Fundamentos de Electrónica Industrial

(507102002)

Tema 4.
El transistor MOSFET
Ana Toledo Moreo
ana.toledo@upct.es

Área de Tecnología Electrónica

 Transistores FET
Índice • Introducción
• MOSFET
o Tipos
o NMOS. Estructura y funcionamiento
o NMOS. Curvas características
o NMOS. Modelos
o Análisis en DC de circuitos con MOSFET
o PMOS. Modelos
o Diodo parásito
o Datos del fabricante
o Aplicaciones
o Comparación
Introducción
Los FET se utilizan en aplicaciones que coinciden con las de los BJT pero su estructura
física es totalmente diferente
Los MOSFET constituyen la mayoría de los circuitos actuales porque son los que se utilizan
para la fabricación de sistemas digitales

Tipos de transistores

NPN
BJT (Bipolar JunctionTransistor)
Se controlan por corriente
PNP
Canal P
JFET (Junction Field
Effect Transistor) Canal N

FET (Field Effect

Transistor) MESFET (Metal
Semiconductor Effect Transistor) Canal P
Se controlan por
voltaje Acumulación
Canal N

MOSFET (Metal Oxido

Semiconductor Field Effect Canal P
Transistor) Deplexión
Canal N
 MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistor de efecto campo de unión metal
óxido semiconductor
Generalmente tienen tres terminales:
 Puerta: G (gate) -> terminal de control, a diferencia de los BJT está aislado, idealmente no consume
potencia (IG = 0). El control es por voltaje

 Drenador: D (drain) y Fuente: S (source)-> terminales de potencia

caudal
QV

Paso libre
Terminal de Zona de caudal
Terminales de control regulado
ID D potencia
G
Paso bloqueado ΔP
B QV
Diferencia presión

V DS ID corriente ID
QV

Cortocircuito
G D Zona corriente

S ΔP S controlada

V DS
Circuito abierto V DS
Diferencia de voltaje

Operando como interruptores, se pueden integrar

muchos transistores en un volumen muy pequeño, ya que
MI300X GPU (AMD)
su consumo de potencia es mínimo. Son los que se
153 billones de
utilizan para la fabricación de sistemas digitales transistores (5 nm)
(procesadores, GPUs, memorias, etc.)
https://en.wikipedia.org/wiki/Transistor_count
 MOSFET
 Tipos:
De acumulación o enriquecimiento (enhancement)
Los más utilizados
Para que circule corriente será necesario crear un canal entre drenador (D) y fuente (S)
Puede ser de canal N (NMOS) o de canal P (PMOS)

NMOS (Canal N) PMOS Canal P

Símbolos Símbolos
SiO2
B B
B B

De deplexión o empobrecimiento (depletion)

El canal para que circule corriente entre drenador (D) y fuente (S) ya está creado
Puede ser de canal N o de canal P

NMOS (Canal N) PMOS Canal P

Símbolos Símbolos

B B
B B
 Estructura y funcionamiento
MOSFET acumulación/enriquecimiento canal N (NMOS)
Región de agotamiento o Símbolo
SiO2 (óxido, aislante)
deplexión (zona amarilla) B
Semiconductor
Aluminio (metal)
B
o polisilicio
El transistor está fabricado en un sustrato tipo P (B, body),
en la que se crean dos regiones tipo N con gran cantidad
de impurezas (N+), una conectada al terminal S (source) y
sustrato otra al terminal D (drain)

Se forma dos uniones PN y, por tanto, una zona de vaciamiento de portadores cerca de la unión (zona de
deplexión, de color amarillo en la figura)

Aunque se aplique un voltaje D D

entre D y S el dispositivo no
puede conducir
B B

ID
S S
D
En el terminal G hay una estructura metal-óxido -semiconductor n+ canal
El óxido es SiO2, excelente aislante eléctrico, por lo que, G y B +
+G -
actúan como las placas de un condensador n p
+ B -
Que G esté aislado eléctricamente no impide que pueda controlar Vcontrol
S
- n+
el flujo de corriente entre D y S, aplicando un voltaje entre G y B se
podrá crear un canal entre D y S que permitirá el paso de corriente
cuando se aplique un voltaje
Estructura y funcionamiento
MOSFET enriquecimiento canal N (NMOS)
Funcionamiento habitual:
El sustrato B y el terminal de fuente S están unidos -> tres terminales (G, S, D) en lugar de cuatro
El control se realiza aplicando un voltaje positivo entre puerta y sustrato -> VGS > 0
No habrá corriente en el terminal de puerta G por estar aislado -> IG = 0

