GUÍA DE ELECTRÓ NICA BÁ SICA

1. Como se define un semiconductor

Semiconductor

Es un material a medio camino entre los conductores y los aislantes, en lo que su

capacidad de conducir corriente eléctrica respecta. Un semiconductor en estado puro
(intrínseco) no es ni buen conductor ni buen aislante. Los semiconductores má s
comunes de solo un elemento son el silicio, el germanio y el carbón. Los
semiconductores compuestos, tales como el arseniuro de galio y el fosfuro de indio,
también son de uso comú n. Los semiconductores de un solo elemento está n
caracterizados por á tomos con cuatro electrones de valencia.

-dispositivos electró nicos pag. 6

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante

dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

Semiconductores intrínsecos

Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante
enlaces covalentes entre sus á tomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos
electrones pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la banda de conducció n,
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías
requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.

Semiconductores extrínsecos

Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añ ade un pequeñ o porcentaje

de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas
deberá n formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
á tomo de silicio.

Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añ adiendo
un cierto tipo de á tomos al semiconductor para poder aumentar el nú mero de
portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es añ adido, éste aporta sus electrones má s débilmente
vinculados a los á tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también
conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propó sito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender có mo se produce el dopaje tipo n
considérese el caso del silicio (Si). Los á tomos del silicio tienen una valencia ató mica
de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los á tomos de
silicio adyacentes.

Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añ adiendo

un cierto tipo de á tomos al semiconductor para poder aumentar el nú mero de
portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es añ adido, éste libera los electrones má s débilmente
vinculados de los á tomos del semiconductor. Este agente dopante es también
conocido como material aceptor y los á tomos del semiconductor que han perdido un
electró n son conocidos como huecos.
El propó sito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un á tomo tetravalente (típicamente del grupo IVA de la tabla perió dica) de los
á tomos vecinos se le une completando así sus cuatro enlaces

2. Cuales son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio

El potencial de barrera es por lo general de 0.7V silicio y de 0.3 V para Germanio

Diodos de silicio

La construcció n de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del
diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del á nodo y arsénico o fósforo en
el lado del cá todo), y la articulació n donde las impurezas se unen se llama la "unió n
pn". Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios.
Una vez que el diferencial de voltaje entre el á nodo y el cá todo alcanza los 0,7 voltios,
el diodo empezará a conducir la corriente eléctrica a través de su unió n pn. Cuando el
diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unió n pn detendrá la conducció n
de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de funcionar como una vía eléctrica. Debido
a que el silicio es relativamente fá cil y barato de obtener y procesar, los diodos de
silicio son má s frecuentes que los diodos de germanio.
Diodos de germanio

Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos de germanio también utilizan una unió n pn y se implantan con las mismas
impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen
una tensión de polarización directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco
comú n que se encuentra generalmente junto con depósitos de cobre, de plomo o de
plata. Debido a su rareza, el germanio es má s caro, por lo que los diodos de germanio
son má s difíciles de encontrar (y a veces má s caros) que los diodos de silicio.

3. Cuales son las características básicas de los semiconductores

Semiconductor

Es un material a medio camino entre los conductores y los aislantes, en lo que su

capacidad de conducir corriente eléctrica respecta. Un semiconductor en estado puro
(intrínseco) no es ni buen conductor ni buen aislante. Los semiconductores má s
comunes de só lo un elemento son el silicio, el germanio y el carbó n. Los
semiconductores compuestos, tales como el arseniuro de galio y el fosfuro de indio,
también son de uso comú n. Los semiconductores de un só lo elemento está n
caracterizados por á tomos con cuatro electrones de valencia.

Se crea un semiconductor tipo n agregando á tomos de impureza que tienen cinco

electrones de valencia. Estas impurezas son á tomos pentavalentes. Se crea un
semiconductor tipo p agregando á tomos de impureza con só lo tres electrones de
valencia. Estas impurezas son á tomos trivalentes.

El proceso de agregar impurezas pentavalentes o trivalentes a un semiconductor se

llama dopado.

Diodo

Dispositivo semiconductor con una sola unió n pn que conduce corriente en solo una
direcció n.

Ánodo
Regió n p de un diodo

Cátodo

Regió n n de un diodo

4. Ilustre la estructura atómica del silicio

El silicio es, por mucho el material má s utilizado en diodos, transistores, circuitos

integrados y otros dispositivos semiconductores. Observe que tanto el silicio como el
germanio tienen los cuatro electrones de valencia característicos.

Los electrones de valencia del germanio residen en la cuarta capa, mientras que los
del silicio está n en la tercera capa, má s cerca al nú cleo. Esto significa que los
electrones de valencia del germanio se encuentran a niveles de energía más altos
que aquellos en el silicio y, por consiguiente, requieren una cantidad de energía
adicional más pequeña para escaparse del átomo. Esta propiedad hace que le
germanio sea más inestable a altas temperaturas. Lo que produce una excesiva
corriente en inversa. Por eso el silicio es un material semiconductor má s utilizado.

