Fundamentos de Electrónica Industrial

(507102002)

Tema 4
El transistor bipolar (BJT)
Ana Toledo Moreo
ana.toledo@upct.es

Área de Tecnología Electrónica

Índice El transistor bipolar
• Introducción
• Estructura y funcionamiento
• Curvas características
• Modelos
• Datos del fabricante
• Análisis en DC de circuitos con BJT
• Aplicaciones
El transistor
Los transistores, se introdujeron hace 75 años y son uno de los inventos más
importante del siglo XX

INTEL Core i9-11900K

17000 millones de
transistores
El transistor
Debido a que son uno de los componentes más utilizados en el mundo de la electrónica existen
diferentes tipos de transistores
A pesar de que se utilizan los mismos materiales semiconductores (N y P) la estructura de cada
tipo cambia

Tipos de transistores

NPN
BJT (Bipolar JunctionTransistor)
Se controlan por corriente
PNP
Canal P
JFET (Junction Field
Effect Transistor) Canal N

FET (Field Effect

Transistor) MESFET (Metal
Semiconductor Effect Transistor) Canal P
Se controlan por
voltaje Acumulación
Canal N

MOSFET (Metal Oxido

Semiconductor Field Effect Canal P
Transistor) Deplexión
Canal N
Estructura de un transistor bipolar (BJT)
El BJT se construye con tres regiones semiconductoras:
• Emisor (E), fuertemente dopado
• Base (B), ligeramente dopada y muy delgada
• Colector (C), de extensión mucho mayor
Se crean dos uniones PN
El diseño real de un transistor es altamente asimétrico, de tal forma que la superficie de
contacto base-colector es muy superior a la base-emisor. Además, el dopado del emisor es
mucho mayor que el del colector
Tipos de transistores bipolares  NPN: Emisor (N), Base (P), Colector (N)
 PNP: Emisor (P), Base (N), Colector (P)

NPN PNP
Símbolo Símbolo
 Estructura y funcionamiento
Principio de funcionamiento, símil hidráulico
Un grifo puede operar en tres regiones:
Paso bloqueado: Impide el paso de caudal. Los terminales de potencia
deben soportar el salto de presión sin permitir el paso de agua
Terminales Terminal de
de potencia control
Paso libre: El caudal queda impuesto QV
por las condiciones de la red de
suministro, no por el grifo, que supone
Paso libre
una pérdida de presión despreciable Zona de caudal
QV regulado
QV Caudal controlado: La relación entre el
caudal y la caída de presión depende
ΔP del grado de apertura del grifo
Paso bloqueado
ΔP

Un transistor puede operar en tres regiones:

i
Terminales
de potencia
Circuito abierto: Impide el paso de corriente entre los terminales de
C potencia. Debe soportar la tensión aplicada por el circuito
Terminal
de control Cortocircuito: La corriente depende del
i
v resto del circuito, el componente apenas

Cortocircuito
B ofrece resistencia (caída de tensión Zona Activa
despreciable) (corriente controlada)

E Zona activa: La relación entre la corriente y

i la tensión depende del terminal de control
Circuito abierto v
Estructura y funcionamiento
Principio de funcionamiento del transistor NPN
Cuando polarizamos en inversa la unión B-C, se produce un flujo reducido de
portadores minoritarios (huecos en zona N y electrones en zona P)

N P↓ N↑↑

C E

e-
B

N P↓ N↑↑ Cuando polarizamos en directa la

unión B-E, se produce un flujo de
C E portadores mayoritarios (huecos en
zona P y electrones en zona N)
limitado por el débil dopado de la
e- zona P
B
 Estructura y funcionamiento
Principio de funcionamiento del transistor NPN
𝑖𝑖C Al polarizar ambas uniones, se produce el efecto del BJT:
C Una débil corriente B-E permite una fuerte corriente C-E

N- e-
𝑖𝑖B
P N P↓ N ↑↑
B
N+
C E
E
𝑖𝑖E
B

• Los electrones en exceso cruzan la unión B-E y no encuentran huecos para

recombinarse, se convierten en portadores “minoritarios” en la base (B)
• Debido al bajo espesor de la base (B), los e- pasan fácilmente al colector (C)
• El fuerte dopado del emisor y la geometría del transistor consiguen que la
relación entre la corriente C-E y la corriente B-E sea mayor de100, que es una
de las características deseadas para un transistor
Curvas características
Transistor NPN
Calcularemos 3 tensiones y 3 corrientes:
IB ,IC ,IE
VBE, VCE , VCB

IB = f (VBE, VCE) -> curva característica de entrada

IC = f (VCE, IB) -> curva característica de salida

Curvas características
Transistor NPN
Curva característica de entrada (VBE, IB)
IB = f (VBE, VCE)

0,7V

Característica de entrada: representa la corriente en la base frente al voltaje B-E

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo
La característica de este diodo depende de VCE pero la variación es pequeña, así
que lo despreciaremos
Para la característica entrada se emplean las aproximaciones lineales vistas para el
diodo en el tema anterior
Curvas características
Transistor NPN
Curva característica de salida (VCE, IC)
IC = f (VCE, IB)

Característica de salida: representa la corriente en el colector frente al voltaje C-E para

diferentes corrientes de la base

La corriente que circula por el colector IC se controla mediante la corriente de base IB

Para que haya corriente en el colector se requiere corriente en el terminal de mando B,
aunque su valor es mucho menor que la de los terminales principales C y E

En un circuito, el valor de la corriente continua IC y la tensión continua VCE en los

terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra
Q (Quiescent operating point)
Curvas características
Transistor NPN
Curva característica de salida
IC = f (VCE, IB) IC (mA) Característica de salida BC547

VCE (V)
Modelos
Transistor NPN
Modelo a tramos con tres zonas de trabajo Zona activa IC= β· IB
Zona de corte
No hay corriente de base, solamente hay una
pequeña corriente de fuga en el colector (ICEO),
esta corriente es asumida como cero

saturación
Zona de
A la entrada y a la salida consideramos el
transistor un interruptor abierto
Uniones:
• B-E -> VBE < 0.7 V
• B-C -> VBC < 0 V polarizada en inversa Zona de corte