1) VGS = 0 2) 0 < VGS ≤ VTH (threshold) 3) VGS > VTH VDS = 0

ID = 0 ID = 0 ID = 0

B VDD + B B
-

Si VGS =0, aunque apliquemos
una fuente VDD (positivo a
drenador) no circulará corriente
por el dispositivo
Al aplicar VGS >0 aparece un campo
eléctrico que repele los huecos ⊕ del
sustrato (portadores mayoritarios) y los
empuja hacia el terminal B
Los e- libres del sustrato ⊖
(minoritarios) y los e- libres de las
zonas N+ (fuertemente dopadas) son
atraídos hacia la zona de la puerta G
Los e- se recombinan con huecos
Al aumentar VGS por encima de un
valor umbral VTH la acumulación de
electrones cerca de G aumenta, no
todos se recombinan y se crea una
zona N
Se forma un canal tipo N que unirá
los terminales de drenador y fuente
Este canal permitirá el paso de
corriente cuando se aplique un
voltaje
 Estructura y funcionamiento
MOSFET enriquecimiento canal N (NMOS)
4) VGS > VTH y 0 < V DS < VDS sat
Si aplicamos un voltaje VDD entre drenador y fuente aparecerá una corriente en el canal (ID)
Vamos a considerar que la corriente ID circula de drenador D a fuente S
(una vez creado el canal la corriente podría circular también de fuente S a drenador D)

La corriente será la misma en el terminal D y en el terminal S, atravesará tres regiones: drenador, canal y fuente
El canal se comporta como una resistencia (RDS), al aumentar VDS aumenta la corriente ID

ID Circuito de polarización Curva característica de

salida (ID,VDS)
ID ID
La pendiente depende de
la resistencia del canal
VDD
VGS B
IG= 0 VDD
VDS ID = VDS /RDS

VGG Zona
VGS
IS = ID óhmica

VDS
P
D 3V
N+
Si observamos las uniones PN (polarizadas en inversa, mayor voltaje en la zona N
que en la P), la anchura de las zonas de deplexión no serán iguales
2V
ID Al ser mayor el voltaje cerca del drenador, la zona de deplexión será mayor allí
0V
(*), y por tanto el canal será más estrecho en la zona del drenador
1V
(*) En el Tema-2 ya se dijo que al aumentar la polarización inversa en la unión PN
N+ aumenta el ancho de la zona de deplexión o agotamiento
S 0V
 Estructura y funcionamiento
MOSFET enriquecimiento canal N (NMOS)
5) VGS > VTH y VDS > VDSsat
Para valores pequeños de VDS, el estrechamiento del canal no será importante
Existe un valor de VDS a partir del cual el estrechamiento en la zona del drenador comienza a ser
importante y la resistencia del canal aumenta
Para VDS superior a VDSsat la profundidad del canal en el extremo
ID del drenaje disminuye casi a cero
Ese fenómeno se llama “pinzamiento o estrangulamiento del canal”

VDD La corriente ID no puede aumentar más y se mantiene constante,

un incremento de VDS no produce un incremento en ID
ID se satura a ese valor, el transistor entra en zona de saturación
VGS
El voltaje al cual se produce el pinzamiento depende de VGS :

𝑽𝑽𝑫𝑫𝑺𝑺 𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔 = 𝑽𝑽𝑮𝑮𝑮𝑮 − 𝑽𝑽𝑻𝑻𝑯𝑯

ID Curva característica (ID,VDS) ID Curva característica (ID,VDS)

VGS
ID = cte
Canal estrangulado

Zona de
Zona Saturación
óhmica

VDS sat VDS VDS sat VDS

Estructura y funcionamiento
MOSFET enriquecimiento canal N (NMOS)
6) Variación de VGS (VGS > VTH)

Si variamos VGS podemos modificar la

anchura del canal
Al aumentar VGS aumenta el canal

Vamos a ver cada tramo por separado

Curva característica (ID,VDS)

𝑽𝑽𝑫𝑫𝑫𝑫 𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔 = 𝑽𝑽𝑮𝑮𝑺𝑺 − 𝑽𝑽𝑻𝑻𝑯𝑯

Curvas características NMOS
MOSFET enriquecimiento canal N (NMOS)
6) Variación de VGS (VGS > VTH)

En la zona óhmica o triodo, la resistencia del

canal RDS disminuye al aumentar VGS
El MOSFET se comporta como una resistencia
RDS controlada por VGS
RDS => f ( VGS )

Curva característica (ID,VDS)

RDS
Rectas de
pendiente 1/ RDS RDS = RD + RCH + RS

La corriente atraviesa el drenador

(RD) , el canal inducido (RCH) y la
fuente (RS)

Existe un valor mínimo

de resistencia (RDS)

Hay un valor máximo

para VGS
Curvas características NMOS
MOSFET enriquecimiento canal N (NMOS)
6) Variación de VGS (VGS > VTH)

En la zona de saturación, al aumentar VGS

la corriente en saturación ID será mayor
La relación entre la señal de control VGS y la
corriente ID no es lineal:

𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐾𝐾(𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻 )2

De la representación de ID vs VGS en la Al aumentar VGS el estrechamiento del canal se
zona de saturación obtenemos la produce a voltajes VDS mayores: 𝑽𝑽𝑫𝑫𝑺𝑺 𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔 = 𝑽𝑽𝑮𝑮𝑮𝑮 − 𝑽𝑽𝑻𝑻𝑯𝑯
llamada “curva de transferencia”

