2 Componentes Activos Diodos

COMPONENTES ACTIVOS
(SEMICONDUCTORES)
1
2
En química, hablamos de valencia para referirnos al número de electrones que un átomo de
un elemento determinado posee en su último nivel de energía, es decir, en su órbita más
externa. Estos electrones son de especial relevancia pues son los responsables de los enlaces
covalentes (co-valente: comparten valencia)
Número atómico ( Z) :
Número de protones que hay en el núcleo del átomo de un elemento = número de electrones
Número Másico = Número de protones + neutrones
Peso atómico = Peso relativo de los átomos de los distintos elementos. 3
La columna 14 ( Grupo IV-A) es el de los Carboneideos.
Grupo 4º  tienen 4 electrones e- valencia
El número de la fila nos indica el numero de orbitales que dispone el átomo, ( en la parte derecha se indica
4
como se distribuyen los electrones en las capas)
1º
2º
5
MODELOS DE BANDAS
Los átomos que forman una estructura metálica están compactados
y muy próximos, lo que hace que sus orbitales atómicos de valencia
se superponen entre sí, dando lugar a un conjunto de orbitales de
energía muy parecidas que constituyen lo que se denomina banda
de niveles energéticos.
Un átomo aislado sólo tiene un nivel …pero millones de átomos en una estructura
forman una banda ( Cada electrón de valencia del átomo tiene una energía
levemente distinta al de los otros….imagínate entonces una estructura sólida
formada por miles de millones de átomos ).
6
7
NIVELES DE ENERGÍA : Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo
mayor es el estado de energía del e- (la fuerza de atracción entre el núcleo cargado
positivamente y los electrones disminuye con la distancia) , y cualquier electrón que
haya dejado su átomo, tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón que
permanezca en la estructura atómica.
En función de la anchura de la banda prohibida (Eg), tendremos un material u otro .
Se llama banda prohibida porque ningún electrón puede estar en estos niveles de
energía
Recuerda: La valencia de un átomo es el número de electrones que hay en su capa
mas alejada
Banda de conducción
Banda prohibida Banda prohibida
Eg > 5 eV Eg = 1.12 (Si) -0.67(Ge), eV
Banda de valencia
Banda de valencia
Banda de valencia
Aislante Semiconductor Conductor

8
1 𝑒𝑣 = 1,6 · 10−19 𝐽
NOTAS:
El electronvoltio (símbolo eV) es una unidad de energía que

representa la variación de energía cinética que experimenta un
electrón al moverse desde un punto de potencial Va hasta un
punto de potencial Vb cuando la diferencia Vba = Vb-Va = 1 V, es
decir, cuando la diferencia de potencial del campo eléctrico es
de 1 voltio.
1 eV = 1,6021 · 10-19 Julios
No confundir banda de valencia con la valencia de un átomo
9
Como hemos visto en el aislante, la banda de valencia está repleta de Electrones
que no pueden franquear la banda prohibida ( por eso son materiales no
conductores).
Ejemplo de átomo de un elemento Semiconductor:
Podemos comprobar que sólo tiene 4 electrones en la capa de valencia.
LAS DIFERENTES CAPAS SON: 2 -8- 18 -4 = 32
10
Metales:
Los metales son buenos conductores porque tienen una estructura

con muchos electrones con vínculos débiles, y esto permite su
movimiento. La conductividad también depende de la temperatura.
11
Algunas Características de los
Semiconductores
1. Son materiales que poseen un nivel de conductividad
(Siemens,[S/m])1 intermedio entre los extremos de un aislante y
un conductor.
Ejemplo de Conductor: COBRE:  = 10-6 ·cm
SEMICONDUCTORES: SILICIO  = 50 x 103·cm GERMANIO:  = 50 ·cm
Ejemplo de Aislante: MICA:  = 1012·cm
2. Se encuentra con alto nivel de pureza

3. Existen grandes cantidades en la naturaleza.
4. Cambio de características de aislante a conductores por medio de
procesos de dopado o aplicación de luz o calor. 12
CARACTERÍSTICAS MATERIALES SEMICONDUCTORES (GERMANIO Y SILICIO):
Estructura atómica: Red cristalina
Enlaces entre átomos: Covalentes
Electrones de valencia: 4
Los elementos semiconductores más utilizados en la industria de la electrónica son

el Silicio y el Germanio. Los niveles de pureza que se pueden conseguir son muy
altos , 1: por 10 000 millones.
Conseguir este nivel de pureza es muy importante, ya que porque con la adición de
cantidades controladas de impurezas, podemos conseguir que el semiconductor
pase de ser un conductor muy pobre a ser un excelente conductor.
Estos elementos tienen 14 y 32 electrones respectivamente pero su última capa

o capa de valencia tiene 4 e-, disponibles todos ellos a ser compartidos por otro
átomo. 13
Un enlace covalente1 entre dos átomos se produce cuando estos átomos se
unen, para alcanzar el octeto estable, compartiendo electrones del último nivel
14
Material Intrínseco
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Ni = concentración intrínseca del material …. A temperatura ambiente existe un

proceso de liberación de pares electrón- huecos constante y en el caso del silicio a
27 0C corresponde a 1,5 ·1010 cm-3
15
El Silicio y El Germanio, no se encuentra en la naturaleza totalmente
puros, y por lo tanto se deben refinar cuidadosamente para reducir
las impurezas a un nivel extremadamente bajo.
Los niveles de pureza que se pueden conseguir son muy altos
1: por 10 000 millones (10.000.000.000)
Después de este proceso toman el nombre de: Material intrínseco.
Semiconductores intrínsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica
similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus
átomos.
“Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos
electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la
banda de conducción dejando el correspondiente hueco en la banda
de valencia”.
Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV para
el silicio y 0,67 eV para el Germanio (salto de la banda de valencia a la de Conducción).
16
El proceso inverso también se produce, de modo que los
electrones pueden “caer” desde el estado energético
correspondiente en la banda de conducción a un hueco en la
banda de valencia, liberando así energía. Este fenómeno se
conoce como "recombinación".
“A una determinada temperatura, las velocidades de creación de
pares electrón-huecos, y de recombinación se igualan, de modo
que la concentración global de electrones y huecos permanece
constante”.
Sea "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentración de huecos (cargas positivas), se cumple entonces
que:
ni = n = p
donde ni es la concentración intrínseca del semiconductor,
función exclusiva de la temperatura y del elemento en cuestión.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 ºC):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3 y ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
17
Sin embargo estos materiales intrínsecos, no tienen las características
que se necesitan para utilizarlos para fabricar componentes
electrónicos, por lo tanto nuevamente son inyectadas impurezas
pero ahora a través de un proceso perfectamente controlado.
A este proceso se le denomina dopado. El resultado de este proceso

es un material extrínseco, y dependiendo de las impurezas inyectadas
podemos obtener materiales “tipo n” o “tipo p”.
TIPO “N” : Son materiales creados a través de la introducción de

impurezas de elementos pentavalentes (5 e- en la capa de valencia), a
los cuales se les llama átomos donadores.
TIPO “P” : Son materiales creados a través de la introducción de

impurezas de elementos trivalentes (3 e- en la capa de valencia), a los
cuales se les llama átomos aceptores.
18
El número de átomos dopantes necesitados para crear una
“diferencia significativa” en las capacidades conductoras de un
semiconductor es muy pequeña.
Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes
(Ejemplo: en el orden de 1 átomo de “Ga” por cada 100.000.000 de
átomos de “Si”) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero.
Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 átomo de
Galio por cada 10 000 átomos de Silicio) entonces se dice que el
dopaje es alto o pesado.
Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para
material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
19
Material Intrínseco
Materiales extrínsecos
5 e-
3 e-
Antimonio Boro
Arsénico Galio
Fósforo Indio
TIPO n TIPO p
20
Fósforo
Nivel energía de los e- de impurezas
Boro
Si el material se halla dopado con impurezas, aparece dentro de la banda prohibida

Eg, un nivel de energía que depende del dopado, (haciéndola más estrecha )
“ED” por las impurezas donadoras (cerca del fondo de la banda de Conducción) y
21
“EA” por las impurezas aceptoras (cerca de la parte superior de la banda Valencia).
¿QUÉ PASA CUANDO UNIMOS UN CRISTAL TIPO P Y OTRO TIPO N?
22
CRISTAL TIPO P CRISTAL TIPO N
Iones Iones
ac eptores donadores
Portadores Portadores
m ayoritarios m ayoritarios
Portadores
Portadores
m inoritarios
m inoritarios
5 e-
Antimonio
Arsénico
Fósforo
PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS .

