ANÁLISIS DE CA DE

UN BJT
MODELO DE UN
TRANSISTOR BJT
Un modelo es una combinación de
elementos de un circuito,
apropiadamente seleccionados, que
simula de forma aproximada el
comportamiento real de un dispositivo
semiconductor en condiciones
específicas de operación.
MODELO RE DEL
TRANSISTOR
Configuración en emisor común
CONFIGURACIÓN EN BASE
COMÚN
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA
EN EMISOR COMÚN
SOLUCIÓN
POLARIZACIÓN POR MEDIO
DEL DIVISOR DE VOLTAJE
PARA LA RED DE LA FIGURA 5.28, DETERMINE
FET
 Fototransistores y fotoacopladores
Un fototransistor es un transistor en el que la incidencia
de luz sobre la zona de la base influye mucho en la
corriente de colector. La luz juega un papel semejante al
de la corriente de base.

Símbolo Optoacoplador R2 IC
R2 IC
F.T.
+ ILED
V2
N LED
V2
P
N
IC/ILED » 1-0,2

Muy importante
Fotodetector
ATE-UO Trans 81
 Estructura de los transistores de efecto de
campo de unión, JFET (canal N)

P+

N- Canal
Fuente Drenador
(S) (D)
P+

Puerta (G)
D
D G
G Otros símbolos

G D G D JFET (canal P) S
JFET (canal N) S Símbolo
Símbolo canal N S canal P S
ATE-UO Trans 82
 Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFET (I)

P+

N-
Fuente Drenador
(S) (D)
P+

Puerta (G)
Zona de transición en zona muy dopada Þ estrecha
Zona de transición en zona poco dopada Þ ancha
ATE-UO Trans 83
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFET (II)

P+
(D)
N -
(S)

P+
VV12
(G) V1 < V2

Según aumenta la tensión drenador-fuente, aumenta

la resistencia del canal, ya que aumenta la zona de
transición, que es una zona de pocos portadores.
ATE-UO Trans 84
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFET (III)

ID Evolución si la resistencia
D no cambiara con la tensión.
G +
VDS
- ID
S

VDS
Evolución real en un JFET V1 V2
(la resistencia cambia con
la tensión aplicada).
ATE-UO Trans 85
 Principio de funcionamiento de los JFET (IV)

P+
(D)
- VPO +
(S)
N- VDS
P+
(G) VDS=VPO > V2

Si se aumenta más la tensión drenador-fuente, la zona de transición

llega a dejar una parte del canal con muy pocos portadores. La
corriente de drenador no cesa (si cesara no se formaría el perfil de
zona de transición que provoca esta situación). La tensión VDS a la
que se produce la contracción total del canal recibe el nombre de
tensión de contracción (“pinch-off”), VPO. ATE-UO Trans 86
 Principio de funcionamiento de los JFET (V)

P+
LZTC (D)
N -
LC
(S)
VDS
P+
(G) VDS=V3 > VPO

Si se aumenta la tensión drenador-fuente por encima de VPO, va aumentando la parte del canal
que ha quedado con muy pocos portadores, LZTC (longitud de la zona de transición en el canal).
Sin embargo, el aumento de LZTC al aumentar VDS es pequeño comparado con la longitud del
canal, LC.
VPO=Valor de tensión VDS para la cual ID comienza a estabilizarse con VGS=0
 Principio de funcionamiento de los JFET (VI)

P+
- VPO LZTC
+ L’ ZTC (D)
(S)
VDS
N -

P+
(G) VDS=V4 > V3

Si L’ZTC << LC (hipótesis de canal largo) y admitimos que el perfil de

portadores en la parte no contraída del canal no ha cambiado,
tenemos que admitir que la tensión en dicha parte es VPO.
Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma caída
de tensión sobre el mismo perfil de canal Þ misma corriente que
cuando aplicábamos VPO Þ corriente constante por el canal cuando
VDS>VPO. ATE-UO Trans 88
Resumen del principio de funcionamiento de
los JFET cuando VGS = 0

