CAPÍTULO 2

2.1. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO “FET”

Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de estado sólido en los cuales un
campo eléctrico controla el flujo de portadores en un “canal” de conducción en un material
semiconductor. Los FETs tienen tres terminales, denominados puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source).

Los FET, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje y al igual que los
bipolares, los FETs pueden funcionar como fuentes dependientes de corriente (amplificadores,
electrónica analógica) o como interruptores controlados (electrónica digital). Sin embargo, los FETs
suelen dar lugar a circuitos más sencillos debido a que ocupan menos espacio que los BJT. Por otra
parte su resistencia de entrada es elevada y consumen poca potencia, siendo utilizados en los circuitos
integrados.

También se usan en circuitos de alta frecuencia (microondas), especialmente los MESFET de

arseniuro de galio, los cuales tienen un tiempo de respuesta rápido debido a la alta movilidad de los
electrones en este material.

Una desventaja de los FETs con respecto a los bipolares es su menor ganancia de amplificación.
A diferencia de los BJT, los FETs son unipolares debido a que utilizan un solo tipo de carga para
transportar la corriente. [Sanchez, 2004]

2.1.1. Clasificación de los FET

Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los transistor de efecto campo de
unión JFET, los transistores de metal oxido semiconductor de efecto de campo MOSFET y los transistor
de efecto campo de unión metal-semiconductor MESFET. En el cuadro 2.1 se muestra la clasificación de
estos FETs.

17
 Cuadro 2.1. Clasificación de los Transistores de Efectos de Campo, FET. Fuente: M. Simanca.

Transistor Canal n
de efecto campo
Compuerta de unión
de Unión (JFET) Canal p

Transistor de efecto campo de unión metal-semiconductor

(MESFET)

CANAL N
Acumulación (NMOS)
o
Enriquecimiento
Transistores CANAL P
De metal oxido (PMOS)
Compuerta Semiconductor
Aislada De efecto
Campo
CANAL N
(MOSFET) Deplexión
o
Empobrecimiento
CANAL P

2.2. TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIÓN (JFET)

En la Figura 2.1 se representa la construcción básica de un JEFT de canal n. Se observa como la

mayor parte de la estructura es de material tipo n ligeramente dopado formando un canal en ambos
extremos (terminales de Drenador y de Fuente). Este canal se encuentra entre dos regiones de
compuerta tipo p+ (fuertemente dopado) que constituyen los terminales de la compuerta.

En algunos casos los dos terminales de puerta están accesibles (JFET de doble puerta) aunque
lo más habitual es que ambos terminales estén cortocircuitados teniendo un único terminal de puerta
(dispositivo de tres terminales). En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen
están sin polarizar. El resultado es una región de vaciamiento o zona de deplexión, la cual es una región
en donde no existen portadores de carga.
18
 Figura 2.1. Estructura Básica del JFET canal n. (a) JFET de doble puerta. (b) JFET de tres terminales.
Fuente: M. Simanca

Los terminales de un JFET son los siguientes:

D = Drenador: (Drain). Terminal por el que salen los portadores (los electrones en el JFET de canal n y
los huecos en el de canal p)
S = Fuente: (Source). Terminal por el que entran los portadores de carga.
G = Puerta: (Gate). Terminal que controla la corriente de portadores a través del canal.

Al hablar del JFET se hará el estudio del JFET de canal n, para el caso del JFET de canal p el
estudio sería completamente análogo y en el momento de hacer referencia a ellos se especificará que se
trata de un JFET canal p.

Para explicar el funcionamiento del transistor JFET se aplican las tensiones VGS y VDS tal y como
se muestra en la figura 2.2.a. Si se considera la tensión VGS = 0 y se aplica tensión VDS entre los
extremos del canal aumentando su valor desde 0. Inicialmente los terminales de fuente y puerta están al
mismo potencial, por tanto la zona de deplexión del lado de la fuente será semejante a la que tiene en
condiciones de no polarización. Cuando se aplique una tensión VDS, los electrones se verán atraídos
hacia el lado del drenador, estableciéndose una corriente ID en el sentido mostrado en la figura 2.3. Bajo
estas condiciones las corrientes ID e IS serán iguales y se verán únicamente limitadas por la resistencia
eléctrica que presenta el canal entre el drenador y la fuente. Es importante notar que ambas uniones p-n
se encuentran polarizadas en inversa, con lo cual la corriente será prácticamente nula.
19
 Figura 2.2. Polarización del JFET Fuente: M. Simanca

