Transistor de efecto de campo

UNMSM - FIEE
 JFET
• TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
CON JUNTURA
 Características
1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios
solamente.
2. Es más sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en forma
integrada.
3. Exhibe una gran resistencia de entrada, típicamente de
muchos megaOhms.
4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de señales.
DIFERENTES TIPOS DE
TRANSISTORES FET

Tema 8.- Transistores de efecto de 4

campo
 TRANSISTORES DE EFECTO
DE CAMPO CON PUERTA DE
UNIÓN
En este tipo de transistores, al contrario que en los MOS, la puerta
no está aislada galvánicamente.
Siguen siendo transistores unipolares, y la conductividad del canal
se controla mediante una tensión aplicada a la unión puerta-fuente
polarizada inversamente
Existen dos tipos fundamentales de transistores FET con puerta de
unión:
Los MESFET ó FETs metal-semiconductor, donde el canal es
un semiconductor compuesto, como arseniuro de galio, la puerta
un metal, y el interfase puerta-canal una unión Schottky.
Los J-FETs, donde la puerta y el canal consisten en Si dopado
de forma inversa, y una unión PN polarizada inversamente forma
la interfase puerta-canal
Tema 8.- Transistores de efecto de 5
campo
 TRANSISTORES MESFET
Aprovechan la alta movilidad del electrón en el arseniuro de
galio.
 El resultado es un dispositivo muy superior en velocidad pero
inferior en densidad de integración, y actualmente mucho mas
caro que los transistores de Si.
Se utiliza principalmente en circuitos lineales que funcionan a
frecuencias de microondas, y en circuitos digitales de altísima
velocidad.
Su funcionamiento se asemeja al Mosfet de deplexión

Tema 8.- Transistores de efecto de 6

campo
TRANSISTORES MESFET
(CONT)

Tema 8.- Transistores de efecto de 7

campo
 TRANSISTORES JFET
El transistor de efecto de campo de
unión (JFET: junction field-effect
transsitor) de canal N consiste en un
canal semiconductor de tipo N con
contactos óhmicos en cada extremo ,
llamados drenador y fuente (ó
surtidor).

A los lados del canal hay regiones de material semiconductor tipo P

Conectadas eléctricamente entre si y al terminal denominado puerta.
La unión PN entre puerta y el canal es similar a la unión PN de un
diodo.
En las aplicaciones normales , esta unión debe estar polarizada
inversamente.
Tema 8.- Transistores de efecto de 8
campo
 TRANSISTOR J-FET DE
CANAL N (CONT)

Cuanto mas negativa es la tensión inversa de polarización de una

unión PN, mas ancha se hace la zona de deplexión (no conductora,
libre de cargas),y por tanto en este caso mas se estrecha el canal
conductor
Tema 8.- Transistores de efecto de 9
campo
 TRANSISTOR J-FET DE
CANAL N (CONT)

Cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal,

decimos que ocurre un fenómeno llamado de estrangulamiento.
La tensión de estrangulamiento Vto (VP) es valor necesario de la
tensión puerta - canal para que desaparezca el canal conductor
Tema 8.- Transistores de efecto de 10
campo
 TRANSISTOR J-FET DE
CANAL N (CONT)

La tensión de estrangulamiento Vto (Vp), es el valor necesario de

la tensión puerta - canal para que desaparezca el canal conductor.
En los JFET de canal N ésta tensión es esencialmente negativa:
En funcionamiento normal, la tensión VGS debe ser: Vto<=VGS<=0
En los JFET de canal N, el drenador es positivo respecto a la
fuente.
La corriente entra por el drenador y sale por la fuente.
Como la resistencia del canal depende de la tensión puerta-fuente,
la corriente de drenador se controla con VGS
Tema 8.- Transistores de efecto de 11
campo
 CURVAS CARACTERÍSTICAS
DE UN JFET DE CANAL N

