Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Semiconductores
1.1 Introduccin a los dispositivos
Semiconductores
Electrnica Analgica
ELECTRONICA
ANALGICA
Unidad I Teora de
Semiconductores
La configuracin
de ciertos electrones
en un tomo es el factor crucial para
determinar
las
propiedades
de
conduccin de corriente elctrica que
posee un material dado.
EA_UNIDAD I
de
un
elemento
que
tiene
las
caractersticas de ese elemento. Y cada
elemento tiene una estructura atmica
nica.
La conductividad de los
materiales ()
Bandas de energa
en los materiales
Estructura Atmica
de un Conductor
En lo general, la
estructura atmica
de un buen conductor
incluye nicamente
un electrn en su
capa ms externa.
A ste se le llama
electrn de valencia.
Partiendo de este
tomo es fcil producir
un flujo de corriente
elctrica.
tomo
de
Cobre
8
Aisladores
Los aisladores presentan una
1.1.1 Definicin de
semiconductor
El estudio de semiconductores inicia en el siglo
XIX.
En 1950 el germanio (Ge) fue el mejor material
semiconductor, sin embargo exhiba grandes
corrientes
de
fuga
a
temperaturas
moderadamente altas.
Desde 1960 el silicio (Si) ha desplazado al
germanio en la fabricacin de dispositivos
semiconductores.
El Si es el material mas utilizado en la fabricacin
de semiconductores, debido a que exhibe mucho
menores corrientes de fuga, es el segundo
10
elemento mas abundante en la tierra (25%), se
caractersticas
de los
Semiconductores.
11
1.1.1 Definicin de
semiconductor
La conductividad en un semiconductor es
Estructura atmica de un
Semiconductor elemental
La
principal
caracterstica en un
semiconductor
elemental
es
que
posee
cuatro
electrones
en
su
orbita mas externa o
capa de valencia .
13
14
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si SiSi Si Si Si
15
Electrones Compartidos
Los tomos tienden a tener OCHO electrones en
16
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
17
1.1.3 Materiales
Semiconductores
tipo-p y tipo-n
El silicio contaminado con impurezas
18
Silicio Tipo-N
Al agregar tomos de Fosforo al silicio se crea un
semiconductor con cargas mviles Negativas
adicionales (electrones).
Fosforo
Fosforo adicionado al
Silicio.
+5
+5
Silicio Tipo-P
Boro
Boro adicionado al
Silicio
+3
+3
Semiconductores Extrnsecos
21
EA_UNIDAD I
22
Diferentes impurezas en Si y
GaAs
EA_UNIDAD I
23
Variaciones
de la
banda
prohibida
con
respecto a
la
temperatu
ra.
EA_UNIDAD I
24
1.1.4 Obtencin de la
unin P-N
25
Fosforo
26
Fosforo
27
Diffusing positive
charge leaves
behind a
stationary
negative charge
28
Fosforo
Diffusing negative
charge leaves
behind a
stationary
positive charge
29
fosforo
en un mar de silicio
Boro
Fosforo
30
V. I. P: En la creacin de la
Unin PN
La diferencia de la concentracin de
EA_UNIDAD I
32
33
Diodo en Polarizacin
Directa
Antes de que la polarizacin se aplique
Electrones
Positive
Negative
Huecos
34
Diodo en Polarizacin
Directa
Positive
Negative
" Voltaje
"Builtinterconstruido
In Voltage" ~ 0.1V
0.7V
0.6V
0.5V
0.4V
0.3V
0.2V
" ~ 0.0V
0.0V
0.7V
0.6V
0.5V
0.4V
0.3V
0.2V
0.1V
35
Diodo en Polarizacin
Directa
Conforme el voltaje se aplica, este
sobrepasa al voltaje interconstruido y la
corriente empieza a fluir....
0.7V
36
Diodo en Polarizacin
Directa
Corriente (I)
~0.7
Voltaje (V)
37
Diodo en Polarizacin
Inversa
Antes de que el voltaje se aplique
Electrones
Positive
Negative
Huecos
38
Electrones
Positive
Negative
Huecos
1.0V
39
Diodo en Polarizacin
Inversa
Conforme el voltaje en inversa se aplica
Electrones
Positive
Negative
Huecos
Negative
Positive
Corriente (I)
Voltaje (V)
0.7
41
Ideal
Corriente (I)
Corriente-Voltaje (I-V)
del Diodo Real
0.7
Real
Voltaje (V)
42
Corriente (I)
-40C
0.7
+25C
+125C
Voltaje (V)
43
Caractersticas
del diodo
Semiconductor
EA_UNIDAD I
44
45
Tarea de Investigacin
1.- Diodos emisores de luz.
2.- Fotodiodos y sus aplicaciones.
EA_UNIDAD I
46
Dudas ???
ELECTRNICA ANALGICA
UNIDAD I
TEORA DE
SEMICONDUCTORES
Conocer los dispositivos semiconductores
para
aprovechar
sus
caractersticas,
mediante la realizacin de exmenes
exploratorios prcticas de laboratorio,
exposicin oral, trabajos escritos, tareas,
participaciones individuales y grupales.