VDS=0 Comportamiento
resistivo Comportamiento como
ID
fuente de corriente
VDS=V1

VDS=V2

VDS=VPO VDS

V1 V2 VPO V3 V4
VDS=V3

VDS=V4

ATE-UO Trans 89
 ¿Qué pasa si VGS ¹ 0?
P+
•Con VGS=0, la
(D)
»VPO + contracción ocurre
(S)
- cuando VDS = VDSPO =VPO.
N
-
P+ VDS=VPO

(G) •El canal es siempre

más estrecho, al estar
polarizado más
N- inversamente Þ mayor
P +

(D) resistencia
»VPO +
(S) + UA •La contracción se
- produce cuando:
P+ VDS VDS=VDSPO=VPO + VGS
(G) +
UB VGS Es decir:
- - VDSPO = UA = VPO - UB

Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la

contracción se produce a una VDS menor. ATE-UO Trans 90
 Curvas características de un JFET (canal N)

Referencias ID • Curvas de salida

normalizadas
D ID [mA]
+ VGS = 0V
G 4
+ VDS
- VGS = -0,5V
VGS S
- 2 VGS = -1V
VGS = -1,5V
• Curvas de entrada:
VGS = -2V VDS [V]
No tienen interés
(unión polarizada 0 2 4 6
inversamente)
Contracción del canal
Contracción producida cuando:
Muy importante VDSPO=VPO + VGS

ATE-UO Trans 91
 La tensión VPO
P+
Cortocircuitamos el
(D)
N- drenador y la fuente y
(S) aplicamos tensión
entre puerta y fuente.
P+
(G) +
UB1 VGS
- Cuando la tensión VGS
alcanza un valor
P+ negativo
(D)
suficientemente
N- grande, la zona de
(S)
transición invade
P+
totalmente el canal.
Este valor es el de
(G) + contracción del canal,
UB1< UB2 VGS = -VPO
- VPO.

ATE-UO Trans 92
 Análisis gráfico de un JFET en fuente común
ID [mA]
ID VGS = 0V
2,5KW 4
VGS = -0,5V
D
+ 2 VGS = -1V
G
+ VDS 10V VGS = -1,5V
-
VGS S
VGS = -2V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 93
Cálculo de las corrientes en la zona de fuente
de corriente (canal contraído)
Partimos de conocer el valor de la corriente de drenador
cuando VGS = 0 y el canal está contraído, ID0PO.
ID [mA]
ID0PO VGS = 0V
4
IDPO VGS = -0,5V
También se conoce la
tensión de contracción 2 VGS = -1V
del canal, VPO VGS = -1,5V
VGS = -2V
Ecuación ya conocida:
0 4 8 12 VDS [V]
VDSPO = VPO + VGS
VGS = -VPO
Ecuación no demostrada:
IDPO » ID0PO·(1 + VGS/VPO)2 Muy importante
ATE-UO Trans 94
 Comparación entre transistores bipolares y
IC JFET (I) I D

R Muy importante R
IB C (N) D
B (P) IG » 0 G (P)
N V2
+ V2 +
V1
VBE E (N) VGS S
V1 - -

•En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan

las corrientes de salida (IC e ID).
•En zona de comportamiento como fuente de corriente, es útil
relacionar corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o
corriente de salida con tensión de entrada (JFET).
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho más
pequeña en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar
polarizada inversamente la unión puerta-canal).
ATE-UO Trans 95
 Comparación entre transistores bipolares y
JFET (II)
Corriente de electrones
en todo el dispositivo
N-
P+
(transistor unipolar)

(S) (D)
+
P+
UA
VDS
(G) + Muy
UB VGS importante
- -

•El JFET es más rápido al ser un dispositivo unipolar (conducción

no determinada por la concentración de minoritarios).
•El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensión, ya
que tiene una zona de trabajo con característica resistiva.
•Para conseguir un comportamiento tipo “cortocircuito” hay que
colocar muchas celdas en paralelo.
ATE-UO Trans 96
 Estructura real de un JFET de canal N
SiO2
S G D

