UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE

TORREON

JAVIER DAVID TORRES

ALBORES
ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS
MATERIALES
TRABAJO PARA ENTREGAR
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Trabajo para entregar
Materiales Semiconductores
ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES
1. Describir los tipos y características físicas y eléctricas de los materiales semiconductores.
Se pueden clasificar en dos tipos:
 Semiconductores intrínsecos: son los que poseen una conductividad eléctrica fácilmente controlable y,
al combinarlos de forma correcta, pueden actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de
almacenamiento.  Semiconductores extrínsecos: se forman al agregar a un semiconductor intrínseco
sustancias dopantes o impurezas, su conductividad dependerá de la concentración de esos átomos
dopantes.
Dependiendo de esas impurezas habrá dos tipos:
 Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen elementos del grupo 15 los cuales
debido a que tienen un electrón más en su capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan
como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos.  Semiconductores de tipo p: En este
caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan un electrón menos en su capa de valencia, por
lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones.
2. Describir la estructura atómica de semiconductores elementales: Silicio y Germanio; y dopantes: Boro,
Galio, Fósforo y Carbono.
Silicio: En la electrónica de estado sólido, ya sea el silicio como el germanio puro pueden ser utilizados
como semiconductores intrínsecos, los cuales forman el punto de partida para la fabricación. Cada uno
de ellos tienen cuatro electrones de valencia, pero el germanio a una determinada temperatura tiene más
electrones libres y una mayor conductividad. El silicio es de lejos, el semiconductor más ampliamente
utilizado en electrónica, particularmente porque se puede usar a mucho mayor temperatura que el
germanio.

Germanio: En la electrónica de estado sólido, ya sea el silicio como el germanio puro

pueden ser utilizados como semiconductores intrínsecos, los cuales forman el punto
de partida para la fabricación. Cada uno de ellos tienen cuatro electrones de
valencia, pero el germanio a una determinada temperatura tiene más electrones
libres y una mayor conductividad.
 Boro: Es un elemento químico de la tabla periódica que tiene el símbolo B y
número atómico 5, su masa es de 10,811. Es un elemento metaloide,
semiconductor, trivalente que existe abundantemente en el mineral bórax. Hay dos
alótropos del boro; el boro amorfo es un polvo marrón, pero el boro metálico es
negro. La forma metálica es dura (9,3 en la escala de Mohs) y es un mal conductor
a temperatura ambiente. No se ha encontrado libre en la naturaleza

Fosforo: Es un elemento químico. Su símbolo es P y su número atómico es el

15. El fósforo es importante para la agricultura, ya que forma los fosfatos
empleados en la producción de fertilizantes.
Es un no metal multivalente perteneciente al grupo del nitrógeno, que se
encuentra en la naturaleza combinado en fosfatos inorgánicos y en organismos
vivos, pero nunca en estado nativo. Es muy reactivo y se oxida
espontáneamente en contacto con el oxígeno atmosférico emitiendo luz, dando
nombre al fenómeno de la fosforescencia.
Debido a su reactividad, el fósforo no se encuentra nativo en la naturaleza, pero
forma parte de numerosos minerales.

Carbono: Es un elemento químico. Su símbolo es C y su número atómico es el 6. Es el elemento

fundamental de la química orgánica, se conocen cerca de 16 millones de
compuestos de carbono, aumentando este número en unos 500.000 compuestos
por año. Dependiendo de las condiciones de formación, puede encontrarse en la
naturaleza en distintas formas alotrópicas, carbono amorfo y cristalino en forma
de grafito o diamante.
El principal uso industrial del carbono es como componente de hidrocarburos,
especialmente los combustibles fósiles (petróleo y gas natural). Del primero se
obtienen, por destilación en las refinerías, gasolinas, keroseno y aceites, siendo
además la materia prima empleada en la obtención de plásticos. El segundo se
está imponiendo como fuente de energía por su combustión más limpia.
3. Describir las características básicas de semiconductores intrínsecos.
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos
pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica.
En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total
resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se producen los electrones
libres y los huecos por pares, por lo tanto, hay tantos electrones libres como huecos con lo que la
corriente total es cero.
La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular hacia la derecha (del terminal
negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.
4. Describir la relación entre estructura electrónica y conductividad eléctrica de semiconductores
intrínsecos.
La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de
conducción es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energía de salto de
banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco,

compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que
forman una celosía. Como se puede observar en la
ilustración, los átomos
de silicio (que sólo
poseen cuatro
electrones en la
última órbita o banda
de valencia), se unen formando enlaces covalentes para
completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido
semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se
comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.

Describir las características básicas de semiconductores extrínsecos y el concepto de dopaje.

Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los
electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se
mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo
derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con
el hueco.

El dopaje de semiconductores es la introducción intencional de impurezas en un semiconductor

intrínseco. Los dopantes que producen los cambios controlados deseados se clasifican como aceptores o
donantes de electrones. Dosimetría de radiación
a) El dopaje es una técnica utilizada para variar el número de electrones y huecos en semiconductores
b) Dopaje crea material de tipo N cuando los materiales semiconductores del grupo IV se dopan con los
átomos del grupo V . materiales de tipo P se crean cuando los materiales semiconductores del grupo IV
se dopan con los átomos del grupo III.
c) Materiales de tipo N aumentan la conductividad de un semiconductor mediante el aumento del número
de electrones disponibles; materiales de tipo P aumentar la conductividad al aumentar el número de
orificios presentes.

a. La relación entre estructura electrónica y conductividad eléctrica de semiconductores intrínsecos.

Los semiconductores intrínsecos:Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comportacomo
un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libresy huecos debidos a la energía térmica.En un
semiconductor intrínseco también hay flujos de electronesy huecos, aunque la corriente total resultó ser
cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se produce los electrones libres y los huecos
por pares, por lo tanto hay tantoselectrones libres como huecos con lo que la corriente total
escero.Intrínseco indica un material semiconductor extremadamente puro contiene una cantidad
insignificante de átomos deimpurezas.

b. La relación entre estructura electrónica y conductividad eléctrica de semiconductores extrínsecos

La conductividad eléctrica de los materiales semiconductores no es tal alta como la de los metales; sin
embargo, tienen algunas características eléctricas únicas que los hacen especialmente útiles, las
propiedades eléctricas de estos materiales son extremadamente sensibles a la presencia de incluso muy
pequeñas concentraciones de impurezas. Los semiconductores intrinsenticos se basan en la estructura
electrónica inherente al material puro. Puesto que un semiconductor intrínseco existen dos tipos de
transportadores de carga (electrones libres y huecos), la expresión para la conductividad eléctrica debe
ser modificada para incluir un término que tenga en cuenta la contribución de los huecos a la corriente.
En los semiconductores intrínsecos cada electrón promovido a través del intervalo prohibido deja detrás
un hueco en la banda de valencia. Las conductividades intrínsecas a temperatura ambiente y las
movilidades de los electrones y los huecos para varios materiales semiconductores.

c. El comportamiento de los Semiconductores Tipo N y P.

Semiconductores extrínsecos: Son los semiconductores que están dopados, esto es que tienen
impurezas. Hay 2 tipos según de qué tipo de impurezas tengan: Semiconductor tipo n:Es el que está
impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones
superan a los huecos es un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios”,
mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios". Al aplicar una tensión al
semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y
los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los
electrones del circuito externo entra al semiconductor y se re combina con el hueco .Semiconductor tipo
p:Es el que está impurificado con impurezas "Aceptores", que son impurezas trivalentes. Como el número
de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los
electrones libres son los minoritarios. Al
aplicar una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la
derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se re combinan con los
electrones libres del circuito externo.

Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le agrega unpequeño porcentaje de

impurezas, es decir, elementos trivalentes opentavalentes, el semiconductor se denomina
 extrínseco, y se dice queestá dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de
laestructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.Las características de los
materiales semiconductores pueden seralternadas significativamente por la adición de ciertos
átomos de impurezaun material semiconductor relativamente puro. Aunque tanlo haya sido
añadido 1 parte en 10 millones pueden alternar deforma suficiente la estructura de la
bomba.Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para la fabricaciónde dispositivos
semiconductores el tipo N y el tipo P.

Tanto el material tipo N como eltipo P se forma mediante la adiciónmediante un

numeropredeterminado de átomos eimpurezas al germanio o al silicio. El tipo n se crea atravez de
la ntroducción de elementos de impurezas que poseen cinco electrones devalencia
(pentavalentes). A las impurezas difundidas estafa cinco electrones Delaware Valencia les llamaát
omos donadores.Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso dedopado
añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poderaumentar el número de
portadores de carga libres (en este caso negativaso electrones).Cuando el material dopante es
añadido, éste aporta sus electrones másdébilmente vinculados a los átomos del
semiconductor. Este tipo deagente dopante es también conocido como material donante ya que
daalgunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electronesportadores en el
material. Para ayudar a entender cómo se produce eldopaje tipo n considérese el caso del silicio
(Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un
enlacecovalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomocon cinco
electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tablaperiódica (ej. fósforo (P), arsénico
(As) o antimonio (Sb)), se incorpora a lared cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces
ese átomo tendrácuatro enlaces covalentes y un electrónico no enlazado. Este electrón extrada
como resultado la formación de "electrones libres", el número deelectrones en el material supera
ampliamente el número de huecos, enese caso los electrones son los portadores mayoritarios y
los huecos sonlos portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cincoelectrones de
valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamadasátomos donadores.
Tipo P:Un semiconductor tipo P seobteniendo llevando un cabo unproceso de dopado, añadiendoun
cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el númerode portadores de carga libres (en
este caso positivo o huecos).Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones
másdébilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agentedopante es también conocido
como material aceptor y los átomos delsemiconductor que han perdido un electrón son conocidos como
huecos.El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En elcaso del silicio, un
átomo tetravalente (típicamente del grupo IVA de latabla periódica) de los átomos vecinos se le une
completando así suscuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco estáasociado con
un Ion cercano cargado negativamente, por lo que elsemiconductor se mantiene eléctricamente neutro en
general. Noobstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón delátomo situado en la
posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se veequilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco
se comporta comouna cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores sonañadidos, los
huecos superan ampliamente la excitación térmica de loselectrones. Así, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras quelos electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P.
Losdiamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son unejemplo de un semiconductor
tipo P que se produce de manera natural.
 
Llegados a este punto, cualquiera con un poco de curiosidad se habrá hecho la siguiente pregunta: ¿Qué
ocurriría si se juntase Naciones Unidas trozo Delaware material tipo PAG estafa Naciones
Unidas trozo Delaware material tipo ¿NORTE? Puesbien, esta pregunta ya se la hizo alguien hace unos
cuantos años y dio origen a lo que hoy día se conoce como unión PN .De nuevo, como electrónicos que
somos, solamente nos interesa algo muy concreto de esta unión, lo cual no es otra cosa que su
comportamiento de cara al paso de corriente eléctrica. Supongamos, primeramente, que hemos unido por
las buenas un trozo de material tipo P con uno tipo N; ¿Qué ocurre?, pues que los electrones que le
sobran al material tipo N se acomodan en los huecos que le sobran al material tipo P. Pero, ¡ojo !, no
todos los de un bando se pasan al otro ,solamente lo hacen los que están medianamente cerca de la
frontera que los separa. A esto se le llama recombinación Y ¿Por qué solo unos pocos? Pues porque el
hecho de que se vayan los electrones con los huecos es debido a la atracción mutua que existe entre
ellos ya que poseen cargas opuestas; sin embargo, una vez que se han pasado cierta cantidad de
electrones al otro bando comienza a haber una concentración de electrones mayor de lo normal, lo que
provoca que estos empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto, se llega a un equilibrio al han ido los
electrones suficientes para apaciguar la atracción hueco-electrónico inicial pero no tantos como para
llegar a repelerse entre ellos. Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de
potencial. Una barrera de potencial es simplemente una oposición a que sigan pasando los electrones y
huecos de un lado a otro. Esta situación permanecerá inalterable mientras no hagamos nada externo
para modificarla, es decir, compensar el efecto de esa barrera de potencial con otro potencial aportado
por nosotros, por ejemplo, conectándolo a una bacteria.

