1. ¿Cómo se llaman los portadores mayoritarios en la región de base de un transistor npn?

Huecos.
2. Explique el propósito de una región de base delgada levemente dopada
La mayoría de los electrones seguirá el camino hacia el colector por dos razones; la primera es
el débil dopado de la base
3. ¿Por qué la corriente en la base de un transistor es mucho menor que la corriente en el
colector?
Porque el colector está más fuertemente dopado. 2. En un circuito con transistores, la corriente
de la base es 2% de la corriente del emisor de 30 mA
4. En un cierto circuito con transistor, la corriente de base es de 2% de la corriente de 30mA del
emisor. Determine la corriente en el colector.?
24mA.
5. Para que opere normalmente un transistor pnp, la base debe ser (+ o -) con respecto al emisor
y (+ o -) con respecto al colector.
R= Una unión Pn se encuentra polarizada en inversa y la otra en directa
6. ¿Cuál es el valor de IC con 𝐼E = 5.34 𝑒 𝐼B = 475𝜇𝐴?
4.86mA
7. ¿Cuál es la 𝑎𝐶D cuando 𝐼𝑐 = 8.23𝑚𝐴 e 𝐼𝑒 = 8.69𝜇𝐴?
0.947
8. Cierto transistor tiene una 𝐼𝐶 = 25𝑚𝐴 y una 𝐼E = 200𝜇𝐴 determine la 𝛽𝐶𝐷?
125
9. Cuál es la 𝛽𝐶𝐷 de un transistor si 𝐼𝐶 = 20.3𝑚𝐴 e 𝐼E = 20.5𝑚𝐴?
101.5
10. ¿Cuál es la 𝑎𝐶D cuando 𝐼𝑐 = 5.35𝑚𝐴 e 𝐼𝐵 = 50𝜇𝐴?
0.99
11. Cierto transistor tiene una 𝑎𝐶𝐷 de 0.96 determine IC cuando IE = 9.35mA?
8.98mA
12. Se aplica una corriente de base de 50𝜇A al transistor de la figura 4-53 y un voltaje de 5V a
través de RC. Determine 𝛽𝐶𝐷 del transistor.
 𝑉𝑅𝐶 5𝑉
𝐼𝐶 = = = 5 𝑚𝐴
𝑅𝐶 1.0 𝑘Ω
𝐼𝐶 5 𝑚𝐴
𝛽𝐷𝐶 = = = 100
𝐼𝐵 50µ𝐴
13. Calcule 𝛼𝐶𝐷 del problema 12.
0.99
14. Suponga que el transistor del circuito de la figura 4-53 es reemplazado con uno que tiene
una 𝛽𝐶𝐷 de 200, determine IB, IC, IE y VCE dado que VCC = 10V y VBB = 3V.
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 3 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐵 = = = 23 µ𝐴
𝑅𝐵 100 𝑘Ω
𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 𝐼𝐵 = 200(23 µ𝐴) = 4.6 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 4.6 𝑚𝐴 + 23 µ𝐴 = 4.62 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 10 𝑉 − (4.6 𝑚𝐴)(1.0 𝑘𝛺) = 5.4 𝑉
15. Si VCC se incrementara a 15V en la figura 4-53, ¿Cuánto cambiaran las corrientes y VCE?
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 15 𝑉 − (4.6 𝑚𝐴)(1.0 𝑘𝛺) = 10.7 𝑉
16. Determine cada corriente en la figura 4-53, ¿cuál es la 𝛽𝐶𝐷 ?
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 4 𝑉 − 0.7 𝑉 3.3 𝑉
𝐼𝐵 = = = = 702 µ𝐴
𝑅𝐵 4.7 𝑘Ω 4.7 𝑘Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 24 𝑉
𝐼𝐶 = = = 34 𝑚𝐴
𝑅𝐶 470 Ω
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 34 𝑚𝐴 + 702 µ𝐴 = 34.7 𝑚𝐴
𝐼𝐶 34 𝑚𝐴
𝛽𝐷𝐶 = = = 48.4
𝐼𝐵 702 µ𝐴
17. Determine VCE, VBE, y VCB en los circuitos de la figura 4-55
(a)
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 4.3 𝑉
𝐼𝐵 = = = 1.1 𝑚𝐴
𝑅𝐵 3.9 𝑘Ω
𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 𝐼𝐵 = 50(1.1 𝑚𝐴) = 55 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 15 𝑉 − (55 𝑚𝐴)(180 𝛺) = 5.10 𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 = 5.10 𝑉 − 0.7 𝑉 = 4.40 𝑉
(b)
𝑉𝐵𝐸 = −0.7 𝑉
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 −3 𝑉 − (−0.7 𝑉) −2.3
𝐼𝐵 = = = = −85.2 µ𝐴
𝑅𝐵 27 𝑘Ω 27 𝑘𝛺
𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 𝐼𝐵 = 125(−85.2 µ𝐴) = −10.7 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = −8 𝑉 − (−10.7 𝑚𝐴)(390 𝛺) = −3.83 𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 = −3.83 𝑉 − (−0.7 𝑉) = −3.13 𝑉
18. Determine si los transistores de la figura 4-55 están o no en saturación
(a)
𝑉𝐶𝐶 15 𝑉
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) = = = 83.3 𝑚𝐴
𝑅𝐶 180 𝛺
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 5 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐵 = = = 1.1 𝑚𝐴
𝑅𝐵 3.9 𝑘Ω
𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 𝐼𝐵 = 50(1.1 𝑚𝐴) = 55 𝑚𝐴
Debido a que 𝐼𝐶 < 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) el transistor no está en saturación