El J-FET es un dispositivo de tres estados:

Zona de corte si : vGS  VP  0 entonces: ID=IS=0
Zona óhmica si : VD  VG  VP VDG  VP
Zona de conducción : vGS  VP 
Zona activa si : VD  VG  VP  VDG  VP
El límite entre la zona óhmica y la activa viene marcada en viene
marcada por la igualdad VDG=-VP
Tema 8.- Transistores de efecto de 12
campo
 ZONAS DE
FUNCIONAMIENTO DE UN
El JFET esJFET DE
un dispositivo muyCANAL N
parecido a los MOSFET.
A tensiones VDS pequeñas, el dispositivo funciona como
una resistencia controlada por la tensión VGS
Cuando VDS alcanza tensiones suficientemente elevadas, es
decir cuando :
vDG  vDS  vGS  VP
Entonces polarización inversa de drenador es tan grande que el
canal se estrangula, y un incremento adicional de VDS no
afecta demasiado a la corriente de drenador, al igual que ocurre
con los transistores MOSFET, el JFET entra en el estado
activo, también llamado zona de saturación del canal. La
corriente se hace prácticamente constante
Tema 8.- Transistores de efecto de 13
campo
 ESTADO ÓHMICO DEL
TRANSISTOR
El JFET de canal JFET
N, se encuentra en el estado óhmico o zona
óhmica si:
VGS  VP y además : VDG  VP

Entonces, la corriente de drenador viene dada por la expresión:

iD   2  v GS  VP v DS v DS 
 2

W 4 Si
Donde β (K), tiene la expresión:   n
L 3tN D
W,L,t, son la anchura, longitud, y espesor del canal. µn la movilidad de los
electrones, ND la concentración del dopado, y εSi la constante dieléctrica del
silicio
Tema 8.- Transistores de efecto de 14
campo
 Resistencia del JFET
controlada
Si en la ecuación:
por tensión
i   2  v  V  v v  2
D GS P DS DS
vDS es tan pequeño que el término cuadrático es despreciable,
entonces:
iD  2  vGS  VP VDS 
1 1
vDS ; RN  JFET 
RN  JFET 2 vGS  VP 
Esta expresión se podrá considerar válida si: v  0,2v  V 
DS GS P

Discusión interpretativa:
Compare la definición dada de RN-JFET
con la de resistencia dinámica rd,JFET,:

1 iD

rd , JFET vDS I DQ ,VDSQ

Tema 8.- Transistores de efecto de 15

campo
 ESTADO ACTIVO DEL
TRANSISTOR
El JFET de canal JFET
N, se encuentra en el estado activo o zona de
saturación del canal si:
VGS  VP y además : VDG  VP (VP negativo en los JFET N)
Entonces, la corriente de drenador viene dada por la expresión:
iD   vGS  VP 
2

La corriente iD que circula cuando VGS es igual a cero y el

transistor está en estado activo, se denomina IDSS

I DSS  Vp2

IDSS es un parámetro que suele aparecer en las hojas de

características, junto con VP, de los cuales se puede deducir β
Tema 8.- Transistores de efecto de 16
campo
 Construcción
El FET consiste de una región de tipo n la cual tiene es su parte media dos
regiones de tipo p. Una terminal de la región n se llama Fuente (Sourse) y la
opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p están conectadas. La terminar de
las regiones p se llama Compuerta (Gate).
Drenaje (D)

Contactos óhmicos

Canal-n

p n p
Compuerta (G)

Región de
agotamiento

Fuente (S)
 VGS = 0 y VDS > 0

D +
Región de
ID
agotamiento
VDS

G
VDD
p n p

S IS 
Potencial dentro de FET
 Nivel de saturación
Voltaje de estrechamiento VP (pinch-off)
Para VDS>VP en FET tiene características de
fuente de corriente con ID = IDSS.
 VGS < 0

El nivel de VGS que da como

resultado ID = 0 mA se
encuentra definido por VGS
= VP siendo VP un valor
negativo para los
dispositivos de canal-n y un
voltaje positivo para los
FET de canal-p.
Características de FET de canal-n
 Resistor controlado por voltaje
La pendiente de las curvas en la región óhmica es función del
voltaje VGS, por tanto es un resistor controlado por voltaje.

ro
rd 
1  VGS / VP 
2

Donde ro es la resistencia con VGS = 0.