Cuando se aplica una tensión VDS, las uniones p-n están más inversamente polarizadas en la
zona del drenador que en la zona de la fuente, por lo que la anchura efectiva del canal será menor en la
parte del drenador que en la parte de la fuente. (ver fgura 2.3)

Figura 2.3. Efecto de la tensión VDS. El canal se estrecha de la zona del drenador. Fuente: M. Simanca

Para valores pequeños de la tensión VDS aplicada el estrechamiento del canal no será importante
por lo que el dispositivo se comporta como una resistencia, de forma que la relación entre la tensión
aplicada y la corriente que circula por el dispositivo será lineal tal y como establece la Ley de Ohm. Sin
embargo, a medida que se aumenta la tensión aplicada, el estrechamiento del canal se va haciendo más
importante, aumentando la resistencia con un menor incremento en la corriente ante un mismo
incremento de la tensión aplicada.

20
 Figura 2.4. Característica ID - VDS con VGS = 0. Fuente: M. Simanca

En la figura 2.4 se muestra la característica ID vs VDS del JFET canal n con VGS=0, en eta figura
se puede observar que si se continúa aumentando la tensión VDS, el canal se estrecha cada vez más,
especialmente cerca de la zona del drenador, hasta que ambas zonas de deplexión se tocan.la pendiente
de la curva (ID - VDS) se satura, haciéndose aproximadamente cero, manteniéndose la corriente ID
prácticamente constante a un valor denominado IDSS que es la máxima corriente que se puede tener para
un determinado JFET.
21
 En la figura 2.5 se muestra diversas curvas cuando el JFET está trabajando en la región óhmica.
Si VDS = 0, para valores de VGS< 0, las uniones p-n están polarizadas inversamente. Una polarización
inversa de dichas uniones incrementa el ancho de la zona de deplexión disminuyendo la anchura efectiva
del canal n. Por tanto la resistencia del canal aumenta, de manera que en la zona de comportamiento
óhmico, es decir, para valores pequeños de la tensión VDS aplicada donde la relación ID - VDS es lineal, la
pendiente será tanto menor cuanto más negativa sea VGS .

Figura 2.5. La tensión VGS modula la anchura del canal. Fuente: M. Simanca

En la figura 2.6 se puede observar el efecto que se produce cuando VGS = VGSoff. Para tensiones
VGS suficientemente negativas, podría llegar a cerrar por completo el canal, aun cuando VDS = 0. Esto
sucede cuando la tensión VGS disminuye por debajo del valor VGSoff (voltaje de estrechamiento) que indica
el valor de tensión por debajo del cual el canal está completamente cerrado sin posibilidad de circulación
de corriente por mucho que se aumente la corriente VDS (Salvo que dicha tensión sea lo suficientemente
elevada para perforar las uniones p-n polarizadas en inversa y alcanzar la zona de ruptura).

Figura 2.6. La tensión VGS modula la anchura del canal. Cuando VGS = VGSoff el canal se cierra por completo.
Fuente: M. Simanca

22
 En la Figura 2.7.a se representan las curvas características de salida para un JFET de canal n.
En esta figura se representa la corriente de drenador, ID, frente a la tensión drenador – fuente, VDS, para
distintos valores de la tensión puerta – fuente, VGS. El valor de la tensión VDS para el que se produce la
saturación de la corriente de drenador cuando VGS = 0, está representado como VP (VGSoff).

(a)

(b)
Figura 2.7. Características ideales de un JFET de canal n. (a) Características de salida. (b)
Características de transferencia Fuente: M. Simanca
23
 Para otros valores de VGS el valor de la tensión VDS para el que se producirá la saturación de la
corriente de drenador vendrá dado por la expresión VDSsat = VGS – VP. Es decir, cuanto más negativa sea
la tensión VGS antes se alcanzará la condición de saturación, o de otra forma, el canal se “estrangulará”
para valores menores de la tensión VDS. Se pueden distinguir cuatro zonas de operación:

• Zona de corte o de no conducción: No existe corriente de drenador, ID=0.