(b)
𝑉𝐶𝐶 8𝑉
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) = = = 20.5 𝑚𝐴
𝑅𝐶 390 𝛺
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 3 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐵 = = = 85.2 µ𝐴
𝑅𝐵 27 𝑘Ω
𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 𝐼𝐵 = 125(85.2 µ𝐴) = 10.7 𝑚𝐴
Debido a que 𝐼𝐶 < 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) el transistor no está en saturación

19. Determine IB, IE, IC en la figura 4-56 𝑎𝐶D = 0.98.

𝑉𝐵 = 2 𝑉
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 2 𝑉 − 0.7 𝑉 = 1.3 𝑉
𝑉𝐸 1.3 𝑉
𝐼𝐶 = = = 1.3 𝑚𝐴
𝑅𝐸 1.0 𝑘Ω
𝐼𝐶 = 𝛼𝐷𝐶 𝐼𝐸 = (0.98)(1.3 𝑚𝐴) = 1.27 𝑚𝐴
𝛼𝐷𝐶 0.98
𝛽𝐷𝐶 = = = 49
1 − 𝛼𝐷𝐶 1 − 0.98
 𝐼𝐸 = 𝐼𝐸 + 𝐼𝐶 = 1.3 𝑚𝐴 − 1.27 𝑚𝐴 = 30 µ𝐴
20. Determine voltajes en las terminales de cada transistor con respecto a tierra de cada circuito
en la figura 4-57 determine también VCE, VBE Y VCB.
(a)
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 = 10 𝑉
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 = 20 𝑉
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 10 𝑉 − 0.7 𝑉 = 9.3 𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 20 𝑉 − 9.3 𝑉 = 10.7 𝑉
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = 20 𝑉 − 10 𝑉 = 10 𝑉
(b)
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 = −4 𝑉
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 = −12 𝑉
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = −4 𝑉 − (−0.7 𝑉) = −3.3 𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = −12 𝑉 − (−3.3 𝑉) = −8.7 𝑉
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = −12 𝑉 − (−4 𝑉) = −8 𝑉
21. Si la 𝛽𝐷𝐶 en la figura 4-57 (a)cambia de 100 a 150 por un incremento de temperatura ¿Cuál
es el cambio de la corriente en el colector?
Para 𝛽𝐷𝐶 = 100 Para 𝛽𝐷𝐶 = 150
𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 10 𝑉 − 0.7 𝑉 𝐼𝐸 = 930 µ𝐴
𝐼𝐸 = = = 930 µ𝐴
𝑅𝐸 10 𝑘Ω
𝛽𝐷𝐶 150
𝛼𝐷𝐶 = = = 0.993
𝛽𝐷𝐶 100 1 + 𝛽𝐷𝐶 151
𝛼𝐷𝐶 = = = 0.990
1 + 𝛽𝐷𝐶 101
𝐼𝐶 = 𝛼𝐷𝐶 𝐼𝐸 = (0.993)(930 µ𝐴) = 924 µ𝐴
𝐼𝐶 = 𝛼𝐷𝐶 𝐼𝐸 = (0.990)(930 µ𝐴) = 921 µ𝐴 ∆𝐼𝐶 = 924 µ𝐴 − 921 µ𝐴 = 3 µ𝐴

22. Un cierto transistor tiene que ser operado con una corriente de en el colector de 50 mA.
¿Qué tan alto puede ser VCE sin exceder un PD(max) de 1.2W?

𝑃𝐷(𝑚𝑎𝑥) 1.2 𝑊
𝑃𝐷(𝑚𝑎𝑥) = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸(𝑚𝑎𝑥) = = 50 𝑚𝐴 = 24 𝑉
𝐼𝐶
23. La reducción del valor nominal de la disipación de potencia de un cierto transistor es de 1
mW/°C la 𝑃𝐷(𝑚𝑎𝑥) es de 0.5 W a 25°C. ¿Cuál es 𝑃𝐷(𝑚𝑎𝑥) a 100°C?