 Dispositivos de canal-p

Los voltajes de las fuentes

se invierten para el FET de
canal-p.
Las corrientes se definen
sentido contrario.
 Características del FET canal-p
La corriente en la región de ruptura está limitada solo por el
circuito externo.
 Símbolos

FET canal-n FET canal-p

Resumen
Características de transferencia
La relación entre ID y VGS está definida por la ecuación de
Shockley.

2
 VGS 
I D  I DSS 1  
 VP 

Las características de transferencia definidas por esta ecuación no

se ven afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.
La gráfica muestra que existe una relación parabólica entre ID y
VGS.
 Aplicaciones de la ecuación de
Shockley
2
 VGS 
I D  I DSS 1  
 VP 

Para las curvas anteriores podemos obtener:

I D  I DSS |VGS 0V

Con VGS = VP
ID = 0
Con VGS = 1 V
 1 
2 2
 1
I D  I DSS 1    8mA1    4.5mA
 4  4
La relación inversa de la ecuación de Shockley se obtiene con
facilidad

 ID 
VGS  VP 1  

 I Dss 

Para ID = 4.5 mA, IDSS = 8 mA y VP = 4 V, se obtiene

 4.5 
VGS  41    1V
 8 
 Método manual rápido
Tomando VGS = VP/2 se obtiene un valor para ID = IDSS/4
Con ID = IDSS / 2 se obtiene un valor para VGS = VP ( 0.293)
Más los puntos VGS = 0, ID = IDSS, y VGS = VP , ID = 0.
 Ejemplo
Trazar la curva para un FET de canal-p definida por IDSS = 4 mA y
VP = 3V
 Ejemplo
Trazar la curva definida por IDSS = 12 mA y VP = 6V
Hojas de especificación
Valores máximos
 Basic Current Relationships

For all FETs:

I G  0A
I D  IS

For JFETS and D-Type MOSFETs:

2
 V 
I D  I DSS  1  GS 
 VP 

For E-Type MOSFETs:

I D  k ( VGS  VT ) 2

37
 Fixed-Bias Configuration

VDS  VDD  I D R D
VS  0V
VC  VDS
V  VGS
VGS   VGG

38
Self-Bias Configuration

39
 Self-Bias Calculations
For the indicated loop, VGS   I D R S
To solve this equation:
• Select an ID < IDSS and use the component value of
RS to calculate VGS
• Plot the point identified by ID and VGS. Draw a
line from the origin of the axis to this point.
• Plot the transfer curve using IDSS and
VP (VP = VGSoff in specification sheets) and a few
points such as ID = IDSS / 4 and ID = IDSS / 2 etc.

The Q-point is located where the first line

intersects the transfer curve. Use the value
of ID at the Q-point (IDQ) to solve for the
other voltages:
VDS  VDD  I D ( R S  R D )
VS  I D R S
VD  VDS  VS  VDD  VRD

40
 Voltage-Divider Bias

IG = 0 A

ID responds to changes in
VGS.

41
 Voltage-Divider Bias Calculations
VG is equal to the voltage across
divider resistor R2:
R 2 VDD
VG 
R1  R 2

Using Kirchhoff’s Law:

VGS  VG  I D R S

The Q point is established by plotting

a line that intersects the transfer
curve.