La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja aunque puede visualizarse

mediante superposición de estructuras más sencillas. La estructura más común es la del diamante,
común a los semiconductores Si y Ge, y la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de Galio.  En estas
redes cristalinas cada átomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes con simetría
tetraédrica. Se requiere que posean unas estructuras cristalinas únicas, es decir, que siendo de
cristal. Dependiendo de cómo se obtengan éste puede presentarse en forma de mono cristal, policristal y
amorfo .El comportamiento eléctrico de los materiales semiconductores(resistividad y movilidad) así como
su funcionamiento dependencia de la estructura cristalina del material de base, siendo imprescindible la
forma monocristalina cuando se requiere la fabricación de circuitos integrados y dispositivos
electroópticos (láser, led).En lo referente al transporte de carga en semiconductores el fenómeno de las
colisiones de los portadores con otros portadores, núcleos, iones y vibraciones de la red, reduce la
movilidad. Ello guarda relación con el parámetro de la resistividad (o conductividad) definido como la
facilidad para la conducción eléctrica, depende intrínsecamente del material en cuestión y no de su
geometría. Así pues en los fenómenos de transporte en semiconductores ya diferencia de los metales, la
conducción se debe a dos tipos de portadores, huecos y electrones.
 
Describir las estructuras básicas de uniones PN:
a) Unión NPN y PNP: transistor BJT:
Supongamos una unión PN polarizada en inverso. Se puede considerar que es una fuente de corriente
casi ideal porque la corriente que la atraviesa es independiente de la tensión entre sus extremos, sin
embargo, presenta un inconveniente: la corriente es muy pequeña (IS) y está limitada por la generación
térmica de minoritarios en las cercanías de la Unión. Esta corriente podría, no obstante, incrementarse
generando minoritarios, por ejemplo, mediante luz, además, con la intensidad de la luz podemos controlar
la intensidad de la fuente de corriente. Sería bueno poder hacer esto eléctricamente. Para ello, podríamos
añadir una unión más al sistema, puesto que en una unión P + N se inyectan huecos desde la zona P +
en la zona N y el número de huecos inyectados dependencia de la tensión aplicada en esta unión.  Por
tanto, se tiene entonces una fuente de corriente controlada por tensión (que determina el número de
huecos inyectados en el semiconductor.

 Unión Al, SiO2, P: JFET, MOSFET

 A los transistores Delaware efecto Delaware campo se les conoce abreviadamente como FET (Field
Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos: Transistor de Efecto de Campo de
Unión:Transistor de efecto de campo JFET (Junction Field Effect Transistor)Metal - Óxido –
Semiconductor :

MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico)Los JFET los podemos
clasificar en dos grandes grupos :

JFET de canal n
JFET de canal p

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

METAL ÓXIDOSEMICONDUCTOR. (MOSFET)
Visto el transistor JFET vamos ahora a ver el otro gran grupo detransistores de efecto
de campo: Los transistores MOSFET. Vamos aver que existen dos tipos
de transistores MOSFET.- MOSFET de acumulación o de enriquecimiento.
Unión PNPN: Tiristores
El tiristor es un componente electrónico constituido por elementossemiconductores
que utiliza realimentación interna para producir unaconmutación.
 
El dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son detipo PNPN
entre los mismos. Constructivamente son dispositivos de 4capas semiconductoras
NPNP y cuya principal diferencia con otrosdispositivos de potencia es que presentan
un comportamiento biestable.