TRANSISTOR FET

Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente
se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas,
lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc.
Historia
Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar
fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John
Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron
galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956.
Al principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los denominados
transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre la fuente y la
prdida (colector) se controla usando un campo elctrico (salida y prdida (colector)
menores). Por ltimo, apareci el semiconductor metal-xido FET (MOSFET). Los
MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos
altamente integrados (IC). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con la
denominada tecnologa CMOS (semiconductor metal-xido complementario). La
tecnologa CMOS es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p),
que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un
funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que
forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los
recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el
paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el
diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de
los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento
slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se
alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito
que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de base y
corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en
cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de
Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de
calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros
tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente
de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los
transistores son emisor comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin
presente en el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre
la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la
salvedad que en el trodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y
Ctodo.
Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran
escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.
Tipos de transistor
Transistor de punta de contacto
Fue el primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W.
Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz
de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer
resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a
su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente
sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades
de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o
Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho ms
contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin
(difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.
Transistor de unin unipolar
Tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo
N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones
P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una
puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando
tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de
estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la
corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se
asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente.
Transistores y electrnica de potencia
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los
transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores
y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est
basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.


El transistor como amplificador
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-
Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin
igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio.
Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional
a la corriente de base: I
C
= I
B
, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para
transistores normales de seal, vara entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:
Emisor comn, Base comn, Colector comn.
TRANSISTOR FET
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as
porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece
a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por
tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son
particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor
de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo metal-oxido
semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensin con una alta
impedancia de entrada (1012). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y
analgicos como amplificador o como conmutador. Sus caractersticas elctricas son
similares aunque su tecnologa y estructura
fsica son totalmente diferentes.

Ventajas del FET:

1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada
(107 a 1012).

2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.

4) Los FET son mas fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar mas dispositivos en un C1.

5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores
pequeos de tensin drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.


7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.



Desventajas que limitan la utilizacin de los FET:
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada.

2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que
los BJT.

3) Los FET se pueden drenar debido a la electricidad esttica.

En este apartado se estudiaran brevemente las caractersticas de ambos dispositivos
orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.

Caractersticas elctricas del J FET

El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material semiconductor
de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un
elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source)
y puerta (gate).

En la figura figura a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la figura b el
smbolo de este dispositivo y en la figura c el smbolo de un JFET de canal P.



La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas.
En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la
fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe
tener una tensin mas negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre
polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura.




Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los
transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a
diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o drenador a
source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o
drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte,
lineal, saturacin y ruptura.

A Continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones para el
caso de un NJFET.

Regin de corte
En esta regin la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la
tensin entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversin
bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las
hojas tcnicas se denomina a esta tensin como de estrangulamiento o pinch-off y se
representa por VGS(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS(off)=-2V.

Regin lineal
En esta region, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en
muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tension. El
fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes
valores de VGS tal como se muestra en la figura . En esta regin el transistor JFET
verifica las siguientes relaciones:






Regin de saturacin
En esta regin, de similares caractersticas que un BJT en la regin lineal, el JFET tiene
unas caractersticas lineales que son utilizadas en amplificacin. Se comporta como una
fuente de intensidad controlado por la tensin VGS cuya ID es prcticamente
independiente de la tensin VDS. La ecuacin que relaciona la ID con la VGS se
conoce como ecuacin cuadrtica o ecuacin de Schockley que viene dada por:


donde Vp es la tensin de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturacin. Esta
corriente se define como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta caracterstica es
utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor constante (IDSS).
La ecuacin 1.22 en el plano ID y VGS representa una parbola desplazada en Vp. Esta
relacin junto a las caractersticas del JFET de la figura 1.11 permiten obtener
grficamente el punto de trabajo Q del transistor en la regin de saturacin. La figura
1.13 muestra la representacin grafica de este punto Q y la relacin existente en ambas
curvas las cuales permiten determinar el punto de polarizacin de un transistor
utilizando mtodos grficos:


Regin de ruptura
Una tension alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a
traves de la union de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tension
de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tension
se designa por BVDSS y su valor est comprendido entra 20 y 50 V. Las tensiones de
polarizacion nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se
deteriore.