Tenemos en el cristal TIPO P :
• Iones (-) son los átomos de Boro que han acogido un e-
• Huecos: Los contiene los átomos de Boro (con los que han dopado el material
intrínseco) y que no han cogido ningún e- (son los portadores mayoritarios).
•Portadores minoritarios que son los e- que térmicamente se han desligado del átomo
de silicio. 23
Se produce un Mecanismo de difusión:
Zona P > zona dopada con átomos del grupo III ( B). [hay muchos huecos]
Zona N > zona dopada con átomos del grupo V ( P ). [hay muchos e - libres]
Mecanismo de difusión:
Consiste en el movimiento de las partículas “-” y “+”de donde hay
más a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos
cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona
contraria (se recombinan), es decir:
• Electrones de la zona N pasan a la zona P.
• Huecos de la zona P pasan a la zona N. 24
Este movimiento de portadores de carga tiene un doble
efecto: en la región de la zona P cercana a la unión:
• El electrón que pasa la unión desde la zona N, se recombina

con un hueco (átomo aceptor). Aparece una ion negativo
• Por efectos térmicos se puede liberar un par electrón –hueco

en la estructura del Silicio, e igualmente puede “caer” un
electrón desde la zona N, creando un ión negativo.
• El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede

realizarse para la zona N.
25
“la difusión de “cargas” origina una separación de cargas, y este proceso continua hasta
que aparece un potencial de equilibrio que se opone al paso de electrones y se tiene
una zona ausente de portadores de carga( zona de deplexión)”
Zona P Zona N
Carga positiva en la zona N y negativa en la zona P1
26
Distribución de las concentraciones de electrones y huecos.
Concentración Concentración
De huecos de electrones
ZONA DE DEPLEXIÓN
27
Tipo p Tipo n
Región de
agotamiento
Cuando se unen 2 materiales extrínsecos uno tipo p y otro tipo n, ocurren

algunas combinaciones que dan origen a una ausencia de portadores en la
región cercana a la unión, debido a lo cual a esta región se le llama de
agotamiento o de deplexión, por la falta de portadores.
Esta “separación de carga” crea una d.d.p. de 0,7 v para el silicio y 0.3 v para
el Germanio, en ese momento se para la difusión, ya que los portadores
mayoritarios no tienen suficiente energía como para superar el potencial de
la barrera creada.
28
Sin polarización
p n
VD=0 En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto

de la carga en cualquier dirección es cero.
No existe una corriente efectiva
29
Polarización inversa
p
P N
n
VD < 0 El número de iones positivos en la región de agotamiento del material

tipo n se incrementa debido a el gran número de e- libres atraídos por el
potencial positivo del voltaje aplicado, por lo que la región de
agotamiento crece y la barrera de potencial es demasiado grande para
que haya un flujo de portadores mayoritarios1.
Pero proporcionalmente a la temperatura, existe una continua formación
de pares de (electrones – huecos) EN LA ZONA P, que provoca que exista
una pequeña corriente entrando a la región de agotamiento , por lo que
se tienen vectores de flujo de portadores minoritarios1), que provoca una
pequeña corriente llamada de saturación inversa (Is)
30
Luego, en esta situación, el diodo no debería permitir la
conducción de la corriente; sin embargo, debido al efecto de
la temperatura se formarán pares electrón-hueco a ambos
lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del
orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación.
Conforme mas electrones sean arrastrados a la zona de “deplexión“

atravesando la fuente, más ancha será esta zona, consiguiendo igualar el
potencial de la fuente externa a ambos lados de la unión.
NOTA: “La corriente de minoritarios1 es debido a la temperatura por

fenómenos de agitación térmica, y se admite que se duplica cada 10ºC)”
31
p n Polarización directa
VD > 0
El “potencial externo” presiona o empuja a los electrones en el

material N y a los huecos en el material P para que se recombinen
con los átomos aceptores y donadores respectivamente cercanos a
la unión.
Por otro lado con la energía con la que les impulsa el campo
eléctrico externo, atraviesen fácilmente la región de agotamiento.
32
DIODO
Es un elemento o componente electrónico de dos terminales formado
por la unión encapsulada de dos cristales dopados: P y N
+ -
Ánodo Cátodo
Si realizamos una gráfica en donde se represente la corriente a través de la

unión con respecto del voltaje aplicado ente sus terminales, obtenemos la
siguiente figura
33
Curva diodo ideal
Curvas características V-I

Curvas diodo real
1μA
Ruptura por avalancha
34
k·VD
IS : Corriente de saturación inversa (del orden de
ID = IS·(e - 1)
1 μA)
Tk
K = 11600/ (=1 para Ge, y =2 para Si)
Tk = TºC + 273 (Temperatura en grados kelvin)
Con polarización negativa existe un punto en el cual, bajo un voltaje inverso lo
suficientemente alto, da como resultado un agudo cambio en la conductividad del diodo.
Dependiendo del dopaje que hagamos al dispositivo, tendremos una ruptura segura o
como veremos más adelante una zona de trabajo ( zener) 35
Como podemos determinar en la expresión matemática
de la gráfica que modela el comportamiento del diodo, la
temperatura puede tener un marcado efecto sobre las
características de un diodo, y al aplicar un voltaje
demasiado negativo, se obtiene un incremento muy
rápido en la corriente con la misma dirección que la
corriente de saturación inversa “IS ”.
k·VD
ID = IS·(e - 1)Tk
Si tenemos un diodo rectificador normal el punto sería

zona de avalancha (ruptura por avalancha) y podríamos
destruir el diodo , si por lo contrario tuviéramos un diodo
zener trabajaríamos en la región zener, el cual está
diseñado y habilitado para hacerlo1. 36
Estas zonas puede acercarse o alejarse del eje vertical con el
incremento de niveles de dopado en los materiales tipo “p”
y “n”.
Los diodos pueden ser de Silicio o Germanio y dependiendo

del material sus características pueden variar.
La principal es el voltaje a partir del cual se considera que el
diodo está en conducción, y que se llama tensión de
umbral;
VT = 0.7 (Si) VT= 0.3 (Ge)
37
El fenómeno llamado avalancha se produce cuando el
campo eléctrico es muy intenso (potencial eléctrico
externo aplicado es elevado) y algún electrón de valencia
por efectos térmicos, adquiere energía suficiente como
para escapar de los enlaces covalentes de los átomos en la
zona de deplexión, hacia la banda de conducción.
- +
38
- +
El electrón se acelera por el campo, adquiriendo energía

cinética, y puede impactar en otros átomos. El choque
puede comunicar energía a otro electrón para que escape
de la capa de valencia a la de conducción, y ya son dos,
que se aceleran por el campo y pueden impactar en dos
átomos, liberando dos nuevos electrones, que liberarán 4
más, y éstos 8 más... Obteniéndose una conducción
descontrolada que destruye el dispositivo. 39
Características del Diodo
Resistencia en C.C. ó estática: RD=VD/ID
RD----Resistencia que presenta el diodo cuando se aplica un voltaje
en C.C., y pasa una corriente ID
40
Resistencia en C.A. promedio:
rav= VD / ID ( punto a punto )
rav--- Se define como la resistencia determinada por una línea
recta dibujada entre 2 intersecciones establecidas por los
valores máximos y mínimos del voltaje de entrada.
Resistencia obtenida como promedio de los puntos medidos

41
Resistencia en C.A. ó dinámica:
Rd=VD / ID= (dID /dVD)-1
k·VD
ID = IS·(e - 1)
Tk
rd----resistencia que sólo se define en una región, la cual queda limitada por la
señal en c.a. que se inyectará al diodo.
Se obtiene realizando la derivada de la expresión matemática que relaciona ID

con VD, sacando el inverso, considerando:
ID>> IS, =1, T=25C, obtenemos el resultado.
El cual sólo es valido si el diodo está en la sección de crecimiento de la curva

42
Invertimos para derivar y operar
43
Capacidades parásitas de transición y difusión:
C (pf)
15
10
CT 5 CD
-25 -15 -5 0 0.25 0.5 V
CT ----- Capacidad que está presente en la región de polarización inversa

CD ----- Capacidad que está presente en la región de polarización directa, también
llamada de almacenamiento.
Como en la unión existe una zona de deplexión (separación de cargas),

inevitablemente hay una capacidad ( que además varía en función de la polarización)
Debido a estas capacidades la conmutación no es instantánea y para altas frecuencias

el diodo puede no funcionar correctamente, con lo cual el fabricante debe indicar en
las características del dispositivo la frecuencia máxima a la que puede trabajar el
componente sin distorsionar la señal.
44
Existen dos fenómenos que crean un comportamiento capacitivo en los diodos.
Uno se basa en que cada vez que varía el voltaje aplicado al diodo se produce una
redistribución de cargas parecido a lo que ocurre en un dieléctrico de un
condensador. Este comportamiento tiene lugar en polarización directa.
En polarización inversa si que existe un fenómeno que se acerca más físicamente