• Zona óhmica o de no saturación: ID crece proporcionalmente a VDS para la misma VGS. El transistor
es una resistencia variable dependiente de VGS.
• Zona de saturación o de corriente constante: ID deja de crecer y se hace constante- ID solo depende
de VGS. El transistor se comporta como una fuente de corriente dependiente de VGS.
• Zona de ruptura: Se alcanzó la tensión de ruptura, (característico de cada unión y que suele ser
proporcionado por el fabricante en sus hojas de características) la unión se perfora, produciéndose
la ruptura del dispositivo.

La forma gráfica de la corriente de salida ID y el voltaje de entrada VGS recibe el nombre de curva
de transferencia y se muestra en la figura 2.7.b. El término cuadrático presente en la ecuación de ID, para
el estado activo, (ver tabla 2.2) dará por resultado una relación no lineal entre ID y VGS, produciendo una
curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de VGS.

Tabla 2.2. Funcionamiento para JFET canal n. Ecuación de ID según su estado. Fuente: M. Simanca
Estado Ecuación
Corte VGS< VP 0

Activo VGS> VP VDG>−VP V V

Óhmico VGS> VP VDG<−VP 2 V V

24
 2.3 TRANSISTORES DE METAL-OXIDO
METAL SEMICONDUCTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET)

2.3.1 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO O ACUMULACIÓN

El mosfet de enriquecimiento está formado por una zona de material semiconductor tipo p en la
que aparecen dos zonas tipo n+ con contactos metálicos a los terminales de drenador y fuente (ver figura
2.8).. El terminal de puerta está aislado con una capa de material aislante, en este caso óxido de silicio.
Es precisamente debido a esta estructura de dónde le viene el nombre al dispositivo de Metal – Óxido –
Semiconductor (MOS). Además, este dispositivo tendría
ría un cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS),
aunque habitualmente éste se encuentra conectado a la fuente.

Figura 2.8.. Estructura básica del MOSFET de acumulación canal n. Fuente: M. Simanca

Los transistores MOSFET de enriquecimiento de canal n se polarizan aplicando una tensión

positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensión positiva entre puerta y fuente (VGS), como se muestra
en la figura 2.9.a. De esta forma, la corriente circulará en el sentido de drenador a fuente. En el caso del
MOSFET de acumulación de canal p la tensión VDS a aplicar debe ser negativa y la tensión VGS negativa,
de esta forma la corriente fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador.

Figura 2.9.. Polarización del MOSFET de acumulación. Fuente: M. Simanca

25
 Para el MOSFET de enriquecimiento de canal n si VGS = 0; aunque se aplique una tensión VDS no
circulará corriente por el dispositivo, ya que la unión de drenador está polarizada en inversa. Sin
embargo, cuando VGS>0 aparece un campo eléctrico que lleva a los electrones hacia la zona de la puerta
y aleja de dicha zona a los huecos. Para valores pequeños de esta tensión VGS aplicada se creará una
zona de carga sin portadores. Si se sigue aumentando el valor de esta tensión, la acumulación de
electrones se hará importante como para decir que se tiene una zona n, es decir, se formará un canal de
tipo n que unirá los terminales de drenador y fuente (Figura 2.10.).

Figura 2.10. Efecto de VGS. a) VGS = 0 b) VGS> 0. (c) Comienza a formarse el canal. (d) Canal formado.
Fuente: M. Simanca

De esta forma, cuanto mayor sea la tensión VGS aplicada mayor será la anchura del canal
formado, es decir, de nuevo se tiene un efecto de modulación de anchura del canal con la tensión VGS.

26
 En la Figura 2.10.c se muestra que al estar los terminales de fuente, sustrato y drenador a la
misma tensión (por ser VDS = 0) las tensiones VGS y VGD serán iguales, y por lo tanto el canal será
simétrico respecto de la puerta.