Por ltimo, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las
ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son validas para el PJFET
considerando el convenio de signos indicados en la tabla:








PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la
puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de
puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs)
En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el
grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos
escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta
forma


El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de
la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la
realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy
grande).
El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a
la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de
Vgs de 1 voltio.
TCNICAS DE MANUFACTURA.
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor
slido cristalino (generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio) con diferentes
contaminaciones, que permite regular la circulacin de una corriente elctrica mediante
una corriente de control, mucho menor.
El primer transistor se cre en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947,
partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John
Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.
En el ao 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabric el primer
transistor de silicio, lo cual baj los costos y permiti, gracias a nuevas tcnicas de
fabricacin, su comercializacin a gran escala.
Han reemplazado en la mayora de las aplicaciones a los tubos vlvulas electrnicas,
en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricacin de equipos porttiles e
inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energa (en los primeros tiempos se
llamaba a los equipos transistorizados de "estado slido" o "frios").
Como se indic con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo
una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra
explicacin sobre el transistor BJT se utiliz el transistor npn a lo largo de la mayor
parte de las secciones de anlisis y diseo, con una seccin dedicada a los efectos
resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-
n aparecer como el dispositivo predominante, con prrafos y secciones dedicadas a los
efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p.
La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe
que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las
capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta
mediante contacto hmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras
que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a
la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran
conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por
tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del
canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de
cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones
sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se
ilustra en la figura siguiente, que se parece a la misma regin de un diodo bajo
condiciones sin polarizacin. Recurdese tambin que una regin de agotamiento es
aquella regin carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la
conduccin a travs de la regin.


Transistor de unin de efecto de campo (JFET).
Muy pocas veces las analogas son perfectas y en ocasiones pueden ser engaosas, pero
la analoga hidrulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET
en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminologa aplicada a las
terminales del dispositivo. La fuente de la presin del agua puede semejarse al voltaje
aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecer un flujo de agua (electrones) desde
el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una seal aplicada (potencial),
controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la
fuente estn en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior,
debido a que la terminologa se define para el flujo de electrones.



Analoga hidrulica para el mecanismo de control del JFET.
VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo
En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la
compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condicin
VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo
potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo inferior de cada material p,
semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura del transistor
FET. En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones sern atrados
hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin
definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que
las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que
aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado
nicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.





JFET en la regin VGS = 0 V y VDS > 0 V.
Es importante observar que la regin de agotamiento es ms ancha cerca del extremo
superior de ambos materiales tipo p. La razn para el cambio en la anchura de la regin
se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia
uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que
aparecen en la figura siguiente. La corriente ID establecer los niveles de voltaje a
travs del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la regin
superior del material tipo p estar inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la
regin inferior inversamente polarizada slo en los 0.5 V. Recurdese, la explicacin de
la operacin del diodo, que cuanto mayor sea la polarizacin inversa aplicada, mayor
ser la anchura de la regin de agotamiento, de aqu la distribucin de la regin de
agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unin p-n est
inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de
compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O A
es una importante caracterstica del JFET.



Variacin de los potenciales de polarizacin inversa a travs de la unin p-n de un JFET
de canal n

Explicacin de su encapsulado e identificacin de sus terminales.
La fabricacin de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en
una misma oblea de silicio, permiti crear los circuitos integrados o chips, base de todos
los aparatos electrnicos modernos.
Conectados de manera apropiada, permite amplificar seales muy dbiles, convertir
energa, encender o apagar sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde
frecuencias bajas hasta frecuencias de radio, etc.
Segn sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores
tipo NPN PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una
enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues
funcionan con sentidos opuestos de circulacin de corriente.
En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET
(el electrodo de control acta por medio de campo elctrico), los tipo unijuntura, los
MOS o de xido metlico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS
(usados para controlar grandes potencias y tensiones), etc.
Existe una innumerable cantidad de diseos, especializados para alta potencia, bajo
ruido elctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensin, aplicaciones de
conmutacin, etc.