a lo que se entiende por condensador, y esto es dos armaduras y un dieléctrico.
El dieléctrico lo forma la capa de deplexión y las armaduras las partes P y N a los
lados de la capa de deplexión. Todos los dispositivos semiconductores la sufren,
pero es aprovechable, y esta forma de obtener una capacidad es importante en la
industria y usada, ( ejemplo: diodos Varicap)
Por otro lado, el valor de esta capacidad no es constante ya que la anchura de esta
capa de deplexión tampoco es constante. La capacidad aumenta a medida que
disminuye el voltaje en inversa y disminuye a medida que aumenta ese voltaje,
porque la capacidad de un condensador aumenta cuanto más juntas están las
armaduras y disminuye cuando se alejan (Esta es la base teórica del Varicap1, que
es un diodo usado para poder controlar su capacidad controlando su tensión de
polarización en inversa.)
45
El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo, no se efectúa
instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF , la
zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta
mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF.
Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la
corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la
corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de
movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un
instante.
La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del
tiempo “ta” llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores
empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial.
La corriente todavía tarda un tiempo “tb” (llamado tiempo de caída) en pasar
de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van
desapareciendo el exceso de portadores.
El fenómeno de recuperación inversa determina la máxima frecuencia de
operación del diodo de acuerdo con la expresión:
46
Tiempo de recuperación inverso “trr”
tr r  Tiempo que le lleva al dispositivo pasar de encendido (en conducción) a
apagado (cortado), éste parámetro es importante solo en aplicaciones de
conmutación a alta frecuencia.
Es la suma del ta (tiempo de almacenamiento) y tb (intervalo de transición).
47
Modelado de diodos
Son una combinación de elementos simples que

se eligen en forma adecuada para “aproximar y
representar” lo mejor posible las características
reales del diodo, en su conjunto o en una región
de operación particular.
Para analizar un circuito con diodos podemos
utilizar cualquiera de los 3 modelos, obviamente
el más sencillo es el diodo ideal, y siempre se
tomará este modelo, salvo que el problema
especifique otra cosa o necesitemos mayor
precisión en el cálculo.
48
Modelo Ideal: ID
VD
Modelo Simplificado:
ID
VT
VT
VD
Modelo de segmentos líneales: ID

VT rav
rav
VT
VD
49
Una vez que ya sabemos los diferentes y más sencillos
modelos para los diodos, ya podemos iniciar nuestro análisis
de circuitos, empezaremos por investigar el punto de
operación (Q) del diodo en un circuito determinado. Lo que
significa encontrar la corriente que fluye en el diodo cuando
se está presente un determinado voltaje entre sus terminales.
Para lo cual existen 3 métodos diferentes:
-Por medio de la ecuación

-Por medio de la recta de carga
-Y utilizando el modelo de segmentos lineales2.
Basados en la hoja de especificaciones del diodo y

suponemos que está en plena conducción.
50
Principales características comerciales de los diodos:
PARÁMETROS DE CONDUCCIÓN
• Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente
continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún
daño.
•Corriente media nominal IF(AV). es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.
•Corriente de pico transitoria (IFSM). (Maximum Surge Forward Current), en la que

se especifica también el tiempo que dura el pico (no repetitiva), por ejemplo una
vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
•Corriente de pico repetitivo (IFRM). (Maximum Recurrent Forward Current), es

aquélla que puede ser soportada cada 20 ms , con una duración de pico a 1 ms, a
una determinada temperatura del encapsulado (normalmente 25º). También se
puede especificar la frecuencia máxima del pico en las hojas características
•Caída de tensión en Polarización Directa, VF (Forward Voltage): Suele ser un valor
próximo a 0.7v para Silicio (depende del tipo de diodo y dopado)
51
PARÁMETROS EN BLOQUEO
Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, VBR): Es la
tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. Si se alcanza,
aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las
características del mismo.
Tensión máxima de trabajo en inversa ( VRWM.- Maximun Working reverse
Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una
operación en inversa segura, es la que puede ser soportada por el dispositivo
de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser

soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en

picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para
diferentes valores de la tensión inversa ( del orden de micro o nano amperios)
Como todos los componentes electrónicos, los diodos poseen sus características que les
diferencia unos de otros. Es necesario conocerlas, pues las necesidades de diseño así lo
requieren. 52
Valores nominales de tensión:
VF = Tensión directa en los extremos del diodo en conducción.
VR = Tensión inversa en los extremos del diodo en polarización inversa, soportada
sin problemas
VRSM = Tensión inversa de pico no repetitiva. (es aquella que puede ser soportada
una sola vez durante 10ms de duración, cada 10 minutos o más)1.
VRRM = Tensión inversa de pico repetitiva. (es la que puede ser soportada en picos
de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada).
VRWM = Tensión inversa de pico de Trabajo. (es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
53
Valores nominales de corriente:
IF = Corriente directa.
IR = Corriente inversa.
IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo.
IFRMS = Corriente eficaz en estado de conducción. Es la máxima corriente eficaz que

el diodo es capaz de soportar.
IFSM = Corriente directa de pico no repetitiva.
AV= Average (promedio)

Sufijos
RMS= Root Mean Square (raíz de la media cuadrática)
54
VALOR MEDIO DE UNA SEMI-ONDA SENOIDAL
55
Significado eléctrico del valor rms (v):
Valor equivalente de una tensión
continua y constante que produce los
mismos efectos caloríficos al aplicarla a
una resistencia
56
VALOR EFICAZ Y MEDIO PARA DIFERENTES FORMAS DE ONDA
57
CARACTERÍSTICAS DE UN DIODO REAL
58
TIPOS DE DIODOS
59
DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo
conducen en polarización directa (> 0.7 V).
Estas características son las que permite a este tipo de diodo rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en
inverso que pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia.

En el sistema americano, la referencia consta del prefijo “1N” seguido del número de
serie, por ejemplo: 1N4004. La “N” significa que se trata de un semiconductor, el “1”
indica el número de uniones PN y el “4004” las características o especificaciones
exactas del dispositivo.
En el sistema europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo:
BY254. En este caso, la “B” indica el material (silicio) y la “Y” el tipo (rectificador). Sin
embargo algunos fabricantes emplean sus propias referencias, por ejemplo: ECG581
60
61
EJERCICIO
Dibujar formas de Onda en la entrada y salida
= 30 V eficaz
62
DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de
mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran
polarizados inversamente aunque varíe la tensión aplicada en sus extremos, y por
ello se emplean como elementos de control.
Se les encuentra con capacidad de ½W hasta 50 W, y para tensiones de 1.8 voltios
hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su

voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828 ó
BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la
potencia máxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ)
63
Diodo Zener
Este diodo a diferencia de un diodo semiconductor de propósito general, se
diseña para trabajar en la región de polarización negativa.
64
El Diodo Zener es uno de los componentes habituales en los circuitos
electrónicos. Esto se debe principalmente a que es muy versátil (son muy
variadas las aplicaciones que se les pueden dar), es un elemento fácil de utilizar,
barato y, sobre todo, muy preciso (por eso los hay de tantos valores).
APLICACIONES DEL DIODO ZENER:

• Diodo Zener Como Regulador de Voltaje .
• Diodo Zener Como Elemento de Protección del Circuito.
• Diodo Zener Como Recortador en Corriente Alterna.
1. Diodo Zener como Regulador de Voltaje
Al ser el Zener un elemento tan preciso, su principal aplicación es la de fijar la

tensión que le llega a un determinado componente, como es la resistencia de carga
que muestra la imagen. Generalmente, las fuentes de alimentación (un cargador de
móvil o lo que se te ocurra) pueden no entregar un voltaje constante a la carga por
alguna causa, en estos casos utilizar un diodo Zener hará que puedas eliminar dichas
oscilaciones de sobretensión de alimentación.
F.A.
carga
65
Otras veces el problema reside en que tienes un circuito al que vas a conectar una
carga (que puede variar su valor), en este caso, tu circuito va a ver modificada su
corriente de salida, a su vez esta modificación de la corriente variará el voltaje de
salida.
Añadir diodos Zener en estos casos hará que, aunque varíe la carga, que hace
variar la corriente consumida, el voltaje de salida permanecerá constante.
2. Diodo Zener Como Elemento de Protección del Circuito

De forma similar a lo anterior, puedes elaborar un circuito en el que te asegures que
el voltaje máximo que le va a llegar a la carga, nunca será superior al que hayas fijado
con tu diodo Zener de protección.
La diferencia con la aplicación anterior, reside en que antes buscabas que el voltaje
no variase, y ajustabas el valor del zener a la alimentación del dispositivo, en ésta
ocasión dejas que el voltaje varíe pero siempre sin superar un determinado valor que
fijas con el zener1, para ello la Vz deberá ser igual que la tensión máxima en la carga.
3. Diodo Zener Como Recortador de C.A.

Esta aplicación del Zener no es más que un caso especial del modo anterior. Se lleva a
cabo cuando se desea conseguir que una señal alterna (C.A.) quede limitada o
recortada a un voltaje concreto, (así, cuando la señal alterna vaya variando sus
valores pongamos de -9V a 9V, puedes poner un diodo Zener que te recorte todos los
que estén por encima 5V, por debajo de -5V o incluso ambos). 66
Diodo Zener Como Recortador de C.A: Dibujar formas de onda en la salida
1) 2)
67
Modelo para gran señal de un diodo zener1
68
DIODO VARICAP
El diodo varactor también conocido como diodo varicap o diodo de sintonía, es un
dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actúa como un
condensador variable controlado por voltaje.
Esta característica los hace muy útiles como elementos de circuitos de sintonía en
receptores de radio y televisión. Son también muy empleados en osciladores,
generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos
son los diodos SNAP (diodos de recuperación instantánea), empleados en
aplicaciones de UHF y microondas
69
Ejemplo: Oscilador de FM con Varicap (TEL004S)
El esquema muestra la aplicación de un diodo de este tipo en un circuito oscilador.