Curva de transferencia (ID, VGS) Curva característica (ID,VDS)

𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑉𝑉𝐺𝐺𝑆𝑆 = 7𝑉𝑉 𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑉𝑉𝐺𝐺𝑆𝑆 = 7𝑉𝑉

𝑽𝑽𝑫𝑫𝑫𝑫 𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔 = 𝑽𝑽𝑮𝑮𝑺𝑺 − 𝑽𝑽𝑻𝑻𝑯𝑯

𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑉𝑉𝐺𝐺𝑆𝑆 = 6𝑉𝑉 𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑉𝑉𝐺𝐺𝑆𝑆 = 6𝑉𝑉

𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑉𝑉𝐺𝐺𝑆𝑆 = 5𝑉𝑉 𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑉𝑉𝐺𝐺𝑆𝑆 = 5𝑉𝑉
Curvas características NMOS

Curva de transferencia (ID, VGS) Curva característica (ID, VDS)

Curva de entrada Curva de salida

𝐼𝐼𝐷𝐷 𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑽𝑽𝑫𝑫𝑫𝑫 𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔 = 𝑽𝑽𝑮𝑮𝑺𝑺 − 𝑽𝑽𝑻𝑻𝑯𝑯

Zona de
ruptura
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐾𝐾(𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻 )2

𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇
Modelo NMOS
Modelo a tramos con tres zonas de trabajo
Como G está aislada se comporta como una “capacidad” que demandará corriente sólo en los cambios de
VGS, en nuestros modelos (régimen estático) consideraremos IG = 0

• Zona de corte 𝐼𝐼𝐷𝐷 = 0 IG = 0 ID = 0

G D
Cuando: 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 ≤ 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 VGS VDS

VTH lo obtenemos del datasheet

S
ID
IG = 0
• Zona óhmica o triodo D
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 G
𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 > 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻 𝐼𝐼𝐷𝐷 = RDS VDS
Cuando 𝑅𝑅𝐷𝐷𝐷𝐷 VGS
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 ≤ 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 - 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 1 Válido para
RDS ≅ valores S Resistencia
2 𝐾𝐾 · (VGS −VTH)
pequeños 𝑉𝑉𝐷𝐷𝑆𝑆

ID
• Zona de saturación IG = 0
G D
Cuando 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 > 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 > 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐾𝐾(𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻 )2 VGS VDS

S
Fuente de corriente controlada
por tensión (𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 )

K -> (A/V2) depende de la longitud del canal (L) y la anchura del canal (W),
lo podemos obtener de las gráficas del datasheet
Análisis en DC de circuitos con MOSFET
Ejemplo Malla de entrada
𝑉𝑉1 − 𝐼𝐼𝐺𝐺 𝑅𝑅𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 = 0, 𝐼𝐼𝐺𝐺 = 0
RD 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 = 𝑉𝑉1 = 6 V -> recta de carga de entrada
Suponemos zona de saturación
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐾𝐾 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 2 = 16 𝑚𝑚𝑚𝑚

RG Malla de salida
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 − 𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑅𝑅𝐷𝐷 − 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 0
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 − 𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑅𝑅𝐷𝐷 -> recta de carga de salida
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 24 − 16 𝑚𝑚𝑚𝑚 · 1𝐾𝐾 = 8 V
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 = 4V
Está en zona de saturación: 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 > 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
Análisis gráfico
Curva
Curvatransferencia
de (ID,VGS) Curva característica (ID,VDS)
transferencia (ID, VGS) 𝑽𝑽𝑫𝑫𝑫𝑫 𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔 = 𝑽𝑽𝑮𝑮𝑺𝑺 − 𝑽𝑽𝑻𝑻𝑯𝑯

Recta de 24 𝑚𝑚𝑚𝑚
carga entrada
16𝑚𝑚𝑚𝑚 Q 16𝑚𝑚𝑚𝑚 Q 𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑉𝑉𝐺𝐺𝑆𝑆 = 6𝑉𝑉

Recta de
carga salida

4𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = 4𝑉𝑉 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 8𝑉𝑉 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 24𝑉𝑉
Análisis en DC de circuitos con MOSFET
Ejemplo
Simulación en MultiSim
RD Empleando un transistor virtual:
Transistor > TRANSISTORS_VIRTUAL > MOS_N

Para configurar el valor de VTH y K

RG Sobre el transistor:

Simulación en MultiSim Live

NMOS
VTH

2·K
<doble clic>
Análisis en DC de circuitos con MOSFET
Ejemplo 2 Malla de entrada
𝑉𝑉1 − 𝐼𝐼𝐺𝐺 𝑅𝑅𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 = 0, 𝐼𝐼𝐺𝐺 = 0 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 = 𝑉𝑉1 = 6 V
2
Suponemos saturación 𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐾𝐾 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 = 16 𝑚𝑚𝑚𝑚
Malla de salida
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 − 𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑅𝑅𝐷𝐷 − 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 0
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 24 − 16 𝑚𝑚𝑚𝑚 · 4,7𝐾𝐾 = - 51,2V < 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
Está en zona óhmica:
1
RDS ≅ R ≅125 Ω
2 𝐾𝐾 · (VGS −VTH) DS
V𝐷𝐷𝐷𝐷 24
ID = = = 4,97mA
RD + RS 4k7 + 125