42
 Voltage-Divider Q-point
Step 1
Plot the line by plotting two points:
•VGS = VG, ID = 0 A
•VGS = 0 V, ID = VG / RS

Step 2
Plot the transfer curve by plotting
IDSS, VP and the calculated values
of ID
Step 3
The Q-point is located where the
line intersects the transfer curve

43
 TRANSISTORES JFET
El transistor de efecto de campo de
unión (JFET: junction field-effect
transsitor) de canal N consiste en un
canal semiconductor de tipo N con
contactos óhmicos en cada extremo ,
llamados drenador y fuente (ó
surtidor).

A los lados del canal hay regiones de material semiconductor tipo P

Conectadas eléctricamente entre si y al terminal denominado puerta.
La unión PN entre puerta y el canal es similar a la unión PN de un
diodo.
En las aplicaciones normales , esta unión debe estar polarizada
inversamente.
Tema 8.- Transistores de efecto de 45
campo
 TRANSISTOR J-FET DE
CANAL N (CONT)

Cuanto mas negativa es la tensión inversa de polarización de una

unión PN, mas ancha se hace la zona de deplexión (no conductora,
libre de cargas),y por tanto en este caso mas se estrecha el canal
conductor
Tema 8.- Transistores de efecto de 46
campo
 TRANSISTOR J-FET DE
CANAL N (CONT)

Cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal,

decimos que ocurre un fenómeno llamado de estrangulamiento.
La tensión de estrangulamiento Vto (VP) es valor necesario de la
tensión puerta - canal para que desaparezca el canal conductor
Tema 8.- Transistores de efecto de 47
campo
 TRANSISTOR J-FET DE
CANAL N (CONT)

La tensión de estrangulamiento Vto (Vp), es el valor necesario de

la tensión puerta - canal para que desaparezca el canal conductor.
En los JFET de canal N ésta tensión es esencialmente negativa:
En funcionamiento normal, la tensión VGS debe ser: Vto<=VGS<=0
En los JFET de canal N, el drenador es positivo respecto a la
fuente.
La corriente entra por el drenador y sale por la fuente.
Como la resistencia del canal depende de la tensión puerta-fuente,
la corriente de drenador se controla con VGS
Tema 8.- Transistores de efecto de 48
campo
 CURVAS CARACTERÍSTICAS
DE UN JFET DE CANAL N

El J-FET es un dispositivo de tres estados:

Zona de corte si : vGS  VP  0 entonces: ID=IS=0
Zona óhmica si : VD  VG  VP VDG  VP
Zona de conducción : vGS  VP 
Zona activa si : VD  VG  VP  VDG  VP
El límite entre la zona óhmica y la activa viene marcada en viene
marcada por la igualdad VDG=-VP
Tema 8.- Transistores de efecto de 49
campo
 ZONAS DE
FUNCIONAMIENTO DE UN
El JFET esJFET DE
un dispositivo muyCANAL N
parecido a los MOSFET.
A tensiones VDS pequeñas, el dispositivo funciona como
una resistencia controlada por la tensión VGS
Cuando VDS alcanza tensiones suficientemente elevadas, es
decir cuando :
vDG  vDS  vGS  VP
Entonces polarización inversa de drenador es tan grande que el
canal se estrangula, y un incremento adicional de VDS no
afecta demasiado a la corriente de drenador, al igual que ocurre
con los transistores MOSFET, el JFET entra en el estado
activo, también llamado zona de saturación del canal. La
corriente se hace prácticamente constante
Tema 8.- Transistores de efecto de 50
campo
 ESTADO ÓHMICO DEL
TRANSISTOR
El JFET de canal JFET
N, se encuentra en el estado óhmico o zona
óhmica si:
VGS  VP y además : VDG  VP

