QUÉ SON 

LOS TRANSISTORES

Definición 

Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodos principales son
emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y
huecos. El germanio y el silicio son los materiales más frecuentemente utilizados para la fabricación de
los elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prácticamente todas las funciones de
los antiguos tubos electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación, con muchísimas ventajas. 

Elementos de un transistor o transistores:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n
y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor
NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.

  EMISOR, que emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). Su labor es la

equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
 BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA
cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
 COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la
equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
Ventajas de los transistores electrónicos

  El consumo de energía es sensiblemente bajo.

  El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vacío.
  Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
  Puede permanecer mucho tiempo en depósito (almacenamiento).
  No necesita tiempo de calentamiento.
  Resistencia mecánica elevada.
  Los transistores pueden reproducir otros
fenómenos, como la fotosensibilidad.
TIPOS DE  TRANSISTORES
  Transistores Bipolares de unión, BJT. (PNP o NPN)

– BJT, de transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Junction Transistor). 

El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de
inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.

 Transistores de efecto de campo. (JFET, MESFET, MOSFET)

 JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fué el primer
transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así
un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.

– MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.

– MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada

transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y
en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.

 Transistores HBT y HEMT.                                         

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de
Hetereoestructura) y Hight Electrón Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3
terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con distinto salto de banda
prohibida. 
 EL TRANSISTOR BIPOLAR O BJT

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor bipolar es el más común de

los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o
silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la

dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo
indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de
transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los

siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el gráfico de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto

quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por
una de sus patillas (base), el entregará por otra
(emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se
llama amplificación. Este factor se llama b (beta) y es un
dato propio de cada transistor.
 TRANSISTOR FET

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen
ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. 

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia
de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y, por tanto, son unipolares. Se
llama transistor de efecto campo.

2) Explicación de la combinación de portadores.

            Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán
desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar
que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el
diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.
            En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen
hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal
positivo de la misma.
            Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS
aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres

3) Explicación de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que
forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones
óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una
conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

 Símbolos gráficos para un FET de canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con
purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación se muestran en la tabla.

Modelo de transistor
FET canal n

Modelo de transistor
FET canal p

CÓMO PROBAR UN CIRCUITO INTEGRADO.

Un circuito integrado ( IC = integrated circuit, chip o microchip en inglés) es un componente

electrónico que agrupa varios elementos en su interior, como: transistores, diodos y resistencias.
Pocas veces incluyen condensadores y bobinas porque ocupan mucho espacio, por lo que dichos
componentes deben ponerse afuera del circuito integrado.

Su complejidad se define usualmente por el número de transistores que posea, ya que es el

elemento activo que marca la diferencia.
Pueden tener desde unos cuantos transistores  hasta millones de ellos. Según sea el número de
componentes en su interior, el circuito integrado recibe su clasificación como:

SSI (Small Scale Integration) pequeño nivel: de 10 a 100 transistores

MSI (Medium Scale Integration) nivel medio: 101 a 1.000 transistores

LSI (Large Scale Integration) nivel medio superior: 1.001 a 10.000 transistores

VLSI (Very Large Scale Integration) nivel grande: 10.001 a 100.000 transistores

ULSI (Ultra Large Scale Integration) nivel extra grande: 100.001 a 1’000.000 de transistores.

GLSI (Giga Large Scale Integration) nivel ultra grande: más de un millón de transistores.

Los circuitos integrados están fabricados de una pequeña oblea de silicio, la cual esta cableada
desde su interior hasta el exterior haciendo contacto con los terminales que forman parte de su
encapsulado.

El fabricante de circuitos integrados incluye alguna información sobre el encapsulado que puede

ser SMD “Surface Mounted Device” (Dispositivo de Montaje Superficial)  o Through hole (Agujero
pasante).
Para identificar  a cada uno de ellos, como: referencia, logo de la marca, año y semana de
fabricación.

Tipos de circuitos integrados: Existen diversos tipos de circuitos integrados, por encapsulado y

según la función que pueda realizar. Los encapsulados más comunes son:

DIP “dual in line package” paquete de doble línea, SOP, TSSOP, SOT, SOIC, PLCC, SOJ, QFT,
BGA, entre otros.
Los circuitos integrados pueden ser construidos para realizar funciones específicas (análogas o
digitales) o fijas “specific integrated circuit”  es decir que solo realizan la tarea para la cual fueron
hechos.

Los circuitos integrados análogos: sus entradas y salidas pueden tomar cualquier valor
comprendido entre su rango de alimentación. Se usan usualmente como amplificadores, osciladores
o como reguladores de voltaje. Los amplificadores operacionales son fieles representantes de la
electrónica análoga.

Los circuitos integrados digitales: estos solo pueden tener dos estados posibles 1 y 0

Pues obedecen al sistema booleano binario. Sus entradas y salidas toman valores lógicos basados
en el riel positivo para el estado alto ó 1 y el riel negativo para el estado bajo ó 0.

Los circuitos integrados programables: estos pueden ser personalizados o programados, como

en el caso de los microcontroladores, microprocesadores y FPGA. Estos circuitos integrados
realizan tareas dependiendo de las instrucciones contenidas en un firmware o programa.

Cambiando dicho programa podemos también cambiar las funciones del circuito integrado. Así que
podemos tener dos circuitos integrados con la misma referencia, pero haciendo funciones o tareas
diferentes…quizás en una misma tarjeta de circuito impreso.