C Ejemplo
N Circuito abierto
VBC < 0 V
B P VCE
Modelo 14V 14V
VBE < 0.7 V
N C VCE
IB = 0
B IC = 0
E VCE
E E IE = 0
Modelos
Transistor NPN
Zona activa IC = β· IB
Modelo a tramos con tres zonas de trabajo

Zona activa
La corriente en el colector es la corriente de base
amplificada

saturación
Zona de
IC = β · IB siendo β = hfe -> Ganancia de corriente
en continua (hfe lo obtenemos del datasheet)
IC IC β
IE = IC + IB α= = =
I E IC + I B β + 1
Zona de corte
Uniones:
• B-E -> VBE = VBE on ≈ 0.7 V IB > 0 conducción directa
(VBE on lo obtenemos del datasheet)
• B-C -> VBC < 0 V polarizada en inversa

C IC

N Modelo
C
VBC < 0 V
B P VCE > 0V B
IB
N
VBE ≅ 0.7 V E E
E
IE
 Modelos
Transistor NPN Zona activa IC= β· IB
Modelo a tramos con tres zonas de trabajo

Zona saturación
El voltaje C-E es el mínimo -> VCESAT ≈ 0 V (0,2 V)

saturación
(VCE sat lo obtenemos del datasheet)

Zona de
La corriente de colector es la máxima del circuito
(IC = IE = ICsat) y se calcula en el circuito de salida
(VCC , RC …)
Un incremento de la corriente de base no tiene Zona de corte
efecto sobre el colector: ICsat ≤ β · IB
Uniones:
• B-E -> VBE = VBE sat ≈ 0.7 V IB > 0 conducción directa
(VBE sat lo obtenemos del datasheet)
• B-C -> VBC > 0 V polarizada en directa
C IC
Modelo
N- C
VBC > 0 V
B P B
VCE ≅ 0V
IB
VBE ≅ 0.7 V N+ E E
E IE
 Modelos
Transistor NPN
Corte Saturación Activa
VBE < 0.7 V VBE sat = 0.7 V IB > 0 VBE on = 0.7 V IB > 0 C
C
IB = IC = IE = 0 ICsat < β · IB IC = β IB IE = IC + IB IC
C
VBC < 0 V VCE = VCE sat ≅ 0.2 V
I Csat VCE > VCE sat
VBC > 0 V IB VBC < 0 V β ⋅ IB
B VCE B VCE
VCE _SAT B IB
vBE 0.7V
I Csat
E E
0.7V
IE
IC E
IC
C 0.5 A I B =5mA
IC Característica de salida NPN
VBC C 0.4 A I B =4mA
I N-
B β = 100
IB I B =3mA
P VCE 0.3 A
B B
N+ VBE E 0.2 A I B =2 m A
E IE
IE 0.1A I B =1mA

transistor en corte (I B = 0mA → I C = 0 A)

V CE _ sat V CE
Modelos
POLARIZACIÓN DE LA UNIÓN
MODO
BASE-EMISOR BASE-COLECTOR
Corte Inversa VBE < 0,7V Inversa VBC < 0 V
Activo- Directo Directa VBE = 0,7V Inversa VBC < 0 V
Saturación Directa VBE = 0,7V Directa VBC > 0 V
Activo- Inverso Inversa VBE < 0V Directa VBC > 0,7 V No habitual

NPN
Modelos
Transistor PNP Corte Saturación Activa
IE VEB < 0.7 V VEB on = 0.7 V IB > 0 VEB sat = 0.7 V IB > 0
E ICsat < β IB IC = β IB IE = IC + IB
IB = IC = IE = 0
VCB < 0 V E VEC =V EC sat ≅ 0.2 V VEC > VEC sat
IB P+ E
VCB > 0 V VCB < 0 V
N
B VEB E
0.7V
IE

P- VEC
B 0.7V
IB
VEC _SAT B VEC
B β ⋅ IB
C C
IB IC IC
IC C
C
IC Característica de salida PNP
I B = 5mA
IE 0.5 A
Símbolo E I B = 4mA
0.4 A
β = 100
IB I B = 3mA
0.3 A
B VEC
I B = 2mA
0.2 A
C
IC I B = 1mA
0.1A
transistor en corte (IB = 0mA → IC = 0 A)
V EC _ sat V EC
Datos del fabricante
VALORES MÁXIMOS NPN
ICMAX Corriente máxima de colector
VCEmax = VCEO Tensión máxima entre colector y emisor
Pmax = PC Potencia máxima que puede disipar el transistor, es un límite
térmico, se tiene que cumplir que: V C E ⋅ I C < P MAX
VCB max= VCBO Tensión máxima entre colector y base
VEB max= VEBO Máximo voltaje que soporta la unión base –emisor en inversa
IC I C _ MAX V CE _ MAX
Área de operación segura
SOA (Safe Operating Area) PMAX
IC < ICMAX
VCE < VCEO
PC < Pmax
V BEO V CE
VALORES MÁXIMOS PNP V CE _ sat
El fabricante indicará los mismos límites que para el caso del NPN expresando
los voltajes y las corrientes con signo negativo
Datos del fabricante
Cuando el transistor esté ICMAX = 50 mA
en saturación IC deberá
ser inferior a 50 mA VCEO = 20 V
IC < ICmax PC max = 300 mW

En un circuito si IC =20
mA, el voltaje VCE deberá
ser inferior a 15 V
VCE < PCmax / IC

En un circuito si IC =10 mA,

el voltaje VCE deberá ser
inferior a 20 V
VCE < VCEO
Datos del fabricante
Ejemplo: datasheet NPN
Datos del fabricante
Datasheet PNP
Los valores de voltaje y corriente son negativos
VCEO = -65V es lo mismo que VECO = 65 V
VBE(ON) típica = -660 mV es lo mismo que VEB(ON) = 660 mV = 0.66V
Datos del fabricante
Al considerar la ganancia de corriente en continua β (o hFE) constante estamos
haciendo una aproximación, β varía con la temperatura, con IC y de un transistor a otro

Ejemplo: datasheet BC546/547/548/549/550 (NPN)

Ejemplo: datasheet 2N3055

Estas variaciones justifican la

búsqueda de diseños que
dependan poco de β, si no,
tendríamos que hacer un diseño
específico para cada transistor que
compremos
Datos del fabricante
Encapsulado de transistores
Los transistores pueden realizarse en la escala del micrómetro, como en el caso
de algunos circuitos integrados o de varios milímetros, como en aplicaciones
de potencia (amplificación de sonido, regulación de velocidad de motores, etc.)