Entonces, la corriente de drenador viene dada por la expresión:

iD   2  v GS  VP v DS v DS 
 2

W 4 Si
Donde β (K), tiene la expresión:   n
L 3tN D
W,L,t, son la anchura, longitud, y espesor del canal. µn la movilidad de los
electrones, ND la concentración del dopado, y εSi la constante dieléctrica del
silicio
Tema 8.- Transistores de efecto de 51
campo
 Resistencia del JFET
controlada
Si en la ecuación:
por tensión
i   2  v  V  v v  2
D GS P DS DS
vDS es tan pequeño que el término cuadrático es despreciable,
entonces:
iD  2  vGS  VP VDS 
1 1
vDS ; RN  JFET 
RN  JFET 2 vGS  VP 
Esta expresión se podrá considerar válida si: v  0,2v  V 
DS GS P

Discusión interpretativa:
Compare la definición dada de RN-JFET
con la de resistencia dinámica rd,JFET,:

1 iD

rd , JFET vDS I DQ ,VDSQ

Tema 8.- Transistores de efecto de 52

campo
 ESTADO ACTIVO DEL
TRANSISTOR
El JFET de canal JFET
N, se encuentra en el estado activo o zona de
saturación del canal si:
VGS  VP y además : VDG  VP (VP negativo en los JFET N)
Entonces, la corriente de drenador viene dada por la expresión:
iD   vGS  VP 
2

La corriente iD que circula cuando VGS es igual a cero y el

transistor está en estado activo, se denomina IDSS

I DSS  Vp2

IDSS es un parámetro que suele aparecer en las hojas de

características, junto con VP, de los cuales se puede deducir β
Tema 8.- Transistores de efecto de 53
campo
Chapter 7:
FET Biasing
Common FET Biasing Circuits

JFET Biasing Circuits

• Fixed – Bias
• Self-Bias
• Voltage-Divider Bias

D-Type MOSFET Biasing Circuits

•Self-Bias
•Voltage-Divider Bias

E-Type MOSFET Biasing Circuits

•Feedback Configuration
•Voltage-Divider Bias

56
 Basic Current Relationships

For all FETs:

I G  0A
I D  IS

For JFETS and D-Type MOSFETs:

2
 V 
I D  I DSS  1  GS 
 VP 

For E-Type MOSFETs:

I D  k ( VGS  VT ) 2

57
 Fixed-Bias Configuration

VDS  VDD  I D R D
VS  0V
VC  VDS
V  VGS
VGS   VGG

58
Self-Bias Configuration

59
 Self-Bias Calculations
For the indicated loop, VGS   I D R S
To solve this equation:
• Select an ID < IDSS and use the component value of
RS to calculate VGS
• Plot the point identified by ID and VGS. Draw a
line from the origin of the axis to this point.
• Plot the transfer curve using IDSS and
VP (VP = VGSoff in specification sheets) and a few
points such as ID = IDSS / 4 and ID = IDSS / 2 etc.

The Q-point is located where the first line

intersects the transfer curve. Use the value
of ID at the Q-point (IDQ) to solve for the
other voltages:
VDS  VDD  I D ( R S  R D )
VS  I D R S
VD  VDS  VS  VDD  VRD

60
 Voltage-Divider Bias

IG = 0 A

ID responds to changes in
VGS.

61
 Voltage-Divider Bias Calculations
VG is equal to the voltage across
divider resistor R2:
R 2 VDD
VG 
R1  R 2

Using Kirchhoff’s Law:

VGS  VG  I D R S

The Q point is established by plotting

a line that intersects the transfer
curve.

62
 Voltage-Divider Q-point
Step 1
Plot the line by plotting two points:
•VGS = VG, ID = 0 A
•VGS = 0 V, ID = VG / RS

Step 2
Plot the transfer curve by plotting
IDSS, VP and the calculated values
of ID
Step 3
The Q-point is located where the
line intersects the transfer curve

63
 Voltage-Divider Bias Calculations

Using the value of ID at the Q-point, solve for the other variables in the voltage-
divider bias circuit:

VDS  VDD  I D (R D  R S )
VD  VDD  I D R D
VS  I D R S
VDD
I R1  I R2 
R1  R 2

64