Con la tensión VGS se puede modular la anchura del canal, pero no basta con que esta tensión
sea positiva, sino que deberá superar un determinado nivel de tensión. A esta tensión umbral a partir de
la cual hay canal formado que permite la circulación de corriente entre el drenador y la fuente se le suele
llamar VT (tensión umbral). Aunque en realidad tiene el mismo significado que la tensión VGSoff vista para
el transistor JFET, ya que en ambos caso se trata del valor mínimo de tensión para que exista un canal
que permite la circulación de corriente.

En la figura 2.11 se muestra el efecto de la tensión VDS. Si una vez que se ha formado el canal se
aplica una tensión positiva, por el canal circulará una corriente ID en el sentido del drenador hacia la
fuente. En la relación de tensiones VDS = VGS - VGD, al ser VDS> 0 se tiene que VGD< VGS; por lo tanto la
anchura del canal será menor del lado del drenador.

Figura 2.11. Efecto de la tensión VDS. El canal se estrecha más de la zona del drenador. Fuente: M. Simanca

Para valores de tensión VDS pequeños, el estrechamiento del canal no será importante, por lo
que la relación entre la tensión aplicada y la corriente que circula será lineal tal y como establece la Ley
de Ohm.

27
 Figura 2.12. Característica ID - VDS para una valor de VGS constante. Fuente: M. Simanca

A medida que el valor de VDS aumente, el estrechamiento comienza a ser importante, variando la
resistencia que presenta el canal y perdiendo la linealidad de la característica. Hasta que la tensión VDS
alcance el valor de VDSsat, momento en el cual el canal se habrá cerrado por completo. A partir de este
instante, si se sigue aumentando la tensión VDS, por encima de este valor VDSsat, la corriente ID se
mantiene constante. (ver figura 2.12)

28
 En la Figura 2.13 se muestran las curvas características de salida y de transferencia de un
transistor MOSFET de enriquecimiento.

(a)

(b)
Figura 2.13. Características ideales de MOSFET de enriquecimiento de canal n. (a) Características de
salida. (b) Características de transferencia Fuente: M. Simanca
29
 En la figura 2.14 se muestra el efecto de la tensión VGS para pequeños valores de VDS. Si se
aplican valores de tensión VDS pequeños, la relación entre la corriente ID y la tensión VDS aplicada será
lineal, es decir, de nuevo el dispositivo se comporta como una
un resistencia cuyo valor dependerá de la
anchura del canal y por lo tanto de la tensión VGS.

Figura 2.14.. La tensión VGS modula la anchura del canal. Fuente: M. Simanca

Igualmente, existen 4 zonas de funcionamiento del transistor:

• Zona de corte o de no conducción.

• Zona óhmica o de no saturación.
• Zona de saturación o de corriente constante.
• Zona de ruptura.

2.3.2 MOSFET DE DEPLEXION

Como se observa en la Figura 2.15 la estructura básica para un MOSFET de deplexión es similar
al caso del MOSFET de enriquecimiento,
enriquecimiento pero en este caso se dispone de un canal inicial realizado en el
proceso de fabricación del dispositivo.

Figura 2.15.. Estructura básica del MOSFET de deplexión canal n. Fuente: M. Simanca
30
 Los transistores MOSFET de deplexión de canal n se polarizan aplicando una tensión positiva
entre drenador y fuente (VDS) y una tensión entre puerta y fuente (VGS) que puede ser negativa o positiva;
el circuito de polarización se muestra en la figura 2.16.a. De esta forma, la corriente circulará en el
sentido de drenador a fuente. En el caso del MOSFET de deplexión de canal p la tensión VDS a aplicar
debe ser negativa y la tensión VGS positiva o negativa, de esta forma la corriente fluirá en el sentido de la
fuente hacia el drenador. Se analizará el funcionamiento del MOSFET de deplexión tipo n y se
especificará cuando sea tipo p.

Figura 2.16. Polarización del MOSFET de deplexión. Fuente: M. Simanca

En este caso, si se aplica una tensión VGS> 0, (ver figura 2.17) se atraerán más electrones hacia
la zona de la puerta y se repelerán más huecos de dicha zona, por lo que el canal se ensanchará. Por lo
tanto, para valores VGS> 0 el MOSFET de deplexión tiene un comportamiento similar al de
enriquecimiento. Si por el contrario se aplican valores VGS< 0 el efecto será el contrario, disminuyéndose
la anchura del canal. En definitiva, se vuelve a tener de nuevo un efecto de modulación de la anchura de
un canal en función de una tensión aplicada VGS. Sin embargo, si se sigue disminuyendo el valor de VGS
podrá llegar un momento en que el canal desaparezca por completo, esto sucederá cuando VGS
disminuya por debajo de un valor VGSoff. En cuanto al efecto de la tensión VDS se tendría exactamente lo
mismo que en los dos casos analizados anteriormente.