N+ P+ N+ Contactos metálicos
N-
P+ Canal N

G
Uso de un JFET de canal P
R -ID
Hay que invertir los sentidos reales
de tensiones y corrientes para operar I » 0 D
G G (N) V2
en los mismas zonas de trabajo.
P
V1 +
VGS S
ATE-UO Trans 97
-
 Los transistores de efecto de campo de unión
metal-semiconductor MESFET
Contacto rectificador (Schottky)
ID VGS > 0
S G D
GaAs
VGS = 0
N+ N- N+ Contactos
óhmicos
GaAs aislante VGS<0

VDS
G G G G

Pequeña Tensión GS Polarización Polarización

polarización nula inversa GS, inversa GS, zona
directa GS zona resistiva f. de corriente
ATE-UO Trans 98
 Los transistores de efecto de campo de metal-
óxido-semiconductor, MOSFET
Estructura
Contactos Nombre
Metal metálicos Metal
SiO2 S G D
S G D
Óxido

N+ N+ Semiconductor
P-
+
D
Substrato Símbolo
Símbolo D
G
MOSFET de S
Substrato enriquecimiento
G
de canal P
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulación) de canal N ATE-UO Trans 99
 Principios de operación de los MOSFET (I)

G Zona de transición
S ++ ++ D
(con carga espacial)
- - - - N+
+ + + +
N+
V1
P-
+
Substrato
Se empieza a formar una
G capa de electrones
S +++
++ +++
++ D (minoritarios del substrato)

N+ -- -- -- -- N+
- -
V2 > V1
P- - -
+
Substrato ATE-UO Trans 100
 Principios de operación de los MOSFET (II)

G Esta capa de minoritarios es

S ++++ ++++
D llamada “capa de inversión”

N+ -- -- - - - - N+
P- V3 = V TH > V2
+
Esta capa es una zona de
Substrato transición (no tiene casi
portadores de carga)

Cuando la concentración de los electrones en la capa formada es

igual a la concentración de los huecos de la zona del substrato
alejada de la puerta, diremos que empieza la inversión. Se ha creado
artificialmente una zona N tan dopada como la zona P del substrato.
La tensión a la que esto ocurre es llamada “tensión umbral”
(“threshold voltage”), VTH.
ATE-UO Trans 101
 Principios de operación de los MOSFET (III)

Situación con tensión G

mayor que la de umbral S +++++ +++++ D

N+ -- - -- -- - -- N+
P- V4 > V TH
VDS ID P
Substrato

G •Conectamos la fuente al
S +++++ +++++ D substrato.

VGS •Conectamos una fuente de

N+ -- - -- -- - -- N+ tensión entre los terminales
P- fuente y drenador.

¿Cómo es la corriente de
Substrato
drenador?
ATE-UO Trans 102
 VDS » 0 ID » 0 Principios de operación de
los MOSFET (IV)
G •Existe un canal entre drenador
S +++++ +++++ D y fuente constituido por la capa
VGS de inversión que se ha formado.
N+ -- - -- -- - -- N+ •Con tensiones VDS pequeñas
P- (<<VGS), el canal es uniforme.

Substrato VDS =VDS1 >0

ID

•El canal se empieza a contraer

G
según aumenta la tensión VDS. S +++++ +++++ D
•La situación es semejante a la VGS
N+ - - - - -
que se da en un JFET. - - - - - N+
P-

ATE-UO Trans 103 Substrato

 VDS2=VDSPO >VDS1
Principios de operación
ID de los MOSFET (V)
G
S +++++ +++++ D •El canal formado se contrae
VGS totalmente cuando VDS = VDSPO.
- - -
N+ ------- N+
P-
VDS3 >VDSPO
Substrato ID

G
S +++++ +++++ D
•Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET
- - - VGS
se comporta como una fuente N+ N+
-------
de corriente (como en el caso de
P-
los JFET).
Substrato
ATE-UO Trans 104
 Principios de operación de los MOSFET (VI)
VDS2 > VDS1
VDS1
ID » 0 ID» 0