5. Mencione la clasificación de los semiconductores

INTRÍNSECOS:

Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o

sea, que no contiene ninguna impureza, ni á tomos de otro tipo dentro de su
estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de
valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres
que se encuentran presentes en la banda de conducció n.

EXTRINSECOS:

Un semiconductor extrínseco es aquel en el que se han introducido pequeñas

cantidades de una impureza con el objeto de aumentar la conductividad eléctrica
del material a la temperatura ambiente. A este proceso se le conoce como dopado. Así,
por ejemplo, el nú mero de portadores negativos (electrones) puede aumentar si se
dopa el material con á tomos de un elemento que tenga má s electrones de valencia que
el que compone dicho material semiconductor. El nivel de dopado no debe de ser muy
alto (1 átomo por cada 109 átomos del material de partida) para que sea efectivo.

Hay dos tipos dependiendo de tipo de impureza tengan:

SEMICONDUCTOR EXTRINSECO TIPO N:

Son los que está n dopados, con elementos pentavalentes (tipo N), como por ejemplo
(As, P, Sb). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco
electrones en la ú ltima capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un
electró n quede fuera de ningú n enlace covalente, quedá ndose en un nivel superior al
de los otros cuatro. Como consecuencia de la temperatura, ademá s de la formació n de
los pares e-h, se liberan los electrones que no se han unido.

Como ahora en el semiconductor existe un mayor número de electrones que de

huecos, se dice que los electrones son los portadores mayoritarios, y a las impurezas
se las llama donadoras.

En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy elevada,
por ejemplo; introduciendo só lo un á tomo donador por cada 1000 á tomos de silicio, la
conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.

SEMICONDUCTOR EXTRINSECO TIPO P:

En este caso son los que está n dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El
hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen
una vacante con un nivel energético ligeramente superior al de la banda de valencia,
pues no existe el cuarto electró n que lo rellenaría.

Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos en la
banda de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios.
6. Cuando se dice que un material es amorfo, mono cristalino y poli cristalino

7. Diga cual es la diferencia entre un semiconductor intrínseco y un extrínseco

El semiconductor intrínseco son cuando los elementos (en este caso el silicio,
germanio o carbono), se encuentran en un estado puro, mientras que los extrínsecos
contienen impurezas (dopaje) ya sea en materiales tipo N o P.

8. Mencione la clasificación de los diodos semiconductores

Diodos de Uso Comú n

Diodo Zener

Diodo Emisor de Luz (LED)

Fotodiodos

Diodos de Efecto Tunel

Diodo Varactor

Diodo Varistor

Diodo Schottky (Diodo de Barrera)

Diodo Lá ser

Diodo Zener
 Un diodo Zener es un dispositivo de silicio con unió n pn diseñ ado para operar
en la región de ruptura en inversa. El voltaje de ruptura de un diodo zener se
ajusta controlando cuidadosamente el nivel de dopado durante su fabricació n.

Los diodos zener se utilizan como referencias, reguladores y limitadores de

voltaje

(Se utilizan como reguladores de voltaje, y limitadores de voltaje entre

muchas otras funciones)
Símbolo

Curva Característica

Diodo túnel o Esaki

El diodo tú nel se utiliza en circuitos osciladores.

(Poseen una curva bastante rara V-I)
Varactor
Diodo Schotcky o diodo de barrera

Los diodos schottky son diodos de alta corriente utilizados principalmente

en aplicaciones de alta frecuencia y conmutación rápida. También se
conocen como diodos de portadores calientes. El termino portador caliente
se deriva del nivel de energía má s alto de los electrones de la regió n n
comparado con aquellos de la región metálica
 Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa
(VF) muy pequeñ a, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades
y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas
digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperació n rá pida (Fast
recovery) o de portadores calientes.

Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metá lica se hace un
material semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento
ó hmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la
corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una regió n
semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas
dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando también a tener un
efecto de rectificació n. Un diodo Schottky, se forma colocando una película
metá lica en contacto directo con un semiconductor, segú n lo indicado en la
figura N°05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N,
debido a la movilidad má s grande de los portadores en este tipo de material. La
parte metá lica será el á nodo y el semiconductor, el cá todo.

Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeñ a, del orden
de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia,
circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos
de recuperació n rá pida (Fast recovery) o de portadores calientes.
Diodo Regulador de Corriente

El diodo regulador de corriente a menudo se conoce como diodo de corriente

constante. En lugar de mantener un voltaje constate, como el diodo zener, este diodo
mantienen una corriente constante.