Podemos encontrar varios transistores en el mismo encapsulado

Análisis DC de circuitos con BJT
Análisis de un circuito mediante método gráfico
Ejercicio 1
En el circuito de la figura, conocidas las curvas características del transistor,
determinar las corrientes en el transistor y el voltaje entre colector y emisor
Curva de entrada del transistor
RC (dibujada en papel milimitrado)
IB (µA)
VCC Punto Q
Intersección de la recta de
RB 86KΩ VBB/RB 60 carga del circuito de
50
VCE entrada y la curva
40
IB 30 característica de entrada
VBE
20 VBE = 0.7 V, IB = 50 µA
10 VBB
VBE
Ecuación del circuito de entrada 0.5 1 2 3 4 5V
Recta de carga del
𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 0 circuito de entrada

Es la ecuación de una recta que determina todos los puntos de operación permitidos
en el circuito de entrada
si IB= 0 -> VBE = VBB = 5 V
Para representarla trazamos dos puntos
si VBE= 0 -> IB = VBB/RB = 5/86K = 58.13 µA
Análisis DC de circuitos con BJT
Análisis de un circuito mediante método gráfico
Ejercicio 1
En el circuito de la figura, conocidas las curvas características del transistor,
determinar las corrientes en el transistor y el voltaje entre colector y emisor
Curva de salida del transistor
IC (mA) (dibujada en papel milimitrado)
RC
VCC

RB 86KΩ
VCE
VCC/RC
IB VBE

Ecuación del circuito de salida

𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 0
Es la ecuación de una recta que
determina todos los puntos de
Recta de carga del VCC VCE (V)
operación permitidos en el circuito circuito de salida Punto Q
Para representarla trazamos dos puntos Intersección de la recta de
carga del circuito de salida y la
si IC= 0 -> VCE = VCC = 14V
curva característica de salida
si VCE= 0 -> IC = VCC/Rc = 14/240 = 58.3 mA para IB = 50 µA
VCE = 11 V, IC = 12.5 mA
 Análisis DC de circuitos con BJT
β (hFE) se puede obtener de la curva característica de salida (VCE, IC)
𝐼𝐼𝐶𝐶
𝛽𝛽 =
IC (mA)
𝐼𝐼𝐵𝐵

60 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝛽𝛽= = 240
250 µ𝐴𝐴

12 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝛽𝛽= = 240
50 µ𝐴𝐴
VCE (V)
Análisis DC de circuitos con BJT
Análisis de un circuito mediante modelos matemáticos
Para utilizar los modelos anteriores debemos determinar en qué zona trabaja el transistor
Analizaremos por un lado el circuito de entrada, que será el encargado de polarizar la unión
Base-Emisor, y por otro lado, el circuito de salida que nos dará la relación entre el voltaje
Colector-Emisor y la corriente en el Colector
Procedimiento para un NPN (datos del fabricante: VBE on , VCE_SAT y β):
• Calculamos el voltaje en los extremos de la unión Base-Emisor considerando el transistor
abierto, es decir, el voltaje Thevenin equivalente VTH(BE)
• Si VTH (BE) < 0.7 -> Corte, calculamos los voltajes aplicando el modelo en corte en ambos
circuitos (entrada y salida)
• Si VTH (BE) > 0.7 -> el transistor no está en corte -> VBE on ≅ 0.7 V , suponemos zona activa y
calculamos IB en el circuito de entrada
Calculamos IC = IB · β -> IE = IC + IB y calculamos VCE en el circuito de salida
• Si VCE > VCE_SAT -> Zona activa, la suposición era correcta
• Si VCE ≤ VCE_SAT -> Zona de saturación, la suposición no era correcta. Volvemos a calcular
las corrientes y los voltajes utilizando el modelo en saturación: VBE sat ≅ 0.7V y VCE = VCE_SAT

Con transistor PNP el procedimiento es similar, usaremos VEB ≅ 0.7V y VEC = VEC sat
( VEB = - VBE y VEC sat = - VCE sat )
Análisis DC de circuitos con BJT
Análisis de un circuito mediante modelos matemáticos
Ejercicio 2
En el circuito de la figura con un transistor con 𝛽𝛽≈ 250 y VCESAT =0.2V calcula el punto
de trabajo del transistor para diferentes valores de la fuente VBB
a) VBB= 0.5 V
b) VBB= 5 V IC (mA)
RC
c) VBB= 22 V VCC

RB 86KΩ
VCE VCC/RC
IB VBE QC

a) Corte (QA): IB = IC = IE = 0, VBE= 0.5V

VCE= 14V, VBC = -13.5V QB
b) Activa (QB): VBE = 0.7 V, IB = 50 µA, QA
IC = 12.5 mA, IE = 12.55 mA, VCE= 11V,
VBC = -10.5V Recta de carga del VCC VCE (V)
circuito de salida
c) Saturación (QC): VBE = 0.7 V, IB = 247 µA,
ICsat = IE = 57,5 mA, VCE= 0.2V, VBC = 0.5V
Análisis DC de circuitos con BJT
Análisis de un circuito mediante modelos matemáticos
Ejercicio 2
 Si la corriente de control IB es nula, el transistor se encuentra en corte (QA), la unión Base-
Colector se encuentra en inversa y la unión Base-Emisor sin polarizar. No habrá corriente Ic
 Aumentando la corriente de control
IC (mA)
IB, la unión Base-Emisor llega a
aproximadamente a 0.7V y se
polariza en directa, es decir
comienza a conducir el transistor y
entra en la zona Activa (QB).
En esta zona, la corriente de colector QC
depende únicamente de la corriente
de base y de la 𝛽𝛽 del transistor
 Si seguimos incrementando la corriente de
control (base) IB, la corriente en el colector QB
Ic aumentará, por lo que VCE se reduce.
Cuando VCE llega al mínimo (VCE_sat ), la QA
tensión se enclava en torno a ese valor y el
transistor pasa a operar en saturación (QC). VCC VCE (V)
La corriente en el colector para ese circuito no puede aumentar más (se satura), es la
máxima que nos puede proporcionar el circuito Icsat (depende del circuito)
Icsat < β · IB