La frecuencia de resonancia2 de un circuito LC , viene dada por La fórmula:
f = 1 / [ 2π * √(L * C) ]
Donde la capacidad “C” en nuestro circuito está dada por C3 mas la capacidad presentada
por el Diodo varicap en serie con C1 y que depende de la tensión en sus bornes.
Por la curva de variación de la capacidad del varicap, obtenida del fabricante, podemos
llegar al cálculo de la banda de operación del oscilador, recordando que la tensión
disponible en el diodo variará a través de P1
La entrada E1 puede usarse para modulación de una señal de audio que venga del
micrófono. 70
- 0,6 V
En la figura tenemos la curva para el caso del diodo varicap BB106 (Philips).
Como podemos ver1, alrededor de - 0,6V tenemos una capacidad máxima del orden de 38
pF y alrededor de - 6V la capacidad mínima de 16 pF.
72
DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)
Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión PN; si
éste se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla,
verde o azul dependiendo de su composición
Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida,

la caída de voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima
corriente directa (IF) y la intensidad luminosa.
Típicamente VF es del orden de 1.3 V a 4 V.
Se consiguen LED’s con valores de IF desde menos de 20 mA hasta más de 100 mA
e intensidades luminosas desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta más de
4000 mcd. A mayor corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa.
73
DEFINICIONES
La candela (símbolo cd) es una de las unidades básicas del
Sistema Internacional, de intensidad luminosa.
Se define como:
La intensidad luminosa en una dirección dada, de una fuente
que emite una radiación monocromática de frecuencia
540×1012 hercios y de la cual la intensidad radiada en esa
1
dirección es W por estereorradián.
683
El estereorradián es la unidad derivada del S.I. que mide

ángulos sólidos. Es el equivalente tridimensional del radián. Su
símbolo es sr.
1 lux ( nivel de iluminación)
= 1 lumen / m2 ( usado para
mediar la incidencia de la luz
sobre una superficie )
74
El valor de VF depende del color, siendo mínimo para LED’s rojos y máximo
para LED’s azules.
Los LED’s deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para
limitar la corriente a través de este a un valor seguro, inferior a la IF máxima.
También deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje
inverso superior a 5V causa generalmente su destrucción inmediata del LED.
Color Tensión en directo(VF)

Infrarrojo 1,3v
Rojo 1,7v
Naranja 2,0v
Amarillo 2,5v
Verde 2,5v
Azul 4,0v
El conocimiento de esta tensión es fundamental para el diseño del circuito en el que

sea necesaria su presencia, pues, normalmente se le coloca en serie una resistencia
que limita la intensidad que circulará por el. Cuando se polariza directamente se
comporta como una lamparita que emite una luz cuyo color depende de los
materiales con los que se fabrica. Cuando se polariza inversamente no se enciende y
además no deja circular la corriente. La intensidad mínima para que un diodo Led
emita luz visible es de 4mA y, por precaución como máximo debe aplicarse 50mA. 75
Para identificar los terminales del diodo Led, tendremos en
cuenta que; el cátodo será el terminal más corto.
Además en el encapsulado, normalmente de plástico, se observa
un chaflán en el lado en el que se encuentra el cátodo.
Aplicación: Se utilizan como señal visual y en el caso de los leds

de luz en longitud de onda de los infrarrojos, en mandos a
distancia.
76
También se fabrican LEDs especiales :
Led bicolor.- Están formados por dos diodos conectados en paralelo e inverso.
Se suele utilizar en la detección de polaridad.
77
Led tricolor.-
(1).- Formado por TRES diodos Led (verde ,rojo y azul) montado con el ánodo
común. La patilla más larga es el cátodo y las tres otras con ánodos, unos por cada
color. El diámetro es de 5mm.
Voltaje de cada color: Rojo: 1,7 V Verde: 2,5V Azul: 4 V
Luminosidad (aprox): Rojo: 2800 mcd Verde: 6500 mcd Azul: 1200 mcd.
(2).- Formado por dos diodos Led (verde y rojo) montado con el cátodo común.
El terminal más corto es el ánodo rojo, el del centro es el cátodo común, y el
tercero es el ánodo verde (Aplicando tensión a los dos ánodos obtenemos el
tercer color)
Led Tricolor (Rojo, verde y azul (Tricolor) con Ánodo común Rojo, verde y ámbar 78
El LED que acabamos de ver es una de las fuentes de luz más
utilizadas tanto en comunicaciones ópticas como en sistemas de
visualizadores.
Aun así el LED no es el dispositivo de mayores prestaciones siendo
sus ventajas su fácil fabricación y su fácil uso.
Sus mayores desventajas son su amplio espectro de emisión y la
imposibilidad de utilizarlo en sistemas para modular con
frecuencias superiores al gigahercio1.
El diodo láser supera estas desventajas del LED aprovechando

características especiales de las cavidades ópticas y de la emisión
estimulada2. El resultado es que el Diodo Láser es capaz de emitir
señales con un espectro dos órdenes de magnitud menor3 que el
LED. Además puede ser modulado con señales de hasta 50GHz y el
haz luminoso del diodo Láser no se abre tanto como el LED
pudiendo generar rayos de luz de alta intensidad y muy focalizados.
79
DIODO LÁSER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)
Los diodos láser, son LED’s que emiten una luz monocromática, generalmente roja o
infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente, bajo las
condiciones adecuadas.
Son muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer discos
compactos (CD’s) que contienen datos o archivos multimedia, así como en sistemas
de comunicaciones para enviar información a través de cables de fibra óptica, en
marcadores luminosos, lectores de códigos de barras y otras muchas aplicaciones.
En la electromedicina con energías superiores se utilizan como instrumentos
terapéuticos y tratamientos, de corte de precisión, etc..
InGaAs(N)/GaAs
80
81
82
83
FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente
inversa puede ser controlada en un amplio rango, regulando la cantidad de luz
que pasa por la ventana e incide sobre la unión PN.
A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa producida por
que se genera un mayor número de portadores minoritarios, y viceversa.
Son muy utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas de iluminación,
contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones
ópticas y otras aplicaciones.
OTRAS APLICACIONES.
En los lectores de discos ópticos digitales
Detectores de señales infrarrojas de control remoto
Detectores de humo
Como foto sensor 84
FOTODIODOS
oscuridad
1000 lux
2500 lux
la curva i/v se desplaza hacia abajo al ser iluminado
Los fotodiodos son más rápidos que las fotoresistencias, es decir, tienen un tiempo de
respuesta más pequeño, sin embargo sólo pueden conducir en una polarización directa
corrientes relativamente pequeñas.
85
DIODO de Barrera o SCHOTTKY
A frecuencias bajas (50 Hz), un diodo normal puede conmutar fácilmente de estado
de conducción a corte y viceversa, pero en aplicaciones donde se requieren altas
frecuencias, el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy pequeño, poniendo
en peligro la respuesta del dispositivo.
El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera

Schottky), en lugar de la unión convencional utilizada por los diodos normales.
Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperación rápida, están hechos
de silicio y se caracterizan por poseer una caída de voltaje directa muy pequeña,
del orden de 0.1 ~ 0.2 V.
Se emplean en fuentes de alimentación conmutadas, sistemas digitales y equipos de
alta frecuencia
86
Un diodo Schottky, se forma colocando una
película metálica en contacto directo con un
semiconductor, El metal se deposita
generalmente en un tipo de material N, debido
a la movilidad más grande de los portadores
en este tipo de material. La parte metálica será
el ánodo y el semiconductor, el cátodo.
La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir en

polarización inversa bloquear tensiones relativamente elevadas.
87
SUPRESORES DE TENSIÓN ( TVS)
Los supresores de tensión transitoria (TVS) son una clase de dispositivos que se
utilizan para proteger los circuitos de las condiciones de sobretensión repentina o
momentánea también conocidos como transitorios.
Hay muchas orígenes o eventos que pueden ocasionar picos de alta tensión1, por
lo tanto, se requieren dispositivos TVS en el circuito que deseemos proteger de
cualquier tipo de daño y riesgo. Los transitorios suelen medir unos pocos miles de
voltios que duran unos pocos microsegundos o menos.
Un dispositivo TVS es el diodo de supresión de tensión transitoria, un tipo diodo

zener, y se utiliza en circuitos de protección contra sobretensiones. La otra clase
generalmente utilizada de dispositivos TVS son los varistores de óxido metálico
(MOV) que se utilizan para proteger circuitos electrónicos.
1
88
89
La característica más importante de un TVS es que debe responder a las
sobretensiones más rápido que cualquier otro dispositivo de protección contra
sobretensiones, como los varistores o los tubos de descarga de gas (GDT).
Los dispositivos TVS pueden ser unidireccionales o bidireccionales en