5. Diodos rectificadores (son los utilizados en rectificació n)

6. Diodos de señ al (son los mas sencillos y sirven para la circuitería en general)
7. Diodos de potencia (vienen con un mayor poder de disipació n y aguantan mucha
mas corriente)

Diodo rectificador

Un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en

corriente continua. Esto se realiza utilizando diodos rectificadores, ya sean
semiconductores de estado só lido , vá lvulas al vacío o vá lvulas gaseosas como las de
vapor de mercurio.
Dependiendo de las características de la alimentació n en corriente alterna que
emplean, se les clasifica en monofá sicos, cuando está n alimentados por una fase de la
red eléctrica, o trifá sicos cuando se alimentan por tres fases.
Atendiendo al tipo de rectificació n, pueden ser de media onda, cuando solo se utiliza
uno de los semi ciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos semi ciclos
son aprovechados.
Diodo zener

Es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de

rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la
parte esencial de los reguladores de tensió n casi constantes con independencia de que
se presenten grandes variaciones de la tensió n de red, de la resistencia de carga y
temperatura. En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el
diodo.
Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo
rectificador común.
Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus
terminales un voltaje constante.
En el grá fico se ve el símbolo de diodo zener (A - á nodo, K - cá todo) y el sentido de la
corriente para que funcione en la zona operativa

Diodo varactor

El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su

funcionamiento en el fenó meno que hace que la anchura de la barrera de potencial en
una unió n PN varíe en funció n de la tensió n inversa aplicada entre sus extremos. Al
aumentar dicha tensió n, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la
capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por
tensió n. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensió n inversa
mínima tiene que ser de 1 V.
La aplicació n de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintonía de TV,
modulació n de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores
controlados por voltaje (oscilador controlado por tensió n).
En tecnología de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la
tensió n en el diodo, su capacidad varía, modificando la impedancia que presenta y
desadaptado el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.

Diodo de potencia

Uno de los dispositivos má s importantes de los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conducció n. El ú nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre á nodo y
cá todo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En
sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de
á nodo con una pequeña intensidad de fugas.

Diodo Laser

Los diodos lá ser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las
características de un diodo lá ser son:

La emisió n de luz es dirigida en una sola direcció n: Un diodo LED emite fotones en
muchas direcciones. Un diodo lá ser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz
preferencial una sola direcció n.

Corte esquemático de la emisión de luz en diodos LED y láser

Diodo Emisor de Luz LED

El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se

encuentra polarizado. El voltaje de polarizació n de un LED varía desde 1.8 V hasta 2.5
V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.

Principio de Funcionamiento:
En cualquier unió n P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unió n, ocurre una recombinació n de huecos y electrones
(al paso de la corriente). Esta recombinació n requiere que la energía que posee un
electró n libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte
de esta energía se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor
porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razó n se
utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de
Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).

9. Defina e ilustre al diodo rectificador

10.Cuales son los valores máximos de tensión y corriente en los diodos

Dispositivos Electricos pg 76

Vrrm El voltaje pico en inversa que puede ser aplicado repetidamente a través del
diodo Observe que es de 50V para el 1N4001 y de 1000V para el 1N4007. Esta
capacidad es la misma que el PIV.

If(av) El valor promedio má ximo de una corriente con polarizació n en directa

rectificada de media onda de 60hZ. Este pará metro de corriente es de 1.0A para todos
los tipos de diodos y esta especificada para una temperatura ambiente de 75C
Ifsm El valor pico má ximo de sobre corriente con polarizació n en directa de media
onda senoidal ú nica no repetitiva con duració n de 8.3ms. Este pará metro de corriente
es de 30Apara todos los tipos de diodo.

Los má s usados son los 1N4001 hasta 1N4007 de baja velocidad bastante bueno para
los 60Hz de la línea de voltaje AC todos estos son de 1 Ampére pero su voltaje de
ruptura inversa es en unos cientos de volts que corresponde a el ultimo nú mero del
có digo aunque casi no se cumple cuando lo quieres demostrar el 1N4001 hasta
1N4004 se usa para bajo voltaje 12VDC, 24VDC en audio por ejemplo y para TV a
partir de 1N4005 hasta 1N4007 porque en la televisió n existen voltajes de 170V solo
en la fuente de entrada pero hay má s diodos de má s de un Ampére, y es la manera mas
fá cil de comprarlos por corriente "de me un diodo de 3 ampéres " seria la forma de
pedirlo los demá s datos los checas en un Manual NTE.

11. Como se define un transistor y cual es su clasificación.

El transistor es un dispositivo electró nico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

Transistor de punta de contacto

Fue el primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W.
Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor
es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de
"transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil
de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frá gil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unió n (W. Shockley,
1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

BJT Transistor de unión bipolar

El BJT es un dispositivo controlado por corriente; es decir, la corriente en la base

controla la cantidad de corriente en el colector.
El transistor de unió n bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica bá sicamente
sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los
metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan
en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico
(As) o Fósforo (P).
La configuració n de uniones PN, dan como resultado transistores npn o pnp, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminació n entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho má s
contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminació n
(difusió n gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuá ntico de la unió n.