Además, como no podemos rebasar ningún límite se debe cumplir Icsat < IC máx
Análisis DC de circuitos con BJT
Análisis de un circuito mediante modelos matemáticos
Ejercicio 2-> simulaciones
Aplicaciones
• Conmutador de potencia
• Amplificación
• Circuitos de regulación o protección
• Fuente de corriente
• Adaptación de impedancias
 Aplicaciones
Conmutador de potencia
El punto Q del transistor BJT cambiará de corte a saturación
• CORTE: El transistor actúa como un interruptor abierto
• SATURACIÓN: El transistor actúa como un interruptor cerrado
NPN en conmutación
+V CC +VCC +VCC
+ VCC +VCC
Corte Saturación
RC IC IC sat IC sat
RC IC = 0 RC
≅
RB C C
VBB > 0.7 V
R C V CEsat V CEsat≅ 0
VBB < 0.7 V B
0V IB > 0 E E
IB = 0 E VBE sat ≅ 0.7 V

VCC −VCE sat

VCE = VCE sat I C sat =
VCE = VCC − I C R C RC
Si estamos diseñando el circuito, para asegurar la
si I C = 0 → VCE = VCC saturación y hacer el circuito independiente de β , la
corriente de base la calcularemos como:
ICsat
I B sat > IC s a t I B sat =n • n = 3, 4 o 5
βmin βmin
multiplicador
Aplicaciones
Conmutador de potencia
En conmutación el BJT puede actuar como adaptador (driver de potencia)
Las salidas de los controladores (uC, automátas…) están limitadas en voltaje y en
intensidad. La tensión máxima cuando la salida está a nivel alto (HIGH) es algo inferior a su
alimentación (5V o 3,3V) y la corriente de salida máxima suele ser de 20mA a 40mA.
Pueden controlar el encendido/apagado de pequeñas cargas (indicador LED,…) pero no
de cargas mayores (motores DC, LED de potencia, …).
En esos casos, un BJT entre la salida del controlador y la carga hará de driver y
proporcionará la corriente necesaria

Vcc_carga Vcc_carga
Vcc_carga Vcc_carga

Emisor a
Vcc_carga
LOW/HIGH
Colector a
la carga
LOW/HIGH Salida del Salida del
controlador controlador Colector a
la carga
Salida del Salida del
controlador controlador Emisor
a GND
Aplicaciones
Conmutador de potencia
La carga que se quiere controlar se conecta en el colector del transistor
Regla nemotécnica
El transistor NPN se pone en la parte NEGATIVA de la carga
El transistor PNP se pone en la parte POSITIVA de la carga

Vcc_carga Vcc_carga
Vcc_carga Vcc_carga

+ + Emisor a
Vcc_carga
Icarga Icarga
LOW/HIGH
- - Colector a
LOW/HIGH negativo Colector a
Icontrol + Icontrol
de la carga positivo de
Icarga + la carga
Icontrol Icontrol
Icarga
Emisor Salida del
Salida del -
controlador
a GND controlador -

La carga se conecta entre el colector y su La carga se conecta entre el colector y GND

alimentación (Vcc_carga)
 Aplicaciones
Vcc carga
Conmutador de potencia
NPN en conmutación

Controlador
• Pin salida a nivel alto (HIGH = 3.3V /5V): transistor en
Pin salida saturación, carga en ON (LED iluminado, motor en
marcha, calefactor encendido)
• Pin salida a nivel bajo (LOW = 0V): transistor en corte,
carga en OFF (LED, motor, calefactor… apagados)
GND

PNP en conmutación • Pin salida a nivel alto (HIGH = 3.3V /5V): transistor en corte, carga
Vcc carga en OFF (LED, motor, calefactor… apagados)
Vcc carga = Vcc controlador • Pin salida a nivel bajo (LOW = 0V): transistor en saturación, carga
en ON (LED iluminado, motor en marcha, calefactor encendido)

Pin salida

Controlador

GND
 Aplicaciones
Conmutador de potencia
Ejemplo- 1
Diseñar un circuito para controlar el encendido de 1 metro de una tira de LEDs RGB desde 3
salidas de un microcontrolador (uC). Cada salida controlará un color (R, G y B)
La salida del uC proporciona a nivel alto Vout H = 5 V y a nivel bajo Vout L = 0 V y una corriente
máxima Ioutmax= 20 mA
La tira de LED se alimenta a 12V, las caídas de voltaje típicas en cada LED son: VF verde = VF azul = 3 V
y VF vrojo = 1.8 V
La tira está formada circuitos paralelos de 3 LEDs RGB en serie con resistencias integradas

Vcc= 5V
14.4 W/m
VDC = 12V
60 LEDs/m
IF

IG
IR SMD5050 RGB
IB
14,4 1 En un metro tenemos 60 LEDs RGB:
𝐼𝐼𝐹𝐹 𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = · = 20 mA • 20 circuitos en paralelo para R
12 60
12−3 ·3 • 20 circuitos en paralelo para G 3 LEDs en serie
𝐼𝐼𝐹𝐹 𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣/ 𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎= 150 = 20 mA • 20 circuitos en paralelo para B
12−3 ·1,8 Las corrientes que encesitamos para 1 metro son:
𝐼𝐼𝐹𝐹 𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = 330 = 20 mA
𝐼𝐼𝑅𝑅 = 𝐼𝐼𝐺𝐺 = 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 20 𝑚𝑚𝑚𝑚 · 20= 400 mA
Aplicaciones
Conmutador de potencia
Ejemplo- 1
Como no podemos controlar la tira de LEDs directamente desde 3 salidas del uC (Ioutmax= 20 mA )
añadiremos un circuito con un transistor en cada salida del uC (una salida para cada color)
Debemos elegir un transistor, para ello observamos que cuando el 12V
transistor esté en corte VCE = 12V. Elegimos un transistor con VCEO > 12V
Cuando el transistor esté en saturación debe circular una corriente de
400 mA, por tanto, elegimos un transistor con ICmax > 400 mA
Una vez elegido el transistor, buscamos en su datasheet el valor de βmin
400 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝐼𝐼𝑅𝑅
𝐼𝐼1 ≥ 3 =3 = 12 mA Vcc= 5V IG
β 100
Vout
Se debe cumplir: I1 < Ioutmax uC (20 mA)
I1
RB
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝐻𝐻 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
𝑅𝑅𝐵𝐵 ≤
𝐼𝐼1 I1
GND