Análisis gráfico 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑅𝑅𝐷𝐷𝑆𝑆 = 4,97 𝑚𝑚𝑚𝑚 · 125 = 0,62𝑉𝑉

Curva
Curvatransferencia
de (ID,VGS) Curva característica (ID,VDS)
transferencia (ID, VGS) 𝑽𝑽𝑫𝑫𝑫𝑫 𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔𝒔 = 𝑽𝑽𝑮𝑮𝑺𝑺 − 𝑽𝑽𝑻𝑻𝑯𝑯

Recta de
carga entrada
16𝑚𝑚𝑚𝑚 𝐼𝐼𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑉𝑉𝐺𝐺𝑆𝑆 = 6𝑉𝑉

Recta de
carga salida
5,1 𝑚𝑚𝑚𝑚
4𝑚𝑚𝑚𝑚 Q 4,97 𝑚𝑚𝑚𝑚 Q

𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 0,6𝑉𝑉 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = 4𝑉𝑉 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 24𝑉𝑉
MOSFET Acumulación canal P (PMOS)
Es menos utilizado que el NMOS
Símbolo
PMOS Su estructura interna consiste en dos
B
Canal P capas P (D y S) separadas por una N
En ausencia de potencial aplicado, las
B dos uniones P-N están sin polarizar y
poseen zonas de deplexión

Funcionamiento habitual:
El terminal sustrato (B) y el terminal fuente (S) están unidos -> tres terminales (G, S, D)
El control se realiza aplicando un voltaje negativo entre puerta y sustrato -> VGS < 0

En un PMOS el portador de corriente son

los huecos (canal P)
Para crear el canal tenemos que atraer los
huecos hacia la puerta, para eso
aplicaremos un voltaje más negativo en la
puerta (G) que en la fuente (S)

Resulta obvio que VTH será negativo

Vamos a considerar que la corriente ID

circulará de fuente (S) a drenador (D)
Por tanto, VS > VD -> VSD > 0
Circuitos de polarización
 MOSFET Acumulación canal P (PMOS)
En nuestros modelos (régimen estático) consideraremos IG = 0
Zona de corte: S

𝑉𝑉𝐺𝐺𝑆𝑆 > 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻 𝐼𝐼𝐷𝐷 = 0 VSD

D
Zona óhmica: Resistencia ID
S
𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 < 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 𝑉𝑉𝑆𝑆𝐷𝐷
𝐼𝐼𝐷𝐷 = RDS VSD
𝑉𝑉𝑆𝑆𝐷𝐷 < 𝑉𝑉𝑆𝑆𝑆𝑆 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅𝐷𝐷𝐷𝐷
D
ID
Zona de saturación: S
𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 < 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐾𝐾(𝑉𝑉𝑆𝑆𝐺𝐺 − |𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻 |)2 VSD
𝑉𝑉𝑆𝑆𝐷𝐷 > 𝑉𝑉𝑆𝑆𝑆𝑆 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
D
Curva de transferencia (ID, VGS) Curva característica (ID, VSD)

𝑉𝑉𝑆𝑆𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = |𝑉𝑉𝐺𝐺𝑆𝑆 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻 |

𝑉𝑉𝑆𝑆𝐷𝐷
Anexo: Símbolos de MOSFET
Hay diferentes símbolos que representan el mismo tipo de transistor MOSFET
De acumulación, enriquecimiento, mejora (enhancement)

NMOS Canal N
Sustrato conectado a la fuente

Abreviado

El sustrato no
está conectado
a la fuente Un símbolo de diodo OJO: la flecha indica la
indica la zona P y N dirección de ID

PMOS Canal P Sustrato conectado a la fuente

Abreviado
B

El sustrato no
está conectado
Un símbolo de diodo El círculo indica que su
a la fuente OJO: la flecha indica la
indica la zona P y N funcionamiento es inverso
dirección de ID
al de un NMOS
Anexo: Símbolos de MOSFET
De deplexión, empobrecimiento, agotamiento (depletion)

NMOS Canal N
La línea discontinua a
hora es continua
Sustrato conectado a la fuente

Abreviado
B La línea del canal
más gruesa para
indicar que es de
deplexión
Un símbolo de diodo La flecha indica la
indica la zona P y N dirección de ID
PMOS Canal P
Sustrato conectado a la fuente