Un transistor de unió n bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regió n muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

 Emisor,
Que se diferencia de las otras dos por estar más dopada de las tres,
comportá ndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base
La intermedia, muy delgada, que separa el emisor del colector, y está muy
levemente dopada a comparació n de las otras 2.
 Colector
La más grande de las regiones semiconductoras de un BJT

pnp npn

La corriente de un BJT se compone tanto de electrones libres como de huecos, de

ahí el término Bipolar
Para operar como amplificador, la unió n base-emisor debe estar polarizada en
directa y la unió n base-colector debe de estar en inversa. A esto se le llama
polarizació n en .
Saturación
El estado de un BJT en el cual la corriente en el colector alcanza un má ximo y es
independiente de la corriente de la base.

Curva característica
Formulas

I E =I C + I B
~
V BE ¿ 0.7 V

IC
β CD =
IB

V BB−V BE
I B=
RB

V CE =V CC −I C RC

V CB =V CE −V BE

FET Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la
corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
Un FET es un dispositivo controlado por voltaje, donde el voltaje entre dos de las
terminales (compuerta y fuente) controla la corriente que circula a través del
dispositivo.
Una ventaja de los FET es su muy alta resistencia de entrada. Debido a sus
características no lineales, en general no se utilizan mucho en amplificadores como los
BJT, excepto donde se utilicen impedancias de entrada muy altas. Sin embargo, los
FET son el dispositivo preferido en aplicaciones de conmutación de bajo voltaje
porque en general son más rápidos que los BJT cuando se prenden y apagan.

• Transistor de efecto de campo de unió n, JFET, construido mediante una unió n

pn polarizada en inversa (compuerta a fuente), la alta resistencia de entrada de un
JFET se debe a la unió n compuerta-fuente polarizada en inversa.

• Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la

compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. En general se utiliza en
aplicaciones de conmutación de alto voltaje

• Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-

Ó xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metá lica y está separada del canal
semiconductor por una capa de ó xido.
JFET Transistor de efecto de campo de unión

También llamado de efecto de campo de unió n (JFET), fue el primer transistor de

efecto de campo en la prá ctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto ó hmico,
tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma má s bá sica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre
sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensió n positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a
puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de
drenador con polarizació n cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos
tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiació n electromagnética, en frecuencias
cercanas a la de la luz, es un transistor en el cual se produce corriente en la base
cuando la luz choca con la base semiconductora fotosensible.

12. Cuáles son las características básicas del diodo zener e ilústrelo

Un diodo zéner es bá sicamente un diodo de unió n, pero construido especialmente

para trabajar en la zona de ruptura de la tensió n de polarizació n inversa; por eso
algunas veces se le conoce con el nombre de diodo de avalancha.

Su principal aplicación es como regulador de tensión; es decir, como circuito que

mantiene la tensión de salida casi constante, independientemente de las
variaciones que se presenten en la línea de entrada o del consumo de corriente de las
cargas conectadas en la salida del circuito.

El diodo zéner tiene la propiedad de mantener constante la tensión aplicada, aun

cuando la corriente sufra cambios. Para que el diodo zener pueda realizar esta
funció n, debe polarizarse de manera inversa.

Generalmente, la tensió n de polarizació n del diodo es mayor que la tensió n de

ruptura; ademá s, se coloca una resistencia limitadora en serie con él; de no ser así,
conduciría de manera descontrolada hasta llegar al punto de su destrucció n.

En muchas aplicaciones de regulació n de tensió n, el diodo zéner no es el dispositivo

que controla de manera directa la tensió n de salida de un circuito; só lo sirve de
referencia para un circuito má s complejo; es decir, el zéner mantiene un valor de
tensió n constante en sus terminales.

Esta tensió n se compara mediante un circuito amplificador a transistores o con

circuito integrados con una tensió n de salida. El resultado de la comparació n permite
definir la acció n a efectuar: aumentar o disminuir la corriente de salida, a fin de
mantener constante la tensió n de salida.

Es importante hacer notar que los diodos zéner se construyen especialmente para que
controlen só lo un valor de tensió n de salida; por eso es que se compran en términos
de la tensió n de regulació n.
13. Mencione las especificaciones del diodo Varactor e ilustre su símbolo

Un diodo varactor actú a como capacitor variable en condiciones de

polarizació n en directa.
La capacitancia de un varactor varía inversamente con el voltaje de
polarizació n en inversa.
(poseen una capacitancia que depende la tensió n inversa aplicada, se utilizan
en el tuning de las nuevas radios)
14. En que basa su principio el diodo de potencia

Diodo de potencia

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no
pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único
procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces
de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso,
deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña
intensidad de fugas.

15. Describa las características básicas de los fotodiodos

Fotodiodos

Los fotodiodos son diodos de unió n PN cuyas características eléctricas dependen de la

cantidad de luz que incide sobre la unió n.
Es un dispositivo que opera con polarizació n a la inversa.

