INGENIERIA ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE ELECTRÒNICA I
I SEMESTRE 2021

LABORATORIO N°6: CONFIGURACIONES TRANSISTOR BJT

YEISSON ALEXANDER PACHECO NUÑEZ:1091034

SEBASTIAN MANSILLA RUBIO :1091299

1. OBJETIVOS

 Identificar los terminales de un transistor BJT.

 Comprender el funcionamiento de un transistor BJT en sus tres regiones de operación
(corte, corriente constante y saturación).
 Calcular y medir los voltajes de operación de cd que se encuentran en un circuito típico
emisor común.
 Observar e interpretar las curvas características en el puerto de entrada y en el puerto de
salida de un transistor BJT.

2. EQUIPO NECESARIO

(1) Fuente de Energía variable regulada de cd.

(1) Osciloscopio.
(1) Multímetro.
(2) Punta de prueba de osciloscopio.
(2) Conector BNC-Caimán.

3. COMPONENTES NECESARIOS

(4) Transistor 2N2222 y 2N2222A.

(4) Transistor 2N2907.
Resistencias.

NOTA:
 No olvide utilizar su bata blanca, procurar zapatos cerrados como calzado y ropa
adecuada para trabajar en el laboratorio (no se admiten vestidos, faldas, pantalonetas ni
sandalias).
 No olvide sus herramientas de trabajo. (Pinzas, tapa bocas, guantes, pelacables, cables
etc.) si va a trabajar con elementos que necesiten ese tipo de protección.
 AL INICIO DE LA PRÁCTICA DEBEN PRESENTAR LA SOLUCIÓN DE LAS
PREGUNTAS PREVIAS, LOS CIRCUITOS IMPLEMENTADOS EN “PROTOBOARD”,
ADEMÁS DE PRESENTAR LAS SIMULACIONES DE TODOS LOS CIRCUITOS.
 Es necesario que tenga presente la forma en que vienen interconectados los diferentes
contactos de los "protoboards" y cómo realizar conexiones en ellos.

4. PROCEDIMIENTO

4.1 IDENTIFIQUE LOS TERMINALES DEL TRANSISTOR BJT

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Docente: Oriana Alexandra López Bustamante
4.1.1 Tome el dispositivo 2N2222A y numere sus terminales.

4.2 TÉCNICA DE POLARIZACIÓN DE CIRCUITOS CON BJT

4.2.1 POLARIZACIÓN CON VOLTAJE VBB

V C C
R C
R B
Q 1
V 2

V B B

0
Figura 1. Polarización con voltaje VBB

4.2.1.1 Para el circuito de la Figura 1 escoja los valores para Rc, Rb, V BB y VCC, tales que el
transistor quede polarizado en la región de corriente constante. Implemente el 2N2222A.

4.2.1.2 Grafica la salida del transistor, indicando donde todos los valores correspondientes en
ella.

5. ZONAS DE TRABAJO DEL BJT

Figura 2. Configuración básica

5.1 Implemente el circuito de la Fig 2. Ajuste el voltaje Vbb (entre 0 Volts y 10 Volts) y mida
los voltajes entre colector y emisor Vce; el voltaje en la resistencia RB, el voltaje en la
resistencia RC para completar la siguiente tabla, con un beta de 100.
6
VBB V(RC) V(RB) VCE VBE
0 -0,7 -0,7 5,7 0,7
1 0,3 0,3 4,7 0,7
2 1,3 1,3 3,7 0,7

2
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 3 2,3 2,3 2,7 0,7
4 3,3 3,3 1,7 0,7
5 4,3 4,3 0,7 0,7
6 5,3 5,3 -0,3 0,7
7 6,3 6,3 -1,3 0,7
8 7,3 7,3 -2,3 0,7
9 8,3 8,3 -3,3 0,7
1
9,3 9,3 -4,3 0,7
0

5.2
Con los valores obtenidos en la tabla anterior, determine el estado o zona en que está
trabajando el transistor (Activa, saturación o corte) para cada fila de la tabla, indicando las
razones de cada una de ellas

VBB V(RC V(RB VC VBE ZONA DE TRABAJO

) ) E
0 -0,7 -0,7 5,7 0,7 Zona de Corte, con valor de Vce = 5,7 v
Zona Activa, con valores de Ic y Vce
1 0,3 0,3 4,7 0,7
intermedios
Zona Activa, con valores de Ic y Vce
2 1,3 1,3 3,7 0,7
intermedios
Zona Activa, con valores de Ic y Vce
3 2,3 2,3 2,7 0,7
intermedios
Zona Activa, con valores de Ic y Vce
4 3,3 3,3 1,7 0,7
intermedios
Zona Activa, con valores de Ic y Vce
5 4,3 4,3 0,7 0,7
intermedios
6 5,3 5,3 -0,3 0,7 Zona de Saturación, con Vce<0 e Icsat=53mA
7 6,3 6,3 -1,3 0,7 Zona de Saturación, con Vce<0 e Icsat=63mA
8 7,3 7,3 -2,3 0,7 Zona de Saturación, con Vce<0 e Icsat=73mA
9 8,3 8,3 -3,3 0,7 Zona de Saturación, con Vce<0 e Icsat=83mA
10 9,3 9,3 -4,3 0,7 Zona de Saturación, con Vce<0 e Icsat=93mA

5.3Para todos los casos en que el transistor trabaja en la zona activa, determine el valor
de la relación Ic / Ib. ¿A que parámetro del transistor corresponde dicho valor?; (Las
corrientes Ic e Ib se puede obtener utilizando la ley de Ohm, esto es, I = V / R en cada
caso).

CONCLUSIONES

Escriba todos los comentarios y conclusiones pertinentes al desarrollo de esta práctica.

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BIBLIOGRAFÍA

HORENSTEIN, Mark. Microelectrónica: circuitos y dispositivos. México D.F. Editorial Prentice

Hall. 1997.

NEAMEN, Donald A. Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos. México D.F. Tomo I. McGraw-
Hill. 1999.

SEDRA, Adel. “Circuitos Microelectronicos” Cuarta Edición, Oxford.

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 CONCLUCIONES

Un transistor bipolar está formado por dos uniones PN.

Normalmente el colector está muy poco dopado y es mucho mayor.

Los transistores son unos de los elementos que han facilitado en gran medida el diseño de
circuitos
Electrónicos, ya que casi en todos los aparatos electrónicos se encuentran presente.

El transistor típicamente trabaja en las zonas activa y saturación.

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