𝑃𝐷(𝑚𝑎𝑥) = 0.5 𝑊 − (75°𝐶)(1 𝑚𝑊/°𝐶) = 0.5 𝑊 − 75 𝑚𝑊 = 425 𝑚𝑊

24. La ganancia de voltaje de un amplificador con transistores de 50. ¿Cuál es el voltaje de

salida cuando el voltaje de entrada es de 100 mV?
5V
25. Para obtener una salida de 10 V con una entrada de 300 mA ¿Qué ganancia de voltaje se
requiere?
33.3V
26. Se aplica una señal de 50 mV a la base de un transistor apropiadamente polarizado con 𝑟̀ 𝑒=
10Ω y RC= 50Ω. Determine el voltaje de señal del colector?
2.8
27. Determine el valor del resistor del colector en un amplificador con transistor npn con 𝛽𝐷𝐶 =
250, VBB = 2.5 V, VCC = 9 V, VCE = 4 V Y RB = 100 kΩ.
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 2.5 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐵 = = = 18 µ𝐴
𝑅𝐵 100 𝑘Ω
𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 𝐼𝐵 = 250(18 µ𝐴) = 4.5 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 9 𝑉 − 4 𝑉
𝑅𝐶 = = = 1.1 𝑘𝛺
𝐼𝐶 4.5 𝑚𝐴
28. ¿Cuál es la ganancia de corriente de cd de cada circuito en la figura 4-55?
(a) = 50 y (b) = 125
29. Determine 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) para el transistor de la figura 4-58 cual es el valor de 𝐼𝐵 necesario para
producir saturación. ¿Qué valor mínimo de VENT es necesario para saturación? Suponga 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)

0V
𝑉𝐶𝐶 5𝑉
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) = = = 500 µ𝐴
𝑅𝐶 10 𝑘𝛺
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) 500 µ𝐴
𝐼𝐵(𝑚𝑖𝑛) = = = 3.33 µ𝐴
𝛽𝐷𝐶 150
𝑉𝐼𝑁(𝑚𝑖𝑛) − 0.7 𝑉
𝐼𝐵(𝑚𝑖𝑛) =
𝑅𝐵
𝑅𝐵 𝐼𝐵(𝑚𝑖𝑛) = 𝑉𝐼𝑁(𝑚𝑖𝑛) − 0.7 𝑉

𝑉𝐼𝑁(𝑚𝑖𝑛) = 𝑅𝐵 𝐼𝐵(𝑚𝑖𝑛) + 0.7 𝑉 = (3.33 µ𝐴)(1.0 𝑀𝛺) + 0.7 𝑉 = 4.03 𝑉

30. El transistor de la figura 4-59 tiene una 𝛽𝐷𝐶 de 50. Determine el valor de 𝑅𝐵 requiriendo para
garantizar la saturación cuando VENT es de 5V. ¿Cuál debe ser VENT para cortar el transistor?
Suponga que 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)

0V

𝑉𝐶𝐶 15 𝑉
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) = = = 12.5 𝑚𝐴
𝑅𝐶 1.2 𝑘𝛺
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) 12.5 𝑚𝐴
𝐼𝐵(𝑚𝑖𝑛) = = = 250 µ𝐴
𝛽𝐷𝐶 50
𝑉𝐼𝑁 − 0.7 𝑉 4.3 𝑉
𝑅𝐵(𝑚𝑖𝑛) = = = 17.2 𝑘𝛺
𝐼𝐵(𝑚𝑖𝑛) 250 µ𝐴

𝑉𝐼𝑁(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = 0 𝑉

31. Un cierto fototransistor en un circuito tiene 𝛽𝐷𝐶 = 200. Es 𝐼𝜆 = 100µA, ¿cuál es la corriente
en el colector?
20mA
32. Determine la corriente en el emisor en el circuito de fototransistor de la figura 4-60 si, por
cada 1m/m2 de intensidad de luz, se produce 1µA de corriente del fototransistor.?

1𝑚 𝐴
𝐼𝜆 = (50 ) (1 µ ) = 50 µ𝐴
𝑚 2 1𝑚
𝑚2
𝐼𝐸 = 𝛽𝐷𝐶 𝐼𝜆 = (100)(50 µ𝐴) = 5 𝑚𝐴
33. Un acoplador óptico particular tiene una relación de trasferencia de corriente de 30%. Si la
corriente de entrada es de 100 mA ¿Cuál es la corriente de salida?
30 mA
34. Se requiere el acoplador óptico mostrado en la figura 4-61 para que suministre al menos 10
mA a la carga externa. Si la relación de trasferencia es de 60% ¿Cuánta corriente debe ser
suministrada a la entrada?
𝐼𝑜𝑢𝑡
= 0.6
𝐼𝐼𝑁
𝐼𝑜𝑢𝑡 𝐼𝑜𝑢𝑡 10 𝑚𝐴
= = = 16.7 𝑚𝐴
𝐼𝐼𝑁 0.6 0.6