31
 Figura 2.17.. Funcionamiento del MOSFET de deplexión cana
canal n. Fuente: M. Simanca

En la figura 2.18 se muestra la curva característica de transferencia y las curvas de salida de un

MOSFET de deplexión canal n.

Figura 2.18 MOSFET de deplexión canal n. (a) Característica de Transferencia. (b) Características de
salida. Fuente: M. Simanca

32
 También existen 4 zonas de funcionamiento del transistor:

• Zona de corte.
• Zona óhmica.
• Zona de saturación.
• Zona de ruptura.

En la tabla 2.3 se indican las ecuaciones para la corriente de drenador, ID, dependiendo del
estado en el cual este trabajando el transistor.

Tabla 2.3. Funcionamiento para los MOSFET canal n. Fuente: M. Simanca

Estado Ecuación
Corte VGS < 0

Activo VGS> VDG>− V

Óhmico VGS> VDG <− 2 V

2.3. EFECTO EARLY, RESISTENCIA DE SALIDA

Para incluir el efecto de la modulación de la longitud del canal se añade el parámetro λ cuyo
inverso nos proporciona la tensión Early

1 1 λ (2.1)

La resistencia de salida ro:

!"#
λ 1 $λ % &' (
(2.2)
! # "#

33
2.4. MODELO EN PEQUEÑA SEÑAL DE LOS FETS

2.4.1 Pequeña señal

Para analizar el comportamiento en señal de un transistor FET se requiere el desarrollo de un

modelo para pequeña señal de los mismos; para esto se considera que el transistor esta polarizado en su
zona activa y se le aplica una señal a amplificar; por lo tanto las variables de interés estarán compuesta
por un término DC y otro variable de señal, es decir: iD(t) = id(t) +ID y vGS(t) = vgs(t) +VGS.

) * + , -./ * 0 (2.3)

Desarrollando el polinomio:
) * , 2 , -./ * -./ * (2.4)

Simplificando:
) * , 1 , -./ * -./ * )' * 2 (2.5)

Se debe cumplir que la corriente ) * este formada por una componente DC y otra componente
de señal:
) * )' * (2.6)

Para simplificar el tercer término que resulta del desarrollo del polinomio se debe cumplir que ese
término debe ser mucho menor que el término de señal de manera que se pueda despreciar en la
ecuación; quedando:
-./ * 31 , -./ * (2.7)

-./ * 3 2 , (2.8)

La señal -./ * que se puede aplicar en los FET debe ser mucho menor que 2 ,

para evitar que la señal de salida este distorsionada.

34
 El circuito equivalente de pequeña señal de un transistor FET se puede obtener a través de la
teoría de redes de dos puertas. Sin embargo, al ser dispositivos controlados por tensión, el modelo dos
puertas más adecuado es el de parámetros {Y}, ya que relacionan las corrientes de salida con tensiones
de entrada.

La figura 2.19 representa el modelo de pequeña señal de un FET constituido por dos parámetros:
gm, transconductancia, y rd, resistencia de salida o de drenador.

Figura 2.19. Modelo de pequeña señal de un transistor FET. Fuente: M. Simanca

Estos parámetros dependen de la corriente de polarización del transistor (ID), y el fabricante

proporciona las curvas que permiten extraer sus valores en diferentes condiciones de polarización.

A continuación se describe con más detalle los parámetros 45 y rd.