5 −0.8 RB
𝑅𝑅𝐵𝐵 ≤ = 350 Ω
IR
12 𝑚𝑚𝑚𝑚
I1 GND
• Cuando la salida del controlador esté a nivel alto,
Vout H = 5 V, el transistor entrará en saturación y RB IB
ese color se encenderá
GND VBE sat = 0.8V
• Cuando esté a nivel bajo, Vout L = 0 V, el transistor
estará en corte y el color se apagará
Aplicaciones
Conmutador de potencia
RELÉ electromagnético o electromecánico
Un relé, o relevador, es un componente eléctrico que también funciona como un interruptor
controlado. Sirve para activar un circuito (AC o DC) que tiene un consumo considerable de
electricidad mediante un circuito de pequeña potencia que imanta la bobina del relé

Circuito de carga
Circuito de NC (normalmente cerrado)
activación
(bobina) Circuito de carga
NO (normalmente abierto)

Datos del fabricante (valores de disparo de la bobina y valores máximos en la carga)

Voltaje máximo de carga
Corriente máxima de carga
Tiempo de conmutación de abierto a cerrado
Tiempo de transición desde que se interrumpe el suministro de tensión a
la bobina hasta el momento en que el contacto cambia

Voltaje de disparo Resistencia bobina Corriente de disparo Potencia de disparo

(a través de la bobina) nominal
Aplicaciones
Conmutador de potencia
RELÉ electromagnético o electromecánico

Relay 5VDC SRD-05VDC-SL-C

Datos del fabricante
Aplicaciones
Conmutador de potencia
El transistor y el relé actúan como un interruptor controlado permitiendo activar un
circuito a partir de una señal de menor potencia
Transistor
(dispositivo semiconductor)
 No utiliza piezas móviles
 Son mucho más rápidos
 Son silenciosos
 Sólo puede manejar cargas DC
 Cerrado tienen una caída de voltaje
 Pueden dañarse por cortocircuitos, picos
de voltaje o corriente
 La parte de control no está aislada
 Para el diseño hay que conocer la carga
que se quiere hacer conmutar
Relé
(dispositivo electromecánico)
 Puede manejar cargas de corriente y tensión
muy altas
 Puede manejar cargas AC y DC
 Cerrado presenta una resistencia muy baja
 La mayoría cuentan con un contacto NO
(normalmente abierto) y NC (normalmente
cerrado)
 La parte de control está aislada
 La conmutación es mucho más lenta
 Ciclo de vida limitado
 Suelen ser mucho más grandes que los
transistores
 Consumen una cantidad más o menos grande
de corriente
Aplicaciones
Conmutador de potencia

Para conmutar cargas pequeñas, o Transistor

que necesitan conmutar millones
de veces o una frecuencia > 200 Hz

Para conmutar cargas muy altas, Relé

cargas AC, o desconocidas

Para conmutar cargas muy altas,

cargas AC, o desconocidas, Transistor + Relé
desde la salida de un
microcontrolador pueden ser
necesarios los dos porque
generalmente la salida del uC
no proporcionará la corriente
necesaria para la bobina del
relé
Aplicaciones
Conmutador de potencia
Circuito para controlar la conmutación de un relé desde la salida de un uC
Ejemplo
La salida del uC proporciona a nivel alto Vout H ≅ 5 V y a nivel bajo Vout L = 0 V y una corriente
máxima Ioutmax= 20 mA
El voltaje de disparo del relé es 12VDC y la corriente de disparo necesaria es 50 mA (> Ioutmax)

Diodo de protección
(Tema -2)

Vcc= 5V

Salida del
uC

Pone el transistor a un estado conocido (GND) cuando la salida del controlador

está en un estado indeterminado (alta impedancia), por ejemplo, durante el
arranque del programa
LED que se encenderá para indicar que circula corriente por el
circuito de activación (bobina)
 Aplicaciones
Conmutador de potencia
Práctica-3 control de iluminación con LDR y relé para encender una lámpara
Vcc carga Diodos de protección
(Tema -2)

LDR Vcc= 3.3V

RLDR ≅ 300KΩ (oscuridad)
RLDR ≅ 1.6KΩ (despacho) 3.3V 1 KΩ
RLDR ≅ 100Ω (muy bien iluminada)

LDR
Icarga
IN (AC) RBsat
Iin= 50 nA OUT (DC)
1 KΩ
Iout max= 40 mA
IB BC547
GND
GND
1𝐾𝐾
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 = 𝑅𝑅 ⋅ 3,3
𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 +1𝐾𝐾 LED VF = 1.8 V

(↑ lux, ↓ 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 ↑ 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 )

BC547

RELÉ

Bobina 9 V DC

R bobina 123 Ω

Voltaje máximo de carga 250 V AC

Corriente máxima de carga 10 A

Contactos 1 NO, 1NC

 Aplicaciones
Conmutador de potencia
Ejemplo: Circuito de control automático de iluminación sin microcontrolador

Análisis DC
VCC =VDC bobina
Malla de entrada Thevenin

R2+R1
Relé VTH
RLDR

LDR
𝑅𝑅1 es una resistencia variable para ajustar el voltaje umbral en el cual el
transistor pasa de conducir a no conducir
𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 ⋅ 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 = RTH= (R2 +R1)//RLDR 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 0
𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2 + 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
Al aumentar la iluminación disminuye el valor de 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
Para valores bajos de 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 -> 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 < 0.7V y el transistor estará en corte -> carga en OFF
Al disminuir la iluminación aumenta el valor de 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
Para 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 > 0.7V el transistor empezará a conducir, en zona activa o en saturación dependiendo del
valor de 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
Aunque el transistor conduzca en zona activa, el relé no conmutará hasta no alcanzar en la bobina
la corriente suficiente
Aplicaciones
Conmutador de potencia
¿Qué llevan los módulos de relés que venden hechos para Arduino?
 2 relés
5VDC SRD-05VDC-SL-C Bobina VDC = 5V, Ibobina = 72 mA
Salida: DC 30V/10A, AC 250V/10A
 Circuito de disparo (IN1/IN2) a nivel bajo
(LOW) con optoacoplador y transistor
Corriente disparo IIN1 = 15 -20 mA
Parte de Relé 1
control Parte de potencia
NC
C
NO