El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generació n de pares

electró n - hueco debido a la energía luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del
diodo rectificador de silicio en el que, solamente existe generació n térmica de
portadores de carga. La generació n luminosa, tiene una mayor incidencia en los
portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca
ligeramente en inversa.

El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la

incidencia de luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeñ as
corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores
minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generació n de
portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios,
lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa.

El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generació n

luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado
(portadores mayoritarios) son mucho má s numerosos que los portadores de
generació n luminosa.
Para caracterizar el funcionamiento del fotodiodo se definen los siguientes
pará metros:

* Se denomina corriente oscura (dark current), a la corriente en inversa del fotodiodo

cuando no existe luz incidente.

* Se define la sensibilidad del fotodiodo al incremento de intensidad al polarizar el

dispositivo en inversa por unidad de intensidad de luz, expresada en luxes o en
mW/cm2.

Esta relació n es constante para un amplio intervalo de iluminaciones.

El modelo del fotodiodo en inversa está formado por un generador de intensidad cuyo
valor depende de la cantidad de luz. En directa, el fotodiodo se comporta como un
diodo normal. Si está fabricado en silicio, la tensió n que cae en el dispositivo será
aproximadamente 0,7 V.

Los fotodiodos son má s rá pidos que las fotorresistencias, es decir, tienen un tiempo de
respuesta menor, sin embargo solo pueden conducir en una polarizació n directa
corrientes relativamente pequeñ as.

Geometría

Un fotodiodo presenta una construcció n aná loga a la de un diodo LED, en el sentido

que necesita una ventana transparente a la luz por la que se introduzcan los rayos
luminosas para incidir en la unió n PN. En la Figura 15, aparece una geometría típica.
Por supuesto, el encapsulado es transparente a la luz.

Dispositivos electró nicos pag 136

16. Explique como se realiza la rectificación de media onda y onda completa

Rectificador Media Onda

El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa

o positiva de una señ al de corriente alterna de lleno conducen cuando se polarizan
inversamente. Ademá s su voltaje es positivo

Polarización directa (Vi > 0)

En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restricción. Los
voltajes de salida y de entrada son iguales, la intensidad de la corriente puede
calcularse mediante la ley de ohm.
Polarización inversa (Vi < 0)

En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. No existe

corriente por el circuito, y en la resistencia de carga R L no hay caída de
tensión, esto supone que toda la tensión de entrada estará en los extremos del
diodo:1

Vo = 0
Vdiodo = Vi
I=0
Tensión rectificada[editar · editar código]

→ →

Rectificador de onda completa

Es un circuito empleado para convertir una señal de corriente alterna de

entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia
del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la señal se
convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en
negativa, según se necesite una señal positiva o negativa de corriente continua.

Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro

(puente de Graetz).
En el circuito de la figura, ambos diodos no pueden encontrarse
simultáneamente en directa o en inversa, ya que las diferencias de potencial a
las que están sometidos son de signo contrario; por tanto uno se encontrará
polarizado inversamente y el otro directamente. La tensión de entrada (Vi) es,
en este caso, la mitad de la tensión del secundario del transformador.

Tensión de entrada positiva[editar · editar código]

El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce), mientras que el 2

se encuentra en inversa (no conduce). La tensión de salida es igual a la de
entrada.

Tensión de entrada negativa[editar · editar código]

El diodo 2 se encuentra en polarización directa (conduce), mientras que el diodo

1 se encuentra en polarización inversa (no conduce). La tensión de salida es
igual a la de entrada pero de signo contrario. El diodo 1 ha de soportar en
inversa la tensión máxima del secundario .
 Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda


mediante el uso de diodos y diga que aplicació n tiene.

17. Mencione que tipo de diodo se utiliza en reguladores

Los reguladores de voltaje son zener

18. Cuál es el diodo que tiene una impedancia negativa muy alta

Dispositivos Eléctricos pg 142

El diodo túnel

exhibe una característica especial conocida como resistencia negativa. Esta

característica lo hace ú til en aplicaciones de osciladores y amplificadores de
microondas.

Diodo tú nel

Símbolo del Diodo túnel

El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el

efecto túnel que da origen a unaconductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la

característica corriente-tensión.1

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo

(amplificador/oscilador).

También se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubrió que una fuerte

contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a

lo largo de la zona de agotamiento en la unión. Una característica importante del diodo túnel es su
resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la

resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo

túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este

diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están

relativamente libres de los efectos de la radiación.

19. Mencione el diodo que se utiliza con potencias bajas

Diodos de unión: Los diodos de unió n son los que hemos venido describiendo en esta
secció n de diodos, es decir, el que consta de un cristal de germanio o de silicio,
debidamente dopado, y tiene una forma cilíndrica. Son diodos para baja potencia
que se usan mucho como rectificadores de pequeñ os aparatos.