Cundo utilizar JFET


El JFET tiene impedancias de entrada mucho ms altas y corrientes de salida mucho
ms bajas que los BJT.

Los BJT son ms lineales que los JFET.

La ganancia de un BJT es mucho ms alta que la de un JFET.


Por norma general, los JFET slo se utilizan cuando los BJT no son la solucin ms
conveniente, por ejemplo, cuando la corriente de fuga de la base de un BJT es
demasiado elevada.

En aplicaciones de lgica digital, el uso de los FET es importante, ya que son mucho
ms rpidos y disipan menos energa. Sin embargo, la mayora de estas aplicaciones
utilizan MOSFET, que presentan impedancias mucho ms elevadas incluso que los
JFET.

Aplicacin del fet

Preamplificador con FET para micrfono

Lista de materiales:
- 1 Transistor tipo FET 2N3819
- 1 Condensador de cermica de 0.1 uF
- 1 Condensador de cermica de 470 pF
- 2 Condensadores electrolticos de 10 Uf
- 1 Resistencia de 1 K 1/4 Watts
- 1 resistencia de 10 K 1/4 Watts
- 1 Resistencia de 1 M 1/4 watts
- 1 Conector para pila de 9 Voltios
- 6 Terminales para circuito impreso
- 1 Circuito Impreso




















CIRCUITOS ELECTRONICO II
TRANSITOR FET Y SUS APLICACIONES
Universidad Nacional de Piura-UNP Per


AUTOR :


REA TEMTICA : TRANSISTORES FET Y APLICACIONES

GRUPO : G-12

HORA : 7:30 9:00

PROF. TEORA :

PROF. PRCTICA :




PIURA - PER
2010
INTRODUCCION

Los dispositivos FET pueden emplearse para construir circuitos amplificadores de
pequea seal brindan ganancia de voltaje a una resistencia de entrada muy alta. Tanto
los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo decremental pueden emplearse para
proporcionar amplificadores que posean ganancias de voltaje de ca similares. Sin
embargo, el circuitos con MOSFET decremental tendr una impedancia de entrada
mucho mayor que en un circuito JFET semejante.

El circuito equivalente de pequea seal de un transistor FET se puede obtener por
mtodos anlogos a los utilizados en transistores bipolares. Sin embargo, al ser
dispositivos controlados por tensin, el modelo bipuerta ms adecuado es el de
parmetros {Y}, ya que relacionan las corrientes de salida con tensiones de entrada.

La figura representa el modelo de pequea seal de un FET constituido por dos
parmetros:
0
i , o factor de admitancia, y
D
r , o resistencia de salida o resistencia de
drenador. Esta notacin es la ms extendida para describir estos parmetros, aunque
algunos fabricantes utilizan la notacin en parmetros {Y} denominando
FS
V o
FS
g a
m
g e
1
OS
y o
1
OS
g o
OSS
r a
D
r .

Estos parmetros dependen de la corriente de polarizacin del transistor (ID), y el
fabricante proporciona las curvas que permiten extraer sus valores en diferentes
condiciones de polarizacin. A continuacin se describe con ms detalle los parmetros
m
g y
D
r .



































BIBLIOGRAFIA


1. Paul Horowitz, Winfield Hill, The art of electronics, 2nd ed, Cambridge
University
Press, 1989.

2. ] Albert P. Malvino, Principios de electronica, 4ta ed, McGraw-Hill, 1991.

3. http://www.slideshare.net/guest03d40e/transistor-fet-presentation

4. http://www.monografias.com/trabajos7/amtra/amtra.shtml


















CONCLUSIONES

Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).

La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora
como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor,
o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato
(usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es como
pantallas de cristal lquido o LCD).

No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).

Hasta cierto punto inmune a la radiacin.

Es menos ruidoso.

Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica


















PRECAUCIONES:

Con los transistores FET hay que tener cuidados especiales, pues algunas
referencias se daan con solo tocar sus terminales desconectadas (Esttica).
Por tal motivo, cuando nuevos traen sus patas en corto-circuito mediante una
espuma conductora elctrica o con algo metlico, esto no se debe quitar hasta que
esten soldados en la tableta de circuito impreso, hecho esto ya no hay problema.