UNIDAD I TEORA DE
SEMICONDUCTORES
1.1 Introduccin a los materiales
semiconductores.
1.1.1 Conductor, Semiconductor, y Aislante.
1.1.2 Portadores de carga en
semiconductores.
1.1.3 Obtencin de la Unin P-N
1.1.4 Polarizacin de la unin P-N.
EA_UNIDAD I
50
51
52
53
54
55
56
Carbono
Hidrgeno
Cobre
57
58
Cuando un electrn libre cae en la capa
externa de un tomo neutro, el tomo se
carga negativamente, y se le denomina
ION NEGATIVO. [ H- ]
EA_UNIDAD I
59
60
El segundo material ms importante es el
Arseniuro de Galio, GaAs, por su aplicacin
en la fabricacin de dispositivos pticos y
de alta velocidad de conmutacin (alta
frecuencia), como por ejemplo: LEDs,
lseres,
fotodiodos,
fotodetectores,
infrarrojos, etc.
EA_UNIDAD I
61
62
63
64
65
66
Espacios de
Energa
Banda de
Valencia
(NO hay
electrones)
Segunda banda
Eg
Primera banda
67
EA_UNIDAD I
68
69
70
71
72
73
74
EA_UNIDAD I
75
76
Figura 1.8
Comparacin de las
bandas energticas
para los tres tipos de
materiales, con
respecto a la
conduccin
EA_UNIDAD I
77
Si = 50x10-3 -cm.
Dielctrico:
Mica = 1x106 -cm.
EA_UNIDAD I
78
1.1.1 Conductor,
Semiconductor y
Aislante
EA_UNIDAD I
79
1.1.1 Conductor,
Semiconductor y
Aislante
80
81
82
83
84
La conductividad en un semiconductor se
incrementa drsticamente mediante la
adicin controlada de impurezas al material
puro. Este proceso, denominado DOPADO,
incrementa el nmero de portadores de
corriente (electrones o huecos) elevando
as la conductividad y disminuyendo la
resistencia (o la resistividad, , -cm).
EA_UNIDAD I
85
Material Extrnsecos
Las dos categoras de impurezas que
existen son: Tipo-n y Tipo-p.
Cuando un semiconductor tiene impurezas
se le denomina Material Extrnseco.
Tipo-n:
Elementos del grupo V (pentavalentes; fosforo,
P; arsnico, As; antimonio, Sb) en Si y Ge.
Dichos elementos proporcionan un nivel
donador.
Y los electrones son portadores mayoritarios.
EA_UNIDAD I
86
87
Material Extrnsecos
Tipo-p:
Elementos del grupo III (trivalente; boro, B;
aluminio, Al; galio, Ga; indio, In) en Ge y Si.
Dichos elementos proporcionan un nivel
aceptor.
Los huecos son portadores mayoritarios y los
electrones son portadores minoritarios.
EA_UNIDAD I
88
89
EA_UNIDAD I
90
91
EA_UNIDAD I
92
93
94
95
96
97
98
V. I. P: En la creacin de
la Unin PN
La diferencia de la concentracin de portadores
de carga en las regiones n y p causa que los
portadores se difundan.
La difusin nos lleva a un desequilibrio de carga.
El desequilibrio de carga, a su vez produce un
campo elctrico, el cual neutraliza ( contra resta)
la difusin de portadores tal que en equilibrio
trmico el flujo neto de partculas es cero.
Se obtiene una regin de vaciamiento
agotamiento.
EA_UNIDAD I
99
EA_UNIDAD I
100
101
Polarizacin en Directa.-
102
Diodo de
Unin
Figura 1.12
Comportamiento del
potencial de barrera en
un diodo de unin PN,
en Polarizacin Directa.
EA_UNIDAD I
103
104
105
Diodo de
Unin
Figura 1.13
Comportamiento del
potencial de barrera en
un diodo de unin PN,
en polarizacin inversa.
EA_UNIDAD I
106
107
108
En polarizacin inversa
existe una pequea corriente producida por los
portadores minoritarios. Como regla, el Ge posee
mayor corriente en inversa que el Si. En el Si es
del rango de los A nA.
EA_UNIDAD I
109
110
Polarizacin en Inversa. La
corriente
en
inversa
depende
esencialmente de la temperatura de la
unin, no de la cantidad de voltaje de
polarizacin en inversa. Un incremento de
temperatura produce un incremento de
corriente en inversa.
EA_UNIDAD I
111
112
Polarizacin en Inversa.-
113
Polarizacin en Inversa.-
114
EA_UNIDAD I
115
EA_UNIDAD I
116
Polarizacin en Inversa.-
117
Diodo de
Unin
EA_UNIDAD I
118
EA_UNIDAD I
119
Caractersticas
del diodo
Semiconductor
EA_UNIDAD I
120
121
Tarea de Investigacin
1.- Diodos emisores de luz.
2.- Fotodiodos y sus aplicaciones.
EA_UNIDAD I
122