funcionamiento.
Los diodos TVS pueden llegar a tener un grado de protección contra sobretensión
de 1 a 15 kV con un tiempo de respuesta de 1 picosegundo (10-12 s).
Los MOV tienen un grado de protección contra sobretensión de hasta 70kV con un
tiempo de respuesta de un nanosegundo (10-9 s), (más lentos).
Los dispositivos TVS se utilizan en aplicaciones como suministros de energía,

inversores de potencia y dispositivos industriales de control de motores.
90
Diferencia entre diodos TVS y diodos Zener
Aunque sus funciones son similares, como se muestra en la figura (a), un diodo TVS
absorbe un voltaje pico de sobretensión muy elevado pero también muy breve y
funciona para que éste pico de voltaje excesivo no llegue a otros dispositivos
semiconductores.
Por otro lado, como se muestra en la figura (b), un diodo Zener, mantiene el voltaje
entre sus extremos a un voltaje constante protegiendo a otros dispositivos
semiconductores o una carga en la salida, y en régimen permanente si es necesario.
El límite de la sobretensión de la que el zener puede proteger, depende de su potencia
máxima zener.
91
Supresor de tensión transitoria de cerámica AVX, 5V, Energía 0.1J, Enclavamiento 12V,
Carcasa 0603 (1608M), 30A
92
DIODO DETECTOR O DE BAJA SEÑAL
Los diodos detectores también denominados diodos de señal, están hechos de

germanio y se caracterizan por poseer una unión PN muy diminuta.
Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con señales pequeñas.
Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de

alta frecuencia (portadora) de la componente de baja frecuencia (información
audible). Esta operación se denomina detección1.
Al tener una pequeña unión, su capacidad intrínseca también es pequeña, lo que les
permite operar a altas frecuencias.
93
DIODO DETECTOR O DE BAJA SEÑAL
• La constante de tiempo del conjunto Condensador-resistencia es

grande en comparación con el periodo de la portadora, por lo tanto el
condensador sólo se descarga levemente cuando el diodo no está en
conducción
• La señal resultante a través del condensador es la señal moduladora
original.
Señal Portadora
De Señal compuesta
radiofrecuencia
Señal Moduladora de
Audio frecuencia
94
DIODO TÚNEL
Los diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por
poseer una zona de agotamiento extremadamente delgada que permite a los
portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarización directa y tener en su
curva una región de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida
que aumenta el voltaje. Esta última propiedad los hace muy útiles en aplicaciones
como detectores, amplificadores, osciladores, biestables, interruptores, todas ellas
aplicaciones en general de alta frecuencia, etc.
Los diodos Túnel son generalmente fabricados en Germanio, pero también en
silicio y arseniuro de galio.
Este tipo de diodo no se puede utilizar

como rectificador debido a que tiene
una corriente de fuga muy grande
cuando están polarizados en inversa.
Descubrimiento
Este diodo fue inventado en 1958 por el físico japonés Leo Esaki, por lo cual
recibió un Premio Nobel en 1973.
Descubrió que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de
contaminación del material básico mucho mas elevado que lo habitual exhiben
una característica tensión-corriente muy particular.
La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensión
aplicada hasta alcanzar un valor máximo, denominado corriente de cresta.
A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensión aplicada, la corriente
comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo, llamado
corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta.
El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada
vez más rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna
manera.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como

componente activo(amplificador/oscilador).
Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente “Ip” e “Iv”
muy rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción
incluso más rápido que los diodos Schottky.
96
DIODO PIN
Su nombre deriva de su construcción: P(material tipo P), I(zona intrínseca)y

N(material tipo N) Los diodos de 3 capas, PIN se emplean principalmente como
resistencias variables controladas por voltaje.
Un diodo PIN obedece a la ecuación del diodo estándar para señales de
baja frecuencia . A frecuencias más altas, el diodo se parece a una resistencia
casi perfecta.
Son dispositivos desarrollados para trabajar en el rango de radiofrecuencias y
microondas.
97
¿Recuerdas que
era un
semiconductor
intrínseco ?
Este diodo se puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud1

en frecuencias de microondas, ya que para todos los propósitos se puede
presentar como un corto circuito en sentido directo y como un circuito abierto en
sentido inverso.
También es utilizado para conmutar corrientes o tensiones muy elevadas.
98
Un diodo PIN funciona utilizando lo que se denomina inyección de
alto nivel: solo comenzará a conducir la corriente una vez que el
área central de material semiconductor puro alcance un
determinado nivel de carga. Debido a que se crea un campo
eléctrico que se extiende profundamente en el área, se acelera el
transporte de los portadores de carga de un extremo del diodo al
otro. Esto a su vez acelera el rendimiento del diodo.
En condiciones de polarización directa, la caída de tensión en la

región I es muy pequeña debido a que la zona de agotamiento es
muy estrecha e igual que el diodo PN, si se aumenta la corriente
también disminuye la resistencia1.
99
100
Pero si el diodo esta polarizado en sentido inverso, debemos
recordar que los diodos PN al aplicarle una polarización inversa
los portadores mayoritarios de cada semiconductor se reducen,
por lo que la zona de agotamiento se expande y la diferencia
de potencial necesaria para lograr la conectividad deberá ser
mayor, esto mismo ocurre de manera análoga para el diodo PIN
sin embargo la zona de agotamiento es más ancha aún y esto
es debido al semiconductor intrínseco que se interpone entre
ellos dejando así un voltaje de ruptura cercano a 1100 volts.
101
102
DIODO GUNN
Este diodo tiene características muy diferentes a los anteriores, ya que no es un
Rectificador, se trata de un generador de microondas, formado por un
semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn.
Cuando se aplica entre ánodo – cátodo una tensión continua de 7v, en
polarización directa, la corriente que circula por el diodo es continua pero con
unos impulsos superpuestos de alta frecuencia que pueden ser utilizados para
inducir oscilaciones en una cavidad resonante1 ( 5 a 140 GHz)
¿Cuáles son sus ventajas? Bajo ruido, alta frecuencia operativa y potencia en
radio frecuencia media.
Región activa entre v1 y v2
103
Un diodo Gunn es un componente semiconductor de dos terminales que exhibe
características no lineales entre el voltaje y la corriente, este diodo es un dispositivo
con resistencia diferencial negativa.
Es considerado como un tipo de diodo, a pesar de que no contiene ninguna unión PN
como los otros diodos, consiste en un semiconductor de tipo N en el que los
electrones son los principales portadores de carga.
En el diodo Gunn, existen tres regiones: una metálica, dos semiconductoras: una de
ellas está fuertemente dopada “N”, y una capa delgada de material ligeramente
dopado en el medio (AsGa).
Al igual que lo diodos convencionales, permite la corriente en una dirección en la que

su resistencia es muy baja (casi cero) durante el polarización directa. Del mismo
modo, con polarización inversa, no permite el flujo de corriente - ya que ofrece una
resistencia muy alta (resistencia infinita actúa como un circuito abierto).
El efecto fue descubierto por John B. Gunn en 1963.

El efecto Gunn es un medio eficaz para la generación de oscilaciones en el rango de
las microondas en los materiales semiconductores.
John B.Gunn observó esta característica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fósforo
de Indio (InP) 104
El efecto Gunn puede definirse como la generación de energía con frecuencia de
microondas (de 5 a 140 GHz), cuando la tensión aplicada al dispositivo
semiconductor supera el valor umbral de tensión.
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de

la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y
corriente y no es afectado por campos magnéticos.
Cuando se aplica un pequeño voltaje continuo a un semiconductor de Arseniuro de