20. Cuál es el tipo de material del cual están formados los diodos

Silicio, Germanio o Carbono

Para los tipo N son cinco electrones de valencia tales como arsénico As fosforo P
bismuto Bi y antimonio Sb

Para los tipo P se dopan con Boro B Indio In Galio Ga, AL aluminio se utilizan los tres
electrones de la valencia de los á tomos correspondientes en los enlaces covalentes y,
como son necesarios cuatro electrones, resulta un hueco cando se agrega cada á tomo
trivalente

21. Cómo se define la electrónica

Es el flujo de electrones a través de un conductor

La electró nica es una ciencia aplicada que estudia y emplea sistemas cuyo
funcionamiento se basa en la conducción y el control del flujo de los electrones u
otras partículas cargadas eléctricamente, desde las vá lvulas termoió nicas hasta los
semiconductores. El diseñ o y la construcció n de circuitos electró nicos para resolver
problemas prá cticos forma parten de los campos de la Ingeniería electró nica,
electromecá nica y en el diseñ o de software en su control la Ingeniería informá tica. El
estudio de nuevos dispositivos semiconductores y su tecnología se suele considerar
una rama de la Física y química relativamente.

22. Que es un oscilador

Los osciladores son circuitos electró nicos que generan una señal de salida sin
necesidad de una seña de entrada. Se utilizan como fuentes de señ al en toda clase
de aplicaciones. Los distintos tipos de osciladores producen varios tipos de salidas
incluidas ondas senoidales, ondas cuadradas, ondas triangulares y ondas de
diente se sierra.

Los osciladores son ampliamente utilizados en la mayoría de los sistemas de

comunicació n, asi como en sistemas digitales, incluidas computadoras, para generar
las frecuencias y señ ales de temporizació n requeridas. Ademá s, los osciladores se
encuentran en muchos tipos de instrumentos de prueba, como los utilizados en el
laboratorio.

El temporizador 555 como oscilador.

23. Que es un rectificador

En electró nica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la

corriente alterna en corriente continua.1 Esto se realiza utilizando diodos
rectificadores, ya sean semiconductores de estado só lido, vá lvulas al vacío o vá lvulas
gaseosas como las de vapor de mercurio (actualmente en desuso).

Dependiendo de las características de la alimentació n en corriente alterna que

emplean, se les clasifica en monofá sicos, cuando está n alimentados por una fase de la
red eléctrica, o trifá sicos cuando se alimentan por tres fases.

Atendiendo al tipo de rectificació n, pueden ser de media onda, cuando só lo se utiliza

uno de los semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos semiciclos son
aprovechados.

El tipo má s bá sico de rectificador es el rectificador monofá sico de media onda,

constituido por un ú nico diodo entre la fuente de alimentació n alterna y la carga

24. Que es un amplificador

Amplificador electró nico puede significar tanto un tipo de circuito electró nico o etapa
de este, como un equipo modular que realiza la misma funció n; y que normalmente
forma parte de los equipos HIFI. Su funció n es incrementar la intensidad de corriente,
la tensió n o la potencia de la señ al que se le aplica a su entrada; obteniéndose la señ al
aumentada a la salida. Para amplificar la potencia es necesario obtener la energía de
una fuente de alimentació n externa. En este sentido, se puede considerar al
amplificador como un modulador de la salida de la fuente de alimentació n.

25. Como se define un amplificador operacional e ilustre su símbolo

Los primeros amplificadores operacionales (amps-op) fueron utilizados

principalmente para realizar operaciones matemá ticas tales como adición,
sustracción, integración y diferenciación. De ahí el termino operacional.
El amp-op es un tipo de amplificador que tiene una muy alta ganancia de voltaje una
muy alta impedancia de entrada, una muy baja impedancia de salida y un buen
rechazo de señales en modo común.

Comú nmente aplicado es el UA741 o LM741.

El símbolo de un amplificador es el mostrado en la siguiente figura:

Los terminales son:

V+: entrada no inversora
V-: entrada inversora
VOUT: salida
VS+: alimentació n positiva
VS-: alimentació n negativa

Comparador

Seguidor de voltaje

No inversor
Sumador inversor

Restador inversor

Integrador Ideal
Derivador ideal

26. Cuál es el tipo de lenguaje que interpretan las máquinas

Como está escrito ese lenguaje es a través de 0 y 1 llamado lenguaje binario

Pero el có digo maquina es como entienden los microprocesadores de una
computadora o micro controladores.

Bit es el acró nimo Binary digit (dígito binario). Un bit es un dígito del sistema de
numeració n binario.
Mientras que en el sistema de numeració n decimal se usan diez dígitos, en el binario
se usan só lo dos dígitos, el 0 y el 1. Un bit o dígito binario puede representar uno de
esos dos valores, 0 ó 1.

