En general, hay dos tipos de átomos dopantes que dan como resultado dos tipos de

semiconductores extrínsecos. Estos dopantes que producen los cambios controlados deseados se
clasifican como aceptores o donantes de electrones y los semiconductores dopados
correspondientes se conocen como:

Semiconductores de tipo n.
Semiconductores tipo p.
Los semiconductores extrínsecos son componentes de muchos dispositivos eléctricos comunes, así
como de muchos detectores de radiación ionizante. Para estos fines, un diodo semiconductor
(dispositivos que permiten la corriente en una sola dirección) generalmente consta de
semiconductores tipo p y tipo n colocados en unión entre sí.

Semiconductores de tipo n
Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos donadores de
electrones se llama semiconductor de tipo n, porque la mayoría de los portadores
de carga en el cristal son electrones negativos. Como el silicio es un elemento
tetravalente, la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro
electrones de valencia. En el silicio, los dopantes más comunes son los elementos
del grupo III y del grupo V. Los elementos del grupo V (pentavalente) tienen cinco
electrones de valencia, lo que les permite actuar como donantes. Eso significa que
la adición de estas impurezas pentavalentes como el arsénico, el antimonio o el
fósforo contribuye a la formación de electrones libres, lo que aumenta en gran
medida la conductividad del semiconductor intrínseco. Por ejemplo, un cristal de
silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que
un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de
tipo n.
Los electrones de conducción están completamente dominados por la cantidad
de electrones donadores . Por lo tanto:
El número total de electrones de conducción es aproximadamente igual al
número de sitios donantes, n≈N D .
La neutralidad de carga del material semiconductor se mantiene porque los sitios
donantes excitados equilibran los electrones de conducción. El resultado neto es
que el número de electrones de conducción aumenta, mientras que el número de
agujeros se reduce. El desequilibrio de la concentración de portadores en las
bandas respectivas se expresa por el número absoluto diferente de electrones y
agujeros. Los electrones son portadores mayoritarios, mientras que los agujeros
son portadores minoritarios en material de tipo n.
Semiconductores tipo p

Aumenta el número de agujeros de electrones, mientras que se reduce el número de electrones

de conducción. El desequilibrio de la concentración de portadores en las bandas respectivas se
expresa por el número absoluto diferente de electrones y agujeros. Los agujeros de electrones son
portadores mayoritarios , mientras que los electrones son portadores minoritarios en material tipo
p.