Relé 2
Optoacoplador
LED1
NC
C
NO

LED2 Optoacoplador
Anexo
Optoacoplador
Un optoacoplador es un dispositivo semiconductor que permite transmitir una señal
eléctrica entre dos circuitos aislados
Se utilizan dos partes, un LED que emite luz infrarroja y un dispositivo fotosensible que
detecta la luz del LED. Ambas partes están dentro del mismo encapsulado pero la única
conexión entre ambas partes es la luz del LED que activa al fototransistor
Se utiliza para aislar los dispositivos que trabajan con voltaje bajo de los circuitos de alto
voltaje
 Aplicaciones
Conmutador de potencia
PNP en conmutación cuando Vcc carga = Vcc controlador
Ejemplo: Vcc controlador = Vcc carga = 5V
La carga se conecta entre el colector y GND
El emisor se conecta al voltaje de alimentación de la carga (Vcc carga )

VCC carga  Salida del controlador Vout L= 0V

5V Malla de entrada: unión PN (E-B) en conducción
BJT en saturación: VEB sat ≅ 0.8 V, VEC sat ≅ 0.2V
IC
Controlador VCC carga −VEC sat
I C sat = Carga ON
RCarga
IB VCC carga −VEB sat −Vout L
VOUT L 0 V I ICsat RB =
B sat ≥n •
IB sat
VOUT H 5 V β
 Salida del controlador Vout H= 5V
Unión Emisor-Base en inversa (no conduce)
BJT en corte: VEB = VCC carga - Vout H = 5 - 5 = 0V
IC = IE = IB = 0 no pasa corriente por la carga, Carga OFF
VEC = VCC carga
Aplicaciones
Conmutador de potencia
PNP en conmutación cuando Vcc carga ≠ Vcc controlador
Ejemplo: Vcc controlador =5V, salida del controlador a nivel alto VOUT H = 5V y Vcc_carga = 12V

VCC carga  Salida del controlador Vout L=0V

12 V Unión Emisor-Base en conducción

IC BJT en saturación: VEB sat ≅ 0.8 V, VEC sat ≅ 0.2V

Controlador VCC carga −VEC sat
I C sat = Carga ON
RCarga
I B s a t ≥ n I C s a t R = VCC carga −VEB sat −Vout L
IB
VOUT L 0 V •
B
VOUT H 5 V β IB sat

 Salida del controlador Vout H= 5V

Unión Emisor-Base en conducción VEB on ≅ 0.7 V
VCC carga −VEB on −Vout H 12− 0.7 −5
I B= =
RB RB

IB ≠ 0 IC ≠ 0

Si VCC carga - Vout H > VEB on

El circuito no funciona, el transistor no va a corte,
siempre pasa corriente por la carga
Aplicaciones
Conmutador de potencia
PNP en conmutación cuando Vcc carga ≠ Vcc controlador
El problema anterior lo podemos evitar intercalando un transistor BJT NPN
Partimos de que la resistencia RB1 se ha calculado para el que transistor BJT trabaje entre corte y
saturación (VCEsat≤ 0.2V)
 Salida del controlador Vout H=+5V
T1 en saturación VCE1 sat = 0.2V
VCC carga
VC1=0.2V; VE2= VCC carga -> T2 en saturación VCE2 sat = 0.2V
VCC carga
Icarga = IC 2 sat , pasa corriente por la carga (ON)
RC1 RB2 calculada para hacer llevar a T2 a saturación (IBsat 2)
 Salida del controlador Vout L=0V
RB2
T2 T1 en corte VCE1 = VCC carga
RB1 VC1= VCC carga ; VE2= VCC carga -> T2 en corte (VEB 2 =0 < 0.7V)
T1
Icarga = 0, no pasa corriente por la carga (OFF)
VOUT H
VOUT L VEC 2= VCC carga
Preguntas de test

¿Y si el motor se alimentara a 40V y necesitara una corriente de 0.5 A?

¿Puedo usar un circuito con un BC107 y un PN2222?

Aplicaciones
Conmutador de potencia
Para mayores corrientes podemos usar transistores en configuración Darlington
 Dos transistores bipolares conectados en cascada
 Idóneo para controlar cargas grandes de corriente con corrientes muy
pequeñas
 La tensión de polarización, para que conduzca ha de ser mayor que 2 veces la
VBE convencional (dos uniones B-E, VBE = 1.4V )
 VCEsat superior al convencional, entre 0.7V y 2V

Si los transistores son iguales β1 = β2

Generalmente β2 >> 2β
Aplicaciones
Conmutador de potencia
Array Darlington ULN2003A
 Es un circuito integrado (CI) con siete etapas de potencia formadas por transistores
Darlington
 Cada canal permite 500 mA, para aumentar la corriente se pueden usar dos salidas en
paralelo
Diodo antiparelelo
 Incluye diodos de protección
Vcc max = 50 V
para cargas inductivas

Para proteger de
voltajes de polaridad
inversa

COM
Aplicaciones
Conmutador de potencia
Puente en H (Half-H Drivers)
Ampliamente utilizado para alimentar una carga de forma
que podemos invertir el sentido de la corriente

 Formado por 4 transistores

 Activando los transistores opuestos en diagonal de cada
rama, podemos variar el sentido de la corriente en la
carga
 Generalmente se usa para variar el sentido de giro de un
motor eléctrico DC, frenarlo bruscamente o frenarlo bajo
su propia inercia (desconectarlo de su alimentación)