Abreviado
La línea del canal
B más gruesa

El círculo indica que su

Un símbolo de diodo La flecha indica la funcionamiento es inverso
indica la zona P y N dirección de ID al de un NMOS
Diodo parásito MOSFET de enriquecimiento
Un efecto interesante de unir el terminal Fuente (S) con el sustrato (B) es que se crea un diodo
intrínsico (unión PN) entre fuente y drenador
Esta característica, que no tiene correspondencia en el BJT, es interesante en algunas aplicaciones
del MOSFET, implica que en ausencia de canal pueda circular corriente
 NMOS: si VS > VD + 0.7 -> el diodo parásito conducirá, la corriente irá de fuente a drenador (en
sentido inverso al estudiado) aunque VGS < VTH
 PMOS: si VD > VS + 0.7 -> el diodo parásito conducirá, la corriente irá de drenador a fuente (en
sentido inverso al estudiado) aunque VGS > VTH

Gráfica: corriente en el diodo intrínseco

NMOS vs voltaje en el diodo

IS NMOS

PMOS

IS
Datos del fabricante
Los MOSFET se fabrican en diferentes tamaños
dependiendo de la potencia que manejen

Test: pulsos 300us (duty cycle 2%)

Es de pequeña señal -> Pmax = 350 mW
Datos del fabricante
ANEXO: Obtener el valor de K a partir de las gráficas

Considerando dos puntos de la curva de

transferencia a 125ºC
Curva de transferencia (ID, VGS)
a diferentes temperaturas • VGS1= 8 V, ID1= 1.6 A
• VGS2= 6.7 V, ID2= 1.2 A

𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐾𝐾(𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻 )2

1

Resolviendo el sistema de ecuaciones:

2
𝑉𝑉GS1 𝐼𝐼D2 −𝑉𝑉GS2 𝐼𝐼D1
VTH = = ± 1.703 V
±( 𝐼𝐼D2 − 𝐼𝐼D1 )

Comprobamos que VTH se encuentra dentro del

rango dado por el fabricante

𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 = 1.703 V

ID1
K = (V 2 = 40.35 mA/ V2
GS1 −VTH )
Datos del fabricante
NMOS Es un MOSFET de potencia -> Pmax = 150 W

IRLZ44 Diodo parásito El fabricante da valores a Al aumentar la Tª la

25ºC pero durante el corriente máxima
150 W funcionamiento la Tª dismimuye
aumentará

(podemos tener mayor ID durante un pulso)

ID para VGS = 0 -> corte

valor de RDS para VGS = 4V y 5V

Datos del fabricante
NMOS Es un MOSFET de potencia -> Pmax = 150 W

IRLZ44
Diodo parásito
Máxima corriente que puede
IS circular por el diodo parásito
(ruptura 51 A)
Datos sobre el diodo parásito

Caída en el diodo
para IS = 51 A
(corriente de ruptura)
Datos del fabricante
Zona segura de operación (SOA: safe operation area )
El MOSFET debe permanecer siempre dentro del área de operación. Los límites son:
• ID max: la corriente máxima que puede circular entre drenador y fuente (ambos sentidos)
• Pmax : la potencia máxima que puede disipar (P = ID VDS )
• VDS max (o VDSS) y VGS max : tensiones máximas que puede soportar entre sus terminales
• Rds_on mínima : la resistencia mínima que puede tener el canal representa otro límite, limita la máxima
corriente

Hay una zona segura cuando el MOSFET trabaja

Máxima corriente que puede en continua (DC) y otras zonas seguras cuando el
circular por el diodo parásito encendido es un pulso de una determinada
Coincide con IDS max duración
Cuanto menor sea el pulso mayor será ID max y Pmax
Datos del fabricante
PMOS

FQP47P06
Aplicaciones
MOSFET en conmutación
El punto Q del transistor MOSFET cambiará de corte a zona óhmica
• Corte: El transistor actúa como un interruptor abierto
• Zona óhmica: El transistor actúa como un interruptor cerrado

Para que se asemeje a un interruptor cerrado,

elegiremos MOSFET que nos permitan trabajar con
valores RDS on pequeños (RDS ≈ 0 Ω)
Zona
Trabajar con valores pequeños de RDS reduce la
óhmica
potencia disipada por el MOSFET: PMOSFET = I2D · RDS
El fabricante indica el valor de RDS_on para un
determinado voltaje VGS (varias veces superior a VTH ),
el circuito de control deberá proporcionar ese
Corte
voltaje VGS

STP16NF06L
Estos son los datos que utilizamos
Aplicaciones
MOSFET en conmutación
La carga que se quiere controlar se conecta en el drenador del transistor

El transistor NMOS se pone en la parte NEGATIVA de la carga

El transistor PMOS se pone en la parte POSITIVA de la carga

NPN NMOS PNP PMOS

Vcarga Vcarga Vcarga Vcarga

Icarga Icarga Vcontrol Vcontrol

Vcontrol LOW/HIGH LOW/HIGH

Vcontrol
Icarga
LOW/HIGH Icarga
LOW/HIGH

Carga entre colector Carga entre drenador Carga entre Carga entre
y su alimentación y su alimentación colector y GND drenador y GND
Aplicaciones
Conmutación BJT vs MOSFET
Ambos tipos tienen sus ventajas y desventajas, por lo que depende
que la aplicación