Como pequeña señal implica proyección sobre tangentes que aproximen la curva del dispositivo
cerca del punto Q, la transconductancia se define como: ¨[Malik]

45 6
!7
9 (2.9)
!8 : ; <

Lo que para los MOSFET canal n

6
! / > ? @ A
45 9 1 -, (2.10)
!> : ;<

35
 Sustituyendo (vGS-VT) en la ecuación:

, , (2.11)

se obtiene:
45 B21 (2.12)

Para el JFET canal n el 45 se puede determinar según las siguientes ecuaciones:

45 2 -, : ; (2.13)
ó 45 B4 (2.14)

2.5. CONFIGURACIONES AMPLIFICADORAS

Existen tres configuraciones amplificadoras básicas para los FET de una sola etapa,
dependiendo de donde se introduzca la señal de entrada y donde se considere la señal de salida:
amplificador en fuente común, en compuerta común y en drenaje común. Para todo amplificador se debe
conocer: la ganancia, impedancia de entrada, impedancia de salida y ancho de banda y todos estos
parámetros se miden en pequeña señal.

2.5.1 Configuración Fuente Común

En la figura 2.20a se muestra un circuito amplificador, en configuración fuente común, al que se

le realizara el análisis en pequeña señal. Primero se debe representar el circuito para análisis de señal,
eliminando la fuente de polarización DC, figura 2.20.b.

36
 Figura 2.20. (a) Configuración Fuente Común. (b) Circuito para análisis en señal. Fuente: M. Simanca

Para facilitar los cálculos, en la figura 2.21 se muestra un circuito equivalente para pequeña señal
del circuito a analizar en el cual no se considera el efecto Early, es decir sin considerar a rd.

Figura 2.21. Circuito equivalente para análisis en pequeña señal. Fuente: M. Simanca

A continuación se realiza los cálculos de impedancia de entrada, impedancia de salida, la

ganancia de voltaje y la ganancia de corriente para el circuito de la figura 2.20.

Calculo de la Impedancia de Entrada:

Debido al aislamiento de la compuerta en los transistores FET la resistencia de entrada en la

compuerta se puede asumir ∞ por lo que:
-E
DE F,
)E

37
Calculo de la Impedancia de Salida:

Si no se considera el efecto Early, &' (

(donde G es voltaje Early) los transistores FET la
"#

resistencia de salida desde el drenador se puede asumir ∞ por lo que:

-;
D; F
);

Calculo de la Ganancia de Voltaje:

La ganancia de voltaje está definida por la relación entre el voltaje de salida y de entrada del
>I
circuito, H
>J

-; )' F 45 -./ F
-E -./
Por lo tanto:
-;
H 45 F
-E

Calculo de la Ganancia de Corriente:

La ganancia de corriente está definida por la relación entre la corriente de salida y de entrada del
EI
circuito, HE . El cálculo de Ai se puede realizar analizando el circuito con la relación entre la corriente
EJ

de salida y vgs y luego la relación entre vgs y la corriente de entrada o también se puede realizar utilizando
la ley de Ohm en la fuente y en la carga.

EI EI >KL
(a) HE ·
EJ >KL EJ
NI
EI O# P > P
(b) HE EJ
NJ
P#
· >I P#
· H>
O J

38
2.5.2 Configuración Fuente Común con Resistencia en la Fuente.

En la figura 2.22.a se muestra un circuito amplificador, en configuración fuente común con

resistencia en la fuente, al que se le realizara el análisis en pequeña señal. Primero se debe representar
el circuito para análisis de señal, eliminando la fuente de polarización DC, figura 2.22.b.

Figura 2.22. (a) Configuración Fuente Común con Rs. (b) Circuito para análisis en señal. Fuente: M.
Simanca

Para facilitar los cálculos, en la figura 2.23 se muestra un circuito equivalente para pequeña señal
del circuito a analizar.

Figura 2.23 Circuito equivalente para análisis en pequeña señal. Fuente: M. Simanca

A continuación se realiza los cálculos de impedancia de entrada, impedancia de salida, la

ganancia de voltaje y la ganancia de corriente para el circuito de la figura 2.23.
39
Calculo de la Impedancia de Entrada:

Debido al aislamiento de la compuerta en los transistores FET la resistencia de entrada en la

compuerta se puede asumir ∞ por lo que:
-E
DE F,
)E
Calculo de la Impedancia de Salida:

Si no se considera la resistencia de salida &' (

los transistores FET la resistencia de salida
"#

desde el drenador se puede asumir ∞ por lo que:

-;
D; F
);
Calculo de la Ganancia de Voltaje:

La ganancia de voltaje está definida por la relación entre el voltaje de salida y de entrada del
>I
circuito, H
>J

-; )' F 45 -./ F
-E -./ 45 -./ F

Por lo tanto:
-; 45 F
H
-E 1 45 F

Calculo de la Ganancia de Corriente:

La ganancia de corriente está definida por la relación entre la corriente de salida y de entrada del
EI
circuito, HE EJ
. El cálculo de Ai se puede realizar analizando el circuito con la relación entre la corriente

de salida y vgs y luego la relación entre vgs y la corriente de entrada o también se puede realizar utilizando
la ley de Ohm en la fuente y en la carga.

40
 EI EI >KL
(a) HE ·
EJ >KL EJ
NI
EI O# P > P
(b) HE EJ
NJ
P#
· >I P#
· H>
O J

2.5.3 Configuración Compuerta Común

En la figura 2.24.a se muestra un circuito amplificador, en configuración compuerta común, al que

se le realizara el análisis en pequeña señal. Primero se debe representar el circuito para análisis de
señal, eliminando la fuente de polarización DC, figura 2.24.b.

Figura 2.24. (a) Configuración compuerta Común. (b) Circuito para análisis en señal. Fuente: M. Simanca

Para facilitar los cálculos, en la figura 2.25 se muestra un circuito equivalente para pequeña señal
del circuito a analizar.

Figura 2.25. Circuito equivalente para análisis en pequeña señal. Fuente: M. Simanca
41
 A continuación se realiza los cálculos de impedancia de entrada, impedancia de salida, la
ganancia de voltaje y la ganancia de corriente para el circuito de la figura 2.25.

Calculo de la Impedancia de Entrada:

En la figura 2.26 se muestra un circuito equivalente en el que se añadió una fuente de prueba
para facilitar el cálculo de la resistencia de entrada:
-: -./
-./
)Q 45 -./
F
-: F 1
F //
)Q 1 45 F 45

Figura 2.26. Circuito equivalente para el cálculo de la resistencia de entrada. Fuente: M. Simanca

-: 1
DE F //
)Q 45

Calculo de la Impedancia de Salida:

Si no se considera la resistencia de salida &' (

los transistores FET la resistencia de salida
"#

desde el drenador se puede asumir ∞ por lo que:

-;
D; F
);
Calculo de la Ganancia de Voltaje:

La ganancia de voltaje está definida por la relación entre el voltaje de salida y de entrada del
>I
circuito, H
>J

-; )' F 45 -./ F
-E -./
42
Por lo tanto:
-;
H 45 F
-E

Calculo de la Ganancia de Corriente:

La ganancia de corriente está definida por la relación entre la corriente de salida y de entrada del
EI
circuito, HE EJ
. El cálculo de Ai se puede realizar analizando el circuito con la relación entre la corriente

de salida y vgs y luego la relación entre vgs y la corriente de entrada o también se puede realizar utilizando
la ley de Ohm en la fuente y en la carga.

EI EI >KL
(a) HE ·
EJ >KL EJ
NI
EI O# SJ >I SJ
(b) HE NJ · · H>
EJ P# >J P#
RJ

2.5.4 Configuración Drenaje Común

En la figura 2.276.a se muestra un circuito amplificador, en configuración fuente común, al que se

le realizara el análisis en pequeña señal. Primero se debe representar el circuito para análisis de señal,
eliminando la fuente de polarización DC, figura 2.27.b.

Figura 2.27. (a) Configuración Drenaje Común (b) Circuito para análisis en señal. Fuente: M. Simanca
43
 Para facilitar los cálculos, en la figura 2.28 se muestra un circuito equivalente para pequeña señal
del circuito a analizar.

Figura 2.28. Circuito equivalente para análisis en pequeña señal. Fuente: M. Simanca

A continuación se realiza los cálculos de impedancia de entrada, impedancia de salida, la

ganancia de voltaje y la ganancia de corriente para el circuito de la figura 2.28.