Ejemplos de CI con puente en H

Permiten controlar 2 motores
Incorporan diodos de protección contra corrientes inducidas
L293 L298
• 4.5V – 36 V • 5V – 46 V
• 600 mA • 2A
Anexo
Driver 298 Esquema para controlar
Dos puentes en H (Half-H Drivers) dos motores DC

para controlar dos motores de corriente

continua o un motor paso a paso de hasta 2A M1 M2

Vs alimentación IN3 IN4 ENB

motores GND ENA IN1 IN2Control M2
VS alimentación +6V..+35V Control M1
motores

IN2
A B Q
IN1
A 0 0 0
Q 0 1 0
ENA B AND
ENA
OUT1 OUT2 1 0 0
1 1 1
IN1
complementario HIGH= 1; LOW = 0
de IN1 ENA ENA
IN2= complementario de IN2

ENA IN1 IN2 AND activas OUT1 OUT2 M1

HIGH LOW LOW ByD 0V 0V parado

HIGH HIGH LOW AyD +Vs 0V

HIGH LOW HIGH ByC 0V +Vs

HIGH HIGH HIGH AyC +Vs +Vs parado

LOW X X - No alimentado
Anexo Datasheet

Driver 298 Opción1 Opción2

Jumper

GND 5V disponibles para GND

Hay que
Vs alimentación alimentar otro C.I. Vs alimentación proporcionar +5V
motores OJO: GNDs unidas motores
+6V..+12V +12V..+35V PWM en señal ENx

Variar la velocidad de los motores

Parado
La velocidad de los motores se puede
variar empleando PWM

La señal PWM se puede aplicar en

cualquier señal de control:
Para M1: ENA, IN1, IN2,
Para M1: ENB, IN3, IN4 Mitad de velocidad

Generalmente se aplica en la señal de

habilitación ENA o ENB

Velocidad máxima
Aplicaciones
Amplificación
Es el proceso de incrementar linealmente la amplitud de Señal Señal
una señal eléctrica eléctrica amplificada
El objetivo es producir una salida que siga las características V(t), I(t) V(t), I(t)
de la señal de entrada pero que sea lo suficientemente
grande como para satisfacer las necesidades de la carga
conectada a ella. La amplificación puede ser en corriente,
en voltaje o en ambas

Algunos sensores proporcionan señales eléctricas de amplitud ~ µV o

mV, demasiado débiles para poder realizar un procesamiento fiable de
NECESIDAD
la información
AMPLIFICACIÓN
Existen aplicaciones, como los sistemas con altavoces, que necesitan
proporcionar potencias en el rango de las decenas o centenas de
watios y para conseguirlo se requiere amplificar

Las principales características de un amplificador ideal son:

• Fidelidad: propiedad de amplificar sin alterar la forma de onda
• Ganancia de señal: relación entre la señal de salida y la señal de entrada
• Potencia de salida
• Eficiencia: relación entre la potencia de salida y la potencia suministrada por las
fuentes de alimentación
Aplicaciones
Amplificación
Ejemplo

Altavoz

Amplificador
audio

Amplificador audio 250 mW

Amplificador audio 260 W
Aplicaciones
Clases de amplificadores
El desarrollo de amplificadores se ha centrado en mejorar la fidelidad y la eficiencia
Los amplificadores se clasifican de acuerdo con la configuración del circuito:
• Los amplificadores clase A, B, AB o C amplifican señales analógicas
Emplean transistores en zona activa y se clasifican en función de su punto de polarización o
funcionamiento y el porcentaje del ciclo de la señal de entrada sinusoidal durante el cual
conducen los transistores
• Los amplificadores clase D, E, F, G, S o T amplifican señales digitales moduladas por ancho de
pulso (PWM). Emplean transistores en conmutación para cambiar constantemente la señal
entre ON y OFF Clase A
Fidelidad más alta
Mala eficiencia
Clase B
Mayor eficiencia
Pobre fidelidad
Clase C
Diseñado para conducir durante una
pequeña porción del ciclo de entrada
Alta eficiencia,
Fidelidad deficiente
Clase D, E, F, G, S, T
Muy alta eficiencia, menor consumo
para conseguir la misma potencia
que las clases anteriores
Menor tamaño del amplificador
Aplicaciones
Amplificador clase A
Al circuito, polarizado en continua para que el transistor trabaje en zona activa (Q), se le
aplica una señal alterna de entrada vin en el circuito de la base, la salida alterna vout
amplificada e invertida se obtiene en el circuito del colector

Condensadores de acoplamiento
Bloquean la continua

Configuración en emisor común: la señal de entrada vin se aplica en el terminal de

base y la salida vout se obtiene en el terminal del colector
Emisor común
 La salida vout está invertida respecto a
la entrada
 Amplifica voltaje
vout  Amplifica corriente
vin
Aplicaciones
Amplificador clase A
El circuito de polarización, que es el circuito de continua que se encarga de preparar el
transistor para que trabaje en zona activa, se denomina “polarización por divisor de
tensión”
Con una buena selección de resistencias, el punto de trabajo (Q) del transistor
puede estar centrado en la recta de carga y ser prácticamente independiente de las
variaciones de β (hFE)
Análisis DC
Malla de entrada
Thevenin

VTH
RTH= R1//R2
𝑅𝑅2 ⋅ 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 =
𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2

Condensador de
𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0
acoplamiento 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝐼𝐼𝐵𝐵 β
Bloquea la continua 𝐼𝐼𝐸𝐸 = 𝐼𝐼𝐶𝐶 + 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 𝐼𝐼𝐵𝐵 (β + 1)
𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝐼𝐼𝐵𝐵 =
𝑅𝑅𝑇𝑇𝑇𝑇 + (β + 1)𝑅𝑅𝐸𝐸
Aplicaciones
Amplificador clase A
El circuito de polarización, que es el circuito de continua que se encarga de preparar el
transistor para que trabaje en zona activa, se denomina “polarización por divisor de
tensión”
Con una buena selección de resistencias, el punto de trabajo (Q) del transistor
puede estar centrado en la recta de carga y ser prácticamente independiente de las
variaciones de β (hFE)
Análisis DC
Malla de salida
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 ⋅ 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐸𝐸 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 ⋅ 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸

Recta de carga del

circuito de salida
VCC
RC+RE

Condensador de
acoplamiento
Bloquea la continua
VCC
VCE (V)
Aplicaciones
Amplificador clase A