 Para saturar un transistor bipolar se necesita superar una tensión de 0.7V. Esta tensión de control
se puede obtener con cualquier sistema digital alimentado con 5V, 3.3V y hasta 1.8V. Por el
contrario, la tensión necesaria para poner en conducción un MOSFET (VTH) es más elevada
(depende del modelo) y alcanzar este valor no es suficiente
Para que Pmosfet y VDS sean pequeños, es necesario proporcionar VGS varias veces mayor a VTH . La
regla de diseño es proporcionar uno de los voltajes VGS especificados por el fabricante para RDS(on)

 Para conmutar cargas de corrientes pequeñas (≤ 2A) podemos utilizar los BJT. A medida que
aumente la corriente de carga del dispositivo que deseemos controlar, la corriente de base irá
aumentando y puede exceder la corriente máxima que proporciona el controlador
Además, hay una tensión fija entre el emisor y el colector de un transistor bipolar saturado (VEC sat
normalmente 0.2V, pero es mayor en transistores de alta potencia), de modo que al aumentar al
corriente aumentan las pérdidas en el BJT, PBJT = VCEsat ICarga
Para controlar cargas con corrientes elevadas se recomiendan los MOSFETs, ya que el elemento
de control prácticamente no necesita suministrar corriente (IG = 0)
Además, eligiendo MOSFET con RDS ≈ 0 Ω -> Pmosfet ≈ 0 W (en régimen estático, no en las
transiciones)
Aplicaciones
NMOS en conmutación
La malla de salida del circuito será: VCarga - ID Rcarga – VDS = 0 -> recta de carga del circuito de salida

El transistor estará funcionando entre los puntos A (corte) y B (zona óhmica)

A -> Salida del controlador Vcontrol_L = 0 V = VGS = (< VTH) MOSFET en corte
ID =0 PD MOSFET = 0 W VDS= Vcarga deberá cumplirse que Vcarga < VDSmax

VCarga Icarga =Vcarga Recta de carga

Rcarga
B Curva transistor
ID

ID

RG

Vcontrol
HIGH R1 A
LOW
VDS = ID RDS VCarga
Aplicaciones
NMOS en conmutación
B -> Salida del controlador Vcontro HIGH
El punto de trabajo B estará en la intersección de la recta de carga y la curva característica del
transistor para VGS = Vcontrol_H
El transistor elegido deberá garantizar zona óhmica, un valor bajo de RDS y permitir la corriente
demandada por la carga (Icarga )
ID = Vcarga / (Rcarga+ RDS) VDS= ID · RDS PD MOSFET = I2D ·RDS
 si RDS << Rcarga -> ID ≈ Icarga = Vcarga/Rcarga y PD MOSFET ≈ 0 W

VCarga VGS = Vcontrol_H -> RDS (on)

Icarga = Vcarga
Recta de carga
Rcarga
B Curva transistor
ID
ID

RG

Vcontrol
HIGH R1
A
LOW

VDS = ID RDS VCarga

Aplicaciones
NMOS en conmutación
Como G (puerta) está aislada
se comporta como una “capacidad” que
demandará corriente sólo en los
cambios de VGS
IG = 0 con VGS = cte (régimen
estacionario) VCarga
RG limita la corriente en las transiciones,
pero valores altos de esta resistencia
impide transiciones rápidas
ID
En un diseño que utilice PWM con un
MOSFET, los tiempos y las formas de los
flancos de subida y bajada de la señal de
control aplicada a G son importantes
Si aumentan los tiempos de transición de
VGS también lo harán los de VDS e ID , por
tanto, aumentará la potencia en el MOSFET
y aumentará su temperatura
Para evitar esto, la señal de activación del
MOSFET (VGS) deberá tener flancos de
subida y de bajada con tiempos de
transición muy cortos
VDS ID

Vcontrol R1
HIGH

LOW
PMOSFET = ID ·VDS
R1 pone el transistor a un estado conocido (GND) En las transiciones la potencia
cuando el Pin está en un estado indeterminado en el MOSFET aumenta
(alta impedancia), por ejemplo, durante el
arranque del programa
Aplicaciones
NMOS en conmutación
Como vimos, RDS depende de VGS
El circuito de control tiene que garantizar que VGS supere varias
veces el voltaje umbral (VTH) para que RDS on sea mínimo

Muchos MOSFET necesitan una tensión VGS = 10 V para RDS on , y si

aplicamos VGS = 5 V (usando una salida de Arduino, por ejemplo)
el MOSFET proporcionará menos intensidad, el valor de RDS on será
mayor, incluso puede que no alcance la zona óhmica (↑VGS ↓VDS sat )