Calculo de la Impedancia de Entrada:

Debido al aislamiento de la compuerta en los transistores FET la resistencia de entrada en la

compuerta se puede asumir ∞ por lo que:
-E
DE F,
)E

Calculo de la Impedancia de Salida:

En la figura 2.29 se muestra un circuito equivalente en el que se añadió una fuente de prueba
para facilitar el cálculo de la resistencia de salida:
-: -./
-./
)Q 45 -./
F
-: F 1
F //
)Q 1 45 F 45

Figura 2.29. Circuito equivalente para el cálculo de la resistencia de salida. Fuente: M. Simanca
44
 -: 1
D; F //
)Q 45

Calculo de la Ganancia de Voltaje:

La ganancia de voltaje está definida por la relación entre el voltaje de salida y de entrada del
>I
circuito, H >J

-; )' F 45 -./ F
-E -./ -; -./ 45 -./ F

Por lo tanto:
-; 45 F
H $1
-E 1 45 F

Calculo de la Ganancia de Corriente:

La ganancia de corriente está definida por la relación entre la corriente de salida y de entrada del
circuito. El cálculo de Ai se puede realizar analizando el circuito con la relación entre la
corriente de salida y vgs y luego la relación entre vgs y la corriente de entrada o también se puede realizar
utilizando la ley de Ohm en la fuente y en la carga.

EI EI >KL
(a) HE ·
EJ >KL EJ
NI
EI O P >I P
(b) HE NJ · · H>
EJ P >J P
O

45
2.6.. EJEMPLO DE POLARIZACION DEL FET.

A continuación se muestra un ejemplo del cálculo del punto de operación de un transistor JFET
canal n. Para resolverlo se debe asumir una región de trabajo del transistor y verificar luego que
realmente está trabajando en ese estado, de lo contrario se deberá resolver nuevamente para otro
estado.

Ejercicio: Determinar el punto de operación del transistor FET de la siguiente figura. Datos: IDSS=5mA
VP=-4V.

Solución:
a) Región de trabajo asumida: SATURACION
b) Ecuación para la corriente

donde

c) Cálculos:

Voltaje Thevenin en la compuerta del JFET:

Parámetro β del JFET:

46
 Voltaje en los terminales del JFET:

Corriente del JFET:

0,3125W 6 · 3,3Y 4 0,3125W 10 · 3,3Y
3,4Z10[ · 20,6 · 31,25Z10?[
3,4Z10[ · 21,6 · 31,25Z10?[ 0
\ 3,4Z10[ ] 21,6^ 31,25Z10?[
] _ √] 4\^
2\
Posibles soluciones:
4,1WH , 6 · 3,3Y 7,63 (1)
2,2WH , 6 · 3,3Y 1,6 (2)

, , 15 · 1,8Y 6 9 · 1,8Y
Para , 1,08
Para , 5,04

d) Verificar el estado: Para que este en la región activa se debe cumplir que VGS> VP y VDG> −VP;
esta condición se cumple para la corriente ID2, por lo tanto la corriente de drenador ID = 2,2mA.
15 1,81 3,31 15 · 5,11 15 11,22 3,78

y el punto de operación es:

d ; 2,2WH; 3,78

Si ningún resultado da en la región activa es porque lo que se asumió al principio estaba erróneo
y se debe repetir los cálculos para la región lineal; pero para utilizar un transistor FET como amplificador
se debe verificar que esté trabajando en su región activa o de saturación.

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2.7. PROBLEMAS PROPUESTOS.

Ejercicio 1. En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal: La Ganancia de

tensión referida al generador de señal de entrada AV=VO/VS y la Impedancia de entrada ZIN. Considerar
que VDD=15V, RS=600Ω, RG=100kΩ, RS1=1kΩ, RS2=1kΩ y RL=22kΩ, siendo los parámetros del
transistor JFET utilizado, en pequeña señal, gm=10mA/V, rd=500kΩ.

Ejercicio 2. En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:

• Ganancia de tensión referida al generador de señal de entrada AV=VO/VS
• Impedancia de entrada ZIN.
• Impedancia de salida ZOUT
Considerar que VDD=15V, RG1=820kΩ, RG2=100kΩ, RG3=1MΩ, RD=2.2kΩ, RS=1kΩ, RI =600 Ω y
RL=10kΩ, siendo los parámetros del transistor: gm=2.6mA/V, rd=100kΩ.

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