Estabilidad frente a cambios de β

VTH - VBE
IB = ⇒ IC = IB ⋅ β
R TH + ( β + 1)R E
VTH - VBE VTH - VBE
IC = ⋅ β ⇒ IC =
R TH + ( β + 1)R E R TH  β + 1 
+ R
β  β  E
β +1 V -V
si β >> 1 ⇒ ≅ 1 ⇒ I C ≅ TH BE
β R TH
+ RE
β
El circuito será estable a cambios de β cuando: R TH
<< R E
β
R TH V -V
si << R E ⇒ I C ≅ TH BE
β RE
Pero aumentar RE hace disminuir la ganancia en alterna, así que el criterio
de diseño es 𝑅𝑅1 𝑅𝑅2
R
R E ≥ 10 TH RTH= R1//R2 𝑅𝑅 𝑇𝑇𝑇𝑇 =
β 𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2
Aplicaciones
Amplificador clase A
Los amplificadores clase A conducen durante todo el ciclo de la señal de entrada
La fidelidad de la señal es excelente, pero como el amplificador está siempre encendido, incluso
sin señal de entrada (vin = 0) hay consumo de potencia, la eficiencia tiende a ser baja
Distorsiones
Dependiendo de la posición del punto Q se pueden
producir recortes o distorsiones en la salida amplificada,
para evitarlos se recomienda elegir el punto Q centrado
en la recta de carga
Señales distorsionadas
vout vout vout

El transistor El transistor entró Entrada con amplitud

entró en corte en saturación excesiva

También hay que tener en cuenta que β varía con la

temperatura, así que durante el funcionamiento el punto
Q se desplazará, se recomienda elegir circuitos lo más
estables posibles a variaciones de β
Aplicaciones
Amplificador clase A
Ejemplo de diseño

Diseñar un circuito de polarización mediante divisor de tensión, de modo que:

• el punto de trabajo del transistor esté centrado en la recta de carga
• el circuito sea estable frente a cambio de 𝛽𝛽 (considerar β típica = 100)
1
• 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 10 𝑚𝑚𝑚𝑚 𝑦𝑦 𝑉𝑉𝐸𝐸 = 10 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 (considerar VCC = 12V)

a) Una vez diseñado dibujar la recta de carga y situar en ella el punto de trabajo
b) Una vez diseñado calcular la variación del punto Q si β vale 60 (dibujar ese
punto sobre la recta de carga)
Aplicaciones
Amplificador clase A
Ejemplo de diseño
VCC
12V Cursor 2
Cursor 1

RC vC
R1 481.2Ω
7064Ω
vin vC C2
1µF
vout
1µF
C1
vB
V3 R13 vB
hfe=100 100kΩ
RE
R2
118.8Ω vin
500mVpk 1428Ω
1kHz
0°
vout
vin vB vC vout
Cursor 1
Cursor 2
Vpp
Aplicaciones
Amplificador clase A
Ejemplo de diseño
VCC
12V Cursor 2
Cursor 1

RC vC
R1 481.2Ω
7064Ω
vin vC C2
1µF
vout
1µF
C1
vB
V3 R13 vB
hfe=100 100kΩ
RE
R2
118.8Ω vin
500mVpk 1428Ω
1kHz
0°
vout
vin vB vC vout
Cursor 1
Cursor 2
Vpp
Aplicaciones No 23-24

Amplificador clase A
Análisis aproximado para circuitos estables frente a cambios de β

R TH Utilizamos la ecuación anterior:

R E ≥ 10
β R TH VTH - VBE
si << R E ⇒ I C ≅
β RE
𝑅𝑅2 ⋅ 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 =
𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2

Consideramos: 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝐼𝐼𝐸𝐸 -> despreciamos IB

Malla de salida:
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 ⋅ 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐸𝐸 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 ⋅ 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 (𝑅𝑅𝐶𝐶 +𝑅𝑅𝐸𝐸 )

Aplicaciones No 23-24

Amplificador clase B
Mejora la eficiencia del amplificador clase A
Utiliza dos transistores complementarios para cada semiciclo de la señal alterna de entrada
vin , de modo que cada transistor amplifica la mitad de la forma de onda de salida vout
No hay corriente de polarización de base en continua porque el punto de trabajo (Q) de los
transistores es el corte, por lo que no hay consumo de potencia cuando Vin =0
Con fuente simétrica ±Vcc Los transistores necesitan tener
una polarización al menos de
0.65 V entre base y emisor para
empezar a conducir y amplificar
vout
Esto supone que cuando la señal
de entrada esté comprendida
entre 0.7V y -0.7V no conduzca
ningún transistor y la señal de
salida sea Vout =0

vout Esto produce una "distorsión de

Vin - VBE paso por cero" o "distorsión de
cruce“ y pérdida de fidelidad
 La salida está en fase con la
entrada
Vin +VBE  No amplifica voltaje, amplifica
corriente
Aplicaciones No 23-24

Amplificador clase AB
Para evitar el problema de la distorsión de cruce, se mueve el punto de polarización 0.7V
para que en cuanto vin sea mayor de 0V, el transistor conduzca
El amplificador clase AB es un tipo muy común en aplicaciones de potencia de audio
El nivel de polarización adecuado se ajusta con un par de diodos, cuya unión P-N es
similar a la unión B-E de los transistores

Con fuente simétrica ±Vcc

Diodos de
conmutación  La salida está en fase con la entrada
rápida  Vout ≅ Vin
 No amplifica voltaje, amplifica corriente
Aplicaciones No 23-24

ANEXO: Amplificador clase D

Basa su funcionamiento en que sus dispositivos de salida (transistores tipo MOSFET,
que veremos en el siguiente sección) trabajan en "conmutación”

Características :
• Menor consumo para conseguir mismas potencias, gracias a su
mayor rendimiento
• Menor tamaño del amplificador
• Peor fidelidad que las clases AB o A
Aplicaciones
Amplificación con AO (amplificadores operacionales)
En determinadas aplicaciones de amplificación de tensión no se emplearán los
circuitos anteriores, se emplearán circuitos basados en un circuito integrado (CI)
denominado Amplificador Operacional (AO)
El AO está formado por decenas de transistores operando en zona activa
En el tema 5 se hablará de los AO

Generalmente los AO tienen una potencia de salida limitada (por ejemplo, algunas
decenas de mW)

AO 741