IRFZ44N
Variación de RDS con la temperatura
Durante el funcionamiento el MOSFET se calentará y
la temperatura será superior a 25ºC
Al aumentar la temperatura RDS aumenta, para
conocer el valor habrá que mirar las gráficas del
fabricante
En el ejemplo para 100ºC la resistencia RDS aumenta
1,45 respecto a su valor a 25ºC
Aplicaciones
NMOS en conmutación
MOSFET de nivel lógico
Si vamos a conmutar desde un microcontrolador (niveles lógicos TTL), elegimos logic level power
mosfet (MOSFET de nivel lógico), poseen valores bajos de RDS on para VGS ≅ 5 V

El parámetro de voltaje umbral VTH se utiliza para asegurar el estado de corte pero no garantiza el
comportamiento de interruptor cerrado

IRLZ44L

NTB5860NL

Para trabajar con niveles lógicos de 3.3 V hay menos MOSFET disponibles, uno de ellos:
PMV16XNR
Aplicaciones
NMOS en conmutación
Ejemplo: circuito de conmutación desde la salida de un uC (0 V / 5 V) usando un MOSFET que no es
de nivel lógico IRFZ44N

IRFZ44N

Para obtener un valor de resistencia RDS pequeño hay que

para proporcionar VGS = 10V
Este voltaje es superior al voltaje de salida del dispositivo de
control (VuC H = 5V), por ello añadimos una etapa previa
formada por un transistor BJT en conmutación
En el ejemplo: Vcarga = 10 V y Icarga = 15 A

VCC 2 VCarga  Salida del controlador VuC H = 5V Recta de carga VDS

10 V 10 V
BJT en saturación VCE sat = 0.2 V -> NPN ON

VG = 0.2V; VGS= 0.2 (< VTHmin = 2 V) -> NMOS OFF

ID =0; VDS= VCarga =10V (< VDSmax) PD MOSFET =0

IRFZ44N  Salida del controlador VuC L = 0V

VTH max = 4V BJT en corte VCE = VCC 2 = 10V; IC = 0A -> NPN OFF
VDS max = 55V
VGS max = ±20V IG= 0 A; VG = 10 V; VGS= 10V (VTHmax< 10V < VGSmax ) ->NMOS ON
VuC Pmax = 110 W
RDS(ON) ≈ 15 mΩ; ID = Vcarga/(Rcarga+ RDS) = 14.6 A (< 25 A)
5V
VDS= ID ·RDS = 0.22V PD MOSFET = VDS · ID = I2D ·RDS = 3.22 W
0V
Pcarga = (10 – 0.22) 14.6 = 143.5 W
Aplicaciones
PMOS en conmutación
La carga que se quiere controlar se conecta entre drenador y masa. El terminal S se conecta a VCC carga
El transistor estará funcionando entre corte y zona óhmica:
 Salida del controlador VuC H= 5V
VG = 5V; VS= 5V; VGS =0 (> VTHmin = - 1V) MOSFET OFF ID =0; VSD= Vcarga = 5 V (< VSDmax) PD =0
 Salida del controlador VuC = 0V
VG=0V; VS=5V; VGS= -5 V (< VTHmax = -2 V) ( |VGS| < |VGSmax|) MOSFET ON
RDS(ON) ≈ 51 mΩ (para VGS = -5V)
ID = Vcarga/(Rcarga+ RDS) VSD= ID ·RDS ; PD = I2D ·RDS
NTD25P03L
5V 5V

R1 min tip max

VuC VTH tip= - 1.6 V

5V
ID
0V Sólo si VuC H – Vcarga > VTH
y VuC L – Vcarga < VTH
Aplicaciones
PMOS en conmutación
OJO: si la carga se alimenta a otro voltaje comprobar si el MOSFET conmuta

Ejemplo
 Salida del controlador VuC H= +5V; VG = 5V; VS=12V; VGS= -7 (<VTH min= -1 V) ON
 Salida del controlador VuC L= 0V; VG=0V; VS=12V; VGS= -12V (<VTH min= -1 V) ON
En los dos casos el transistor estará conduciendo -> NO FUNCIONA BIEN

Ejemplo Vcarga
5V 12V
NTD25P03L
R1

min tip max

VuC
5V

0V
ID
Aplicaciones
PMOS en conmutación
Cuando VuC H – Vcarga < VTH podemos añadir un transistor BJT en conmutación para solucionar el
problema

Ejemplo

FQP47P06

Vcarga
 Salida del controlador VuC H = 5 V
12V Vcarga 12V BJT en saturación VCE sat = 0.2V -> NPN ON
VG= 0.2V; VGS= -11.8 ( |VGS| < |VGSmax|) -> NMOS ON
VDS max = - 60V
VGS max = ±25V
RDS(ON) = 21 mΩ; ID = Vcarga/(Rcarga+ RDS)
Pmax = 160 W
VSD = ID ·RDS ; PD MOSFET = VSD · ID = I2D ·RDS

 Salida del controlador VuC L=0V

BJT en corte VCE = Vcarga = 12V, IC= 0A -> NPN OFF
IG= 0A; VG=12V VGS= 0V (>VTHmin = -2V) -> NMOS OFF
VuC ID =0; VSD= Vcarga =12 V (< VSDmax) ; PD MOSFET =0
5V

