicas (dB). Son valores
habituales 100.000 a 1.000.000 V/V.
• Tensión en modo común. Es el valor medio de
tensión aplicado a ambas entradas del
operacional.
• Tensión de Offset. Es la diferencia de tensión,
aplicada a través de resistencias iguales, entre
las entradas de un operacional que hace que su
salida tome el valor cero.
• Corriente de Offset. Es la diferencia de
corriente entre las dos entradas del operacional
que hace que su salida tome el valor cero.
• Corrientes de polarización (Bias) de entrada.
Corriente media que circula por las entradas del
operacional en ausencia de señal

• Slew rate. Es la relación entre la variación de la

tensión de salida máxima respecto de la variación del
tiempo. El amplificador será mejor cuanto mayor sea el
Slew Rate. Se mide en V/μs, kV/μs o similares. El slew
rate está limitado por la compensación en frecuencia
de la mayoría de los amplificadores operacionales.
Existen amplificadores no compensados (con mayor
slew rate) usados principalmente en comparadores, y
en circuitos osciladores, debido de hecho a su alto
riesgo de oscilación.
SLEW RATE : v0 / t

Figura 8.15. Efecto de la distorsión debida al SR en la salida de un OA.

 • Relación de Rechazo en Modo Común
(RRMC,o CMRR en sus siglas en
inglés). Relación entre la ganancia en
modo diferencial y la ganancia en modo
común.

CMRR= Ad/Ac o CMRR(dB) = 20logAd/Ac

 Limitaciones
Saturación
Un A.O.L típico no puede suministrar más de la tensión a la
que se alimenta, normalmente el nivel de saturación es del
orden del 90% del valor con que se alimenta. Cuando se da
este valor se dice que satura, pues ya no está amplificando.
La saturación puede ser aprovechada por ejemplo en circuitos
comparadores.
 Tensión de offset
Es la diferencia de tensión que se obtiene
entre los dos pines de entrada cuando la
tensión de salida es nula, este voltaje es cero
en un amplificador ideal lo cual no se obtiene
en un amplificador real. Esta tensión puede
ajustarse a cero por medio del uso de las
entradas de offset (solo en algunos modelos
de operacionales) en caso de querer precisión.
El offset puede variar dependiendo de
la temperatura (T) del operacional
como sigue:

Donde T0 es una temperatura de

referencia.
 Un parámetro importante, a la hora de calcular las
contribuciones a la tension de offset en la entrada de un
operacional es el CMRR (Rechazo al modo común). Ahora
también puede variar dependiendo de la alimentación del
operacional, a esto se le llama PSRR (power supply rejection
ratio, relación de rechazo a la fuente de alimentación). La
PSRR es la variación del voltaje de offset respecto a la
variación de los voltajes de alimentación,expresada en dB. Se
calcula como sigue:
 Corrientes :
Aquí hay dos tipos de corrientes que
considerar y que los fabricantes suelen
proporcionar:
IOFFSET = | I + − I − |

Idealmente ambas deberían ser cero.

 – Característica tensión-frecuencia
Al A.O. típico también se le conoce como amplificador
realimentado en tensión (VFA). En él hay una importante
limitación respecto a la frecuencia: El producto de la
ganancia en tensión por el ancho de banda es constante.
Como la ganancia en lazo abierto es del orden de
100.000 un amplificador con esta configuración sólo
tendría un ancho de banda de unos pocos Hercios. Al
realimentar negativamente se baja la ganancia a valores
del orden de 10 a cambio de tener un ancho de banda
aceptable. Existen modelos de diferentes A.O. para
trabajar en frecuencias superiores, en estos
amplificadores prima mantener las características a
frecuencias más altas que el resto, sacrificando a cambio
un menor valor de ganancia u otro aspecto técnico. B
– Capacidades:
– El A.O. presenta capacidades
(capacitancias) parásitas, las cuales
producen una disminución de la
ganancia conforme se aumenta la
frecuencia.
– Deriva térmica:
Debido a que una unión semiconductora
varía su comportamiento con la
temperatura, los A.O. también cambian
sus características, en este caso hay que
diferenciar el tipo de transistor en el que
está basado, así las corrientes anteriores
variarán de forma diferente con la
temperatura si son bipolares o JFET.
RELE DE ESTADO SOLIDO CON TRIAC
CONTROL DE VELOCIDAD DE MOTORES
CONTROL DE VELOCIDAD DE MOTORES
CONTROL DE VELOCIDAD DE MOTORES
CONTROL DE MOTORES CON TIRISTORES O SCR
 FCEM

SUPONGAMOS INICIALMENTE QUE EL CONTACTO M ES NC Y HA SIDO ABIERTO EN EL

ARRANQUE, CON LO CUAL EL CAPACITOR C2 COMENZARÁ A CARGARSE A TRAVÉS DE R2,
HACIENDO QUE LA TENSION EN LA BASE DE Q1 AUMENTE SUAVEMENTE HASTA ALCANZAR
EL VALOR DE REGULACION A TRAVÉS DEL POTE R1.