G G
S D S D

N+ N+ N+ N+
P- P-

Substrato Substrato

Si VGS = 0, la corriente de drenador es prácticamente

nula. En general, si VGS <VTH, no hay casi canal
formado y, por tanto, no hay casi corriente de
drenador.
ATE-UO Trans 105
 Curvas características de un MOSFET de
enriquecimiento de canal N
Referencias
normalizadas ID • Curvas de salida
D ID [mA]
+
G VDS VGS = 4,5V
4
+ S -
VGS VGS = 4V
- 2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
• Curvas de entrada: VGS = 2,5V VDS [V]
No tienen interés 0
(puerta aislada del canal) 2 4 6
VGS < VTH = 2V

Muy importante

ATE-UO Trans 106

Análisis gráfico de un MOSFET en fuente común
ID [mA]
ID VGS = 4,5V
2,5KW 4
VGS = 4V
D
+
2 VGS = 3,5V
G VDS
+ S - 10V VGS = 3V
VGS = 2,5V
VGS
- 0 12 VDS [V]
4 8
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 107
 Los MOSFET de deplexión (I)
G
S D •Existe canal sin necesidad de aplicar
tensión a la puerta. Se podrá establecer
N+ N
-
N+ circulación de corriente entre drenador
P- y fuente sin necesidad de colocar
tensión positiva en la puerta.
Substrato +

•Modo ACUMULACIÓN:
G +
Al colocar tensión positiva
S +++ +++ D en la puerta con relación al
VGS=V1 canal, se refuerza el canal
- - - - - - con más electrones
N+ N-
N+
P- V1
procedentes del substrato.
El canal podrá conducir
Substrato + - más.
ATE-UO Trans 109
 Los MOSFET de deplexión (II)

G +
S --- --- D
VGS=-V1
+ + + + + + V1
N+ N- N+
P-
Substrato + -

•Operación en modo DEPLEXIÓN:

Se debilita el canal al colocar tensión negativa en la
puerta con relación al substrato. El canal podrá
conducir menos corriente.

ATE-UO Trans 110

 Los MOSFET de deplexión (III)
•Cuando se aplica tensión entre drenador y fuente se
empieza a contraer el canal, como ocurre en los otros
tipos de FET ya estudiados. Esto ocurre en ambos
modos de operación.
VDS VDS
ID ID

G G
S +++ +++ D S --- --- D
- - - - + + + + + +
N+ N-
N+ N+ N- + + N+ V1
P- - - P-
V1
Substrato + Substrato +

Modo acumulación Modo deplexión

ATE-UO Trans 111

 Comparación entre las curvas características de
los MOSFET de enriquecimiento y de deplexión
ID [mA] Enriquecimiento
VGS = 4,5V
4
Muy importante
VGS = 4V
2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
ID [mA] Deplexión
0 2 4 6 VDS [V]
VGS = 1V VGS < VTH = 2V
4
VGS = 0,5V Modo acumulación
2 VGS = 0V
VGS = -0,5V Modo deplexión
VGS = -1V

0 2 4 6 VDS [V]
VGS < -1,5V ATE-UO Trans 112
Comparación entre los símbolos de los MOSFET
de enriquecimiento y de deplexión con ambos
tipos de canal
D D
Canal N
G G
Tipo S Tipo S
enriquecimiento deplexión

D D Canal P
G G
S Tipo S
Tipo
enriquecimiento deplexión

ATE-UO Trans 113

Comparación de los circuitos de polarización para
trabajar en zona resistiva o en zona de fuente de
corriente con MOSFET de ambos tipos de canal

ID -ID
R R
D
D
+ +
G VDS G VDS
V2 + S - V2
+ S -
VGS V1 VGS
V1 -
-
Canal N Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y
corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
ATE-UO Trans 114
 Comparación entre transistores JFET y MOSFET
ID ID
R R
D
IG » 0 D
IG = 0
G V2 G
+ + S V2
V1 VGS VGS
S V1
- -
JFET, canal N MOSFET, canal N
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estáticamente
en un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente IG es más pequeña
aún que en el caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada
inversamente la unión puerta-canal).
• La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en el
caso del MOSFET. Esto facilita el control.
Muy importante
ATE-UO Trans 115
Precauciones en el uso de transistores MOSFET

S G D D

N+ N+
G
P-
S
+

Substrato
•El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
•El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad
estática de los dedos. A veces se integran diodos zener
de protección.
•Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116