0V
Aplicaciones
MOSFET para amplificación
El transistor trabajará en la zona de saturación
Se recomienda centrar el punto de trabajo Q en la curva de transferencia
Curva de
Curva característica de salida Polarización fija transferencia

Curva de transferencia Polarización por divisor de tensión

Curva de
transferencia
 Aplicaciones
ANEXO: Adaptación de niveles lógicos: lógica de 3.3V – lógica de 5V
Comunicación entre un dispositivo digital con niveles de 5V y otro con niveles de 3.3V cuando la
información viaja en los dos sentidos por la misma línea (línea de datos bidireccional)

‘1’
BSS138
Casos
1 El dispositivo de la derecha transmite nivel 2 El dispositivo de la derecha transmite nivel bajo
alto (Vout = 3.3 V ), el otro recibe nivel alto (Vout = 0 V ), el otro recibe nivel bajo (Vin = 0 V)
(Vin = 5 V)

‘1’ ‘1’ ‘0’ ‘0’

Aplicaciones
ANEXO: Adaptación de niveles lógicos: lógica de 3.3V – lógica de 5V

3 El dispositivo de la izquierda transmite

nivel alto (Vout = 5 V ),
la entrada de 3,3V también está a nivel
alto (‘1’) gracias a la resistencia de "pull-
up" de 10K (en rojo)
El transistor NMOS está en corte

‘1’ ‘1’

4 Con la salida lógica de 5V a nivel bajo(‘0’),

el diodo parásito del MOSFET (entre S y
D) empieza a conducir porque está
correctamente polarizado (el positivo en
S lo obtiene gracias a la resistencia de
pull-up conectada a 3,3V) y por lo tanto
fuerza la entrada de 3,3V a 0,7V
VS=0.7, VGS = 2.6 >VT -> NMOS en ON
La entrada pasa a 0V
‘0’ ‘0’
Aplicaciones
PMOS para protección contra corrientes inversas
Protección con diodo en serie
12 V
El problema del diodo en serie es la
potencia que consume, la cual depende
de la corriente que demande el circuito
Para corrientes grandes la potencia en
diodo puede ser importante
Protección con transistor PMOS
FQP47P06
D S
G
12 V
Al conectar la fuente de alimentación correctamente,
inicialmente VS =0, VGS=0, la corriente circula por el diodo
parásito
En S el voltaje será el de la fuente menos la caída en el diodo,
Vs = 12 - 0,7 = 11,3 V
VGS = -11,3 (< VTH) el PMOS pasa a conducir y se comporta
como una resistencia RDS on de pequeño valor, por lo que la
potencia que consume es muy pequeña
OJO: en esta aplicación la corriente ID circula en el PMOS de
drenador a fuente, primero a través del diodo y luego a
través de RDS on
Si conectamos la fuente al revés, como inicialmente VS =0,
VGS = 12 (> VTH) , el transistor pasará a corte y el diodo
parásito tampoco puede conducir (VD = -12V)
Hay que tener en cuenta el valor VGS max y elegir un PMOS
con RDS on muy pequeña
Aplicaciones
ANEXO: protección circuito de carga y descarga de baterías de litio
Las baterías de litio son muy comunes pero las más vulnerables a problemas como explosiones
En una batería de 3.7V, los fabricantes aconsejan que nunca se cargue más allá de los 4.2 V y no se
descargue por debajo de 2.8 V

Muchos de los circuitos de protección de la batería utilizan dos MOSFETs para proteger la batería. Este
sistema rompe la conexión eléctrica entre la batería y el resto del circuito siempre que el voltaje de la
batería esté fuera del rango adecuado

En el proceso de carga o descarga cuando uno entra en conducción RDS_on el otro permite el paso de
corriente a través del diodo parásito. Y fuera del rango admisible el circuito se abre
Protección
Los MOSFETs son muy sensibles a la electricidad estática. Debido a que la
capa de aislante (SiO2) es muy fina y se puede perforar debido a una pequeña
descarga eléctrica.

 Transportar siempre en bolsas de transporte anti estáticas.

 Llevar una correa de protección estática cuando se manipulan los MOSFETs
 Colocar dispositivos limitadores de tensión entre la compuerta y la fuente,
tales como zeners en oposición para limitar cualquier transitorio de tensión
Comparación
Diferencias respecto a los BJTs:
• Son dispositivos controlados por voltaje, los BJTs son controlados por corriente
• Impedancia de entrada muy alta
• Consumo mucho menor
• Menos sensibles a variaciones de temperatura
• Se integran mejor en los circuitos integrados
• Más sensibles a la manipulación (electricidad estática)
• Presentan una linealidad muy pobre, son menos lineales que los BJT
• La ganancia de voltaje es mucho menor que el BJT
• A igual tamaño el BJT puede conmutar más rápido