Byte (B)1 2 (pronunciada [bait] o ['bi.te]) es una unidad de informació n utilizada

como un mú ltiplo del bit. Generalmente equivale a 8 bits

El lenguaje de máquina o código máquina es el sistema de có digos directamente

interpretable por un circuito micro programable, como el microprocesador de una
computadora o el micro controlador de un autó mata. Este lenguaje está compuesto
por un conjunto de instrucciones que determinan acciones al ser tomadas por la
má quina.

27. Como se define el sistema binario

El sistema binario, en ciencias e informá tica, es un sistema de numeració n en el que

los nú meros se representan utilizando solamente las cifras cero y uno (0 y 1). Es el
que se utiliza en las computadoras, debido a que trabajan internamente con dos
niveles de voltaje, por lo cual su sistema de numeració n natural es el sistema binario
(encendido 1, apagado 0).

28. Mencione cual es la diferencia entre utilizar un sistema binario y un sistema octal

En un sistema binario su base es 2 (0,1) en un octal su base es 8 (0,1,2,3,4,5,6,7)

29. Cuáles son las compuertas utilizadas en sistemas electrónicos y elabore su tabla de
verdad de cada una, indicando su expresión booleana.
30. Muestre la tabla de verdad y el símbolo de la compuerta OR exclusiva
31. Ilustre el diagrama de la siguiente expresión booleana (A+B)+(C D) = F
A B C D

OR

OR F

AND

32. Convierta 87 decimales a binario

1010111

33. Convierta 11111000010010 a octal, decimal y hexadecimal

37022(8) 3E12(16) 15890(10)

34. Convierta 18AFB hexadecimal a decimal, octal y binario

305373 Octal 101115 Decimal 00011000101011111011 Binario

35. Realice la siguiente suma binaria: 111001 + 101001

36. Reste 11001 de 11101

37. Multiplique: (111101) (101110)

38. Divida: 11010 / 11

39. Muestre sus símbolos en notación americana y sueca de cada una de las compuertas
lógicas.

40. Cuál es su símbolo y mencione cada una de sus partes del transistor P-N-P y N-P-N}
41. Cuáles son los valores máximos que manejan los transistores con referencia a su
voltaje y corriente

Valores Máximos del Transistor

Como parte de los datos del fabricante de transistores, hay un conjunto de valores máximos
que no se deben sobrepasar durante su operación. Estos forman parte de los límites de
operación del transistor, que deben tenerse en cuenta en el diseño de cualquier circuito. He
aquí un conjunto típico para el transistor de silicio 2N2222:

 Voltaje colector-base VCB = 60 v

 Voltaje colector-emisor VCE = 30 v
 Voltaje base-emisor VBE = 5 v
 Disipación de Potencia IC VCE = 500 mW
 Temperatura 125°C

42. La expresión siguiente (A+B)+(C+D) = F nos denota una aplicación de la compuerta

Or

43. (C D) (B A) = F es una aplicación de la compuerta

And

44. Cuál es la definición de compuerta lógica

Una compuerta ló gica es un dispositivo que nos permite obtener resultados,

dependiendo de los valores de las señ ales que le ingresemos. Es necesario aclarar
entonces que las compuertas ló gicas se comunican entre sí (incluidos los
microprocesadores), usando el sistema BINARIO. Este consta de solo 2 indicadores 0 y
1 llamados BIT dado que en electró nica solo hay 2 valores equivalentes 0=0volt
1=5volt (conectado-desconectado). Es decir que cuando conectamos una compuerta a
el negativo equivale a introducir un cero (0) y por el contrario si derivamos la entrada
a 5v le estamos enviando un uno (1). Ahora para comprender como se comporta cada
compuerta se debe ver su TABLA DE VERDAD. Esta nos muestra todas las
combinaciones ló gicas posibles y su resultado.

45. Mencione una aplicación de la compuerta NOT

Una compuerta NOT o inversor, siempre tiene exactamente una entrada y se utiliza
para implantar el concepto del complemento del álgebra de conmutación.
Cualquier variables tienen su forma verdaderas (no complementadas) y falsa
(complementada), a y respectivamente. Se utiliza una compuerta NOT para obtener
una a partir de la otra.
 Incluyen una burbuja de la salida de la compuerta, una burbuja de la salida de
cualquier elemento de circuito ló gico.