Galio (GaAs), ésta presenta características de resistencia negativa. Todo esto bajo la
condición de que el campo eléctrico aplicado en el mismo sea mayor a los
3.3 voltios / cm.
Ahora, si este semiconductor es conectado a un circuito sintonizado (generalmente

llamado cavidad resonante), se producirán oscilaciones y todo el conjunto se puede
utilizar como un oscilador estable.
Este efecto Gunn sólo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones)
y las oscilaciones se dan sólo cuando existe el campo eléctrico requerido.
Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones

necesitan para atravesar al semiconductor de material tipo N cuando se aplica el
voltaje en continua. 105
Resistencia negativa en el diodo Gunn
Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica un voltaje al
semiconductor (tipo N) de Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones (que el
material tiene en exceso), circulan y producen una corriente al terminal positivo.
Si se aumenta la tensión, la velocidad de la corriente aumenta.
Comportamiento típico y el gráfico tensión-corriente es similar al que dicta la ley
de Ohm.
Funcionamiento de resistencia negativa: Si al

semiconductor anterior se le sigue aumentando el
voltaje, se les comunica a los electrones una
mayor energía, pero en lugar de moverse más
rápido, los electrones saltan a una banda de
energía más elevada, que normalmente esta
vacía1, disminuyen su velocidad y por tanto la
corriente.
De esta manera una elevación del voltaje en este elemento causa una disminución de
la corriente. Si continuamos aumentando el voltaje en el semiconductor, el campo
eléctrico se hace suficiente para extraer electrones de la banda de mayor energía y
menor movilidad, por lo que la corriente aumentará de nuevo.
La característica voltaje-corriente se parece mucho a la del diodo Túnel.
106
APLICACIONES DIODO GUNN
 Utilizados como osciladores Gunn para generar frecuencias que van desde
100mW 5GHz hasta 1W 35GHz. Estos osciladores Gunn se utilizan para las
radiocomunicaciones, militares y comerciales fuentes de radar.
 Utilizados como sensores para la detección de intrusos, sensores para evitar el
descarrilamiento de trenes.
 Se utiliza para detectores de vibración remotos y tacómetros de medición de
velocidad rotacional.
 Utilizado como generador de corriente de microondas (generador de diodo Gunn
pulsado).
 Se utilizan como componentes de control rápido en la microelectrónica, como
por ejemplo para la modulación de los láseres de inyección de semiconductores.
 Algunas otras aplicaciones incluyen sensores de apertura de puertas, dispositivos
de control de procesos, operación de barreras, protección perimetral, sistemas de
seguridad para peatones, indicadores lineales de distancia, sensores de nivel,
medición del contenido de humedad y alarmas de intrusión.
107
ESTRUCTURA DIODO GUNN
Contacto metálico
Capa de Arseniuro de Galio, tipo N

Substrato de baja resistencia
Aspecto físico
108
DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en polarización inversa una pequeña
zona de resistencia negativa, similar a las de los diodos túnel.
En su construcción, es similar a un diodo túnel , en la que un lado de la unión
ha sido menos dopado que el otro. No es un diodo muy utilizado.
VR
Como podemos apreciar éste diodo conduce

prácticamente desde - 0,5 v
Observa la pequeña zona de resistencia negativa
cuando se polariza inversamente.
109
Es diseñado para propósitos específicos, y tiene características tanto del diodo
Zener como del diodo túnel.
Tiene una mejor conducción para pequeña tensión inversa que para los voltajes de
polarización directa.
Como se puede observar, La corriente inversa en dicho diodo es por efecto túnel.
El diodo backward tiene la inusual propiedad de que el flujo de corriente en polarización

inversa es mayor que en directa
110
VENTAJAS DEL DIODO BACKWARD
Sensibilidad a la temperatura: La sensibilidad de temperatura de este diodo es
menor que la del diodo convencional. La sensibilidad del diodo backward es de
0,1mV/ºC, siendo la del diodo convencional de -2mV/ºC.
Por lo tanto, el diodo backward se ve menos afectado por la variación de

temperatura.
Punto de conducción bajo: El voltaje de barrera de un diodo backward es casi 0 V,

mientras que el de un diodo convencional está entre 0,6-0,7 V.
Su bajo punto de conducción es útil para muchas aplicaciones porque el dispositivo
puede soportar una magnitud alta de voltaje sin riesgo de ruptura , por otro lado,
el punto de conducción del diodo convencional no puede resistir un voltaje
superior a 0.6 V-0.7 V, ya que se destruirá.
Bajo nivel de ruido: El nivel de ruido de estos diodos es bajo, por lo que la relación
señal/ruido en el caso de este diodo es mucho mejor que la de los diodos
convencionales.
111
APLICACIONES:
Detector
Dado que tiene baja capacidad y no tiene efecto de almacenamiento de carga, y
una característica de señal pequeña fuertemente no lineal, éste tipo de diodo
puede usarse como detector hasta 40 GHz.
Rectificador
Un diodo backward puede usarse para rectificar señales débiles con amplitudes
pico de 0.1 a 0.6 V.
Interruptor:
Un diodo backward se puede usar en aplicaciones de conmutación de alta
velocidad, debido a su baja capacidad parásita en la unión.
112
113
RESUMEN COMPARATIVO DE CURVAS CARACTERÍSTICAS
114
Imagen de diodos smd
115
IDENTIFICACIÓN DE COMPONENTES SMD
En componentes SMD pequeños de 2 o 3 patillas como es el caso de diodos,
transistores, incluso pequeños Circuitos Integrados como amplificadores
operacionales, reguladores de voltaje etc., determinar su identificación correcta
es difícil.
En general para la mayoría de los dispositivos SMD incluyendo circuitos

integrados, las etiquetas identificativas datan de 2 a 3 caracteres principales,
que a veces se complementan con otros más pequeños donde nos indica la
fecha de producción y/o el número de lote.
Debido a que solo caben unos pocos caracteres en el componente y hay
muchísimos modelos diferentes en el mercado, no es posible identificar estos
tan solo por el código impreso.
Si buscamos en la web, nos encontraremos tablas de referencia donde para un

código puede que haya hasta 20 modelos distintos de referencias. Aquí tenemos
que averiguar con cuidado mediante sus datasheet cual corresponde a nuestro
componente integrado, valiéndonos del esquema (si somos tan afortunados de
tenerlo), del formato de empaquetamiento, patillaje, del circuito típico que nos
propone el fabricante para detectar así la posición de sus pines. Y por
consiguiente dar con la identificación exacta del dispositivo. 116
Hay libros que te puedes comprar en diferentes páginas web como:
(SMD-codes databook  http://www.turuta.md/smd2014.html) este es uno de ellos

y si te dedicas a la reparación, te vendrán muy bien.
Otra posibilidad son sitios webs como

http://www.marsport.org.uk/smd/mainframe.htm ; para buscar por las referencias
necesitadas.
La mala noticia es que algunos fabricantes de Equipos electromédicos para

evitar que personal ajeno a sus técnicos puedan reparar cualquier placa
electrónica del equipo, ocultan mediante alguna técnica (tintas, raspado, etc..),
la identificación de sus dispositivos principales haciendo muy difícil si no
imposible la reparación de la misma1.
117
VOLVEMOS A REPASAR EL DIODO
INTRODUCCION
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente
entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.
Resistencia nula
Resistencia INFINITA
118
CURIOSIDAD
La energía Fermi es la máxima energía
ocupada por un electrón a 0ºK. Por el principio
de exclusión de Pauli, se sabe que los
electrones llenarán todos los niveles de
energías disponibles, y el tope de ese "líquido
de Fermi" de electrones se llama energía Fermi
o nivel de Fermi.
El "Nivel de Fermi" es el término utilizado para
describir la parte superior del conjunto de
niveles de energía de electrones a la
temperatura de cero absoluto.
K = cte de Boltzman 8,65 ·10-5 eV / ⁰K

q= carga del electrón 1.6 ·10-19 culombios
ND = átomos donadores ejemplo  1016 átomos/cm3
Ni = concentración intrínseca ( silicio puro) =concentración de
electrones =al de huecos ( es función exclusiva de la temperatura y el
tipo de elemento) = para (Si) a 27ºC = 1.5 1010 cm -3 // para (Ge) a
27ºC = 2.4 1013 cm -3
Los niveles de Fermi dependen de la concentración del dopado de cada lado del
cristal, al juntar los semiconductores se igualan , y la altura de la barrera de
potencial que aparece ahora es función de los pseudoniveles de Fermi 119
Cuando juntas un semiconductor tipo N y otro tipo P, comienza una difusión de
portadores a un lado y otro dela unión.
Aparece un campo eléctrico desde la zona N a la zona P que se opone al movimiento
de portadores, y va creciendo conforme pasan más cargas a la zona opuesta. Al final
la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico se equilibran y cesa el trasiego de
portadores, teniendo finalmente:
Zona P, semiconductora, con una resistencia RP .
Zona N, semiconductora, con una resistencia RN.
Zona de agotamiento (deplexión): Zona No conductora, puesto que no posee
portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, llamada barrera de
potencial.
Como hemos visto, según la aplicación o el tipo de diodo deseado, se puede
diseñar la zona de deplexión cambiando el dopaje que se haga en la fase de
fabricación del componente.
Polarización directa:
120
Polarización directa (II):
P N
AL introducir una tensión exterior que polarice directamente y que cumpla

que el potencial de ésta sea mayor que la de la barrera:
1. Electrones y huecos se dirigen a la unión.
2. En la unión se recombinan.
La tensión aplicada se emplea en:
1. Vencer la barrera de potencial.
2. Mover los portadores de carga.
121
Polarización inversa
Tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P  se retiran portadores

mayoritarios próximos a la unión. Aumenta la anchura de la zona de depleción.
Como en ambas zonas existen portadores minoritarios ( los electrones libres
creados térmicamente de la zona P son atraídos al potencial positivo de la fuente,
igualmente los huecos de la zona N, son atraídos al potencial positivo), su
movimiento hacia la unión crea una corriente, aunque muy pequeña1.
Si aumenta mucho la tensión inversa, se produce la rotura por avalancha2 por

ruptura de la zona de deplexión. No significa la ruptura del componente en todos
los casos. 122
Característica tensión-corriente
La figura muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.
Tenemos:
• Región de conducción en polarización directa (PD).
• Región de corte en polarización inversa (PI).
• Región de conducción en polarización inversa.
Recuerda: En el caso de los diodos de Silicio, VON está entre 0,6 y 0,7 V.
123
MODELOS DEL DIODO DE UNION PN
Modelado matemático del diodo:

Válido tanto para señales continuas como para señales de muy baja frecuencia.
n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende

de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la
corriente directa y del valor de IS.
• VT, es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de Boltzmann (K),
la carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo T(ºK).
La siguiente expresión permite el cálculo de VT: (0,0257 v para 25ºC)
124
• R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V- IR es la
tensión que se está aplicando en la unión PN, siendo I la intensidad que circula
por el componente y V la tensión entre terminales externos.
• IS, es la corriente inversa de saturación del diodo. Depende de la

estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura ( es un
dato que facilita el fabricante en su hoja de características )
Nota: La Corriente inversa

de SATURACIÓN depende
de la TEMPERATURA
( aumenta un 7% por cada
grado centígrado )
Modelo ideal del diodo de unión PN, para ello consideramos1:

• Factor de idealidad como la unidad, n=1.
• La resistencia interna del diodo es muy pequeña. la

caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña,
frente a la caída de tensión en la unión PN.
125
Modelo lineal por tramos
• En inversa, la corriente a través de la unión es nula.
• En directa, la caída de tensión en la unión P-N (VON) es constante e
independiente de la intensidad que circule por el diodo.
BIESTADO
126
En la realidad, Von varía con la corriente1.
Para calcular el valor de VON , vamos a partir de un diodo de unión PN de silicio.
El potencial térmico a la temperatura de 25 ºC VT=25.7 mV. Tomando como
variable independiente la intensidad I, la ecuación ideal del diodo queda:
Is (Silicio) = 0,01 μA (varía con ºC)
Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones

0.6 V <VDIODO< 0.77 V.
RESISTENCIA DC o ESTÁTICA
Se define como el cociente entre el voltaje aplicado al diodo y la corriente que circula con
esa tensión.
127
Modelo para pequeñas señales de alterna
La corriente:
Se aplica:
“ Cuando el punto de operación de un

diodo se mueve desde una zona de la curva
a otra, la resistencia del diodo también
cambia, debido a la forma no lineal de la
curva característica ”
128
Como probar diodos
Determinar si un diodo está en buen estado o no, es muy importante en el trabajo
de un técnico en Electromedicina, pues es un componente que se suele averiar en
placas electrónicas y esto le permitirá tener más posibilidades de poner en
funcionamiento un circuito Electrónico averiado, por la tanto es vital saber en que
estado se encuentran los componentes que utiliza.
Recuerda que hay que tener la precaución de “desoldar” al menos uno de los
terminales del diodo en el circuito, ya que podríamos obtener medidas falsas al
medir otros componentes en paralelo con el que vamos a comprobar entre las
puntas de nuestro polímetro. Si el Diodo está correcto en pantalla nos aparece la
tensión de la barrera.
129
Los multímetros digitales actuales permiten probar con mucha
facilidad un diodo, pues ya vienen con esta opción listos de fábrica.
Pero el método de prueba que se presenta aquí es el método típico de

medición de un diodo con un multímetro analógico (con aguja).
Para empezar, se coloca el selector para medir resistencias (ohmios),
sin importar de momento la escala. Se realizan las dos pruebas
siguientes:
Debemos de tener en cuenta que la polaridad de las puntas están

dispuestas al contrario que en el polímetro digital es decir, el rojo es el
negativo.
1 – Se coloca el cable de color negro en el ánodo de diodo (el lado de

diodo que no tiene la franja) y el cable de color rojo en el cátodo (este
lado tiene la franja).
El propósito es que el multímetro inyecte una corriente continua en el
diodo (este es el proceso que se hace cuando se miden resistencias). 130
– Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando está
polarizado en directo, funciona bien y circula corriente a través de él (como
debe de ser).
– Si esta resistencia es muy alta, puede ser una indicación de que el diodo
esté “abierto” y deba que ser reemplazado.
2 – Se coloca el cable de color negro en el cátodo y el cable rojo en el ánodo del

diodo. En este caso como en anterior el propósito es hacer circular corriente a
través del diodo, pero ahora en sentido opuesto a la flecha de éste.
Si la resistencia leída es muy alta, esto nos indica que el diodo se comporta como
se esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce corriente.
Si esta resistencia es baja puede ser una indicación de que el diodo está en
“corto” y deba ser reemplazado.
131
DIODOS ZENER
Se aprovecha la tensión inversa de ruptura mediante el control de los niveles de
dopado. Se consiguen tensiones zener de entre 2 – 200 Voltios y potencias
máximas de entre 0.5 W y 50 W.
El diodo zener se utiliza para trabajar

en la zona de ruptura, ya que mantiene
constante la tensión entre sus
terminales (tensión zener, VZ).
Aplicación: Estabilización de tensiones
Corriente máxima en inversa
Estado Modelo Condición

Tensión Zener
Conducción P.D. V=VON I>0
Corte I=0 -VZ<V<VON
Conducción P.I. V= - VZ I<0
132
Diodos Zener - Valores Normalizados para 1W y 5W
ZENER 2.7V 1W 1N4725 ZENER 3.3V 5W 1N5333

ZENER 9.1V 1W 1N4739 ZENER 10V 5W 1N5347
ZENER 10V 1W 1N4740 ZENER 11V 5W 1N5348
ZENER 60V 5W 1N5371
ZENER 62V 5W 1N5372
ZENER 68V 5W 1N5373
ZENER 75V 5W 1N5374
ZENER 82V 5W 1N5375
ZENER 87V 5W 1N5376
ZENER 91V 5W 1N5377
ZENER 100V 5W 1N5378
ZENER 160V 5W 1N5384 133
Cómo probar un diodo zener
Si el dispositivo está montado y funcionando en el circuito, deberíamos
comprobar si cae la tensión zener (si la conocemos) algunas veces está
serigrafiada en la placa del circuito, o si tiene algún tipo de
identificación puede comprobarse en la documentación técnica del
fabricante , otras veces puede deducirse por la carga que tengamos
conectada en paralelo, en caso contrario, lo primero que se deberá
hacer es comprobar su estado de conducción en un sentido y otro.
Colocar el multímetro digital en la escala de diodos lo cual se indica
mediante el símbolo de diodo y comprobar su estado como un diodo
semiconductor normal, polarizándolo en directo, con esto deberíamos
saber a primera vista si está correcto o no.
134
Para saber si realmente trabaja a la tensión zener, hay que montar
un pequeño circuito tal y como muestra el esquema de abajo. Para
ello se necesitan tres elementos: una fuente, y dos resistencias.
Comprobar el voltaje del diodo zener garantiza que ese elemento

esté realizando bien su trabajo, así se conoce si está regulando el
voltaje necesario en el circuito.
Pero, previamente, hay que…

135
Determinar el valor de la resistencia “Rs” para evitar destruir el diodo
al probarlo.
El valor de “Rs” se selecciona entonces acorde a la potencia del
diodo zener. Veamos el ejemplo para poder ilustrar la explicación.
Si se tiene un diodo zener de 5 V a 1 W la corriente límite del diodo

será de 200 mA.
Si se tiene una fuente de tensión de 15 voltios de corriente continua
que alimenta al zener, la caída de tensión que se deberá producir en
la resistencia Rs será de 10 V pues el diodo zener regula 5 voltios.
Entonces la corriente máxima no puede exceder los 200 mA para no
destruir el diodo.
Por Ley de Ohm se determina el valor de Rs ( R=V/I ) Rs = 10 V/.200 A
Rs=50 Ohms.
Entonces 50 Ohms será el valor mínimo para la resistencia Rs y poder
medir con seguridad el valor del voltaje que regula el diodo zener.
Posteriormente variamos la carga (RL)y comprobamos que la
tensión se mantiene cte. 136
Una forma más rápida de probar un diodo zener: si no sabemos
la tensión zener, cogemos una R =de 1 K y lo ponemos en serie
con nuestro diodo, debemos de tener nuestra F.A
regulable….aplicamos la tensión positiva en el extremo de la
resistencia y la negativa en el ánodo del zener,…..comenzamos
desde 0 v subiendo la tensión y comprobando que la tensión
que tenemos en extremos del zener es la misma que la que da la
fuente,…esto será así hasta que llegue un momento que la
tensión ya no varía, y se queda en la tensión zener.
137
Ejercicios de diodos Zener
Calcule el circuito estabilizador mediante diodo zener de la figura. Obtenga la
corriente a través de la carga, teniendo en cuenta una corriente por el diodo zener
del 50% de IZM, la corriente total solicitada a la fuente y la resistencia limitadora del
diodo zener.
Primer Paso sería obtener los valores característicos del zener del circuito, es decir:
VZener= 12V
ZZener= 9 Ω 1
IZM= 76mA
Como la tensión zener supera los 5.6V utilizaremos la aproximación para calcular la
tensión en bornes del diodo. Teniendo en cuenta el 50% de la corriente zener máxima,
nos queda:
138
Esta tensión también será la existente en bornes de la carga, con lo cual la
corriente a través de la misma tendrá un valor de
Sumando esta cantidad a la que circula por el diodo zener obtendremos la

