BJT Transistores

igbt jfet
FET
NPN pnp
Canal N Canal P

Cod: 2N3904 Cod: 2N2907

Cod: J201 Cod: 2N5460
Transist ro NPN bipolar

o
Transist res e d
o
c nmutación planares
d
La ganancia e c rrienteo d o N
e silici P P.

Cod: H20R1203 Fuente de la puerta inversa y

o F
c ntinua (h E) es e d 300 Geometría del InterFET
o o o
tensión de drenaje de la puerta
c m máxim

o o d N0016SH
Disp sitiv s e
otente cuerpo monolítico con bajo inversa 40 V
o o de o
c nmutación rápi a d P Bajo ruido: 5 nV/√Hz típico
La c rriente c ntinua voltaje de salida

Corriente continua de la puerta

o o IC
c lect r ( ) es e d o
c n características e d Bajo Ciss: 4pF típico
200 do o o Diseñado para la conmutación suave delantera - 10 mA
mA

apaga c rt y baja Cumple con la normativa RoHS

d
tensión e saturación.
sólo

Disipación de potencia continua

La tensión base-emis r o Opciones de encapsulado SMT,
d 6

del dispositivo 310 mW
(VBE) es e V

o
Aplicaci nes e d -La tecnología TRENCHSTOPTM ofrece:

TH y Bare Die.
Reducción de potencia 2,8 mW/°C
o o o
c nmutación y lineales
La tensión c lect r-
o d -distribución de parámetros muy
o C
emis r (V E) es e d 40V

Aplicaci nes e
ajustada

mosfet
amplificación D y C
o o
La tensión c lect r-base VHF -alta resistencia, comportamiento
C
(V B) es e d 60V estable a la temperatura

-bajos VCEs en

-fácil capacidad de conmutación en

paralelo debido a la positiva

Canal N Canal P
coeficiente de temperatura en VCEsat

fototransistores -BajoEMI

-Calificado según el JEDEC para

aplicaciones específicas

a uete TO 18
P q
Sellado herméticamente -Las placas de plomo no contienen Pb; Cod: IRF540 Cod: IRF9540
cumplen con la normativa RoHS
Estrecho ángulo de recepción
Cumple con la normativa RoHS - Clasificación dinámica dV/dt
- Clasificación dinámica dV/dt

- Clasificación de Avalancha - Clasificación de avalancha

Los L14G1, L14G2 y L14G3 son Repetitiva
repetitiva

Cod: L14G2 fototransistores de silicio montados - 175 °C Temperatura de - Canal P

en un encapsulado TO-18 de ángulo funcionamiento

- 175 °C de temperatura de
estrecho. Los dispositivos se pueden - Conmutación rápida
funcionamiento

utilizar como un fotodiodo mediante - Facilidad de conexión en paralelo

- Conmutación rápida

el cableado de los cables del colector - Requisitos de accionamiento - Facilidad de conexión en

de la base. sencillos
paralelo

- Cumple con la Directiva RoHS - Requisitos de accionamiento

2002/95/CE sencillos
Julio cesar gonzales becerra - 219022534