NOT
Una compuerta NOT, o inversor, siempre tiene exactamente una entrada y se utiliza
para implantar el concepto de complemento del á lgebra de conmutació n. Cualquier
variable tienen sus formas verdadera (no complementada) y falsa (complementada), y
, respectivamente. Utilizamos una compuerta NOT para obtener una a partir de la otra.
Los símbolos está ndar para la compuerta NOT incluyen una burbuja en la salida de la
compuerta, una burbuja en la salida de cualquier elemento de circuito ló gico indica
que en 1 ló gico interno produce un 0 ló gico externo y, de manera similar un 0 ló gico
interno produce un 1 ló gico externo. La compuerta NOT no realiza ninguna otra
funció n ló gica; por tanto, el valor ló gico de salida de una compuerta NOT es solo el
complemento del valor ló gico de su entrada.
Podemos visualizar una compuerta NOT como un cambio de polaridad de la señ al alta
activa a baja activa, o viceversa. En consecuencia, podemos dibujar el símbolo de la
compuerta NOT con la burbuja en la entrada o en la salida. Por convenció n, dibujamos
la burbuja en la entrada de la compuerta cuando la señ al de entrada es baja activa, y
en la salida de la compuerta si la señ al emitida es baja activa.

APLICACION
El circuito NOT es un inversor que invierte el nivel ló gico de una señ al binaria.
Produce el NOT, o funció n complementaria. El símbolo algebraico utilizado para el
complemento es una barra sobra el símbolo de la variable binaria. Si la variable
binaria posee un valor 0, la compuerta NOT cambia su estado al valor 1 y viceversa. El
círculo pequeñ o en la salida de un símbolo grá fico de un inversor designa un inversor
ló gico. Es decir cambia los valores binarios 1 a 0 y viceversa.

46. Definición de un sistema decimal

El sistema de numeració n decimal, también llamado sistema decimal, es un sistema

de numeració n posicional en el que las cantidades se representan utilizando como
base aritmética las potencias del nú mero diez. El conjunto de símbolos utilizado
(sistema de numeració n ará biga) se compone de diez cifras diferentes: cero (0); uno
(1); dos (2); tres (3); cuatro (4); cinco (5); seis (6); siete (7); ocho (8) y nueve
(9).

47. Definición de un sistema digital

Un sistema digital es un conjunto de dispositivos destinados a la generación,

transmisión, procesamiento o almacenamiento de señales digitales. También, y a
diferencia de un sistema analó gico, un sistema digital es una combinació n de
dispositivos diseñ ados para manipular cantidades físicas o informació n que estén
representadas en forma digital; es decir, que só lo puedan tomar valores discretos.
Para el aná lisis y la síntesis de sistemas digitales binarios se utiliza como herramienta
el álgebra de Boole.

Sistemas digitales combinacionales:

Aquellos cuyas salidas sólo dependen del estado de sus entradas en un momento
dado. Por lo tanto, no necesitan módulos de memoria, ya que las salidas no
dependen de los estados previos de las entradas.

Sistemas digitales secuenciales:

Aquellos cuyas salidas dependen ademá s del estado de sus entradas en un
momento dado, de estados previos. Esta clase de sistemas necesitan elementos de
memoria que recojan la informació n de la 'historia pasada' del sistema.

Para la implementació n de los circuitos digitales, se utilizan puertas ló gicas (AND, OR

y NOT), construidas generalmente a partir de transistores. Estas puertas siguen el
comportamiento de algunas funciones del booleanas.

Segú n el propó sito de los sistemas digitales, se clasifican en: a) sistemas de propó sitos
especiales y b) sistemas de propó sitos generales. Estos ú ltimos permiten el cambio de
su comportamiento mediante la programació n de algoritmos de soluciones de
problemas específicos.

48. Definición de un sistema analógico

Se dice que un sistema es analó gico cuando las magnitudes de la señ al se representan
mediante variables continuas, esto es aná logas a las magnitudes que dan lugar a la
generació n de esta señ al. Un sistema analó gico contiene dispositivos que manipulan
cantidades físicas representadas en forma analó gica. En un sistema de este tipo, las
cantidades varían sobre un intervalo continuo de valores infinitos.

Así, una magnitud analó gica es aquella que toma valores continuos. Una magnitud
digital es aquella que toma un conjunto de valores discretos.

La mayoría de las cosas que se pueden medir cuantitativamente aparecen en la

naturaleza en forma analó gica. Un ejemplo de ello es la temperatura: a lo largo de un
día la temperatura no varía entre, por ejemplo, 20 ºC o 25 ºC de forma instantá nea,
sino que alcanza todos los infinitos valores que entre ese intervalo. Otros ejemplos de
magnitudes analó gicas son el tiempo, la presió n, la distancia, el sonido.

Señ al Analó gica

Una señ al analó gica es un voltaje o corriente que varía suave y continuamente. Una
onda senoidal continua es una señ al analó gica de una sola frecuencia. Los voltajes de
la voz y del video son señ ales analó gicas que varían de acuerdo con el sonido o
variaciones de la luz que corresponden a la informació n que se está transmitiendo.
Leer má s: http://www.monografias.com/trabajos27/analogico-y-digital/analogico-y-
digital.shtml#ixzz2hAoXVUWt

49. Mencione las características a considerar para la elección de un diodo

50. Para que un semiconductor logre su estado de conducción cuales son los puntos que
se deben de tener en cuenta.

http://html.rincondelvago.com/diodos_2.html