corriente total solicitada a la fuente.
Esta corriente también es la que circula por la resistencia limitadora, encargada

de polarizar el zener en zona de ruptura, que deberá tener un valor de
139
EJEMPLO DE APLICACION DEL DIODO: RECTIFICACION
La corriente eléctrica generada en las centrales de energía es de tipo alterna
sinusoidal, esta señal que se genera a miles de voltios, es distribuida y
posteriormente transformada a los valores domésticos que todos conocemos
(220 V eficaces ( 311 Vp)).
Pero la mayoría de los aparatos domésticos y equipos EM funcionan con
corriente continua, con lo cual es necesario volver a transformar ésta forma
energía.
Esquema general de la rectificación.
En matemáticas, se llama
sinusoide la curva que
representa gráficamente la
función seno.
Diagrama de fasores ..en el que el diámetro del circulo corresponde al valor de “V” y
la proyección en el “eje y” del fasor es el seno del ángulo. 140
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
ESQUEMA BÁSICO. RIZADO DE LA ONDA DE SALIDA
VO = Vi –VD-ON
Para Vi< 0 el diodo está en corte = no existe
corriente
0,7 v
141
EL CONDENSADOR EN LOS RECTIFICADORES:
ANALIZAR EL SIGUIENTE CIRCUITO
NO HAY CARGA
Funcionamiento en vacío ( sin carga)
VD ≤ 0. El diodo nunca
conducirá  C no descarga. 142
Vi
Vo
VD
Como hemos dicho antes, El diodo siempre está bloqueado…..para t = 3π/2 (máxima tensión
en negativo) la VD sería  VD = Vi – Vo = VM · senwt – VM = VM· (-1)- VM = -2VM
¿aguanta el diodo esa tensión inversa repetitiva ?...habría q asegurarse observando la hoja de
características del fabricante. 143
Funcionamiento con carga
Para vi, con wt entre 0<wt</2

Ic = Intensidad de carga del Condensador
El Diodo conduce
IL = Intensidad de la resistencia de carga
El condensador se carga con la constante de tiempo [ r · C ] …

(Donde “ r” es la resistencia del diodo )
Una vez pasado el primer semiciclo, ¿Qué creéis que ocurre ahora ?.
144
Para vi con wt > /2: (Diodo No conduce, ya que la tensión del cátodo es
superior a la tensión de entrada (Vi) )
Mientras el diodo esté en corte, la parte derecha del circuito se comporta
independientemente con respecto al generador.
Y se produce la descarga de C a través de RL
145
Dependiendo del valor de la RL colocada, el condensador se descargará mas o
menos rápido y el rizado será mayor o menor…y en consecuencia el diodo
conducirá más tiempo o menos
valor MEDIO
Carga de C
146
Para tener una corriente continua, se intenta que esta onda de salida se parezca lo
más posible a una línea horizontal, aunque con frecuencia existe desviación de lo
ideal.
Se cuantifica por el rizado1 de la onda de salida:
147
¿ QUE ES EL VALOR EFICAZ DE UNA SEÑAL PERIÓDICA ?
Valor eficaz.
El valor eficaz se define como el valor de una corriente (o tensión) continua que
produce los mismos efectos caloríficos que su equivalente de alterna. Es decir que
para determinada corriente alterna, su valor eficaz será la corriente continua que
produzca la misma disipación de potencia en una resistencia.
Mediante el cálculo integral se puede demostrar que su expresión es la siguiente.
El valor eficaz, sea tensión o intensidad, es útil para calcular la potencia consumida
por una carga. Así, si una tensión alterna, desarrolla una cierta potencia en una
carga resistiva dada, una tensión continua de valor igual al valor eficaz de la alterna
dada “Vrms” desarrollará la misma potencia para la misma carga. 148
Rectificador onda completa
En el semiciclo positivo de la tensión de entrada: VA es mayor que VD: D1 y D3 no conducen
Circuito equivalente
149
En el semiciclo negativo VD es positivo con respecto a VA y > VC : conducen los
Diodos D3 y D1
Rectificador de onda completa

durante los semiciclos negativos
Mejora con filtrado por

condensador
150
¿Cómo probarías si un puente de diodos está dañado ?
151
Encapsulados de diodos
DIODOS DE POTENCIA
• Axiales
DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
0.5w 1w 2A 3A
DIODOS ZENER DIODOS RECTIFICADORES 152

DIODOS DE POTENCIA
• Para usar disipadores
153
DIODOS DE POTENCIA
• Para grandes potencias
DO 5
B 44
154
DIODOS TIPO DISCO
“E35”
155
ENCAPSULADOS DIODOS DE POTENCIA
• Agrupaciones de 2 diodos
2 diodos en cátodo común 2 diodos en serie

156
ENCAPSULADOS DIODOS DE POTENCIA
• Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)
157
ENCAPSULADOS DIODOS DE POTENCIA (ISOTOP)
• Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)
Nombre del dispositivo
158
• Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados para el

mismo dispositivo
Nombre del Encapsulados

dispositivo
159
PUENTE DE DIODOS
• Agrupaciones de 4 diodos
Dual in line
160
• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)
+   -
161
• Puentes de diodos. GAMA COMPLETA
162
FIN
163

2 Componentes Activos Diodos

Cargado por

Información del documento

Descripción original:

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

2 Componentes Activos Diodos

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

COMPONENTES ACTIVOS

Aislante Semiconductor Conductor

El electronvoltio (símbolo eV) es una unidad de energía que

1 eV = 1,6021 · 10-19 Julios

No confundir banda de valencia con la valencia de un átomo

Ejemplo de átomo de un elemento Semiconductor:

Podemos comprobar que sólo tiene 4 electrones en la capa de valencia.

LAS DIFERENTES CAPAS SON: 2 -8- 18 -4 = 32

Los metales son buenos conductores porque tienen una estructura

Ejemplo de Aislante: MICA:  = 1012·cm

2. Se encuentra con alto nivel de pureza

Los elementos semiconductores más utilizados en la industria de la electrónica son

Estos elementos tienen 14 y 32 electrones respectivamente pero su última capa

Ni = concentración intrínseca del material …. A temperatura ambiente existe un

Después de este proceso toman el nombre de: Material intrínseco.

A este proceso se le denomina dopado. El resultado de este proceso

TIPO “N” : Son materiales creados a través de la introducción de

TIPO “P” : Son materiales creados a través de la introducción de

Nivel energía de los e- de impurezas

Si el material se halla dopado con impurezas, aparece dentro de la banda prohibida

PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS .

• El electrón que pasa la unión desde la zona N, se recombina

• Por efectos térmicos se puede liberar un par electrón –hueco

• El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede

Carga positiva en la zona N y negativa en la zona P1

Cuando se unen 2 materiales extrínsecos uno tipo p y otro tipo n, ocurren

VD=0 En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto

No existe una corriente efectiva

VD < 0 El número de iones positivos en la región de agotamiento del material

Conforme mas electrones sean arrastrados a la zona de “deplexión“

NOTA: “La corriente de minoritarios1 es debido a la temperatura por

El “potencial externo” presiona o empuja a los electrones en el

Si realizamos una gráfica en donde se represente la corriente a través de la

Curvas características V-I

Si tenemos un diodo rectificador normal el punto sería

Los diodos pueden ser de Silicio o Germanio y dependiendo

El electrón se acelera por el campo, adquiriendo energía

Resistencia obtenida como promedio de los puntos medidos

Se obtiene realizando la derivada de la expresión matemática que relaciona ID

El cual sólo es valido si el diodo está en la sección de crecimiento de la curva

Invertimos para derivar y operar

-25 -15 -5 0 0.25 0.5 V

CT ----- Capacidad que está presente en la región de polarización inversa

Como en la unión existe una zona de deplexión (separación de cargas),

Debido a estas capacidades la conmutación no es instantánea y para altas frecuencias

En polarización inversa si que existe un fenómeno que se acerca más físicamente

Son una combinación de elementos simples que

Modelo de segmentos líneales: ID

Para lo cual existen 3 métodos diferentes:

-Por medio de la ecuación

Basados en la hoja de especificaciones del diodo y

•Corriente de pico transitoria (IFSM). (Maximum Surge Forward Current), en la que

•Corriente de pico repetitivo (IFRM). (Maximum Recurrent Forward Current), es

Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser

Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en

IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo.

IFRMS = Corriente eficaz en estado de conducción. Es la máxima corriente eficaz que

IFSM = Corriente directa de pico no repetitiva.

AV= Average (promedio)

Los diodos, en general se identifican mediante una referencia.

El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su

APLICACIONES DEL DIODO ZENER:

Al ser el Zener un elemento tan preciso, su principal aplicación es la de fijar la